KR20040026542A - Novel arylphosphine compounds and organic electroluminescent devices - Google Patents

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KR20040026542A
KR20040026542A KR1020020058072A KR20020058072A KR20040026542A KR 20040026542 A KR20040026542 A KR 20040026542A KR 1020020058072 A KR1020020058072 A KR 1020020058072A KR 20020058072 A KR20020058072 A KR 20020058072A KR 20040026542 A KR20040026542 A KR 20040026542A
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황보선
강은경
이종륜
최재환
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주식회사 진웅산업
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Abstract

PURPOSE: An arylphosphine compound and an organic electroluminescent(EL) device using the same are provided, thereby cheaply manufacturing the organic electroluminescent(EL) device having improved luminescence efficiency at low electric field and improved heat stability. CONSTITUTION: An arylphosphine compound with a diarylphosphino group represented by the formula(1) is provided, wherein X is C6 to C21 optionally substituted arylene; Ar is C6 to C21 optionally substituted aryl; and the substituent of arylene or aryl is selected from halogen, nitro, cyano, C1 to C6 alkyl, C1 to C6 halogenated alkyl and C1 to C6 alkoxy. An organic electroluminescent(EL) device has the arylphosphine compound with a diarylphosphino group of the formula(1). A process for preparing the arylphosphine compound with a diarylphosphino group of the formula(1) comprises reacting diarylphosphino benzaldehyde compound with a diphosphate compound or a diphosphonium halide compound.

Description

신규한 아릴포스핀계 화합물 및 이를 채용한 유기 EL 소자 {Novel arylphosphine compounds and organic electroluminescent devices}Novel arylphosphine compounds and organic electroluminescent devices employing the same

본 발명은 아릴포스핀계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계 발광소자(이하, 유기 EL 소자로 칭함) 등에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발광물질로서 유용하게 사용될 수 있는 새로운 분자구조를 갖는 아릴포스핀계 화합물 및 이를 채용한 유기 EL 소자 등에 관한 것이다.The present invention relates to an aryl phosphine compound and an organic light emitting device (hereinafter referred to as an organic EL device) including the same, and more particularly, an aryl phosphine compound having a new molecular structure that can be usefully used as a light emitting material, and The organic EL device and the like employing the same.

최근, 유기 EL 소자는 고휘도의 평면 디스플레이 소자로서 주목받고 있다. EL 소자는 발광층이 두 전극의 사이에 삽입되어 있는 구조를 갖는다. EL 소자는 양극으로부터 주입되는 정공(hole) 및 음극으로부터 주입되는 전자가 발광층내에서 재결합하여 발광함으로써 디스플레이 기능을 할 수 있다.In recent years, organic electroluminescent element attracts attention as a flat display element of high brightness. The EL element has a structure in which a light emitting layer is inserted between two electrodes. The EL element can function as a display by recombining and emitting light from holes injected from the anode and electrons injected from the cathode in the light emitting layer.

EL 재료로서 종래에는 무기화합물이 주로 사용되었으나, 이를 EL 소자에 응용하기 위해서는 고전압을 가해야만 하는 단점이 있다. 따라서, 최근 유기화합물을 사용하여 구동전압을 낮출 수 있는 유기 EL 소자가 개발되고, 이에 맞추어 유기 발광재료도 개발되고 있다.In the past, inorganic compounds have been mainly used as EL materials. However, in order to apply them to EL devices, a high voltage must be applied. Therefore, recently, an organic EL device capable of lowering a driving voltage using an organic compound has been developed, and an organic light emitting material has been developed accordingly.

현재 유기 EL 소자용 유기 발광재료의 예로서는 하기의 화학식 i로 표시되는 AlQ3와 같은 유기금속 화합물(C.W,Tang Appl. phys. lett, 51(12), 1987), 하기 화학식 ii로 표시되는 비스 스티릴 아릴렌 유도체(미국특허 5,516,577호), 하기 화학식 iii으로 표시되는 안트라센 유도체와 같은 폴리아로마틱 화합물(한국특허공개번호 2002-0011686호), 및 하기 화학식 iv로 표시되는 아릴아민 유도체(한국특허공개번호 1999-0062697호) 등을 들 수 있다.As an example of an organic light emitting material for an organic EL device, an organometallic compound such as AlQ3 represented by Chemical Formula i (CW, Tang Appl. Phys. Lett, 51 (12), 1987), and bis styryl represented by Chemical Formula ii Arylene derivatives (US Pat. No. 5,516,577), polyaromatic compounds such as anthracene derivatives represented by the following formula (iii) (Korean Patent Publication No. 2002-0011686), and arylamine derivatives represented by the following formula (iv) (Korean Patent Publication No. 1999 -0062697).

[화학식 i][Formula i]

[화학식 ii][Formula ii]

[화학식 iii][Formula iii]

여기서, R1및 R2는 카바졸, 디페닐아민, 또는 메틸페닐렌을 나타낸다.Here, R 1 and R 2 represent carbazole, diphenylamine, or methylphenylene.

[화학식 iv][Formula iv]

그러나, 이러한 유기 EL 소자용 유기 발광 재료는 발광휘도, 내열성 등의 측면에서 아직 불충분하기 때문에, 내열성 및 휘도특성이 우수한 유기 EL 소자용 유기화합물에 대한 개발 필요성이 여전히 크게 남아 있는 형편이다.However, such organic light emitting materials for organic EL devices are still insufficient in terms of light emission luminance, heat resistance, and the like, and thus there is still a great need for development of organic compounds for organic EL devices having excellent heat resistance and luminance characteristics.

따라서, 본 발명의 목적은 유기 EL 소자용 유기 발광 재료로서 유용하게 사용될 수 있는 새로운 분자구조를 갖는 아릴포스핀계 화합물, 이를 포함하는 발광재료, 및 이를 포함하는 유기 EL 소자를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an arylphosphine-based compound having a novel molecular structure that can be usefully used as an organic light emitting material for an organic EL device, a light emitting material including the same, and an organic EL device including the same.

본 발명의 다른 목적은 상기 아릴포스핀계 화합물의 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for preparing the arylphosphine-based compound.

도 1은 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 단면구조를 나타낸다.1 shows a cross-sectional structure of an organic EL device according to an aspect of the present invention.

도 2 내지 4는 각각 본 발명에 따른 화합물 2, 3, 4의 형광 스펙트럼을 나타낸다.2 to 4 show fluorescence spectra of compounds 2, 3 and 4 according to the present invention, respectively.

도 5는 화학식 4로 표시되는 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌의 광발광 스펙트럼을 나타낸다.5 shows a photoluminescence spectrum of 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene represented by the formula (4).

도 6은 실시예 5의 유기 EL 소자의 전류-전압(I-V) 특성곡선을 나타낸다.6 shows a current-voltage (I-V) characteristic curve of the organic EL device of Example 5. FIG.

도 7은 실시예 5의 유기 EL 소자의 휘도-전압(L-V) 특성곡선을 나타낸다.7 shows the luminance-voltage (L-V) characteristic curve of the organic EL device of Example 5. FIG.

도 8은 실시예 5의 유기 EL 소자의 효율-전압(Eff(cd/A)-V) 특성곡선을 나타낸다.FIG. 8 shows the efficiency-voltage (Eff (cd / A) -V) characteristic curve of the organic EL device of Example 5. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 투명기판 3 : 음극 5 : 양극1 transparent substrate 3 cathode 5 anode

7 : 발광층 9 : 정공수송층 50 : 유기 EL 소자7 light emitting layer 9 hole transport layer 50 organic EL device

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은.The present invention to achieve the above object.

하기 화학식 1로 표시되는 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물을 제공한다:It provides an arylphosphine-based compound having a diaryl phosphino group represented by the general formula (1):

[화학식 1][Formula 1]

여기서, X는 C6 내지 C21의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, Ar은 C6 내지 C21의 치환 또는 비치환된 아릴기를 각각 나타내며, 상기 아릴렌기 또는 아릴기가 치환된 경우의 치환기는 할로겐기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 할로겐화 알킬기 및 C1 내지 C6의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이다.Here, X represents a substituted or unsubstituted arylene group of C6 to C21, Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group of C6 to C21, respectively, the substituent when the arylene group or aryl group is substituted is a halogen group, a nitro group , A cyano group, a C1 to C6 alkyl group, a C1 to C6 halogenated alkyl group and a C1 to C6 alkoxy group.

