KR20040026266A - Electrostatic Chuck having the holes for supplying and collecting cooling gas - Google Patents

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KR20040026266A
KR20040026266A KR1020020057647A KR20020057647A KR20040026266A KR 20040026266 A KR20040026266 A KR 20040026266A KR 1020020057647 A KR1020020057647 A KR 1020020057647A KR 20020057647 A KR20020057647 A KR 20020057647A KR 20040026266 A KR20040026266 A KR 20040026266A
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cooling gas
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정수종
윤수원
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주식회사 코미코
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Abstract

PURPOSE: An electrostatic chuck including the holes for supplying and collecting cooling gas is provided to prevent cooling gas from leaking to the inside of a chamber by collecting the coolant induced through the hole for supplying cooling gas while using the hole for collecting cooling gas. CONSTITUTION: A wafer is attached to the upper surface of the electrostatic chuck(10) including the hole(11a,11b) for supplying cooling gas and the hole(20) for collecting cooling gas. The cooling gas is supplied by the hole for supplying cooling gas. The hole for collecting cooling gas collects the cooling gas. The electrostatic chuck further includes a flow path through which the cooling gas is transferred.

Description

냉매 공급홀과 냉매 수거홀을 갖는 정전척{Electrostatic Chuck having the holes for supplying and collecting cooling gas}Electrostatic Chuck having the holes for supplying and collecting cooling gas}

본 발명은 반도체 제조장비 중 플라즈마 식각 장비에 사용되는 것으로서, 냉매 누설을 방지하는 구조를 갖는 반도체 제조 장비의 정전척(Electrostatic Chuck)에 관한 것이다. 구체적으로는, 정전척에 냉매 공급홀과 냉매 수거홀을 갖는 정전척에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck of semiconductor manufacturing equipment, which is used in plasma etching equipment among semiconductor manufacturing equipment, and has a structure to prevent leakage of refrigerant. Specifically, the present invention relates to an electrostatic chuck having a coolant supply hole and a coolant collection hole in the electrostatic chuck.

통상적인 플라즈마 식각 공정을 살펴보면, 밀폐된 진공압 상태 하의 플라즈마 반응 챔버 내부에 웨이퍼를 위치시키고, 이 웨이퍼에 대향하여 소정의 공정가스를 주입하고 RF(Radio Frequency) 전원을 가함으로써, 웨이퍼 상의 특정 부위를 플라즈마 상태의 공정가스를 이용하여 식각시키는 공정이다. 여기서, 상기 공정가스에 의한 식각은 특정 방향성을 갖고 있으며, 반도체 기판 상에 입사되는 이온 등은 가속을 받아 에칭 반응을 일으킨다. 이때, 상술한 이온들의 운동에너지는 대부분 웨이퍼에 충돌하면서, 열에너지로 전환되어 웨이퍼의 온도를 상승시킨다. 이에, 플라즈마 반응 챔버 내에서 공정 조건 중 가장 중요한 온도 균일성을 일정하게 유지시키기 위해서는 웨이퍼를 균일하게 냉각시킬 필요가 있다.In a typical plasma etching process, a specific area on a wafer is placed by placing a wafer inside a plasma reaction chamber under a closed vacuum state, injecting a predetermined process gas against the wafer, and applying a radio frequency (RF) power source. Is etched using a process gas in a plasma state. Here, the etching by the process gas has a specific orientation, and the ions incident on the semiconductor substrate are accelerated to cause an etching reaction. At this time, the kinetic energy of the above-mentioned ions collide with the wafer and are converted to thermal energy to increase the temperature of the wafer. Thus, it is necessary to cool the wafer uniformly in order to keep the temperature uniformity most important of the process conditions in the plasma reaction chamber.

