KR20040022478A - Transflective liquid crystal display panel with embossing pattern having an effective reflective region and method for fabricating the same - Google Patents

Transflective liquid crystal display panel with embossing pattern having an effective reflective region and method for fabricating the same Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A transflective liquid crystal display panel having an embossing structure of an effective reflecting region is provided to maximize reflection efficiency. CONSTITUTION: A transflective liquid crystal display panel includes a substrate(110) on which a thin film transistor(125) and lines connected to the thin film transistor to receive external signals are formed, and an insulating layer(130) that is formed on the substrate and has a plurality of first embossed portions. The liquid crystal display further includes a transparent electrode(140) and a reflecting electrode(150). The transparent electrode is formed on the insulating layer and has a plurality of the second embossed portions respectively corresponding to the plurality of the first embossed portions. The reflecting electrode is formed on predetermined regions of the second embossed portions to reflect external light.

Description

효율적인 반사영역을 가지는 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법{TRANSFLECTIVE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL WITH EMBOSSING PATTERN HAVING AN EFFECTIVE REFLECTIVE REGION AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Reflective-transmissive liquid crystal display panel having an uneven structure having an efficient reflection area and a method for manufacturing the same.

본 발명은 반사-투과형 액정 표시 패널에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는, 동일 면적 대비 외부광에 대한 반사 효율을 극대화 할 수 있는 반사-투과형 액정표시 패널 및 상기 반사-투과형 액정 표시 패널을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.The present invention relates to a reflective-transmissive liquid crystal display panel, and more particularly, to a reflective-transmissive liquid crystal display panel capable of maximizing reflection efficiency with respect to external light to the same area, and to manufacturing the reflective-transmissive liquid crystal display panel. To provide a method.

최근에는 CRT방식의 디스플레이 장치에 비하여, 경량, 소형이면서, 풀-컬러, 고해상도 구현등과 같은 기능을 갖는 액정 표시 장치의 개발이 이루어졌다. 그 결과, 액정 표시 장치는 대표적인 정보처리장치인 컴퓨터의 모니터, 가정용 벽걸이 텔레비젼, 기타 정보 처리 장치의 디스플레이 장치로서 널리 사용되게 되었다.Recently, a liquid crystal display has been developed, which is lighter, smaller, and has a function such as full-color, high resolution, and the like, compared to a CRT display device. As a result, the liquid crystal display device has come to be widely used as a display device of computer monitors, home wall-mounted televisions, and other information processing devices, which are representative information processing devices.

액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자배열에 전압을 인가하여 다른 분자배열로 변환시키고, 이러한 분자 배열에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하는 것으로, 액정셀에 의한 빛의 변조를 이용한 디스플레이이다.A liquid crystal display device applies voltage to a specific molecular array of a liquid crystal and converts it into another molecular array, and visually changes the optical properties such as birefringence, photoreactivity, dichroism, and light scattering characteristics of the liquid crystal cell that emit light by the molecular arrangement. It is a display using the modulation of the light by a liquid crystal cell by converting into.

액정 표시 장치는 자체적으로 발광하지 못하는 수동 광소자이므로, 액정패널의 후면에 부착된 백라이트 어셈블리를 이용하여 화상을 표시한다. 따라서, 백라이트 어셈블리 구조에 따라서 액정표시장치의 크기 및 광효율 등이 달라지게 되어 전체적인 액정표시장치의 기계적/광학적 특성이 많은 영향을 받는다.Since the liquid crystal display is a passive optical device that does not emit light by itself, an image is displayed by using a backlight assembly attached to the rear surface of the liquid crystal panel. Accordingly, the size and the light efficiency of the liquid crystal display are changed according to the backlight assembly structure, and thus the mechanical and optical characteristics of the overall liquid crystal display are affected.

현재 개발된 여러 가지 평판 디스플레이 장치 중에서 액정표시장치는 다른 디스플레이 장치에 비해 얇고 가벼우며, 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖추고 있을 뿐만 아니라, 음극선관에 가까운 화상 표시가 가능하기 때문에 다양한 전자 장치에 광범위하게 사용되고 있다.Among the various flat panel display devices currently developed, liquid crystal displays are thinner and lighter than other display devices, have low power consumption and low driving voltage, and are widely used in various electronic devices because they can display images close to cathode ray tubes. Is being used.

액정표시장치는 광원에 따라서 액정 셀의 배면에 위치한 백라이트를 이용하여 화상을 표시하는 투과형 액정표시장치, 외부의 자연광을 이용한 반사형 액정표시장치, 그리고 실내나 외부 광원이 존재하지 않는 어두운 곳에서는 표시소자 자체의 내장 광원을 이용하여 디스플레이하는 투과 표시모드로 작동하고 실외의 고조도 환경에서는 외부의 입사광을 반사시켜 디스플레이하는 반사 표시모드로 작동하는 반투과형 액정표시장치로 구분된다.The liquid crystal display device is a transmissive liquid crystal display device that displays an image using a backlight positioned on the back of the liquid crystal cell depending on the light source, a reflective liquid crystal display device using external natural light, and displays in a dark place where no indoor or external light source exists The device is classified into a transflective liquid crystal display device which operates in a transmissive display mode for displaying using the internal light source of the device itself and in a reflective display mode for reflecting and displaying external incident light in an outdoor high-illuminance environment.

도 1은 종래 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a pixel portion of a reflection-transmissive liquid crystal display panel having a conventional uneven structure, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부(100)는 반사 전극(50)으로 이루어진 반사 영역과 투명 전극(40)으로 이루어진 투과 영역으로 나뉘어진다.Referring to FIGS. 1 and 2, the pixel portion 100 of the reflection-transmissive liquid crystal display panel having a conventional uneven structure is divided into a reflection region composed of a reflective electrode 50 and a transmission region composed of a transparent electrode 40.