본 발명의 아릴포스핀계 화합물에 있어서, 상기 아릴렌기 X는 페닐렌기, 비페닐렌기 또는 나프틸렌기인 것이 바람직하다.In the arylphosphine compound of the present invention, the arylene group X is preferably a phenylene group, a biphenylene group or a naphthylene group.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 또한 상기 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물을 함유하는 발광재료를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention also provides a light emitting material containing an aryl phosphine-based compound having the diaryl phosphino group.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 또한 상기 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물을 함유하는 유기 EL 소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention also provides an organic EL device containing an arylphosphine-based compound having the diaryl phosphino group.

상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above another object, the present invention,

디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물을 디포스포네이트 화합물 또는 디포스포늄 할라이드 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물의 제조방법을 제공한다.Provided is a method for preparing an arylphosphine-based compound having a diarylphosphino group, wherein the diarylphosphino benzaldehyde compound is reacted with a diphosphonate compound or a diphosphonium halide compound.

이하, 본 발명에 따른 새로운 구조의 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물에 대하여 설명한다.Hereinafter, the arylphosphine type compound which has the diaryl phosphino group of the new structure which concerns on this invention is demonstrated.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 아릴포스핀계 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물인 것을 특징으로 한다.As described above, the arylphosphine-based compound according to the present invention is characterized by being an arylphosphine-based compound having a diarylphosphino group represented by the following Chemical Formula 1.

[화학식 1][Formula 1]

여기서, X는 C6 내지 C21의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, Ar은 C6 내지 C21의 치환 또는 비치환된 아릴기를 각각 나타내며, 상기 아릴렌기 또는 아릴기가치환된 경우의 치환기는 할로겐기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 할로겐화 알킬기 및 C1 내지 C6의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이다.Here, X represents a substituted or unsubstituted arylene group of C6 to C21, Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group of C6 to C21, respectively, the substituent when the arylene group or the aryl group is substituted is a halogen group, a nitro group , A cyano group, a C1 to C6 alkyl group, a C1 to C6 halogenated alkyl group and a C1 to C6 alkoxy group.

유용한 아릴렌기 X로서는 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 또는 1,2-페닐렌기; 2,6-나프틸렌기 또는 1,5-나프틸렌기; 4,4'-비페닐렌기, 2,2'-비페닐렌기 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기는 할로겐기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 할로겐화 알킬기 및 C1 내지 C6의 알콕시기 등으로 치환되어 있어도 무방하다. 여기서, "나프틸렌기"는 "나프탈렌"의 화학구조의 상기한 2개의 번호가 나타낸는 위치에서 화학식 1중의 비닐기와 연결된 아릴렌기를 의미한다.Useful arylene group X includes 1,4-phenylene group, 1,3-phenylene group, or 1,2-phenylene group; 2,6-naphthylene group or 1,5-naphthylene group; 4,4'-biphenylene group, 2,2'-biphenylene group, and the like, but is not limited thereto. The phenylene group, naphthylene group, biphenylene group may be substituted with a halogen group, a nitro group, a cyano group, a C1 to C6 alkyl group, a C1 to C6 halogenated alkyl group, a C1 to C6 alkoxy group, or the like. Here, "naphthylene group" means an arylene group connected to the vinyl group of the formula (1) at the position indicated by the above two numbers of the chemical structure of "naphthalene".

유용한 아릴기 Ar로서는 페닐기, α-나프틸기, β-나프틸기, 1-안트라세닐기, 2-안트라세닐기, 9-안트라세닐기, 1-페난트레닐기, 2-페난트레닐기, 3-페난트레닐기, 4-페난트레닐기, 9-페난트레닐기, 1-플루오레닐기, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기, 4-플루오레닐기, 9--플루오레닐기 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이들 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기는 역시 할로겐기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 할로겐화 알킬기 및 C1 내지 C6의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나로 치환되어 있어도 무방하다.Useful aryl groups Ar include phenyl group, α-naphthyl group, β-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 1-phenanthrenyl group, 2-phenanthrenyl group, 3-phenan A threnyl group, 4-phenanthrenyl group, 9-phenanthrenyl group, 1-fluorenyl group, 2-fluorenyl group, 3-fluorenyl group, 4-fluorenyl group, 9-fluorenyl group, etc. It is not limited to this. These phenyl groups, naphthyl groups, anthracenyl groups, phenanthrenyl groups, and fluorenyl groups are also halogen, nitro, cyano, alkyl groups of C1 to C6, halogenated alkyl groups of C1 to C6, and alkoxy groups of C1 to C6. It may be substituted with at least one selected.

상기 화학식 1로 표시되는 본 발명에 따른 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물의 구체예로서는 하기의 화학식 2 내지 5로 표시되는 화합물을 들 수잇으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the arylphosphine-based compound having a diaryl phosphino group according to the present invention represented by the formula (1) include, but are not limited to, the compounds represented by the following formulas (2) to (5).

[화학식 2][Formula 2]

도 2는 화학식 2로 표시되는 화합물의 형광스펙트럼(PL)을 나타낸다. 이 형광스펙트럼은 화학식 2의 화합물을 클로로포름에 용해시킨 후 찍은 것이다. 이로부터 화학식 2로 표시되는 화합물은 369nm에서 최대 흡광도(PLmax)를 갖고, 442nm에서 또 하나의 최대 피크를 갖는 청색계열의 발광물질임을 알 수 있다.Figure 2 shows the fluorescence spectrum (PL) of the compound represented by the formula (2). This fluorescence spectrum was taken after the compound of formula 2 was dissolved in chloroform. It can be seen that the compound represented by Chemical Formula 2 has a maximum absorbance (PLmax) at 369 nm and a blue light-emitting material having another maximum peak at 442 nm.

[화학식 3][Formula 3]

도 3은 화학식 3으로 표시되는 화합물의 형광스펙트럼을 나타낸다. 이 형광스펙트럼은 화학식 3의 화합물을 클로로포름에 용해시킨 후 찍은 것이다. 이로부터 화학식 3으로 표시되는 화합물은 365nm에서 최대 흡광도(PLmax)를 갖고, 418nm에서 또 하나의 최대 피크를 갖는 청색계열의 발광물질임을 알 수 있다.Figure 3 shows the fluorescence spectrum of the compound represented by the formula (3). This fluorescence spectrum was taken after the compound of formula 3 was dissolved in chloroform. From this, the compound represented by Chemical Formula 3 may have a maximum absorbance (PLmax) at 365 nm and a blue light-emitting material having another maximum peak at 418 nm.

[화학식 4][Formula 4]

도 4는 화학식 4로 표시되는 화합물의 형광스펙트럼을 나타낸다. 이 형광스펙트럼은 화학식 4의 화합물을 클로로포름에 용해시킨 후 찍은 것이다. 이로부터 화학식 4로 표시되는 화합물은 432nm에서 최대 흡광도(PLmax)를 갖고, 369nm에서 또 하나의 최대 피크를 갖는 청색계열의 발광물질임을 알 수 있다.Figure 4 shows the fluorescence spectrum of the compound represented by the formula (4). This fluorescence spectrum was taken after the compound of formula 4 was dissolved in chloroform. It can be seen that the compound represented by Formula 4 has a maximum absorbance (PLmax) at 432 nm and is a blue light-emitting material having another maximum peak at 369 nm.

[화학식 5][Formula 5]

도 5는 화학식 4로 표시되는 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌의 광발광 스펙트럼을 나타낸다. 이 형광스펙트럼은 화학식 5의 화합물을 클로로포름에 용해시킨 후 찍은 것이다. 이로부터 화학식 5로 표시되는 화합물은 483nm에서 최대 흡광도(PLmax)를 갖는 청색계열의 발광물질임을 알 수 있다.5 shows a photoluminescence spectrum of 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene represented by the formula (4). This fluorescence spectrum was taken after the compound of formula 5 was dissolved in chloroform. From this it can be seen that the compound represented by Formula 5 is a blue light-emitting material having a maximum absorbance (PLmax) at 483 nm.