이러한 웨이퍼를 냉각시키기 위한 냉매(예를 들면, 헬륨가스)는 웨이퍼를 냉각시킨 뒤, 플라즈마 반응이 일어나고 있는 챔버 내로 누설될 수 있다. 이에 따라,반응 챔버 내의 반응가스 분압이 낮아져 반응 불량이 발생할 수 있고, 반응 가스의 흐름을 왜곡시켜 반도체 기판 상에 형성 또는 식각되는 막질을 불균일하게 한다. 더욱이, 냉매의 누설에 의해서 유로부(30)를 흐르는 냉매의 전체적인 양의 감소 및 반도체 기판 전체에 걸친 냉매의 압력이 균일하게 유지될 수 없다. 그러므로, 냉매의 냉각 효과가 저하되어, 반도체 기판의 온도가 불균일하게 됨으로 웨이퍼 불량을 초래한다.The refrigerant (eg, helium gas) for cooling the wafer may leak into the chamber where the plasma reaction is occurring after cooling the wafer. Accordingly, the partial pressure of the reaction gas in the reaction chamber may be lowered, thereby causing a reaction failure, and the flow of the reaction gas may be distorted, resulting in uneven film formation or etching on the semiconductor substrate. Moreover, the total amount of refrigerant flowing through the flow path portion 30 due to the leakage of the refrigerant and the pressure of the refrigerant throughout the semiconductor substrate cannot be maintained uniformly. Therefore, the cooling effect of the refrigerant is lowered, resulting in wafer defects due to uneven temperature of the semiconductor substrate.

도면을 참조하여 종래기술을 더 구체적으로 설명하면, 도1a에 도시된 바와 같이, 참조 번호 10은 정전척을 나타내고, 11a, 11b, 11c는 냉매(예컨대, 헬륨가스) 공급홀을 나타내며, 12는 웨이퍼를 나타낸다.Referring to the prior art in more detail with reference to the drawings, as shown in Figure 1a, reference numeral 10 represents an electrostatic chuck, 11a, 11b, 11c represents a refrigerant (for example, helium gas) supply hole, 12 is Represent the wafer.

냉매는 정전척(10)을 관통하여 냉매 공급홀들(11a,11b,11c)을 통해 인입되어 웨이퍼(12)의 배면을 냉각시킨다. 그러나, 이러한 냉매는 도1a에 도시된 바와 같이, 챔버 내로 누설된다. 이에 따라, 상술한 바와 같은 문제점들이 발생하게 된다.The refrigerant penetrates through the electrostatic chuck 10 and is introduced through the refrigerant supply holes 11a, 11b, and 11c to cool the back surface of the wafer 12. However, such refrigerant leaks into the chamber, as shown in FIG. 1A. Accordingly, the problems as described above occur.

이러한 문제점들을 해결하려는 시도가 종래에도 행해졌었다. 그 일 예로서, 도2b를 참조하면, 냉매 공급홀(11a)을 통해 인입된 냉매는 웨이퍼(12)를 냉각시킨 뒤, 냉매 유출 방지턱(13)에 다다르게 된다. 냉매 유출방지턱은 어느 정도는 냉매가 챔버내로 유입되는 것을 방지하지만, 일부는 플라즈마 반응이 일어나고 있는 챔버내로 여전히 누설된다. 이렇게 누설될 수 밖에 없는 이유는, 냉매 공급홀을 통해 인입된 냉매가 다시 수거되지 못하기 때문이고, 또한, 챔버내의 압력과 웨이퍼와 유전체층 사이의 압력 차에 의해서이다. 따라서, 상술한 종래 기술의 문제점들을 그대로 발생시키게 된다.Attempts have been made to solve these problems. As an example, referring to FIG. 2B, the coolant introduced through the coolant supply hole 11a cools the wafer 12 and then reaches the coolant leakage preventing member 13. Refrigerant leakage barriers to some extent prevent refrigerant from entering the chamber, but some still leak into the chamber where the plasma reaction is taking place. The reason for this leakage is because the refrigerant introduced through the refrigerant supply hole cannot be collected again, and also due to the pressure in the chamber and the pressure difference between the wafer and the dielectric layer. Therefore, the above-mentioned problems of the prior art are generated as they are.

그러므로, 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점들을 해결하고자 제안된 것으로, 냉매 공급홀을 통해 인입된 냉매를 냉매 수거홀을 통해 다시 수거하여, 냉매가 챔버 내로 누설되는 것을 방지함으로써, 반응 챔버 내에 공급된 반응 가스의 분압 저하, 반응가스의 흐름 왜곡 및 반도체 기판의 온도 불균일 등을 방지하여, 궁극적으로 반도체 웨이퍼의 제조 공정 수율을 높이고자 하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems of the prior art, and collects the refrigerant introduced through the refrigerant supply hole again through the refrigerant collection hole, thereby preventing the refrigerant from leaking into the chamber, thereby supplying the reaction chamber. The purpose of the present invention is to prevent a partial pressure drop of the reactant gas, a distortion of the flow of the reactant gas, and a temperature nonuniformity of the semiconductor substrate, thereby ultimately increasing the process yield of the semiconductor wafer.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 정전척을 도시하는 단면도이고,1A and 1B are sectional views showing an electrostatic chuck according to the prior art,

