KR20040011161A - 액정표시장치와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 도전성 컬러필터를 포함한 COT구조의 액정표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시장치는 어레이기판의 화소전극 상부에 컬러필터를 구성하는 구조에 있어서, 컬러필터는 도전성 금속물질을 혼합하여 구성한다.
이와 같은 구성은, 상기 화소전극의 전압이 컬러필터를 통해 액정에 인가 되도록하여, 컬러필터 상부의 영역에서 액정의 스위칭이 가능하도록 함으로써 고 개구율을 달성하도록 한다.

Description

액정표시장치와 그 제조방법{LCD and method for fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 도전성 컬러필터를 포함하는 COT(color filter on TFT)구조 액정표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 액정분자의 광학적 이방성과 복굴절 특성을 이용하여 화상을 표현하는 것으로, 전계가 인가되면 액정의 배열이 달라지고 달라진 액정의 배열 방향에 따라 빛이 투과되는 특성 또한 달라진다.
일반적으로, 액정 표시 장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 일반적인 컬러 액정표시장치(11)는 서브 컬러필터(7)와 각 서브 컬러필터(7)사이에 구성된 블랙 매트릭스(6)를 포함하는 컬러필터(8)와 상기 컬러필터(8)의 상부에 증착된 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)이 정의되고 화소영역에는 화소전극(17)과 스위칭소자(T)가 구성되며, 화소영역(P)의 주변으로 어레이배선이 형성된 하부기판(22)과, 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)은 어레이기판(array substrate)이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(TFT)를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.
이때, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이며, 상기 화소영역(P)상에는 전술한 바와 같이, 투명한 화소전극(17)이 형성된다.
상기 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성금속을 사용한다.
전술한 바와 같은 구성은 상부 기판인 컬러필터 기판(5)과 하부 기판인 어레이기판(22)을 합착하여 제작하기 때문에 합착 오차에 의한 빛샘불량 등이 발생할 확률이 매우 높다.
이하, 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ`를 따라 절단하여, 종래에 따른 액정표시장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 어레이기판인 제 1 기판(22)과 컬러필터 기판인 제 2 기판(5)이 이격되어 구성되고, 제 1 및 제 2 기판(22,5)의 사이에는 액정층(14)이 위치한다.
이때, 일반적인 어레이기판의 구성은 수직 크로스토크를 방지하기 위해 데이터 배선(15)과 화소 전극(17)을 일정 간격(A) 이격하여 구성하게 된다.
데이터 배선(15)과 화소 전극(17) 사이의 이격된 공간(A)은 빛샘 현상이 발생하는 영역이기 때문에, 상부 컬러필터기판(5)에 구성한 블랙 매트릭스(black matrix)가 이 부분을 가려주는 역할을 하게 된다.
그런데, 상기 상부 기판(5)과 하부 기판(22)을 합착하는 공정 중 합착 오차(misalign)가 발생하는 경우가 있는데, 이를 감안하여 상기 블랙매트릭스(6)를 설계할 경우에는 일정한 값의 마진(margin)을 두고 설계하기 때문에 그만큼 개구율이 저하된다.
또한, 마진을 넘어선 합착오차가 발생할 경우, 빛샘 영역(A)이 블랙매트릭스(6)에 가려지지 않아 빛샘불량이 발생하는 경우가 종종 있다.
이러한 경우에는 상기 빛샘이 외부로 나타나기 때문에 화질을 저하하는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로 요약하면, 도전성 컬러필터를 어레이기판에 구성하는 것이다.
이러한 구성은 합착 오차에 의한 빛샘불량을 방지하도록 하고, 화소전극에걸리는 전압이 컬러필터를 통해 액정에 인가되도록 하여, 컬러필터 상부에서 액정의 스위칭이 가능하도록 한다.