본 발명에 따른 상기 화학식 1의 아릴포스핀계 화합물은 디아릴포스피노기를 작용기로 갖는 발광물질로서는 본 발명자들이 알고 있는 지식에 의하는 한 최초의 것이다. 이 화합물은 저전계에서도 효율좋게 발광할 수 있고, 진공증착에 의해서도균일한 비결정성막으로 용이하게 성형될 수 있는 뛰어난 장점이 있다. 따라서, 이 화합물을 이용하면 유기 EL 소자를 저비용으로 용이하게 제작할 수 있다. 또한, 본 발명의 아릴포스핀계 화합물은 융점 및 분해온도가 높기 때문에 이를 이용하여 제조된 유기 EL 소자는 열적으로 안정하므로 내구성이 우수한 장점을 발휘할 수 있다.The arylphosphine-based compound of the formula (1) according to the present invention is the first as long as the light emitting material having a diaryl phosphino group as a functional material known by the present inventors. This compound has an excellent advantage that it can efficiently emit light even in a low electric field and can be easily formed into a uniform amorphous film even by vacuum deposition. Therefore, by using this compound, an organic EL device can be easily produced at low cost. In addition, since the arylphosphine-based compound of the present invention has a high melting point and decomposition temperature, the organic EL device manufactured by using the arylphosphine-based compound may exhibit excellent durability because it is thermally stable.

본 발명에 따른 상기 화학식 1의 아릴포스핀계 화합물은 청색을 광발광하고, 청색, 녹색, 또는 적색 발광재료와 같은 또 다른 발광재료의 도입으로 상이한 발광색을 갖는 유기 EL 소자를 얻을 수 있다.The arylphosphine-based compound of Formula 1 according to the present invention can emit an organic EL device having a different emission color by photoluminescence of blue and the introduction of another light emitting material such as blue, green, or red light emitting material.

이어서, 상기한 본 발명에 따른 상기 화학식 1의 아릴포스핀계 화합물의 제조방법에 대하여 설명한다.Next, a method for preparing the arylphosphine compound of Formula 1 according to the present invention will be described.

본 발명의 상기 화학식 1에 따른 아릴포스핀계 화합물은 (1) 디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물과 아릴렌 그룹을 갖는 디포스포네이트 화합물을 반응시키는 방법 또는 (2) 디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물과 아릴렌 그룹을 갖는 디포스포늄 할라이드 화합물을 반응시키는 방법에 의하여 얻을 수 있다.The arylphosphine-based compound according to the general formula (1) of the present invention is (1) a method of reacting a diarylphosphino benzaldehyde compound and a diphosphonate compound having an arylene group or (2) a diarylphosphino benzaldehyde compound and an arylene group It can obtain by the method of reacting the diphosphonium halide compound which has a.

상기 (1)의 반응은 디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물과 아릴렌 그룹을 갖는 포스페이트 화합물을 THF, 톨루엔, 또는 이들의 혼합용매에서 t-BuOK, NaH, BuLi와 같은 염기촉매의 존재하에서 3 ~ 10시간 정도 상온 또는 가열환류시키는 방법에 의하여 진행된다.The reaction of (1) above is carried out for 3 to 10 hours in the presence of a base catalyst such as t-BuOK, NaH, BuLi in THF, toluene, or a mixed solvent thereof for the phosphate compound having a arylphosphino benzaldehyde compound and an arylene group. It is progressed by the method of reflux at room temperature or heating.

상기 (2)의 반응은 디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물과 아릴렌 그룹을 갖는 디포스포늄 할라이드 화합물을 염화메틸렌, 1,2-디클로에탄, 클로로포름, 메탄올, 에탄올, 사염화탄소, DMSO 또는 이들의 혼합용매에서 NaOEt, NaH, NaOH와 같은 염기성 촉매의 존재하에서 3 ~ 10시간 정도 가열환류시키는 방법에 의하여 진행된다. 이때 반응온도는 50℃로 조절되는 것이 바람직하다. 반응온도가 50℃ 미만이면 수율이 낮아지는 문제점이 발생할 염려가 있다.In the reaction of (2), the diaryl phosphino benzaldehyde compound and the diphosphonium halide compound having an arylene group are replaced by methylene chloride, 1,2-dichloroethane, chloroform, methanol, ethanol, carbon tetrachloride, DMSO or a mixed solvent thereof. In the presence of a basic catalyst such as NaOEt, NaH, NaOH in the process by heating to reflux for about 3 to 10 hours. At this time, the reaction temperature is preferably adjusted to 50 ℃. If the reaction temperature is less than 50 ℃ there is a problem that the yield is lowered.

상기 (1) 또는 (2)의 반응이 종료되면 반응결과물을 물에 가하여 침전시킨 후, 여과하고 염화메틸렌, 클로로포름, 에탄올과 같은 용매를 사용하여 재결정하거나 컬럼 정제하면 본 발명에 따른 디아릴포스피노기를 관능기로 갖는 아릴포스핀계 화합물을 얻을 수 있다. 이 아릴포스핀계 화합물은 주로 노란색 결정을 하고 있으며, 보통 180℃ 이상, 경우에 따라서는 약 210℃ 이상의 고융점(m.p)을 갖고 있으며, 400℃ 정도의 분해온도를 갖고 있어서 유기 EL 소자의 발광층으로 하였을 때 열적 안정성이 뛰어나다.When the reaction of (1) or (2) is complete, the reaction product is precipitated by addition to water, filtered, and then recrystallized or column purified using a solvent such as methylene chloride, chloroform, ethanol, or the like. An aryl phosphine type compound which has a group as a functional group can be obtained. This aryl phosphine compound mainly has yellow crystals, usually has a high melting point (mp) of 180 ° C. or higher and in some cases of about 210 ° C. or higher, and has a decomposition temperature of about 400 ° C. The thermal stability is excellent.

상기 디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물은 디아릴 할로게노페닐 포스핀을 불활성 기류하에서 헥산, THF, 에테르 또는 이들의 혼합용매 내에서 마그네슘 혹은 부틸리튬과 반응시켜 얻은 반응성 물질을 디메틸포름아미드와 반응시켜 얻는다. 이때 반응온도는 0℃ 이하의 저온으로 유지되어야 한다. 반응온도가 0℃를 초과하면 수율이 낮아지는 문제점이 발생할 염려가 있다.The diarylphosphino benzaldehyde compound is obtained by reacting a diaryl halogenophenyl phosphine with dimethylformamide with a reactive material obtained by reacting diaryl halogenophenyl phosphine with magnesium or butyllithium in hexane, THF, ether or a mixed solvent thereof under an inert air stream. At this time, the reaction temperature should be maintained at a low temperature below 0 ℃. If the reaction temperature exceeds 0 ℃ there is a problem that the yield is lowered.

상기 아릴렌 그룹을 갖는 디포스포늄 할라이드 화합물은 아릴렌 그룹을 갖는 디할라이드 화합물을 트리아릴 포스핀과 불활성 기류하에서 DMF, 톨루엔 등의 용매에서 가열환류시키는 방법에 의하여 얻을 수 있다. 기타 본 발명에 따른 아릴포스핀계 화합물의 자세한 반응조건에 대하여는 이하의 합성예를 참조하면 분명해질 것이다.The diphosphonium halide compound having an arylene group can be obtained by heating and refluxing a dihalide compound having an arylene group in a solvent such as DMF and toluene under an inert air stream with triaryl phosphine. Other detailed reaction conditions of the arylphosphine-based compound according to the present invention will be apparent with reference to the following synthesis examples.