박막 트랜지스터(25)는 기판(10) 상에 형성되며, 게이트 전극(12), 실리콘 질화물로 이루어진 게이트 절연막(14), 비정질 실리콘막으로 이루어진 액티브 패턴(16), n+도핑된 비정질 실리콘막(a-Si막)으로 이루어진 오믹 콘택 패턴(18), 상기 액티브 패턴(16)의 양측 가장자리에 각각 중첩되는 소스 전극(20) 및 드레인 전극(22) 등으로 이루어진다.The thin film transistor 25 is formed on the substrate 10, the gate electrode 12, the gate insulating layer 14 made of silicon nitride, the active pattern 16 made of an amorphous silicon film, and the n + doped amorphous silicon film ( an ohmic contact pattern 18 formed of an a-Si film, a source electrode 20 and a drain electrode 22 overlapping both edges of the active pattern 16.

기판(10) 상면에 박막 트랜지스터(25)가 형성된 상태에서 기판(10) 전면적에 걸쳐서 무기물 또는 유기물로 이루어진 요철 구조의 절연막(30)이 형성된다. 절연막(30)의 상면에는 ITO(indium-tin-oxide) 또는 IZO(indium-zinc-oxide)로 이루어진 투명 전극(40)이 형성된다.In the state where the thin film transistor 25 is formed on the upper surface of the substrate 10, an insulating film 30 having an uneven structure made of an inorganic material or an organic material is formed over the entire surface of the substrate 10. A transparent electrode 40 made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is formed on the top surface of the insulating layer 30.

절연막(30) 상부의 반사 영역에는 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-알루미늄(Mo/AL), 은(Ag) 등의 단일 금속막이나 이중 금속막으로 이루어진 반사 전극(50)이 형성된다.A reflective electrode 50 made of a single metal film or a double metal film, such as aluminum (Al), molybdenum (Mo) or molybdenum-aluminum (Mo / AL), silver (Ag), or the like is formed in the reflective region above the insulating film 30. do.

절연막(30)중 박막 트랜지스터(25)의 드레인 전극(22)이 노출되도록 하는 위치에는 콘택홀(45)이 형성되고, 박막 트랜지스터(25)의 드레인 전극(22)은 콘택 홀(45)를 통하여 반사 전극(50)과 전기적으로 연결된다.A contact hole 45 is formed at a position of the insulating layer 30 to expose the drain electrode 22 of the thin film transistor 25, and the drain electrode 22 of the thin film transistor 25 is formed through the contact hole 45. It is electrically connected to the reflective electrode 50.

외부로부터 액정 표시 패널의 화소부(100)로 입사되는 자연광은 반사 영역에서 반사되어 칼라 필터 기판(미도시)쪽으로 진행한다. 외부 광원에 의해 발생된 외부광은 투과 영역을 통과하여 칼라 필터 쪽으로 진행한다.Natural light incident from the outside into the pixel unit 100 of the liquid crystal display panel is reflected in the reflection region and travels toward the color filter substrate (not shown). The external light generated by the external light source passes through the transmission region and travels toward the color filter.

상기와 같은 종래의 반사-투과형 액정 표시 패널의 경우, 외부 자연광은 반사 전극(50)의 요철부의 볼록면과 오목면에서 모두 반사가 이루어지지만, 칼라 필터 기판 쪽으로 진행하는 빛은 대부분 요철부의 볼록면의 윗면에서 반사된 것이다.In the conventional reflection-transmissive liquid crystal display panel as described above, external natural light is reflected on both the convex and concave surfaces of the uneven portion of the reflective electrode 50, but most of the light traveling toward the color filter substrate is the convex surface of the uneven portion. It is reflected from the top of.

즉, 종래의 요철 구조를 가지는 반사-투과형 액정 표시 패널의 경우, 화소부(100) 중 일부 영역에만 반사 전극(50)을 요철 구조의 전면적에 형성함으로써 반사 영역으로 사용하고, 화소부(100)의 나머지 영역에는 반사 전극(50)을 형성하지 않고 투과 영역(60)으로만 사용함으로써, 반사 모드 및 투과 모드로 동작한다.That is, in the conventional reflective-transmissive liquid crystal display panel having an uneven structure, the reflective electrode 50 is formed in the entire area of the uneven structure only in a part of the pixel portion 100 to be used as the reflective region, and the pixel portion 100 is formed. By using only the transmissive region 60 without forming the reflective electrode 50 in the rest of the region, it operates in the reflective mode and the transmissive mode.

이 경우 투과 영역(60)의 요철부에는 반사 전극(50)이 전연 형성되지 않음으로써 반사 효율이 떨어지는 문제가 있었다.In this case, since the reflective electrode 50 is not formed in the uneven portion of the transmission region 60, the reflection efficiency is inferior.

상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명의 목적은, 동일 면적 대비외부광에 대한 반사 효율을 극대화 할 수 있는 반사-투과형 액정 표시 패널을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention proposed to solve the above problems is to provide a reflection-transmissive liquid crystal display panel capable of maximizing reflection efficiency for external light compared to the same area.

또한, 본 발명의 목적은 동일 면적 대비 외부광에 대한 반사 효율을 극대화 할 수 있는 반사-투과형 액정 표시 패널을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel that can maximize the reflection efficiency of the external area compared to the same area.

도 1은 종래 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a pixel portion of a reflection-transmissive liquid crystal display panel having a conventional uneven structure.

도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 B-B'선에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an area used as a reflection area and a transmission area in the pixel portion of a reflection-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view illustrating a region used as a reflection region and a transmission region of the pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a second preferred embodiment of the present invention.

도 8a는 본 발명의 바람직한 제4 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 나타낸 평면도이다.8A is a plan view illustrating a region used as a reflective region and a transmissive region of a pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 8b는 본 발명의 바람직한 제5 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 나타낸 평면도이다.8B is a plan view illustrating a region used as a reflective region and a transmissive region of the pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.

도 9a 내지 도 9d는 도 3의 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 형성하기 위한 제조 공정을 나타낸 도면이다.9A to 9D are views illustrating a manufacturing process for forming the pixel portion of the reflection-transmissive liquid crystal display panel having the uneven structure of FIG. 3.