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 다른 정전척의 상면을 도시하는 도면이고,FIG. 2A is a diagram showing an upper surface of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention;

도 2b 및 도 2c는 도 2a의 정전척을 선분 AA' 및 BB'를 따라 절취한 각각의 단면도이고,2B and 2C are respective cross-sectional views of the electrostatic chuck of FIG. 2A taken along line AA 'and BB',

도 3a는 본 발명의 다른 일 실시예에 다른 정전척의 상면을 도시하는 도면이고,3A is a view showing an upper surface of an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention,

도 3b는 도 3a의 정전척을 선분 CC'를 따라 절취한 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along line CC ′ of the electrostatic chuck of FIG. 3A.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10:정전척10: electrostatic chuck

11a, 11b,11c: 냉매 공급홀11a, 11b, 11c: refrigerant supply hole

12: 웨이퍼12: wafer

13: 냉매 유출 방지턱13: refrigerant leakage bump

20: 냉매 수거홀20: refrigerant collection hole

30: 유로부30: Euro part

40: 볼트 고정홀40: bolt fixing hole

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른, 웨이퍼(12)를 그 상면에 부착시키는 정전척(10)은, 냉매가 이동하는 유로부(30)와, 상기 냉매가 공급되는 냉매 공급홀(11)과, 상기 냉매를 재수거하는 냉매 수거홀(20)을 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object of the present invention, the electrostatic chuck 10 attaching the wafer 12 to the upper surface thereof according to the present invention includes a flow path portion 30 through which a refrigerant moves, and a refrigerant supplied with the refrigerant. And a supply hole 11 and a refrigerant collection hole 20 for recollecting the refrigerant.

또한, 상기 유로부(30)는 상기 정전척의 상면에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the flow path portion 30 is characterized in that formed on the upper surface of the electrostatic chuck.

또한, 상기 냉매 공급홀은 상기 정전척 상면의 중심부 또는 외곽부에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the refrigerant supply hole is characterized in that formed in the central portion or the outer portion of the upper surface of the electrostatic chuck.

또한, 상기 냉매 수거홀은 상기 정전척 상면의 중심부 또는 외곽부에 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the refrigerant collection hole is characterized in that formed in the central portion or the outer portion of the upper surface of the electrostatic chuck.

또한, 상기 유로부는 나선형, 타원형 또는 방사형 또는, 그 밖의 여러 다른 형태가 될 수 있다.In addition, the flow path portion may be spiral, oval or radial, or any other shape.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.그러나, 본 발명의 실시예는 본원에 기술된 실시형태로 제한되는 것이 아니라, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 기술분야의 통상의 지식을 가진자들에 의해 여러가지 변형이 될 수 있음은 물론이다. 또한, 도면에 도시된 형상들은 명확한 설명을 위해 간략화 된 것임을 알아야 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention are not limited to the embodiments described herein, but are provided without departing from the spirit and scope of the present invention. Of course, various modifications can be made by those skilled in the art. In addition, it is to be understood that the shapes shown in the drawings are simplified for clarity.

도 2a는 본 발명의 특징을 갖는 일 실시예에 따른 정전척의 상면을 도시한 도면이다. 유로부(30)는 정전척(10)의 상면, 즉 반도체 기판(예컨대, 웨이퍼(12))이 부착되는 표면에 형성되어, 냉매가 흐르는 통로의 역할을 한다. 냉매는 정전측(10)의 중심부에 위치된 제1 냉매 공급홀(11a) 및 제2 냉매 공급홀들(11b)을 통해 냉매가 인입된다. 이 인입된 냉매는 웨이퍼 배면을 냉각시키면서, 압력에 의해 유로부(30)를 통해 정전적(10)의 외곽부분으로 이동하게 된다. 이렇게 이동한 냉매는 정전척 외곽부분에 형성된 냉매 수거홀들(20)을 통해 다시 수거된다. 이때, 냉매의 입출되는 압력을 조절할 수 있는 냉매압력 조절기(도시하지 않음)를 추가하면, 더 향상된 냉각효과를 볼 수 있음도 물론이다.2A is a diagram illustrating an upper surface of an electrostatic chuck in accordance with an embodiment having features of the present invention. The flow path part 30 is formed on the upper surface of the electrostatic chuck 10, that is, the surface to which the semiconductor substrate (eg, the wafer 12) is attached, and serves as a passage through which the refrigerant flows. The refrigerant is introduced into the refrigerant through the first refrigerant supply holes 11a and the second refrigerant supply holes 11b positioned at the center of the electrostatic side 10. The introduced refrigerant moves to the outer portion of the electrostatic 10 through the flow path portion 30 by the pressure while cooling the back surface of the wafer. The refrigerant thus moved is collected again through the refrigerant collection holes 20 formed in the outer portion of the electrostatic chuck. At this time, the addition of a refrigerant pressure regulator (not shown) that can adjust the incoming and outgoing pressure of the refrigerant, of course, you can see a more improved cooling effect.