따라서, 개구율 개선을 통한 고 화질의 액정표시장치를 제작할 수 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이고,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ`를 절단하여 도시한 액정표시장치의 단면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 COT구조 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4a 내지 도 4b와 도 5a 내지 도 5f는 COT구조 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이고,
도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 COT구조 액정표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 7은 본 발명의 제 2 예에 따른 COT구조 액정표시장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 전극
104 : 게이트 절연막 106 : 액티브층
108 : 오믹 콘택층 110 : 소스 전극
112 : 드레인 전극 114 : 데이터 배선
116 : 보호막 122 : 블랙매트릭스
124a,b,c : 컬러필터 128 : 배향막
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 화소영역에 위치한 투명 화소전극과; 상기 박막트랜지스터와 데이터 배선 및 게이트 배선의 상부에 구성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상에 위치하는 도전성 컬러필터를 포함한다.
상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과 액티브층과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와 소정간격 이격된 드레인 전극을 포함한다.
상기 블랙매트릭스는 1×10E9 이상의 저항값을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 도전성 컬러필터는 도전성 폴리머 또는 도전성 금속 이온을 혼합하며 형성하며, 이러한 도전성 컬러필터는 1×10E6이하의 저항값을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 블랙매트릭스와 컬러필터는 칼륨(K), 나트륨(Na), 칼슘(Ca), 염소(Cl)등의 불순물 이온이 1ppm 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 컬러필터와 블랙매트릭스는 동시에 평탄한 표면을 가지도록 구성된 된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법은 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하는 동시에 화소영역에 위치하는 투명 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 데이터 배선 및 게이트 배선의 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상부에 도전성 컬러필터를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법은 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 게이트 배선 및 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 상기 박막트랜지스터의 일부를 노출하는 보호막을 형성하는 단계와; 상기 노출된 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 데이터 배선 및 게이트 배선의 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스의 일부와 화소영역에 걸쳐 도전성 컬러필터를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스와 컬러필터가 구성된 기판의 전면에 포토레지스트층을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트층이 형성된 기판의 상부에, 투과부와 차단부로 구성되고차단부는 상기 블랙매트릭스에 대응하여 위치하는 마스크를 위치시키는단계와; 상기 PR층을 노광하고 현상하여, 상기 블랙매트릭스의 상부에 서로 근접하여 위치한 서로 다른 색깔의 컬러필터를 노출하는 단계와; 상기 노출된 컬러필터를 제거하고, 남겨진 PR층을 제거하는 단계와; 상기 컬러필터와 블랙매트릭스의 표면을 평탄화하는 단계를 포함한다.
상기 PR층은 네가티브 타입이다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치는 서로 이격하여 구성된 제 1기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 상부에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 지점에 구성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 화소영역에 구성된 화소전극과; 상기 박막트랜지스터와 데이터배선과 게이트 배선의 상부에 구성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상부에 위치하는 도전성 컬러필터와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 투명한 공통전극과; 상기 제 1 기판의 하부에 구성된 백라이트를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 액정표시장치는 서로 이격하여 구성된 제 1기판과 제 2 기판과; 상기 제 1 기판의 상부에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 화소영역에 구성된 화소전극과; 상기 박막트랜지스터와 데이터배선과 게이트 배선의 상부에 구성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상부에 위치하는 도전성 컬러필터와; 상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 투명한 공통전극과; 상기 제 2 기판의 하부에 구성된 백라이트를 포함한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명은 어레이기판의 상부에 도전성물질을 혼합한 컬러필터를 형성하는 것을 특징으로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 게이트 배선(103)과 데이터 배선(114)을 교차하여 구성하고, 두 배선(103,114)의 교차 지점에는 게이트 전극(102)과 액티브층(106)과 소스 및 드레인 전극(110,112)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 구성한다
게이트 배선(103)과 데이터 배선(114)이 교차하여 정의되는 영역을 화소영역(P)이라 하며, 화소영역(P)에는 상기 드레인 전극(114)과 접촉하는 투명 화소전극(119)을 구성한다.
이때, COT구조는 상기 박막트랜지스터(T)어레이부의 상부에 블랙매트릭스(122)와, 적, 녹, 청색의 서브 컬러필터(124a,124b,124c)가 구성된 형태이다.
따라서, 상기 블랙매트릭스(122)는 게이트 배선 및 데이터 배선(103,114)과 박막트랜지스터(T)에 대응하여 구성하고, 각 서브 컬러필터(124a,124b,124c)는 상기 화소전극(119)의 상부에 구성한다.