도 10a 내지 도 10b는 도 5의 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 형성하기 위한 제조 공정의 일부를 나타낸 도면이다.10A to 10B illustrate a part of a manufacturing process for forming the pixel portion of the reflective-transmissive liquid crystal display panel having the uneven structure of FIG. 5.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 110 : 기판12, 112 : 게이트 전극10, 110: substrate 12, 112: gate electrode

40, 140: 투명 전극50, 150 : 반사 전극40, 140: transparent electrode 50, 150: reflective electrode

160: 제1 영역170 : 제2 영역160: first region 170: second region

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널은, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막과, 상기 복수의 제1 요철부 각각에 상응하는 복수의 제2 요철부를 가지도록 상기 절연막 상에 형성되는 투명 전극과, 상기 투명 전극 상의 제1 영역에 속하는 상기 제2 요철부의 전면적과 상기 투명 전극 상의 제2 영역에 속하는 제2 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 형성되어 외부광을 반사시키는 반사 영역으로 동작하는 반사 전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, a reflective-transmissive liquid crystal display panel includes a thin film transistor and a substrate connected with the thin film transistor to receive an external signal, and a plurality of first substrates formed on the substrate. An insulating film having an uneven portion, a transparent electrode formed on the insulating film so as to have a plurality of second uneven portions corresponding to each of the plurality of first uneven portions, and an entire area of the second uneven portion belonging to the first region on the transparent electrode; And a reflective electrode formed on a first portion of the convex surface of the second uneven portion belonging to the second region on the transparent electrode to operate as a reflective region reflecting external light.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널은, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선이 형성된 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막, 상기 절연막 상의 제1 영역에 속하는 상기 제1 요철부의 전면적과 상기 절연막 상의 제2 영역에 속하는 제1 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 형성되어 외부광을 반사시키는 반사 영역으로 동작하는 반사 전극과, 상기 반사 전극 상에 형성되는 투명 전극을 포함한다.In addition, a reflective-transmissive liquid crystal display panel according to the present invention for achieving the above object, a thin film transistor and a substrate connected to the thin film transistor to receive an external signal, and formed on the substrate and a plurality of An insulating film having a first uneven portion, a reflecting region formed in a first portion of the entire surface of the first uneven portion belonging to the first region on the insulating film and a convex surface of the first uneven portion belonging to the second region on the insulating film to reflect external light And a transparent electrode formed on the reflective electrode.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선을 기판상에 형성하고, 상기 기판 상에 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막을 형성하고, 상기 복수의 제1 요철부 각각에 상응하는 복수의 제2 요철부를 가지도록 상기 절연막 상에 투명 전극을 형성하고, 상기 투명 전극 상의 제1 영역에 속하는 상기 제2 요철부의 전면적과 상기 투명 전극 상의 제2 영역에 속하는 제2 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 반사 전극을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to the present invention for achieving the above object, forming a thin film transistor and a wiring connected to the thin film transistor to receive an external signal on the substrate, An insulating film having a plurality of first uneven portions is formed on the insulating film, a transparent electrode is formed on the insulating film so as to have a plurality of second uneven portions corresponding to each of the plurality of first uneven portions, and a first region on the transparent electrode is formed. And forming a reflective electrode on a first portion of the entire surface of the second concave-convex portion belonging and the convex surface of the second concave-convex portion belonging to the second region on the transparent electrode.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선을 기판상에 형성하고, 상기 기판 상에 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상의 제1 영역에 속하는 상기 제1 요철부의 전면적과 상기 절연막 상의 제2 영역에 속하는 제1 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 반사 영역을 형성하고, 상기 반사 전극 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to the present invention for achieving the above object, forming a thin film transistor and a wiring connected to the thin film transistor to receive an external signal on the substrate, An insulating film having a plurality of first uneven portions is formed in the first portion, and a reflective region is formed on a first portion of the entire surface of the first uneven portion belonging to the first region on the insulating film and on the convex surface of the first uneven portion belonging to the second region on the insulating film. Forming a transparent electrode on the reflective electrode.

따라서, 종래와 동일한 면적의 투과 영역을 사용할 경우에도 동일 면적 대비 외부광에 대한 반사 효율을 극대화 할 수 있다.Therefore, even when using a transmission area having the same area as in the prior art, it is possible to maximize the reflection efficiency of the external light compared to the same area.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 첨부 도면 도 2a 내지 도 7에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2A to 7.

도 3은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 B-B'선에 따른 단면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부(300)는 반사 전극(150)이 표면에 형성된 제1 영역(160)과 투명 전극(140)의 요철부의 볼록면 일부만에 선택적으로 반사 전극이 형성된 제2 영역(170)으로 나뉘어진다.3 and 4, the pixel portion 300 of the reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to the first embodiment of the present invention may include a first region 160 having a reflective electrode 150 formed on a surface thereof. It is divided into the second region 170 in which a reflective electrode is selectively formed on only a part of the convex surface of the uneven portion of the transparent electrode 140.

박막 트랜지스터(125)는 기판(110) 상에 형성되며, 게이트 전극(112), 실리콘 질화물로 이루어진 게이트 절연막(114), 비정질 실리콘막으로 이루어진 액티브 패턴(116), n+도핑된 비정질 실리콘막(a-Si막)으로 이루어진 오믹 콘택 패턴(118), 상기 액티브 패턴(116)의 양측 가장자리에 각각 중첩되는 소스 전극(120) 및 드레인 전극(122) 등으로 이루어진다.The thin film transistor 125 is formed on the substrate 110, and includes a gate electrode 112, a gate insulating layer 114 made of silicon nitride, an active pattern 116 made of an amorphous silicon film, and an n + doped amorphous silicon film ( an ohmic contact pattern 118 formed of an a-Si film, a source electrode 120 and a drain electrode 122 overlapping both edges of the active pattern 116.