도 2b 및 도 2c는 도 2a를 선분 AA' 및 선분 BB'를 따라 절단한 각각의 단면도이다. 도 2b 및 도2c에 도시된 바와 같이, 냉매는 웨이퍼(12) 배면을 냉각시킨뒤, 챔버 내로 유출 방지됨을 보여준다.2B and 2C are cross-sectional views of FIG. 2A taken along line AA 'and line BB', respectively. As shown in FIGS. 2B and 2C, the refrigerant cools the backside of the wafer 12 and shows that it is prevented from leaking into the chamber.

도 3a는 다른 일 실시예에 따른 정전척의 상면을 도시한 도면이다. 냉매는 정전측(10)의 중심부에 있는 제1 냉매 공급홀(11a)을 통해 인입되어 웨이퍼(12)를 냉각시키면서 나선형상의 유로부(30)를 통해 정전척(10)의 외곽으로 이동한다. 이렇게 이동하는 냉매는 제2 냉매 공급홀(11b)에 다다르면 웨이퍼의 열에 의해 온도가 상승한다. 따라서, 제2 냉매 공급홀(11b)에서 인입된 냉매가 재수거될 필요가 있다. 제2 냉매 공급홀(11b)을 통해 인입된 냉매는 유로부(30)를 따라 냉매 수거홀(20)로 이동되어 수거됨으로써 냉매가 챔버 내로 유출할 확률이 매우 적어진다.3A is a diagram illustrating an upper surface of an electrostatic chuck according to another embodiment. The coolant is introduced through the first coolant supply hole 11a at the center of the electrostatic side 10 and moves to the outside of the electrostatic chuck 10 through the spiral flow path part 30 while cooling the wafer 12. When the refrigerant moves in this manner, when the second refrigerant supply hole 11b is reached, the temperature rises due to the heat of the wafer. Therefore, the refrigerant drawn in from the second refrigerant supply hole 11b needs to be collected again. Since the refrigerant introduced through the second refrigerant supply hole 11b is collected by being moved to the refrigerant collection hole 20 along the flow path part 30, the probability of the refrigerant flowing out into the chamber becomes very low.

도 3b는 도 3a를 선분 CC'를 따라 절단한 단면도이다. 이 도면에 따르면, 제1 및 제2 냉매 공급홀(11a,11b)을 통해 냉매가 유입되는 것과, 냉매 수거홀(20)을 통해 다시 수거되어 유출될 확률이 매우 적음을 알 수 있다.3B is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG. 3A. According to this figure, it can be seen that the refrigerant is introduced through the first and second refrigerant supply holes 11a and 11b, and the probability of being collected again through the refrigerant collection hole 20 is very low.

따라서, 냉매 공급홀들과 냉매 수거홀들을 갖는 정전척의 상면은 냉매 누설을 효과적으로 방지할 수 있다. 냉매 누설이 방지되면, 반응 챔버 내에 공급된 반응 가스의 분압 저하를 억제하고 반응 불량의 발생을 방지할 수 있다. 더욱이, 냉매 누설을 방지함으로써, 유로부(30)를 흐르는 냉매의 실질적인 양을 감소시키지 않고 그대로 유지할 수 있기 때문에, 냉각 효과를 증대시킬 수 있다. 이에 따라, 균일한 열전달 효과를 구현할 수 있어, 반도체 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.Therefore, the upper surface of the electrostatic chuck having refrigerant supply holes and refrigerant collection holes can effectively prevent refrigerant leakage. When the leakage of the refrigerant is prevented, it is possible to suppress the partial pressure drop of the reaction gas supplied into the reaction chamber and to prevent the occurrence of reaction failure. Furthermore, by preventing the leakage of the coolant, the cooling effect can be increased because the coolant can be kept as it is without reducing the substantial amount of the coolant flowing through the flow path portion 30. Accordingly, it is possible to implement a uniform heat transfer effect, it is possible to maintain a uniform temperature of the semiconductor substrate.