이때, 상기 컬러필터(124a,124b,124c)는 도전성물질을 포함하는 컬러수지를 도포하여 형성하며, 각 화소마다 독립적으로 패턴하는 동시에, 컬러수지의 표면은 상기 블랙매트릭스(122)의 표면과 동일선상에 위치하도록 한다.
전술한 바와 같은 구성은, 상기 컬러필터(124a,124b,124c)를 통해 화소전극(119)의 전압이 상부에 위치하는 액정층(미도시)에 인가되도록 하여 컬러필터의 전면에 위치한 액정이 스위칭 되도록 한다.
또한, 상기 블랙매트릭스(122)의 표면과 컬러필터(124a,124b,124c)의 표면이 동일선상이 되도록 한 것은, 이웃하는 화소간 컬러필터의 접촉을 방지하여 서로 전기적으로 영향을 미치지 않도록 하기 위한 것이다.
이하, 도 4a 내지 도 4b와 도 5a 내지 도 5g를 참조하여, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
도 4a 내지 도 4b와 도 5a 내지 도 5f는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ`를 절단하여, 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
(도 4a와 도 4b는 어레이부를 형성하는 공정이고, 도 5a 내지 도 5f는 어레이부의 상부에 컬러필터를 형성하는 공정이다.)
도 4a에 도시한 바와 같이, 기판(100)의 상부에 도전성 금속을 증착하고 패턴하여, 게이트 배선(도 3의 103)과 게이트 전극(102)을 형성한다.
상기 게이트 배선(도 3의 103)과 게이트 전극(102)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여, 제 1 절연막인 게이트 절연막(104)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(104)상에 순수 비정질 실리콘과 불순물이 포함된 비정질 실리콘을 증착하고 패턴하여, 게이트 전극(102)상부의 게이트 절연막(104)상에 액티브층(106)과 오믹 콘택층(108)을 형성한다.
다음으로 도4b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(106)과 오믹 콘택층(108)이 형성된 기판(100)의 전면에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(108)과 각각 접촉하는 소스 전극(110)과 드레인 전극(112)과 상기 소스 전극(110)과 접촉하는 데이터배선(114)을 형성한다.
연속하여, 상기 소스 전극(110)및 드레인 전극(112)이 형성된 기판(100)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 또는 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포 또는 증착하여 보호층(116)을 형성한 후 패턴하여, 드레인 전극(112)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(118)을 형성한다.
다음으로, 상기 드레인 콘택홀(118)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 드레인 전극(112)과 접촉하는 투명 화소전극(119)을 형성한다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 상기 화소전극(119)이 형성된 기판(100)의 전면에 불투명한 유기물질을 도포하고 패턴하여, 상기 데이터배선(114)과 게이트 배선(미도시)과 박막트랜지스터(T)의 상부에 위치하는 블랙매트릭스(122)를 형성한다.
이때, 블랙 매트릭스(122)를 형성하는 유기물질은 1×10E9Ωcm 이상의 저항을 가져야 한다.
또한, 제조공정 중 외부에서 유입된 나트륨(Na), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 염소(Cl)등의 금속성 이온을 제거하는 정제과정을 거쳐 제조되며, 이러한 금속성 불순물의 양은 최대 1ppm이하의 양이 되도록 한다.
만약, 상기 블랙매트릭스(122)에 혼합된 불순물의 양이 일정량 이상이라면, 이러한 물질들이 블랙매트릭스의 외부로 용출되어 액정에 나쁜 영향을 줄 수 있기 때문이다.
다음으로 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(122)가 형성된 기판(100)의 전면에 도전성을 띄는 컬러 수지를 도포한 후, 각 화소에 대응하여 적색과 녹색과 청색의 컬러필터(124a,124b,124c)를 형성한다.
이때, 상기 컬러수지에는 고분자 타입의 도전성폴리머 또는 특수한 방법(예를 들면 솔젤(sol-gel)법)을 통해 액체로 제조한 도전성 물질을 혼합하는 방법을 사용한다.
이러한 컬러수지는 1×10E9Ωcm 이하의 저항값을 가지도록 해야 한다.