기판(110) 상면에 박막 트랜지스터(125)가 형성된 상태에서 기판(110) 전면적에 걸쳐서 무기물 또는 유기물로 이루어진 요철 구조의 절연막(130)이 형성된다. 절연막(130)의 상면에는 ITO(indium-tin-oxide) 또는 IZO(indium-zinc-oxide)로 이루어진 투명 전극(40)이 형성된다.In the state where the thin film transistor 125 is formed on the upper surface of the substrate 110, an insulating film 130 having an uneven structure made of an inorganic material or an organic material is formed over the entire surface of the substrate 110. A transparent electrode 40 made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is formed on the top surface of the insulating layer 130.

절연막(130) 상부의 제1 영역(160)과 제2 영역(170) 중 투명 전극(140)의 요철부의 볼록면 일부에는 바람직하게는 몰리브덴-알루미늄(Mo/AL)으로 이루어진 반사 전극(150)이 형성된다.A reflective electrode 150 made of molybdenum-aluminum (Mo / AL) is preferably formed on a part of the convex surface of the uneven portion of the transparent electrode 140 among the first region 160 and the second region 170 on the insulating layer 130. Is formed.

반사 전극(150)은 몰리브덴-알루미늄(Mo/AL) 외에도 알루미늄(Al),몰리브덴(Mo) 또는 은(Ag) 등의 단일 금속막이나 이중 금속막으로 이루어질 수도 있다. 요철부의 형상은 도 3 및 도 4에 도시된 바에 의하면 상면이 원형에 가까운 요철부의 형상을 가지고 있으나, 원형 외에 다각형에 가까운 요철부의 형상을 가질 수도 있고, 요철 구조를 가지는 형상이라면 다른 형상도 가능하다.In addition to molybdenum-aluminum (Mo / AL), the reflective electrode 150 may be formed of a single metal layer or a double metal layer such as aluminum (Al), molybdenum (Mo), or silver (Ag). 3 and 4, the shape of the concave-convex portion has a shape of the concave-convex portion close to the circle, but may have a concave-convex portion close to the polygon in addition to the circle. .

절연막(130)중 박막 트랜지스터(125)의 드레인 전극(122)이 노출되도록 하는 위치에는 콘택홀(145)이 형성되고, 박막 트랜지스터(125)의 드레인 전극(122)은 콘택 홀(145)을 통하여 반사 전극(150)과 전기적으로 연결된다.A contact hole 145 is formed at a position of the insulating layer 130 to expose the drain electrode 122 of the thin film transistor 125, and the drain electrode 122 of the thin film transistor 125 is formed through the contact hole 145. It is electrically connected to the reflective electrode 150.

외부로부터 액정 표시 패널의 화소부(300)로 입사되는 자연광의 일부는 제1 영역(160)에 형성된 반사 전극(150)에서 반사되어 칼라 필터 기판(미도시)쪽으로 진행한다.A part of natural light incident from the outside into the pixel portion 300 of the liquid crystal display panel is reflected by the reflective electrode 150 formed in the first region 160 and proceeds toward the color filter substrate (not shown).

또한, 외부로부터 액정 표시 패널의 화소부(300)로 입사되는 자연광의 일부는 제2 영역(170)의 요철부의 볼록면 일부에 형성된 반사 전극(150)에서 반사되어 칼라 필터 기판(미도시)쪽으로 진행한다.In addition, a part of the natural light incident from the outside to the pixel portion 300 of the liquid crystal display panel is reflected by the reflective electrode 150 formed on a part of the convex surface of the uneven portion of the second region 170 to the color filter substrate (not shown). Proceed.

한편, 외부 광원에 의해 발생된 외부광은 제2 영역(170)에서 반사 전극(150)이 형성되지 않은 부분-즉, 반사 전극(150)이 형성된 요철부의 볼록면 일부를 제외한 나머지 부분-에 형성된 투명 전극(140)을 투과하여 칼라 필터 쪽으로 진행한다.On the other hand, the external light generated by the external light source is formed in the portion where the reflective electrode 150 is not formed in the second region 170, that is, the remaining portion other than the convex portion of the uneven portion where the reflective electrode 150 is formed. It passes through the transparent electrode 140 and proceeds toward the color filter.

도 5는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of an area used as a reflection area and a transmission area in the pixel portion of a reflection-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a first embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 요철부 중 반사가 잘 되는 요철부의 볼록면 정상 부분에선택적으로 반사 전극(150)을 형성하여 반사영역으로 사용한다. 반사 전극(150)이 형성된 요철부의 볼록면 일부를 제외한 나머지 부분에는 투명 전극(140)만이 형성되어 투과 영역으로 사용한다.Referring to FIG. 5, the reflective electrode 150 is selectively formed on the top of the convex surface of the uneven portion that reflects well among the uneven portions, and used as the reflective region. Only the transparent electrode 140 is formed in the remaining portions except for the convex portion of the uneven portion where the reflective electrode 150 is formed, and is used as the transmission region.

외부 광원에서 발생된 외부광이 투과 영역을 통과할 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 요철부의 볼록면까지의 투과 거리(L1)와 요철부의 오목면까지의 투과 거리(L2)는 차이가 발생하고 그에 따라 외부광이 요철부의 오목면을 통하여 투과하는 경우가 볼록면을 통하여 투과하는 경우보다 투과율이 더 높다. 즉, 본 발명에서는 요철부 중 투과 효율이 높은 부분을 투과 영역으로 사용하고, 투과 효율이 낮은 부분에는 반사 전극(150)을 형성하여 반사 영역으로 사용하도록 한다. 따라서, 종래의 반사-투과형 액정 표시 패널과 비교하여 동일한 면적의 화소부를 사용할 경우에도 반사 효율이 향상될 수 있다.When the external light generated from the external light source passes through the transmission region, as shown in FIG. 5, a difference occurs in the transmission distance L1 to the convex surface of the uneven portion and the transmission distance L2 to the concave surface of the uneven portion. Accordingly, the transmission of external light through the concave surface of the uneven portion is higher than the transmission through the convex surface. That is, in the present invention, a portion having high transmission efficiency among the uneven parts is used as the transmission region, and a reflection electrode 150 is formed at the portion having low transmission efficiency to be used as the reflection region. Therefore, the reflection efficiency can be improved even when the pixel portion having the same area is used as compared with the conventional reflection-transmissive liquid crystal display panel.