또한, 냉매가 흘러가는 유로부(30)의 홈은 웨이퍼와 유전체(도시하지 않음) 표면 사이의 간격 내에서, 충돌하지 않고 충돌에 의한 열의 발생도 없는 깊이로 형성되어야 한다. 구체적으로는 유로부의 홈의 깊이는 30??m 이하인 것이 바람직하다. 예컨대, 냉매로서 헬륨 가스가 사용되는 경우, 온도 25??, 압력 1Torr에 있어서 헬륨의 평균 자유 행정은 147.2??m이다. 정전척에서 웨이퍼를 냉각하는 경우에는 헬륨은 5~20Torr의 압력으로 사용되는 것이 많아, 평균 자유 행정은 15~30??m이다. 따라서, 유로부(30)의 홈의 깊이는 15~30??m인 것이 바람직하다. 그러나, 유로부(30)의 홈의 깊이는 5??m 이상이면 족하다.In addition, the groove of the flow path portion 30 through which the coolant flows must be formed at a depth within the gap between the wafer and the surface of the dielectric (not shown), without colliding and generating heat due to the collision. Specifically, the depth of the groove in the flow path portion is preferably 30 μm or less. For example, when helium gas is used as the refrigerant, the average free stroke of helium at a temperature of 25 ?? and a pressure of 1 Torr is 147.2 ?? m. In the case of cooling the wafer in the electrostatic chuck, helium is often used at a pressure of 5 to 20 Torr, and the average free stroke is 15 to 30 ?? m. Therefore, the depth of the groove of the flow path part 30 is preferably 15 to 30 ?? m. However, the depth of the groove of the flow path part 30 is sufficient if it is 5 m or more.

또한, 냉매와 정전척 사이의 열교환 효율을 높이기 위해서는 유전체 표면의 표면도조 Ra 가 0.3 내지 2??m의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 냉매의 적응 계수를 0.1 이상으로 할 수 있다. 여기서, 표면도조 Ra를 구하는 방법은 마이크로 게이지 등으로 표면을 측정하여 얻을 수 있다.In addition, in order to increase the heat exchange efficiency between the refrigerant and the electrostatic chuck, it is preferable that the surface roughness Ra of the dielectric surface is in the range of 0.3 to 2 ?? m. According to this structure, the adaptation coefficient of a refrigerant | coolant can be 0.1 or more. Here, the method of obtaining surface coating Ra can be obtained by measuring a surface with a micro gauge or the like.

냉매(예컨대, 헬륨가스)의 압력은 5~20Torr 정도가 바람직하지만, 웨이퍼와 정전척 사이의 미소 공간의 압력(냉각 가스의 압력)은 챔버 내의 진공 압력보다 높기 때문에, 정전척의 흡착력은 웨이퍼를 정전척으로부터 이격시키려고 하는 냉각 가스의 압력보다는 크게 하여야 한다. 따라서, 냉각 가스의 압력은 냉매 공급홀에서 분출된 냉매가 챔버 내로 누설되지 않고 냉매 수거홀로 재 수거될 수 있을 정도의 압력이면 족하다.The pressure of the refrigerant (for example, helium gas) is preferably about 5 to 20 Torr, but since the pressure in the microcavity between the wafer and the electrostatic chuck (pressure of the cooling gas) is higher than the vacuum pressure in the chamber, the adsorption force of the electrostatic chuck causes the wafer to electrostatic. It must be greater than the pressure of the cooling gas to be separated from the chuck. Therefore, the pressure of the cooling gas is sufficient if the pressure ejected from the coolant supply hole can be recollected into the coolant collection hole without leaking into the chamber.