또한, 앞서 블랙매트릭스(122)와 같이 외부로 유입된 나트륨(Na), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 염소(Cl)등의 금속성 이온을 제거하는 정제과정을 거치게 되며, 금속성 불순물의 양은 최대 1ppm 이하의 양이 되도록 한다.
전술한 구성에서, 상기 컬러필터는 도전성을 띄기 때문에 서로 이웃한 컬러필터(124a,124b,124c)는 전기적으로 독립된 구성이어야 한다.
따라서, 아래와 같은 공정이 필요하다.
즉, 5c에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(122)와 컬러필터(124a,124b,124c)가 형성된 기판(100)의 전면에 네가티브형(negative type)포토레지스트를 도포하여 PR층(126)을 형성하고, PR층(126)의 상부에 마스크(M)를 위치시켜 하부의 PR층(126)을 노광하는 공정을 진행한다.
상기 마스크(M)는 투과부(B)와 차단부(C)로 구성되며, 차단부(C)는 상기 블랙매트릭스(122)의 상부에 위치하도록 한다.
상기 노광된 PR층(126)을 현상하는 공정을 진행하면 도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(122)상부에 위치한 서로 다른 색상의 컬러필터(124a,124b,124c)의 일부가 PR층(126)사이로 노출된다.
상기 노출된 컬러필터를 제거한 후 남겨진 PR층(126)을 마저 제거하게 되면 도 5e에 도시한 바와 같이, 블랙매트릭스(124a,124b,124c122)를 사이에 두고, 각 화소마다 독립적으로 이격된 컬러필터(124b,124c)를 비로소 형성할 수 있다.
이때, 블랙매트릭(122) 상부에서 서로 이격하여 구성되는 컬러필터(124b,124c)는 공정불량으로 인해 부분적으로 서로 단락이 발생할 가능성이 있다.
이러한 문제가 발생하는 것을 원천적으로 막기 위해 도 5f에 도시한 바와 같이, 화학적 기계적 방법이나 건식식각(dry etching)을 통해 컬러필터(124b,124c)와블랙매트릭스(122)의 표면이 평탄하도록 하는 공정을 진행해야 한다.
상기 화학적 기계적 방법은 약액에 마찰 수단을 혼합하여 상기 컬러필터를 식각하는 동시에 표면을 평탄하게 연마하는 방법이다.
전술한 방법을 사용하여 상기 블랙매트릭스(122)와 컬러필터(124b,124c)의 표면을 평탄하게 하면, 블랙매트릭스(122)를 사이에 두고 이웃한 컬러필터(124b,124c)는 서로 완전히 독립되어 구성되기 때문에, 패턴불량으로 이웃한 화소의 컬러필터 사이에 단락이 발생하지 않는다.
상기와 같이 컬러필터(124b,124c)와 블랙매트릭스(122)가 형성된 기판(100)의 전면에는 폴리이미드(polyimid)계열의 물질을 도포하여 배향막(128)을 형성한다.
전술한 바와 같은 공정을 통해, 도전성 컬러필터를 포함한 본 발명에 따른 어레이기판을 제작할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 전술한 바와 같이 제작된 어레이기판을 포함하는 투과형 컬러액정표시장치의 구성을 개략적으로 설명한다.
도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 COT구조 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이 본 발명에 따른 COT구조 액정표시장치(111)는 컬러필터(124a,124b,124c)를 포함하는 하부 어레이기판인 제 1 기판(100)과 상부 기판인 제 2 기판(200)을 이격하여 구성하고, 제 1 및 제 2 기판(100,200)사이에는 액정층(206)을 구성한다.
상기 제 1 기판(100)의 상부에는 게이트 전극(102)과 액티브층(108)과 소스 및 드레인 전극(110,112)을 포함하는 박막트랜지스터(T)와, 소스 전극(110)과 연결된 데이터 배선(114)을 구성한다.
상기 박막트랜지스터(T)가 구성된 화소영역(P)마다 상기 드레인 전극(112)과 접촉하는 화소전극(119)을 구성한다.