한편, 요철부의 볼록면 일부에 형성된 반사 전극(150)과 인접한 요철부의 볼록면 일부에 형성된 반사 전극(150)간의 간격(W1)은 소정 간격- 바람직하게는 약 4 마이크로미터(um)- 이상이 되도록 하는 것이 제조 공정상 바람직하다. 즉, 식각에 의해 반사 전극(150)의 패턴을 형성할 경우 패턴 형성을 안정적으로 하기 위하여 최소한 약 4 마이크로미터(um) 이상 되는 것이 바람직하다.On the other hand, the distance W1 between the reflective electrode 150 formed on a part of the convex surface of the uneven part and the reflective electrode 150 formed on a part of the convex surface of the adjacent uneven part is not less than a predetermined distance, preferably about 4 micrometers (um). It is preferable in the manufacturing process to make it possible. That is, when the pattern of the reflective electrode 150 is formed by etching, at least about 4 micrometers (um) is preferable to stabilize the pattern formation.

또한, 요철부의 오목면의 폭(W2)은 소정 간격- 바람직하게는 약 3 마이크로미터(um)- 이상이 되도록 하는 것이 제조 공정상 바람직하다. 즉, 최소한의 오목면을 확보하기 위하여 요철부의 오목면의 폭은 최소한 약 3 마이크로미터(um) 이상 되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable in the manufacturing process that the width W2 of the concave surface of the concave-convex portion is equal to or greater than a predetermined interval, preferably about 3 micrometers (um). That is, the width of the concave surface of the uneven portion is preferably at least about 3 micrometers (um) or more in order to ensure the minimum concave surface.

도 6은 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view illustrating a region used as a reflection region and a transmission region of the pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 반사 전극(150)은 도 5의 요철부의 볼록면 중 정상 부분에서 더 연장되어 요철부의 볼록면상에 형성된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 요철부에 형성된 인접한 반사 전극(140)간의 간격(W1) 및 요철부의 오목면의 폭(W2)이 소정 간격이 유지되도록 한 상태에서, 반사 전극(150)이 형성되는 부분은 다양한 변형이 가능하다.Referring to FIG. 6, the reflective electrode 150 is further extended from the top of the convex surface of the concave and convex portion of FIG. 5 to be formed on the convex surface of the concave and convex portion. As shown in FIG. 6, the reflective electrode 150 is formed in a state in which the interval W1 between the adjacent reflective electrodes 140 formed on the uneven portion and the width W2 of the concave surface of the uneven portion are maintained at a predetermined interval. The part to be varied is possible.

도 7은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부의 단면도이다. 도 4에 도시된 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 병기하고, 그 기능에 대한 별도의 설명을 생략한다.7 is a cross-sectional view of a pixel portion of a reflective-transmissive liquid crystal display panel having a concave-convex structure according to a second preferred embodiment of the present invention. Components that perform the same functions as those of the pixel portion of the reflective-transmissive liquid crystal display panel having the uneven structure shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and a separate description thereof will be omitted.

도 7을 참조하면, 도 4에서와 달리 반사 전극(150)이 절연막(130) 상면에 먼저 형성된 후 투명 전극(140)이 형성된다.Referring to FIG. 7, unlike in FIG. 4, the reflective electrode 150 is first formed on the upper surface of the insulating layer 130, and then the transparent electrode 140 is formed.

먼저, 기판(110) 상면에 박막 트랜지스터(125)가 형성된 상태에서, 기판(110) 전면적에 걸쳐서 무기물 또는 유기물로 이루어진 요철 구조의 절연막(130)이 형성된다. 절연막(130) 상부의 제1 영역(160)과 제2 영역(170) 중 절연막(130)의 요철부의 볼록면 일부에는 바람직하게는 몰리브덴-알루미늄(Mo/AL)으로 이루어진 반사 전극(150)이 형성되어 반사 영역으로 작용한다. 반사 전극(150)은 몰리브덴-알루미늄(Mo/AL) 외에도 몰리브덴(Mo) 또는 은(Ag) 등의 단일 금속막이나 이중 금속막으로 이루어질 수도 있다.First, in the state where the thin film transistor 125 is formed on the upper surface of the substrate 110, an insulating film 130 having an uneven structure made of an inorganic material or an organic material is formed over the entire surface of the substrate 110. A reflective electrode 150 made of molybdenum-aluminum (Mo / AL) is preferably formed on a part of the convex surface of the uneven portion of the first region 160 and the second region 170 on the insulating layer 130. Formed to act as a reflective area. In addition to molybdenum-aluminum (Mo / AL), the reflective electrode 150 may be formed of a single metal layer or a double metal layer such as molybdenum (Mo) or silver (Ag).

요철부의 형상은 상면이 원형 외에 다각형에 가까운 요철부의 형상을 가질 수도 있고, 요철 구조를 가지는 형상이라면 다른 형상도 가능하다.The shape of the concave-convex portion may have a shape of the concave-convex portion close to the polygon in addition to the circular shape, and other shapes may be used as long as it has a concave-convex structure.

반사 전극(150)의 상면에는 ITO(indium-tin-oxide) 또는 IZO(indium-zinc-oxide)로 이루어진 투명 전극(140)이 형성된다.A transparent electrode 140 made of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is formed on the upper surface of the reflective electrode 150.

외부로부터 액정 표시 패널의 화소부(300)로 입사되는 자연광의 일부는 투명 전극(140)을 투과하여 제1 영역(160)에 형성된 반사 전극(150)에서 반사되어 칼라 필터 기판(미도시) 쪽으로 진행한다.A part of natural light incident from the outside into the pixel portion 300 of the liquid crystal display panel is transmitted by the transparent electrode 140 and reflected by the reflective electrode 150 formed in the first region 160 to the color filter substrate (not shown). Proceed.