한편, 본 발명에 따른 상기 화학식 1에 따른 아릴포스핀계 화합물을 이용한 EL 소자는 다양한 구조로 실현될 수 있다. 기본적으로, 도 1에 도시된 구조와 같이, 본 발명의 유기 EL 소자(50)는 음극(3)과 양극(5)의 사이에 본 발명의 화학식 1에 따른 아릴포스핀계 화합물을 포함하는 발광층(7)과 정공수송층(9)이 삽입된 구조를 갖는다. 임의적으로, 상기 본 발명의 화학식 1에 따른 아릴포스핀계 화합물을 포함하는 발광층(7)에 다른 발광재료를 도입하여 상이한 파장을 갖는 광을 발산시키고 층의 발광효율을 향상시킬 수도 있다. 또한, 상기 발광층(7)과 정공수송층(9) 이외에 전자주입층, 정공주입층, 전자수송층을 별도로 적층시켜 유기 EL 소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, the EL device using the arylphosphine-based compound according to Formula 1 according to the present invention can be realized in various structures. Basically, as shown in FIG. 1, the organic EL device 50 of the present invention includes a light emitting layer including an arylphosphine-based compound according to Chemical Formula 1 of the present invention between the cathode 3 and the anode 5. 7) and the hole transport layer 9 is inserted. Optionally, another light emitting material may be introduced into the light emitting layer 7 including the arylphosphine-based compound of Formula 1 to emit light having different wavelengths and to improve the light emitting efficiency of the layer. In addition to the light emitting layer 7 and the hole transport layer 9, an electron injection layer, a hole injection layer, and an electron transport layer may be separately stacked to improve the luminous efficiency of the organic EL device.

상기한 구조를 갖는 유기 EL 소자는 바람직하게는 투명기판(도 1의 1)에 의하여 지지된다. 투명기판의 재료로는 양호한 기계적 강도, 열안정성 및 투명성을 갖는 한 특별한 제한은 없다. 구체적인 예를 들면, 유리, 투명 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.The organic EL device having the above structure is preferably supported by a transparent substrate (1 in FIG. 1). The material of the transparent substrate is not particularly limited as long as it has good mechanical strength, thermal stability and transparency. For example, glass, a transparent plastic film, etc. can be used.

본 발명의 유기 EL 소자의 양극재료로서는 4eV 이상의 일함수를 갖는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 또는 이의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는 Au, CuI, ITO(인듐 주석 산화물), SnO2및 ZnO와 같은 투명 전도성 재료를 들 수 있다.As the anode material of the organic EL device of the present invention, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a work function of 4 eV or more, or a mixture thereof can be used. Specifically, transparent conductive materials such as Au, CuI, ITO (indium tin oxide), SnO 2 and ZnO are mentioned.

본 발명의 유기 EL 소자의 음극재료로서는 4eV 미만의 일함수를 갖는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 또는 이의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 칼슘, 마그네슘, 리튬, 알루미늄, 마그네슘 합금, 리튬 합금, 및 알루미늄 합금을 들수 있다. 이외에, 알루미늄/리튬, 마그네슘/은 또는 마그네슘/인듐 등도 사용될 수 있다.As the negative electrode material of the organic EL device of the present invention, a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a work function of less than 4 eV can be used. Specific examples include calcium, magnesium, lithium, aluminum, magnesium alloys, lithium alloys, and aluminum alloys. In addition, aluminum / lithium, magnesium / silver or magnesium / indium or the like may also be used.

유기 EL 소자의 발광효율을 높이기 위해서는 하나 이상의 전극은 바람직하게는 10% 이상의 광투과율을 가져야 한다. 전극의 쉬트저항은 바람직하게는 수백 Ω/mm 이하이다. 전극의 두께는 10nm ~ 1㎛, 바람직하게는 10 ~ 400nm 이다. 이러한 전극은 화학적 기상증착(CVD), 물리적 기상증착(PVD) 등의 기상증착법 또는 스퍼터링법을 통하여 상기한 전극 재료를 박막으로 형성하여 제조할 수 있다.In order to increase the luminous efficiency of the organic EL device, at least one electrode should preferably have a light transmittance of 10% or more. The sheet resistance of the electrode is preferably several hundreds of mm 3 / mm or less. The thickness of the electrode is 10 nm to 1 탆, preferably 10 to 400 nm. Such an electrode may be manufactured by forming the above electrode material into a thin film through vapor deposition or sputtering such as chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), or the like.

정공수송재료 및 정공주입재료로서는 광전도성 재료중에서 정공용 전하수송재료로서 통상적으로 사용되는 재료 및 유기 EL 소자의 정공수송층 또는 정공주입층에서 사용되는 공지된 재료로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐(이하, TPD로 칭함), 주쇄 또는 측쇄내에 방향족 3차아민을 갖는 중합체, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산, N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐, 4, 4', 4'-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민과 같은 트리아릴아민 유도체; N-페닐카르바졸 및 폴리비닐카르바졸과 같은 카르바졸 유도체; 무금속 프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌 유도체; Advanced materials Vol. 6, page 677(1994)에 기재된 스타버스트 아민 유도체; Proceedings(II) of the 72th annual spring convention of The Chemical Society of Japan에 기재된 것과 같은 스틸벤 유도체; 및 폴리실란 등을 들 수 있다.The hole transport material and the hole injection material can be arbitrarily selected from materials commonly used as hole charge transport materials in photoconductive materials and known materials used in the hole transport layer or the hole injection layer of organic EL devices. For example, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl (hereinafter referred to as TPD), aromatic tertiary amine in the main chain or side chain Polymer having, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N'-diphenyl-N, N'-dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4 Triarylamine derivatives such as 4 ', 4'-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine; Carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole and polyvinylcarbazole; Phthalocyanine derivatives such as metal phthalocyanine and copper phthalocyanine; Advanced materials Vol. Starburst amine derivatives described in 6, page 677 (1994); Stilbene derivatives such as those described in Proceedings (II) of the 72th annual spring convention of The Chemical Society of Japan; And polysilanes.

본 발명의 유기 EL 소자에 있어서, 정공주입층 및/또는 정공수송층은 상기한화합물의 하나 이상의 종류를 함유하는 단일층으로 형성되거나, 또는 상호 적층된, 상이한 종류의 화합물을 함유하는 복수의 층으로 구성될 수 있다.In the organic EL device of the present invention, the hole injection layer and / or the hole transport layer are formed of a single layer containing one or more kinds of the above-described compounds, or stacked into a plurality of layers containing different kinds of compounds. Can be configured.

본 발명의 유기 EL 소자의 전자주입재료 및 전자수송재료로서는 특별한 제한은 없으며, 광전도성 재료중에서 전하수송재료로서 통상적으로 사용되는 재료 및 유기 EL 소자의 전자수송층 또는 전자주입층에서 사용하는 공지된 재료로부터 임의로 선택하여 사용될 수 있다.There are no particular limitations on the electron injection material and electron transport material of the organic EL device of the present invention, and materials commonly used as charge transport materials among photoconductive materials and known materials used in the electron transport layer or the electron injection layer of the organic EL device. Can be used arbitrarily selected from.

이러한 전자전달 화합물의 구체적인 예로서는 Denshi-shashin Gakkai-shi, 30, 3(1991)에 기재된 것과 같은 디페닐퀴논 유도체; J. Appl. Phys., 27, 296 (1988)에 기재된 것과 같은 페릴렌 유도체; Jpn. J. Appl. Phys., 27, L713(1988) 또는 Appl. Phys. Lett., 55, 1489(1989)에 기재된 것과 같은 옥사디아졸 유도체; 일본공개특허 평4-212286호에 기재된 것과 같은 티오펜 유도체; Jpn. J. Appl. Phys., 32, L917(1993)에 기재된 것과 같은 트리아졸 유도체; The 43th Proceedings of The Society of Polymer Science, Japan, (III) Pla007에 기재된 것과 같은 티아디아졸 유도체; Denshi Jyoho Tsushin Gakkai, 92(311), 43(1992)의기술연구보고서에 기재된 것과 같은 옥신 유도체의 금속착체; Jpn. J. Appl. Phys., 33, L250(1994)에 기재된 것과 같은 퀴녹살린 유도체의 중합체; 및 The 43th Proceedings of Kobunshi Toronkai, 14J07에 기재된 것과 같은 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다.Specific examples of such electron transfer compounds include diphenylquinone derivatives such as those described in Denshi-shashin Gakkai-shi, 30, 3 (1991); J. Appl. Perylene derivatives as described in Phys., 27, 296 (1988); Jpn. J. Appl. Phys., 27, L713 (1988) or Appl. Phys. Oxadiazole derivatives such as those described in Lett., 55, 1489 (1989); Thiophene derivatives such as those described in JP-A-4-212286; Jpn. J. Appl. Triazole derivatives as described in Phys., 32, L917 (1993); Thiadiazole derivatives as described in The 43th Proceedings of The Society of Polymer Science, Japan, (III) Pla007; Metal complexes of auxin derivatives such as those described in the Technical Research Report of Denshi Jyoho Tsushin Gakkai, 92 (311), 43 (1992); Jpn. J. Appl. Polymers of quinoxaline derivatives as described in Phys., 33, L250 (1994); And phenanthroline derivatives as described in The 43th Proceedings of Kobunshi Toronkai, 14J07.