상기 각 화소전극(119)의 상부에는 도전성 컬러필터(124a,124b,124c)를 구성하고, 각 컬러필터 (124a,124b,124c)사이에는 블랙매트릭스(122)를 구성한다.
이때, 상기 블랙매트릭스(122)와 컬러필터(124a,124b,124c)는 평탄한 표면을 가지며, 이러한 컬러필터(124a,124b,124c)와 블랙매트릭스(122)의 상부에는 제 1 배향막(128)을 구성한다.
상기 제 1 기판(100)과 마주보는 제 2 기판(200)의 일면에는 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 투명 공통전극(202)이 위치하고, 공통전극의 상부에는 제 2 배향막(204)을 구성한다.
상기 제 1 기판(100)의 하부에는 백라이트(300)가 위치한다.
전술한 바와 같은 구성은, 블랙매트릭스(122)를 설계할 때 합착 오차를 염두에 둔 공정마진을 둘 필요가 없으므로 그만큼 개구율을 확보할 수 있는 구성이다.
또한, 화소전극에 걸리는 전압이 상기 컬러필터를 통해 액정의 스위칭이 가능하여 개구율을 증대하는 효과가 있다.
그런데, 전술한 구조는 하부 백라이트(300)에서 조사된 빛이 어레이부와 컬러필터와 액정층을 지나 상부기판으로 나오는 구조이다.
이러한 구조는 상기 컬러필터(124a,124b,124dc)를 통과한 빛의 회절 특성에 의해 블랙매트릭스(122)의 상부에서 서로 다른 빛이 혼합되어 이러한 빛이 액정패널의 외부로 보이게 되어 화질이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
이하, 도 7은 본 발명의 제 2 예에 따른 구조로서 상기 문제점을 해결할 수 있는 구조이다.
도 7은 전술한 바와 같이 제작된 어레이기판을 포함한 본 발명의 제 2 예에 따른 COT구조 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 박막트랜지스터(T)와 컬러필터(124a,124b,124c)가 형성된 기판(100)을 상부기판으로 하고 공통전극(202)을 형성한 기판(200)을 하부기판으로 하는 것이다.
상기 하부기판(200)의 하부에는 백라이트(300)를 구성한다.
이와 같이 하면, 상기 백라이트에서 조사된 빛이 최종적으로 어레이기판(100)을 통과하기 때문에 블랙매트릭스(122)는 빛을 차단하는 역할을 충분히 하게 되어 고개구율 및 고 화질을 구현하는 투과형 컬러액정표시장치를 제작할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 COT구조의 액정표시장치는 어레이기판에 컬러필터를 형성하는 구조이므로, 합착오차에 의한 빛샘불량을 방지할 수 있어 화질을 개선하는 효과가 있다.
또한, 상기 컬러필터는 도전성을 띄기 때문에 상기 화소전극의 전압이 컬러필터를 통해 액정에 인가되도록 하여, 컬러필터 상부의 영역에서 액정의 스위칭이 가능하도록 함으로써 개구율을 개선하는 효과가 있다.

