KR20040012198A - 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인 - Google Patents

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전진영
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Abstract

본 발명은 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 관한 것으로, 하부기판상에 형성된 채널층, 오믹층, 데이터 라인, 절연막 및 일정 간격으로 이격되어 있는 픽셀 전극을 포함하여 데이터 라인부를 이루고, 상기 데이터 라인은 레이저 리페어시 데이터 라인의 손상을 방지할 수 있도록 그 중앙부에 소정의 간격이 형성되어 있는 것을 특징으로 하며, 픽셀 전극간의 쇼트나 이물질에 의한 픽셀 불량을 레이저 커팅(Laser Cutting)으로 데이터 라인의 손상없이 리페어(Repair) 할 수 있어 제조 수율이 향상되는 효과가 있는 것이다.

Description

픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인{STRUCTURE OF DATA LINE CAPABLE OF PIXEL REPAIRING}
본 발명은 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 관한 것으로, 보다 상세하게는 데이터 라인 중심부에 레이저가 투과할 만한 간격을 형성하여 쇼트로 인한 화소불량을 리페어할 수 있는 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 관한 것이다.
액정표시장치에 있어서, 고개구율 화소를 얻기 위해선 게이트/데이터 라인과 픽셀 전극 사이의 간격을 좁히거나 오버랩시켜 개구율(Aperture Ratio)를 증가시킨다. 따라서, 유전율이 낮은 아크릴계 수지를 절연막으로 사용하여 기생 용량(Parasitic Capacitance)를 줄이게 된다. 또한, 게이트 라인과 픽셀 전극이 오버랩됨에 따라 픽셀 전극에 의한 전계 차단 효과가 발생하게 되고, 이로인해 디스클리네이션(Disclination)이 방지되는 현상을 이용하여 개구율을 증가시킨다.
이에 따라, 배선과 픽셀 전극의 오버랩 정도 및 절연막인 수지의 두께가 전체적인 화질에 영향을 미치는 중요한 요소가 된다.
한편, 신호 지연에 의한 구동 신호 왜곡은 패널의 특성에 영향을 끼치는 중요한 요소중의 하나이다. 따라서, 구동 신호의 왜곡을 일정량 이하로 설계하기 위해선 배선의 저항을 조절해야 한다.
특히, 개구율 증가를 위한 스토리지 온 전단 게이트 라인(Cst On Previous Gate Line) 형태의 화소 구조에서는 배선에 걸리는 정전 용량이 스토리지 온 커먼 라인(Cst On Common Line) 형태의 화소 구조보다 크기 때문에 배선의 저항이 중요하게 된다.
일반적으로 배선의 저항은 선폭 및 배선 재료의 두께를 조절하여 그 정도를 작게 형성할 수는 있으나, 선폭의 증가는 개구율 감소를 선 두께의 증가는 단차 형성에 의한 불량률을 증가시키므로 어느 일정량 이상의 증가는 힘들다.
따라서, 선폭을 감소시켜 개구율을 감소시키고, 저항을 감소시켜 신호 지연을 감소시키기 위해 저저항 금속을 적용한다.
그러나, 상기한 기술을 적용하여 액정표시장치를 제조하면 고개구율을 얻을 수 있는 있지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 데이터 라인부에 형성된 어느 한 화소의 픽셀 전극(20a)과 인접 화소의 픽셀 전극(20b) 간의 거리(d)는 약 3~5㎛ 정도로 매우 가깝기 때문에 공정중에 유입되는 파티클이나 잔류물로 인하여 쇼트를 일으켜 픽셀 불량을 초래할 수 있는 문제점이 있었다. 여기서, 데이터 라인부는 하부기판(10)에서 채널층(12) 및 오믹층(14)을 도포하도록 형성되어 있는 데이터 라인(16)과, 수지로 된 절연막(18)과, 각각 다른 화소에 대응하는 픽셀 전극(20a)(20b)으로 이루어져 있다.
이와 같이 픽셀 불량에 따라 패널의 전체적인 수율을 감소시키는 것을 해결하기 위하여 레이저 리페어(Laser Repair)를 실시하는 경우, 절연막(18) 하부의 데이터 라인(16)의 손상을 가져올 수 있는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 데이터 라인 중심부에 레이저가 투과할 만한 간격을 형성하여 쇼트로 인한 화소 불량을 리페어할 수 있는 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인을 제공함에 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 데이터 라인부를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인을 도시한 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 있어서 어레이 상태에서의 레이저 리페어를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 있어서 셀 상태에서의 레이저 리페어를 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100; 하부기판120; 채널층
140; 오믹층160; 데이터 라인
180; 절연막200a,200b; 픽셀 전극