또한, 외부로부터 액정 표시 패널의 화소부(300)로 입사되는 자연광의 일부는 투명 전극(140)을 투과하여 제2 영역(170)의 요철부의 볼록면 일부에 형성된 반사 전극(150)에서 반사되어 칼라 필터 기판 쪽으로 진행한다.In addition, a part of the natural light incident from the outside to the pixel portion 300 of the liquid crystal display panel is transmitted by the transparent electrode 140 and is reflected by the reflective electrode 150 formed on a part of the convex surface of the uneven portion of the second region 170. Proceed toward the color filter substrate.

한편, 외부 광원에 의해 발생된 외부광은 제2 영역(170)에서 반사 전극(150)이 형성되지 않은 부분-즉, 반사 전극(150)이 형성된 요철부의 볼록면 일부를 제외한 나머지 부분-에 형성된 투명 전극(140)을 투과하여 칼라 필터 쪽으로 진행한다.On the other hand, the external light generated by the external light source is formed in the portion where the reflective electrode 150 is not formed in the second region 170, that is, the remaining portion other than the convex portion of the uneven portion where the reflective electrode 150 is formed. It passes through the transparent electrode 140 and proceeds toward the color filter.

도 8a 및 8b는 각각 본 발명의 바람직한 제4 실시예 및 제 5 실시예에 따른 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부 중 반사 영역 및 투과 영역으로 사용되는 영역을 나타낸 평면도이다.8A and 8B are plan views illustrating regions used as reflective and transmissive regions of the pixel portion of the reflective-transmissive liquid crystal display panel having the uneven structure according to the fourth and fifth embodiments of the present invention, respectively.

도 8a 및 8b를 참조하면, 본 발명에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널의 제2 영역(170)의 면적을 증감시킴으로써 반사율을 조절할 수 있다. 도 8b의 경우 제2 영역(170)의 면적이 도 8a보다 작으며 그에 따라 반사율은 도 8a 보다 더 크게 되고 투과율은 더 작아진다. 즉, 적정 수준의 반사 영역-반사-투과형 액정 표시 패널에 따라 약 5% 내지 약 95% 정도-을 만들기 위해 상기와 같이 제2 영역(170)의 면적을 증감시킬 수 있다.8A and 8B, the reflectance may be adjusted by increasing or decreasing the area of the second region 170 of the reflection-transmissive liquid crystal display panel according to the present invention. In the case of FIG. 8B, the area of the second region 170 is smaller than that of FIG. 8A, so that the reflectance is larger than that of FIG. 8A and the transmittance is smaller. That is, the area of the second region 170 may be increased or decreased as described above in order to make an appropriate level of reflective region-reflective-transmissive liquid crystal display panel.

도 9a 내지 도 9d는 도 3의 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 형성하기 위한 제조 공정을 나타낸 도면이다.9A to 9D are views illustrating a manufacturing process for forming the pixel portion of the reflection-transmissive liquid crystal display panel having the uneven structure of FIG. 3.

도 9a를 참조하면, 유리, 석영 또는 사파이어로 이루어진 투명 기판(110) 상에 제1 금속막을 증착한 후, 제1 마스크를 이용한 사진식각 공정으로 상기 제1 금속막을 패터닝하여 게이트 라인(미도시), 상기 게이트 라인으로부터 분기된 박막 트랜지스터의 게이트 전극(112) 및 상기 게이트 라인의 끝단에 연결되어 게이트 전극(112)에 주사 전압을 인가하기 위한 게이트 패드(미도시)를 포함하는 게이트 배선을 형성한다.Referring to FIG. 9A, after depositing a first metal film on a transparent substrate 110 made of glass, quartz, or sapphire, patterning the first metal film by a photolithography process using a first mask to form a gate line (not shown). And a gate wiring connected to a gate electrode 112 of the thin film transistor branched from the gate line and a gate pad (not shown) connected to an end of the gate line to apply a scan voltage to the gate electrode 112. .

상기 게이트 배선이 형성된 기판(110)의 전면적에 실리콘 질화물을 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 방법에 의해 소정 두께로 증착하여 게이트 절연막(114)을 형성한다.Silicon nitride is deposited on the entire surface of the substrate 110 on which the gate wiring is formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method to form a gate insulating layer 114.

게이트 절연막(114) 상에 액티브층으로서, 예컨대 비정질실리콘막을 PECVD 방법에 의해 소정 두께로 증착하고, 그 위에 오믹 콘택층으로서, 예컨대 n+도핑된 비정질실리콘막을 PECVD 방법에 의해 소정 두께로 증착한다. 이어서, 제2 마스크를 이용한 사진식각 공정으로 상기 액티브층 및 오믹 콘택층을 패터닝하여 게이트 전극(112) 윗 부분의 게이트 절연막(114) 상에 비정질실리콘막으로 이루어진 액티브패턴(116) 및 n+도핑된 비정질실리콘막으로 이루어진 오믹 콘택 패턴(118)을 형성한다.An amorphous silicon film, for example, is deposited on the gate insulating film 114 to a predetermined thickness by a PECVD method, and an n + doped amorphous silicon film, for example, as an ohmic contact layer is deposited to a predetermined thickness by a PECVD method. Next, the active layer and the ohmic contact layer are patterned by a photolithography process using a second mask to form an active pattern 116 formed of an amorphous silicon layer on the gate insulating layer 114 over the gate electrode 112 and n + doping. An ohmic contact pattern 118 formed of the amorphous silicon film is formed.