Claims (19)

  1. 기판과;
    기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 화소영역에 위치한 투명 화소전극과;
    상기 박막트랜지스터와 데이터 배선 및 게이트 배선의 상부에 구성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상에 위치하는 도전성 컬러필터
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과 액티브층과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와 소정간격 이격된 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스는 1×10E9 이상의 저항값을 가지는 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 컬러필터는 도전성 폴리머 또는 도전성 금속 이온을 혼합한 액정표시장치용 어레이기판.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 도전성 컬러필터는 1×10E6이하의 저항값을 가지는 액정표시장치용 어레이기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스와 컬러필터는 칼륨(K), 나트륨(Na), 칼슘(Ca), 염소(Cl)등의 불순물 이온이 1ppm 이하인 액정표시장치용 어레이기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 컬러필터와 블랙매트릭스는 동시에 평탄한 표면을 가지도록 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  8. 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하는 동시에 화소영역에 위치하는 투명 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터와 데이터 배선 및 게이트 배선의 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상부에 도전성 컬러필터를 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과 액티브층과, 상기 데이터 배선과 연결된 소스 전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인 전극을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스는 1×10E9 이상의 저항값을 가지는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 도전성 컬러필터는 도전성 폴리머 또는 도전성 금속 이온을 혼합한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 컬러필터는 1×10E6이하의 저항값을 가지는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 블랙매트릭스와 컬러필터는 칼륨(K), 나트륨(Na), 칼슘(Ca), 염소(Cl)등의 불순물 이온이 1ppm 이하인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 컬러필터가 형성된 기판의 전면에 배향막을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 컬러필터와 블랙매트릭스의 표면을 동시에 평탄화하는 단계를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  16. 기판 상에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터와 게이트 배선 및 데이터 배선이 형성된 기판의 전면에 상기 박막트랜지스터의 일부를 노출하는 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 노출된 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 위치하는 화소전극을 형성하는 단계와;
    상기 박막트랜지스터와 데이터 배선 및 게이트 배선의 상부에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스의 일부와 화소영역에 걸쳐 도전성 컬러필터를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스와 컬러필터가 구성된 기판의 전면에 포토레지스트층을 형성하는 단계와;
    상기 포토레지스트층이 형성된 기판의 상부에, 투과부와 차단부로 구성되고차단부는 상기 블랙매트릭스에 대응하여 위치하는 마스크를 위치시키는 단계와;
    상기 PR층을 노광하고 현상하여, 상기 블랙매트릭스의 상부에 서로 근접하여 위치한 서로 다른 색깔의 컬러필터를 노출하는 단계와;
    상기 노출된 컬러필터를 제거하고, 남겨진 PR층을 제거하는 단계와;
    상기 컬러필터와 블랙매트릭스의 표면을 평탄화하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 PR층은 네가티브 타입인 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  18. 서로 이격하여 구성된 제 1기판과 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판의 상부에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 화소영역에 구성된 화소전극과;
    상기 박막트랜지스터와 데이터배선과 게이트 배선의 상부에 구성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상부에 위치하는 도전성 컬러필터와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 투명한 공통전극과;
    상기 제 1 기판의 하부에 구성된 백라이트
    를 포함한 액정표시장치.
  19. 서로 이격하여 구성된 제 1기판과 제 2 기판과;
    상기 제 1 기판의 상부에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 접촉하면서 화소영역에 구성된 화소전극과;
    상기 박막트랜지스터와 데이터배선과 게이트 배선의 상부에 구성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙매트릭스 사이의 화소전극 상부에 위치하는 도전성 컬러필터와;
    상기 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판의 일면에 구성된 투명한 공통전극과;
    상기 제 2 기판의 하부에 구성된 백라이트;
    를 포함한 액정표시장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243114B1 (ko) * 2009-03-13 2013-03-13 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 수평 전계형 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101247331B1 (ko) * 2012-11-28 2013-03-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR20160012019A (ko) * 2014-07-23 2016-02-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 광원을 구비한 표시장치
CN108027531A (zh) * 2015-10-06 2018-05-11 株式会社Lg化学 显示装置
CN110161762A (zh) * 2019-05-23 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108897173A (zh) * 2018-08-14 2018-11-27 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板的制作方法及液晶显示面板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0772473A (ja) * 1993-09-01 1995-03-17 Sony Corp カラー液晶表示装置
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
WO1997020251A1 (fr) * 1995-11-29 1997-06-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Afficheur et procede de production de cet afficheur
KR100640985B1 (ko) * 2000-05-25 2006-11-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100743418B1 (ko) * 2000-12-07 2007-07-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100643561B1 (ko) * 2000-12-08 2006-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 어레이기판의 제조방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243114B1 (ko) * 2009-03-13 2013-03-13 베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 수평 전계형 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101247331B1 (ko) * 2012-11-28 2013-03-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR20160012019A (ko) * 2014-07-23 2016-02-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 광원을 구비한 표시장치
CN108027531A (zh) * 2015-10-06 2018-05-11 株式会社Lg化学 显示装置
US10725332B2 (en) 2015-10-06 2020-07-28 Lg Chem, Ltd. Display device
CN110161762A (zh) * 2019-05-23 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN110161762B (zh) * 2019-05-23 2022-09-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板

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