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인은, 하부기판상에 형성된 채널층, 오믹층, 데이터 라인, 절연막 및 일정 간격으로 이격되어 있는 픽셀 전극을 포함하여 데이터 라인부를 이루고, 상기 데이터 라인은 레이저 리페어시 데이터 라인의 손상을 방지할 수 있도록 그 중앙부에 소정의 간격이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 픽셀 전극간의 쇼트나 이물질에 의한 픽셀 불량을 레이저 커팅(Laser Cutting)으로 데이터 라인의 손상없이 리페어(Repair) 할 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인을 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 있어서 어레이 상태에서의 레이저 리페어를 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명에 다른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 있어서 셀 상태에서의 레이저 리페어를 도시한 단면도이다.
본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인은, 도 2에 도시된 바와 같이, 하부기판(100)상에 형성된 채널층(120), 오믹층(140), 데이터 라인(160), 절연막(180) 및 일정 간격으로 이격되어 있는 픽셀 전극(200a)(200b)을 포함하여 데이터 라인부를 이루고, 상기 데이터 라인(160)은 레이저 리페어(Laser Repair)시 데이터 라인의 손상을 방지할 수 있도록 하는 소정의 간격이 형성되어 있다.
예를 들어, 총 선폭이 13㎛인 데이터 라인(160)이라면, 데이터 라인 형성용 마스크의 분해능을 고려하여 상기 데이터 라인(160)의 중앙부 간격은 3㎛이거나 5㎛ 정도이다.
상기 채널층(120)은 비정질실리콘(a-Si)으로 이루어져 있고, 상기 오믹층(140)은 불순물이 도핑된 비정질실리콘(n+ a-Si)으로 이루어져 있으며, 상기 절연막(180)은 아크릴계 수지와 같이 저유전상수 물질로 이루어져 있다.
상기 픽셀 전극(200a)(200b)은 어느 한 화소의 픽셀 전극(200a)과 이에 인정하는 다른 화소의 픽셀 전극(200b)이 소정의 간격을 두고 이격 형성되어 있다.
만일, 도 3에 도시된 바와 같이, 어레이 공정중 발생하는 파티클이나 잔류물 등의 이물질이 상기 픽셀 전극(200a)(200b)간에 존재하게 되면 픽셀 전극(200a)(200b)이 쇼트되어 픽셀 불량을 일으킬 수 있다. 따라서, 이물질을 제거하기 위하여 레이저 리페어(Laser Repair)를 실시하는 경우 상기 데이터 라인(160)은 그 중앙부에 간격이 형성되어 있기 때문에 데이터 라인(160)의 손상을 방지할 수 있게 된다.
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 셀 상태에서도 레이저 리페어가 가능하다. 즉, 상기 데이터 라인(160)에 형성된 간격을 통해 레이저를 조사하여 상기 픽셀 전극(200a)(200b)간에 존재하는 이물질을 제거할 수 있다.
본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 있어서는, 픽셀 전극간의 쇼트나 이물질에 의한 픽셀 불량을 레이저 커팅(Laser Cutting)으로 데이터 라인의 손상없이 리페어(Repair) 할 수 있어 제조 수율이 향상되는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 하부기판상에 형성된 채널층, 오믹층, 데이터 라인, 절연막 및 일정 간격으로 이격되어 있는 픽셀 전극을 포함하여 데이터 라인부를 이루고,
    상기 데이터 라인은 레이저 리페어시 데이터 라인의 손상을 방지할 수 있도록 그 중앙부에 소정의 간격이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 데이터 라인 중앙부의 간격은 3㎛ 이거나 5㎛인 것을 특징으로 하는 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인.
KR1020020045640A 2002-08-01 2002-08-01 픽셀 리페어가 가능한 데이터 라인 KR20040012198A (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980059093A (ko) * 1996-12-30 1998-10-07 김광호 액정 표시 장치
KR20000003116A (ko) * 1998-06-25 2000-01-15 김영환 액정 표시 장치
KR20010057022A (ko) * 1999-12-17 2001-07-04 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
KR20010103431A (ko) * 2000-05-10 2001-11-23 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980059093A (ko) * 1996-12-30 1998-10-07 김광호 액정 표시 장치
KR20000003116A (ko) * 1998-06-25 2000-01-15 김영환 액정 표시 장치
KR20010057022A (ko) * 1999-12-17 2001-07-04 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치
KR20010103431A (ko) * 2000-05-10 2001-11-23 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법

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