도 9b를 참조하면, 상기 액티브 패턴(116) 및 게이트 절연막(114) 상에 금속막으로 이루어진 데이터 배선이 형성된다. 상기 데이터 배선은 상기 액티브 패턴(116)의 양측 가장자리에 각각 중첩되는 소오스 전극(120) 및 드레인 전극(122), 상기 게이트 라인과 교차하며 상기 드레인 전극(122)과 연결되어 있는 데이터 라인(미도시) 그리고 상기 데이터 라인의 끝단에 연결되어 화상 신호를 전달하기 위한 데이터 패드(미도시)등을 포함한다.Referring to FIG. 9B, a data line formed of a metal film is formed on the active pattern 116 and the gate insulating layer 114. The data line crosses the source electrode 120, the drain electrode 122, and the gate line and overlaps the drain electrode 122, respectively overlapping the edges of both sides of the active pattern 116 (not shown). And a data pad (not shown) connected to an end of the data line to transmit an image signal.

계속해서, 상기 소오스 전극(120)과 드레인 전극(122) 사이의 노출된 오믹 콘택 패턴(118)을 예를 들어 반응성 이온 식각(reactive ion etching; RIE) 방법에 의해 제거해낸다. 그러면, 상기 소오스/드레인 전극(120, 122) 사이의 노출된 액티브 영역이 박막 트랜지스터의 채널 영역으로 된다.Subsequently, the exposed ohmic contact pattern 118 between the source electrode 120 and the drain electrode 122 is removed by, for example, reactive ion etching (RIE). Then, the exposed active region between the source / drain electrodes 120 and 122 becomes a channel region of the thin film transistor.

상기 액티브 패턴(116), 오믹 콘택 패턴(118) 및 데이터 배선은 2매의 마스크를 이용하여 형성할 수도 있지만, 하나의 마스크를 이용하여 액티브 패턴(116), 오믹 콘택 패턴(118) 및 데이터 배선을 형성할 수도 있다.The active pattern 116, the ohmic contact pattern 118, and the data line may be formed using two masks, but the active pattern 116, the ohmic contact pattern 118, and the data line may be formed using one mask. May be formed.

도 9c를 참조하면, 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판(110)의 전면적에 실리콘 질화물을 소정 두께로 증착하여 무기물 또는 유기물로 이루어진 절연막(130)을 형성한다. 이어서, 제4 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 절연막(130)을 식각하여 드레인 전극(122)을 노출시키는 콘택홀(145)을 형성한다.Referring to FIG. 9C, an insulating film 130 made of an inorganic material or an organic material is formed by depositing silicon nitride to a predetermined thickness on the entire surface of the substrate 110 on which the thin film transistor is formed. Subsequently, the insulating layer 130 is etched by a photolithography process using a fourth mask to form a contact hole 145 exposing the drain electrode 122.

상기 절연막(130)의 표면에 요철 구조를 형성한다. 그 다음, 절연막(130)의 요철부 상면에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전극층을 증착하고 이를 패터닝하여 투명 전극(140)을 형성한다. 이어서, 그 위에 반사 전극층을 증착한 후 앞에서 설명한 바와 같이 소정 영역의 반사 전극층을 사진식각 공정으로 제거하여 반사 전극(150)을 형성한다.An uneven structure is formed on the surface of the insulating film 130. Next, a transparent electrode layer such as ITO or IZO is deposited on the uneven portion of the insulating layer 130 and patterned to form the transparent electrode 140. Subsequently, the reflective electrode layer is deposited thereon, and as described above, the reflective electrode layer of the predetermined region is removed by a photolithography process to form the reflective electrode 150.

도 10a 내지 도 10b는 도 5의 요철 구조의 반사-투과형 액정 표시 패널의 화소부를 형성하기 위한 제조 공정의 일부를 나타낸 도면이다. 이하 도 9a 내지 도 9d와 동일한 부분에 대해서는 설명을 생략한다.10A to 10B illustrate a part of a manufacturing process for forming the pixel portion of the reflective-transmissive liquid crystal display panel having the uneven structure of FIG. 5. Hereinafter, the description of the same parts as in FIGS. 9A to 9D will be omitted.

도 10a 내지 도 10b를 참조하면, 요철 구조를 가지는 절연막(130) 상부에 먼저 반사 전극층을 증착한 후 앞에서 설명한 바와 같이 소정 영역의 반사 전극층을 사진식각 공정으로 제거하여 반사 전극(150)을 형성한다. 그 다음, 반사 전극(150) 및 절연막(130)의 요철부 상면에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 전극층을 증착하고 이를 패터닝하여 투명 전극(140)을 형성한다. 도 10a 내지 도 10b의 제조 공정의 경우 도 9a 내지 도 9d의 제조 공정에서 사용하는 마스크 패턴과 동일한 마스크 패턴을 사용하여 이루어질 수 있다.10A to 10B, the reflective electrode layer is first deposited on the insulating layer 130 having the uneven structure, and then the reflective electrode 150 is formed by removing the reflective electrode layer of the predetermined region by photolithography as described above. . Next, a transparent electrode layer such as ITO or IZO is deposited on the reflective electrode 150 and the uneven portion of the insulating layer 130, and patterned to form the transparent electrode 140. The manufacturing process of FIGS. 10A to 10B may be performed using the same mask pattern as the mask pattern used in the manufacturing process of FIGS. 9A to 9D.

상술한 바와 같은 요철 렌즈 구조를 가지는 반사-투과형 액정표시장치에 따르면, 반사-투과형 액정 표시 패널 화소부의 요철부 중 반사가 잘 되는 요철부의 볼록면의 정상 부분에 선택적으로 반사막을 형성하여 반사영역으로 사용하고, 요철부의 오목면을 투과영역으로 사용한다.According to the reflection-transmissive liquid crystal display device having the concave-convex lens structure as described above, a reflective film is selectively formed on the top of the convex surface of the concave-convex portion that reflects well among the concave-convex portions of the pixel portion of the reflection-transmissive liquid crystal display panel to the reflection area. The concave surface of the uneven portion is used as the transmission area.

따라서, 종래와 동일한 면적의 투과 영역을 사용할 경우에도 동일 면적 대비 외부광에 대한 반사 효율을 극대화 할 수 있다.Therefore, even when using a transmission area having the same area as in the prior art, it is possible to maximize the reflection efficiency of the external light compared to the same area.