상기 화학식 1로 표시되는 아릴포스핀계 화합물 이외에 본 발명의 유기 EL 소자에 사용되는 다른 발광재료로서는 공지된 발광재료, 예를 들면 축광 형광재료,형광증백제, 레이저 색소, 유기 신틸레이터 및 형광분석용 시약을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 코로넨, 루브렌 및 퀴나크리돈과 같은 폴리아로마틱 화합물; 퀴터페닐과 같은 올리고페닐렌 화합물; 1,4-비스 (2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸5-페닐-2-옥사졸릴)벤젠, 1,4-비스(5-페닐-2-옥사졸릴)벤젠, 2,5-비스(5-t-부틸-2-벤즈옥사졸릴)티오펜, 1,4-디페닐-1,3-부타디엔, 1,6-디페닐-1,3,5-헥사트리엔, 1,1,4, 4-테트라페닐-1,3-부타디엔과 같은 액체신틸레이션용 신틸레이터; 일본특허공개공보 소63-264692호에 기재된 옥신 유도체의 금속착체; 쿠마린 색소; 디시아노메틸렌피란 색소; 디시아노메틸렌티오피란 색소; 폴리메틴 색소; 옥소벤즈안트라센 색소; 크산텐 색소; 카르보스티릴 색소; 페릴렌 색소; 독일 특허 제2534713호에 기재된 옥사진 화합물; the Proceedings of the 40th Joint Lecture of Applied Physics, 1146(1993)에 기재된 스틸벤 유도체; 일본특허공개공보 평7-278537호에 기재된 스피로 화합물; 일본특허공개공보 평4-393891호에 기재된 옥사디아졸 화합물 등을 들 수 있다.Other light emitting materials used in the organic EL device of the present invention in addition to the arylphosphine-based compound represented by Formula 1 include known light emitting materials, for example, photoluminescent fluorescent materials, fluorescent brighteners, laser dyes, organic scintillators, and fluorescence analysis. Reagents can be used. Specific examples include polyaromatic compounds such as anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, coronene, rubrene and quinacridone; Oligophenylene compounds such as quiterphenyl; 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methyl5-phenyl-2-oxazolyl) benzene, 1, 4-bis (5-phenyl-2-oxazolyl) benzene, 2,5-bis (5-t-butyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 1,4-diphenyl-1,3-butadiene, 1 Scintillators for liquid scintillation such as, 6-diphenyl-1,3,5-hexatriene, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene; Metal complexes of the auxin derivatives described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-264692; Coumarin pigments; Dicyano methylene pyran pigment; Dicyano methylenethiopyran pigments; Polymethine pigments; Oxobenzanthracene pigment; Xanthene pigments; Carbostyryl pigments; Perylene pigments; Oxazine compounds described in German Patent No. 2534713; stilbene derivatives described in the Proceedings of the 40th Joint Lecture of Applied Physics, 1146 (1993); Spiro compounds described in JP-A-7-278537; The oxadiazole compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 4-393891, etc. are mentioned.

본 발명의 유기 EL 소자를 구성하는 각 층은 증착, 스핀코팅 또는 캐스팅과 같은 공지된 방법을 통하여 박막으로 형성시키거나, 각 층에서 사용되는 재료를 이용하여 제조할 수 있다. 이들 각층의 막두께에 대해서는 특별한 제한은 없으며, 재료의 특성에 따라 알맞게 선택할 수 있으나, 보통 2nm ~ 5000nm의 범위에서 결정될 수 있다.Each layer constituting the organic EL device of the present invention can be formed into a thin film through a known method such as vapor deposition, spin coating or casting, or can be produced using a material used in each layer. There is no particular limitation on the film thickness of each layer, and may be appropriately selected depending on the properties of the material, but can usually be determined in the range of 2nm to 5000nm.

본 발명에 따른 화학식 1에 의하여 표시되는 아릴포스핀계 화합물은 증착법에 의하여 형성될 수 있으므로, 박막형성공정이 간편하고, 핀홀(pin hole)의 거의 없는 균질한 박막으로 용이하게 얻을 수 있는 장점이 있다. 화학식 1에 의하여 표시되는 아릴포스핀계 화합물을 증착법을 이용하여 박막으로 형성하는 경우, 바람직한 증착조건은 상기 아릴포스핀계 화합물의 종류 및 목적하는 분자누적막의 결정구조 및 회합구조에 따라 통상 50 ~ 400℃의 보트가열온도, 10-7~ 10-4torr의 진공도, 0.01 ~ 50nm/sec의 증착속도, -150 ~ 50℃의 기판온도, 및 10nm ~ 200nm의 막두께가 바람직하다.Since the arylphosphine-based compound represented by Chemical Formula 1 according to the present invention can be formed by a deposition method, the thin film forming process is simple, and there is an advantage that it can be easily obtained as a homogeneous thin film having little pin holes. . When the arylphosphine-based compound represented by Chemical Formula 1 is formed into a thin film by using a deposition method, preferred deposition conditions are usually 50 to 400 ° C depending on the type of the arylphosphine-based compound and the crystal structure and association structure of the desired molecular accumulation film. Boat heating temperature of 10 -7 to 10 -4 torr, a deposition rate of 0.01 to 50 nm / sec, a substrate temperature of -150 to 50 DEG C, and a film thickness of 10 to 200 nm are preferred.

본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 아릴포스핀계 화합물를 이용한 유기 EL 소자의 제조방법을 상기한 양극/정공수송층/아릴포스핀계 화합물층/음극으로 형성된 유기 EL 소자에 대하여 설명하면 다음과 같다. 먼저, 유리기판과 같은 투명기판상에 두께 1㎛이하, 바람직하게는 10 ~ 200nm의 음극재료를 함유하는 박막을 증착하여 음극을 형성한다. 이어서, 정공수송재료를 이용하여 상기 음극층상에 정공수송층을 형성한다. 계속해서, 화학식 1로 표시되는 아릴포스핀계 화합물을 박막으로 상기 정공수송층을 피복하도록 발광층을 형성한다. 마지막으로, 상기 발광층을 양극재료를 함유하는 박막으로 막두께 1㎛이하로 피복하여 양극을 형성시키는 방법으로 유기 EL 소자를 얻는다.A method of manufacturing an organic EL device using the arylphosphine-based compound represented by Formula 1 of the present invention will be described with reference to the organic EL device formed of the above-described anode / hole transport layer / arylphosphine compound layer / cathode. First, a cathode is formed by depositing a thin film containing a cathode material having a thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm, on a transparent substrate such as a glass substrate. Subsequently, a hole transport layer is formed on the cathode layer using a hole transport material. Subsequently, an emission layer is formed to cover the hole transport layer with a thin film of the arylphosphine compound represented by the formula (1). Finally, the organic EL device is obtained by coating the light emitting layer with a thin film containing an anode material with a film thickness of 1 탆 or less to form an anode.