또한, 반도체 웨이퍼의 배면과 접촉하는 유전체의 최외주 부분(50)의 폭이 너무 작으면, 유전체 표면 상에 유로 구조를 형성할 때, 볼록부분(50)의 에지에 균열 등이 발생할 수 있기 때문에, 냉매의 누설을 유발할 수 있다. 한편, 최외주 부분(50)의 폭이 너무 크면, 최외주 부분(50)의 내외 벽면에 있어서 온도 차가 너무 커지기 때문에, 반도체 웨이퍼 배면으로의 열전달 효율이 나빠져서 결국 성막 정밀도나 가공 정미도에 악영향을 미친다. 따라서, 최외주 부분(50)의 폭을 1~20mm로 하는 것이 바람직하다.In addition, if the width of the outermost circumferential portion 50 of the dielectric in contact with the back surface of the semiconductor wafer is too small, cracks or the like may occur at the edge of the convex portion 50 when forming a flow path structure on the dielectric surface. It may cause leakage of refrigerant. On the other hand, if the width of the outermost circumferential portion 50 is too large, the temperature difference becomes too large on the inner and outer wall surfaces of the outermost circumferential portion 50, so that the heat transfer efficiency to the back surface of the semiconductor wafer becomes worse, and eventually adversely affects the film forming precision and the processing fineness. Crazy Therefore, it is preferable to make the width of the outermost peripheral part 50 into 1-20 mm.

이상, 본 발명을 일 실시예를 통해 설명하였다. 본 도면에는 구체적인 부분들을 도시하지 않았지만, 예를 들면, 유전체, 리프트핀, 챔버, 냉매 유량 제어 밸브 등은 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진자들에게는 명확할 것이다. 따라서, 당업자들은 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 변형을 할 수 있음은 물론이다.In the above, the present invention has been described through an embodiment. Although the specific parts are not shown in this figure, for example, dielectrics, lift pins, chambers, refrigerant flow control valves and the like will be apparent to those of ordinary skill in the art. Therefore, those skilled in the art can make various modifications without departing from the spirit and scope of the present invention.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, 정전척으로부터의 냉매 누설을 방지할 수 있어 반응 챔버 내에 공급된 반응가스의 분압 저하 및 반응가스 흐름의 왜곡을 억제할 수 있다. 이에 따라 반도체 기판 상에 형성되거나 식각되는 막질의 불균일성을 방지할 수 있다. 더욱이, 냉매의 누설을 방지함으로서 냉매의 압력을 균일하게 유지할 수 있을 뿐 아니라, 균일한 열전달 효과를 구현할 수 있어, 반도체 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있다.According to the configuration of the present invention described above, it is possible to prevent the leakage of the refrigerant from the electrostatic chuck can suppress the partial pressure drop of the reaction gas supplied in the reaction chamber and distortion of the reaction gas flow. Accordingly, it is possible to prevent nonuniformity of the film quality formed or etched on the semiconductor substrate. In addition, by preventing leakage of the refrigerant, not only the pressure of the refrigerant can be maintained uniformly, but also a uniform heat transfer effect can be realized, and the temperature of the semiconductor substrate can be maintained uniformly.

Claims (6)

웨이퍼를 그 상면에 부착시키는 정전척에 있어서,In the electrostatic chuck which attaches a wafer to the upper surface, 상기 냉매가 공급되는 냉매 공급홀과,A refrigerant supply hole through which the refrigerant is supplied; 상기 냉매를 재수거하는 냉매 수거홀을 갖는 것을 특징으로 하는 정전척.And a coolant collection hole for re-collecting the coolant. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정전척은 냉매가 이동하는 유로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.The electrostatic chuck further comprises a flow path portion for moving the refrigerant. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유로부는 상기 정전척의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.The flow passage portion is formed on the upper surface of the electrostatic chuck. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉매 공급홀은 상기 정전척 상면의 중심부 또는 외곽부에 형성되며, 1개 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 정전척.The coolant supply hole is formed in the center or the outer portion of the upper surface of the electrostatic chuck, characterized in that it has one or more. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉매 수거홀은 상기 정전척 상면의 중심부 또는 외곽부에 형성되며, 1개 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 정전척.The coolant collection hole is formed in the central portion or the outer portion of the upper surface of the electrostatic chuck, characterized in that it has one or more. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉매의 공급 압력 및 수거 압력이 조절 가능한 것을 특징으로 하는 정전척.Electrostatic chuck characterized in that the supply pressure and the collection pressure of the refrigerant is adjustable.
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