또한, 반사-투과형 액정 표시 장치의 동일 면적 대비 외부광에 대한 반사 효율을 극대화함과 동시에 필요에 따라 반사투과형 액정 표시 패널의 화소부의 반사 영역의 비율을 조절할 수도 있다.In addition, while maximizing the reflection efficiency with respect to the external light to the same area of the reflection-transmission liquid crystal display device, the ratio of the reflection area of the pixel portion of the reflection-transmission liquid crystal display panel may be adjusted as necessary.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.

Claims (10)

박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선이 형성된 기판;A substrate formed with a thin film transistor and a wire connected to the thin film transistor to receive an external signal; 상기 기판 상에 형성되고 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막;An insulating film formed on the substrate and having a plurality of first uneven parts; 상기 복수의 제1 요철부 각각에 상응하는 복수의 제2 요철부를 가지도록 상기 절연막 상에 형성되는 투명 전극; 및A transparent electrode formed on the insulating film to have a plurality of second uneven portions corresponding to each of the plurality of first uneven portions; And 상기 투명 전극 상의 제1 영역에 속하는 상기 제2 요철부의 전면적과 상기 투명 전극 상의 제2 영역에 속하는 제2 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 형성되어 외부광을 반사시키는 반사 영역으로 동작하는 반사 전극A reflective electrode formed on a first portion of the entire surface of the second uneven portion belonging to the first region on the transparent electrode and the convex surface of the second uneven portion belonging to the second region on the transparent electrode, and acting as a reflective region reflecting external light. 을 포함하는 반사-투과형 액정 표시 패널.Reflective-transmissive liquid crystal display panel comprising a. 제1항에 있어서, 상기 제1 부분은 상기 제2 영역에 속하는 제2 요철부의 볼록면의 정상 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflection-transmissive liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the first portion is formed on a top portion of a convex surface of the second uneven portion belonging to the second region. 제1항에 있어서, 상기 제2 영역에 속하는 제2 요철부 중 제1 부분을 제외한 부분은 투과 영역으로 동작하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflection-transmissive liquid crystal display panel of claim 1, wherein a portion of the second uneven parts of the second region except for the first portion operates as a transmission region. 제1항에 있어서, 상기 제1 영역은 적어도 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 영역인 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflective-transmissive liquid crystal display panel of claim 1, wherein the first region is a region including at least the thin film transistor. 제4항에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 박막 트랜지스터와 연결된 배선이 형성되는 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflection-transmissive liquid crystal display panel of claim 4, wherein the first region further comprises a region where wirings connected to the thin film transistors are formed. 제3항에 있어서, 상기 1 영역 또는 제2 영역의 크기를 가변시켜 상기 반사-투과형 액정 표시 패널의 반사율을 조절하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflection-transmissive liquid crystal display panel of claim 3, wherein the reflectance of the reflection-transmissive liquid crystal display panel is adjusted by varying the size of the first region or the second region. 제1항에 있어서, 상기 반사 전극은 몰리브덴-알루미늄(Mo/AL)으로 형성되는 것을 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflective-transmissive liquid crystal display panel of claim 1, wherein the reflective electrode is formed of molybdenum-aluminum (Mo / AL). 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선이 형성된 기판;A substrate formed with a thin film transistor and a wire connected to the thin film transistor to receive an external signal; 상기 기판 상에 형성되고 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막;An insulating film formed on the substrate and having a plurality of first uneven parts; 상기 절연막 상의 제1 영역에 속하는 상기 제1 요철부의 전면적과 상기 절연막 상의 제2 영역에 속하는 제1 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 형성되어 외부광을 반사시키는 반사 영역으로 동작하는 반사 전극; 및A reflective electrode formed on a first portion of a front surface of the first uneven portion belonging to the first region on the insulating film and a convex surface of the first uneven portion belonging to the second region on the insulating film to reflect external light; And 상기 반사 전극 상에 형성되는 투명 전극A transparent electrode formed on the reflective electrode 을 포함하는 반사-투과형 액정 표시 패널.Reflective-transmissive liquid crystal display panel comprising a. 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선을 기판상에 형성하는 단계;Forming a thin film transistor and a wire connected to the thin film transistor to receive an external signal on a substrate; 상기 기판 상에 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막을 형성하는 단계;Forming an insulating film having a plurality of first uneven portions on the substrate; 상기 복수의 제1 요철부 각각에 상응하는 복수의 제2 요철부를 가지도록 상기 절연막 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 및Forming a transparent electrode on the insulating film to have a plurality of second uneven portions corresponding to each of the plurality of first uneven portions; And 상기 투명 전극 상의 제1 영역에 속하는 상기 제2 요철부의 전면적과 상기 투명 전극 상의 제2 영역에 속하는 제2 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 반사 전극을 형성하는 단계Forming a reflective electrode on a first portion of the entire area of the second uneven portion belonging to the first region on the transparent electrode and the convex surface of the second uneven portion belonging to the second region on the transparent electrode; 를 포함하는 반사-투과형 액정 표시 패널의 제조 방법.Method for manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel comprising a. 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 외부 신호를 입력받기 위한 배선을 기판상에 형성하는 단계;Forming a thin film transistor and a wire connected to the thin film transistor to receive an external signal on a substrate; 상기 기판 상에 복수의 제1 요철부를 가지는 절연막을 형성하는 단계;Forming an insulating film having a plurality of first uneven portions on the substrate; 상기 절연막 상의 제1 영역에 속하는 상기 제1 요철부의 전면적과 상기 절연막 상의 제2 영역에 속하는 제1 요철부의 볼록면 중 제1 부분에 반사 영역을 형성하는 단계; 및Forming a reflective region on a first portion of the entire area of the first uneven portion belonging to the first region on the insulating film and the convex surface of the first uneven portion belonging to the second region on the insulating film; And 상기 반사 전극 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반사-투과형 액정 표시 패널의 제조 방법.Forming a transparent electrode on the reflective electrode.
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