양극을 (+)극 및 음극을 (-)극으로 하여 위에서 얻은 유기 EL 소자에 DC 전압을 걸어주면 투명 또는 불투명 전극(양극 또는 음극 중 하나, 또는 양쪽 전극)을 통하여 발광을 관찰할 수 있다. 또한, 유기 EL 소자는 AC 전압을 걸어주는 경우에도 발광한다. 이경우, 가해진 AC 전압은 임의의 파형을 가질 수 있다.When a DC voltage is applied to the organic EL device obtained by using the positive electrode as the positive electrode and the negative electrode as the negative electrode, light emission can be observed through a transparent or opaque electrode (either positive or negative electrode or both electrodes). In addition, the organic EL element emits light even when applying an AC voltage. In this case, the applied AC voltage may have any waveform.

이하, 합성예 및 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 하기 합성예 및 실시예는 본 발명의 아릴포스핀계 화합물 및 유기 EL 소자의 제조방법 등을 단지 예시하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 의하여 한정되는 것이 아님은 물론이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to synthesis examples and examples. The following Synthesis Examples and Examples are merely to illustrate the present invention by only illustrating the aryl phosphine-based compound and the method for producing an organic EL device of the present invention, and the present invention is not limited thereto. .

합성예 1 : 4-디페닐포스피노 벤즈알데히드의 합성Synthesis Example 1 Synthesis of 4-diphenylphosphino benzaldehyde

본 합성예는 아래의 반응식 1에 따라서 4-디페닐 포스피노 벤즈알데히드를 합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 환류냉각관이 장착된 250㎖의 3구 플라스크의 내부를 아르곤으로 치환한 후, 상기 플라스크에 n-부틸리튬(1.6M 헥산용액) 31.3㎖를 넣고 -60℃ 이하로 냉각시켰다. 이어서, 상기 헥산용액을 교반하면서 상기 플라스크에 p-디브로모벤젠 11.8g을 녹인 THF 용액 50㎖를 서서히 가한 후, 다시 클로로디페닐포스핀 11.0g을 가하고 약 1 시간 교반을 계속하여 4-브로모페닐디페닐포스핀을 얻었다. 아르곤 분위기하에서 이렇게 하여 생성된 4-브로모페닐디페닐포스핀의 헥산/THF 혼합용액에 -60℃ 이하의 온도에서 n-부틸리튬(1.6M 헥산용액) 31.3㎖을 가한 후, 1시간 교반을 계속하였다. 여기에 DMF 3.65g을 가하고, 다시 1시간 교반을 계속한 후, 물을 가하여 반응을 종결하였다. 이렇게 하여 얻어진 혼합용액으로부터 디에틸 에테르를 추출용매로 이용하여 4-디페닐 포스피노 벤즈알데히드를 추출한 후 헥산/에틸아세테이트 혼합용액으로 컬럼정제하여 순수한 4-디페닐 포스피노 벤즈알데히드 6.5g을 얻었다(수율 45%). 얻어진 4-디페닐 포스피노 벤즈알데히드의 NMR 분광분석 자료는 아래와 같았다.This synthesis example is for explaining the synthesis of 4-diphenyl phosphino benzaldehyde according to the following Scheme 1. After replacing the inside of a 250 mL three-necked flask equipped with a reflux condenser with argon, 31.3 mL of n-butyllithium (1.6M hexane solution) was added to the flask and cooled to -60 ° C or lower. Subsequently, 50 ml of THF solution, in which 11.8 g of p-dibromobenzene was dissolved, was slowly added to the flask while stirring the hexane solution. Then, 11.0 g of chlorodiphenylphosphine was further added, followed by stirring for about 1 hour, followed by 4-broken. Mophenyldiphenylphosphine was obtained. 31.3 mL of n-butyllithium (1.6M hexane solution) was added to the hexane / THF mixed solution of 4-bromophenyldiphenylphosphine thus produced under argon atmosphere at a temperature below -60 ° C, and then stirred for 1 hour. Continued. 3.65 g of DMF was added thereto, and stirring was continued for 1 hour, and then water was added to terminate the reaction. Thus obtained 4-diphenyl phosphino benzaldehyde was extracted from the mixed solution using diethyl ether as an extraction solvent, followed by column purification with a hexane / ethyl acetate mixed solution to obtain 6.5 g of pure 4-diphenyl phosphino benzaldehyde (yield 45). %). The NMR spectroscopic data of the obtained 4-diphenyl phosphino benzaldehyde was as follows.

NMR-1H (400MHz, CDCl3; ppm) : δ= 7.33~7.39(m, 10H), 7.40~7.42(q, 2H),NMR- 1 H (400 MHz, CDCl 3; ppm): δ = 7.33-7.39 (m, 10H), 7.40-7.42 (q, 2H),

7.79~7.81(q, 2H), 10.00(s, 1H, -CHO).7.79-7.81 (q, 2H), 10.00 (s, 1H, -CHO).

[반응식 1]Scheme 1

합성예 2 : 벤젠계 디포스포네이트 화합물의 합성Synthesis Example 2 Synthesis of Benzene Diphosphonate Compound

본 합성예는 아래의 반응식 2에 따라서 벤젠계 디포스포네이트 화합물을 합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 환류냉각관이 장착된 100㎖의 3구 플라스크의 내부를 아르곤으로 치환한 후, 상기 플라스크에 1,4-비스(브로모메틸)벤젠 10.5g과 트리에틸 포스파이트 13g을 4시간 동안 교반하면서 가열환류시켰다. 이어서, 과잉의 트리에틸 포스파이트와 부산물인 에틸 브로마이드는 감압하에서 증류시켜 제거하였다. 잔류물을 냉각하여 흰색의 디포스포네이트 화합물 결정 10.43g을 얻었다(수율 90%).This synthesis example is for demonstrating the synthesis | combination of a benzene diphosphonate compound according to Reaction Scheme 2 below. After replacing the inside of a 100 ml three-necked flask equipped with a reflux condenser with argon, the flask was heated with stirring 10.5 g of 1,4-bis (bromomethyl) benzene and 13 g of triethyl phosphite for 4 hours. It was refluxed. Excess triethyl phosphite and byproduct ethyl bromide were then removed by distillation under reduced pressure. The residue was cooled to give 10.43 g of white diphosphonate compound crystals (yield 90%).

[반응식 2]Scheme 2

실시예 1 : 1,4-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 벤젠의 합성Example 1 Synthesis of 1,4-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] benzene

본 실시예는 아래의 반응식 3에 따라서 1,4-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 벤젠을 합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 환류냉각관이 장착된 100㎖의 3구 플라스크의 내부를 아르곤으로 치환한 후, 상기 플라스크에 4-디페닐포스피노벤즈알데히드 2.9g, 합성예 2에서 얻은 디포스포네이트 화합물 1.86g를 넣고 THF 30㎖로 용해시킨 후, t-BuOK 1.2g을 가하고 환류시키면서 20시간 교반시켰다. 이어서, 상기 결과물을 과량의 물에 가하여 생성물을 침전시켰다. 침전물을 여과하고 염화메틸렌을 이용하여 재결정하거나 또는 컬럼정제하여 노란색의 결정 1.2g을 얻었다(수율 : 18.5%). 얻어진 결정의 융점(m.p)은 185.7℃였고, 분해온도는 396℃였고, NMR 분광분석 자료는 아래와 같았다.This example is to explain the synthesis of 1,4-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] benzene in accordance with Scheme 3 below. After replacing the inside of a 100 ml three-necked flask equipped with a reflux condenser with argon, 2.9 g of 4-diphenylphosphinobenzaldehyde and 1.86 g of the diphosphonate compound obtained in Synthesis Example 2 were added to the flask, and THF 30 ml. After dissolving, 1.2 g of t-BuOK was added thereto and stirred for 20 hours while refluxing. The resultant was then added to excess water to precipitate the product. The precipitate was filtered and recrystallized with methylene chloride or column purified to obtain 1.2 g of yellow crystals (yield: 18.5%). The melting point (m.p) of the obtained crystal was 185.7 ° C., the decomposition temperature was 396 ° C., and NMR spectroscopic data were as follows.

NMR-1H (400MHz, CDCl3; ppm) : δ= 7.10-7.11(d, 4H), 7.27-7.31(m, 4H),NMR- 1 H (400 MHz, CDCl 3; ppm): δ = 7.10-7.11 (d, 4H), 7.27-7.31 (m, 4H),

7.32-7.36(m, 20H), 7.46-7.52(m, 8H).7.32-7.36 (m, 20 H), 7.46-7.52 (m, 8 H).

NMR-31P (CDCl3; ppm) : δ= 30.27.NMR- 31 P (CDCl 3; ppm): δ = 30.27.

광발광(클로로포름) : 442nm (exitation max. : 369nm; 도 2 참조).Photoluminescence (chloroform): 442 nm (exitation max .: 369 nm; see FIG. 2).

매스스펙트럼; m/e = 650.76 (M+).Mass spectrum; m / e = 650.76 (M &lt; + &gt;).

[반응식 3]Scheme 3

합성예 3 : 나프탈렌계 디포스포네이트 화합물의 합성Synthesis Example 3 Synthesis of Naphthalene Diphosphonate Compound

본 합성예는 아래의 반응식 4에 따라서 나프탈렌계 디포스포네이트 화합물을합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 합성방법은 1.4-디브로모메틸 벤젠 10.5g 대신 2,6-비스브로모메틸 나프탈렌 12.5g을 사용한 것을 제외하고는 합성예 2와 동일하였다(수율 : 92%).This synthesis example is for demonstrating the synthesis | combination of a naphthalene type diphosphonate compound according to Reaction Scheme 4 below. The synthesis method was the same as in Synthesis Example 2 except that 12.5 g of 2,6-bisbromomethyl naphthalene was used instead of 10.5 g of 1.4-dibromomethyl benzene (yield: 92%).

[반응식 4]Scheme 4

실시예 2 : 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌의 합성Example 2 Synthesis of 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene

본 실시예는 아래의 반응식 5에 따라서 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌을 합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 합성예 3에 의하여 얻어진 상기 나프탈렌계 디포스페네이트 화합물 1.06g을 디페닐 포스피노 벤즈알데히드 1.45g과 반응시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 반응에 의하여 노란색 결정의 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌 결정 0.5g을 얻었다(수율: 14.3%). 얻어진 결정의 융점(m.p)은 222.4℃였고, 분해온도는 416℃였고, NMR 분광분석 자료는 아래와 같았다.This example is to explain the synthesis of 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene according to Scheme 5 below. Except that 1.06 g of the naphthalene diphosphenoate compound obtained in Synthesis Example 3 was reacted with 1.45 g of diphenyl phosphino benzaldehyde, 2,6-bis [2 (4) -Diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene crystals 0.5g were obtained (yield: 14.3%). The melting point (m.p) of the obtained crystal was 222.4 ° C, the decomposition temperature was 416 ° C, and NMR spectroscopy data were as follows.

NMR-1H (400MHz, CDCl3; ppm) : δ= 7.22-7.26(d, 4H), 7.29-7.32(m, 4H),NMR- 1 H (400 MHz, CDCl 3; ppm): δ = 7.22-7.26 (d, 4H), 7.29-7.32 (m, 4H),

7.33-7.36(m, 20H), 7.51-7.53(q, 4H), 7.70-7.72(q, 2H), 7.78-7.81(q, 4H).7.33-7.36 (m, 20H), 7.51-7.53 (q, 4H), 7.70-7.72 (q, 2H), 7.78-7.81 (q, 4H).

NMR-31P (CDCl3; ppm) : δ= 29.57.NMR- 31 P (CDCl 3; ppm): δ = 29.57.

광발광(클로로포름) : 436nm (exitation max. : 368nm; 도 3 참조).Photoluminescence (chloroform): 436 nm (exitation max .: 368 nm; see FIG. 3).

매스 스펙트럼 : m/e = 700.78 (M+).Mass spectrum: m / e = 700.78 (M &lt; + &gt;).

[반응식 5]Scheme 5

합성예 4 : 포스포늄 할라이드 화합물의 합성Synthesis Example 4 Synthesis of Phosphonium Halide Compound

본 합성예는 아래의 반응식 6에 따라서 포스포늄 할라이드 화합물을 합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 환류냉각관이 장착된 100㎖의 3구 플라스크의 내부를 아르곤으로 치환한 후, 상기 플라스크내에 4,4'-비스브로모메틸 비페닐 3.4g과 트리페닐포스핀 5.42g을 넣고 DMF 20㎖로 용해시킨 후, 아르곤 분위기하에서 3 ~ 4시간 교반하면서 가열환류시켰다. 이어서, 상기 플라스크를 상온으로 냉각하여 생성된 고체를 여과하고, 메탄올로 재결정하여 흰색의 디포스포늄 디할라이드 화합물 결정 5.1g을 얻었다(수율 : 57.8%).This synthesis example is for explaining the synthesis of the phosphonium halide compound according to Scheme 6 below. After replacing the inside of a 100 ml three-necked flask equipped with a reflux condenser with argon, 3.4 g of 4,4'-bisbromomethyl biphenyl and 5.42 g of triphenylphosphine were added to the flask, and 20 ml of DMF was added. After dissolving, the mixture was heated to reflux with stirring for 3 to 4 hours in an argon atmosphere. Subsequently, the flask was cooled to room temperature, and the resulting solid was filtered and recrystallized with methanol to obtain 5.1 g of white diphosphonium dihalide compound crystals (yield: 57.8%).

[반응식 6]Scheme 6

실시예 3 : 4,4'-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 비페닐의 합성Example 3: Synthesis of 4,4'-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] biphenyl

본 실시예는 아래의 반응식 7에 따라서 4,4'-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 비페닐을 합성하는 것을 설명하기 위한 것이다. 환류냉각관이 장착된 100㎖의 3구 플라스크의 내부를 아르곤으로 치환한 후, 상기 플라스크에 합성예 4에 의하여 얻은 디포스포늄 디할라이드 1.73g과 합성예 1에 의하여 얻은 4-디페닐포스피노 벤즈알데히드 1.16g을 넣고 무수 클로로포름 13.5㎖와 무수 에탄올 40㎖에 녹인 후 NaOEt 1.0M 용액 20㎖를 가하고 아르곤 분위기하에서 4시간 가열, 환류시켰다. 이어서, 상기 결과물을 상온으로 냉각한 후 과량의 물에 가하여 침전시켰다. 생성된 고체를 여과하고 염화메틸렌을 이용하여 재결정하거나 또는 컬럼정제하여 노란색의 결정 0.45g을 얻었다(수율 : 24.8%). 얻어진 결정의 융점(m.p)은 212.3℃였고, 분해온도는 404℃였고, NMR 분광분석 자료는 아래와 같았다.This example is intended to illustrate the synthesis of 4,4'-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] biphenyl according to Scheme 7 below. After replacing the inside of a 100 ml three-necked flask equipped with a reflux condenser with argon, 1.73 g of the diphosphonium dihalide obtained by Synthesis Example 4 and 4-diphenylphosphino obtained by Synthesis Example 1 were added to the flask. 1.16 g of benzaldehyde was added, dissolved in 13.5 ml of anhydrous chloroform and 40 ml of anhydrous ethanol, and 20 ml of NaOEt 1.0M solution was added thereto, and the mixture was heated and refluxed under an argon atmosphere for 4 hours. The resultant was then cooled to room temperature and precipitated by addition to excess water. The resulting solid was filtered and recrystallized with methylene chloride or column purified to give 0.45 g of yellow crystals (yield: 24.8%). The melting point (m.p) of the obtained crystal was 212.3 占 폚, the decomposition temperature was 404 占 폚, and NMR spectroscopic data were as follows.

NMR-1H (400MHz, CDCl3; ppm) : δ= 7.10-7.15(m, 4H), 7.28-7.30(m, 4H),NMR- 1 H (400 MHz, CDCl 3; ppm): δ = 7.10-7.15 (m, 4H), 7.28-7.30 (m, 4H),

7.31-7.35(m, 20H), 7.47-7.50(m, 4H), 7.56-7.61(q, 4H).7.31-7.35 (m, 20H), 7.47-7.50 (m, 4H), 7.56-7.61 (q, 4H).

NMR-31P (CDCl3; ppm) : δ= 30.28.NMR- 31 P (CDCl 3; ppm): δ = 30.28.

광발광(클로로포름) : 421nm (exitation max. : 365nm; 도 4 참조).Photoluminescence (chloroform): 421 nm (exitation max .: 365 nm; see FIG. 4).

매스스펙트럼 : m/e = 726.82 (M+).Mass spectrum: m / e = 726.82 (M &lt; + &gt;).

[반응식 7]Scheme 7

실시예 4 : 유기발광화합물의 박막 제조Example 4 Preparation of Thin Film of Organic Light Emitting Compound

실시예 2에 따라 합성된 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌을 5 ×10-6torr의 진공하에서 0.08 ~ 0.1nm/sec의 속도로 유리기판 위에 진공 증착시켜 두께 100nm의 박막을 형성시켰다. 형광분광계를 이용하여 상기 박막의 발광 스펙트럼을 측정하였다. 도 5는 이렇게 하여 얻은 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌의 발광 스펙트럼을 나타낸다. 도 5를 참조하면, 이 박막은 483nm에서 최대피크를 나타내는 것을 알 수 있다. 이로부터 청녹색의 광발광을 나타냄을 알 수 있다.2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene synthesized according to Example 2 was vacuum deposited onto a glass substrate at a rate of 0.08 to 0.1 nm / sec under a vacuum of 5 x 10 -6 torr. To form a thin film having a thickness of 100 nm. The emission spectrum of the thin film was measured using a fluorescence spectrometer. Fig. 5 shows the emission spectrum of 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene thus obtained. Referring to FIG. 5, it can be seen that this thin film exhibits a maximum peak at 483 nm. From this, it can be seen that light green light emission is shown.

실시예 5 : 유기 EL 소자의 제작Example 5 Fabrication of Organic EL Device

본 실시예는 실시예 2에 따라 합성된 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌을 발광층의 발광물질로 사용하여 통상적인 방법에 따라 도 1에 도시된 구조의 유기 EL 소자를 제작하는 것을 설명하기 위한 것이다. 즉, ITO(인듐-주석 산화물) 기판위에, 정공수송층으로 TPD를 5 ×10-6torr의 진공하에서 0.08 ~0.1nm/sec의 속도로 진공 증착시켜 두께 40nm의 정공수송층을 형성시켰다. 그위에, 실시예 2에서 합성된 2,6-비스[2(4-디페닐포스피노페닐)비닐] 나프탈렌을 5 ×10-6torr의 진공하에서 0.08 ~ 0.1nm/sec의 속도로 진공증착시켜 두께 100nm의 발광층을 형성시켰다. 이어서 발광층위에 Al을 진공증착시켜 두께 150nm의 음극층을 형성시켰다.This example uses the 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene synthesized according to Example 2 as a light emitting material of the light emitting layer, and according to a conventional method of the structure shown in FIG. It is for demonstrating manufacturing organic electroluminescent element. That is, on the indium-tin oxide (ITO) substrate, TPD was vacuum deposited at a rate of 0.08 to 0.1 nm / sec under a vacuum of 5 x 10 -6 torr to form a hole transport layer having a thickness of 40 nm on the hole transport layer. On top of that, 2,6-bis [2 (4-diphenylphosphinophenyl) vinyl] naphthalene synthesized in Example 2 was vacuum-deposited at a rate of 0.08 to 0.1 nm / sec under a vacuum of 5 x 10 -6 torr. A light emitting layer having a thickness of 100 nm was formed. Subsequently, Al was vacuum deposited on the light emitting layer to form a cathode layer having a thickness of 150 nm.

도 6은 실시예 5의 유기 EL 소자의 전류-전압(I-V) 특성곡선을 나타낸다.6 shows a current-voltage (I-V) characteristic curve of the organic EL device of Example 5. FIG.

도 7은 실시예 5의 유기 EL 소자의 휘도-전압(L-V) 특성곡선을 나타낸다.7 shows the luminance-voltage (L-V) characteristic curve of the organic EL device of Example 5. FIG.

도 8은 실시예 5의 유기 EL 소자의 효율-전압(Eff(cd/A)-V) 특성곡선을 나타낸다.FIG. 8 shows the efficiency-voltage (Eff (cd / A) -V) characteristic curve of the organic EL device of Example 5. FIG.

도 6 내지 8을 참조하면, 실시예 5의 유기 EL 소자는 인가전압 17.75V에서 약 3.3cd/A의 최대효율을 나타냈고, 이때의 전류밀도는 약 9.2mA/cm2, 휘도는 약 303cd/m2를 나타냄을 알 수 있다.6 to 8, the organic EL device of Example 5 exhibited a maximum efficiency of about 3.3 cd / A at an applied voltage of 17.75 V, at a current density of about 9.2 mA / cm 2 and a luminance of about 303 cd / A. It can be seen that m 2 .

상기한 바와 같이, 본 발명의 새로운 아릴포스핀계 화합물은 저전계에서도 효율좋게 발광할 수 있고, 진공증착에 의해서도 균일한 비결정성막으로 용이하게 성형될 수 있는 뛰어난 장점이 있다. 따라서, 이 화합물을 이용하면 유기 EL 소자를 저비용으로 제작할 수 있다. 또한, 본 발명의 아릴포스핀계 화합물은 융점 및 분해온도가 높기 때문에 이를 이용하여 제조된 유기 EL 소자는 열적으로 안정하므로 내구성이 우수한 장점을 발휘할 수 있다.As described above, the novel arylphosphine-based compound of the present invention has an excellent advantage that it can efficiently emit light even in a low electric field, and can be easily formed into a uniform amorphous film even by vacuum deposition. Therefore, by using this compound, an organic EL device can be produced at low cost. In addition, since the arylphosphine-based compound of the present invention has a high melting point and decomposition temperature, the organic EL device manufactured by using the arylphosphine-based compound may exhibit excellent durability because it is thermally stable.

Claims (5)

하기 화학식 1로 표시되는 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물:An aryl phosphine-based compound having a diaryl phosphino group represented by the general formula (1): [화학식 1][Formula 1] 여기서, X는 C6 내지 C21의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, Ar은 C6 내지 C21의 치환 또는 비치환된 아릴기를 각각 나타내며, 상기 아릴렌기 또는 아릴기가 치환된 경우의 치환기는 할로겐기, 니트로기, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 할로겐화 알킬기 및 C1 내지 C6의 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나이다.Here, X represents a substituted or unsubstituted arylene group of C6 to C21, Ar represents a substituted or unsubstituted aryl group of C6 to C21, respectively, the substituent when the arylene group or aryl group is substituted is a halogen group, a nitro group , A cyano group, a C1 to C6 alkyl group, a C1 to C6 halogenated alkyl group and a C1 to C6 alkoxy group. 제1항에 있어서, 상기 아릴렌기 X는 페닐렌기, 비페닐렌기 또는 나프틸렌기 인 것을 특징으로 하는 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물.The arylphosphine-based compound having a diaryl phosphino group according to claim 1, wherein the arylene group X is a phenylene group, a biphenylene group or a naphthylene group. 제1항 또는 제2항에 기재된 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물을 함유하는 발광재료.The light emitting material containing the aryl phosphine type compound which has the diaryl phosphino group of Claim 1 or 2. 제1항 또는 제2항에 기재된 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물을함유하는 유기 EL 소자.The organic electroluminescent element containing the aryl phosphine type compound which has the diaryl phosphino group of Claim 1 or 2. 디아릴포스피노 벤즈알데히드 화합물을 디포스포네이트 화합물 또는 디포스포늄 할라이드 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 디아릴포스피노기를 갖는 아릴포스핀계 화합물의 제조방법.A method for producing an arylphosphine-based compound having a diarylphosphino group, which comprises reacting a diarylphosphino benzaldehyde compound with a diphosphonate compound or a diphosphonium halide compound.
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