KR200395268Y1 - Probe and thereof manufacturing method - Google Patents

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KR200395268Y1
KR200395268Y1 KR20-2005-0010465U KR20050010465U KR200395268Y1 KR 200395268 Y1 KR200395268 Y1 KR 200395268Y1 KR 20050010465 U KR20050010465 U KR 20050010465U KR 200395268 Y1 KR200395268 Y1 KR 200395268Y1
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Abstract

본 고안은 프로브 및 그의 제조방법에 대한 것으로서, 이를 위하여 본 고안은 본체(11)의 상부면에는 소정의 크기와 깊이로 하향 요입되게 하여 결합홈(12)을 형성하고, 결합홈(12)의 바닥면으로부터 상기 본체의 저면에 이르는 부위는 도체로 이루어지는 도전층(13)인 연결부(10)와; 상기 연결부(10) 저면의 도전층(13)으로부터 하향 돌출되게 구비되는 탐침부(20)로서 이루어지는 구성으로, 대량으로 제작이 가능하고, 다양한 전기적 신호 전달 구성(300) 즉 프로브 카드의 니들 등과 같은 구성과 손쉽게 결합 및 분리시킬 수 있도록 하여 교체가 용이토록 함으로써 비교적 저렴한 비용에 의해서 유지 보수를 가능케 하며, 또한 초정밀 미세 피치의 패턴 단자와도 정확한 접촉이 안정되게 유지되도록 하며, 이러한 접속을 장시간 견고하게 유지하면서 접촉 부위의 내구력이 증강되도록 하여 사용 수명이 대폭적으로 연장되게 함으로써 경제성과 함께 안정된 전기적 신호 전달 기능을 수행할 수 있도록 하는 것이다.The present invention is directed to a probe and a method for manufacturing the same, for this purpose the present invention is formed in the upper surface of the main body 11 to be recessed downward to a predetermined size and depth to form a coupling groove 12, the coupling groove 12 A portion extending from the bottom surface to the bottom of the main body is a connecting portion 10 which is a conductive layer 13 made of a conductor; In the configuration consisting of the probe portion 20 is provided to protrude downward from the conductive layer 13 of the bottom of the connecting portion 10, it can be manufactured in large quantities, such as a variety of electrical signal transmission configuration 300, that is, the needle of the probe card Easily replaceable and easy to replace and configure, allowing maintenance at a relatively low cost, and also ensuring accurate contact with stable pattern terminals with ultra-fine pitches, and ensuring these connections for a long time By maintaining the durability of the contact area while maintaining it significantly extends the service life, it is possible to perform a stable electrical signal transmission function with economics.

Description

프로브 및 그의 제조방법{Probe and thereof manufacturing method}Probe and manufacturing method thereof

본 고안은 프로브 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 접촉 강도를 증강시켜 내구력이 우수하고, 교체가 용이하여 저렴한 유지 관리가 가능토록 하는 프로브 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a probe and a method for manufacturing the same to enhance the contact strength, which is excellent in durability, easy to replace, and inexpensive maintenance is possible.

일반적으로 프로브(probe)는 단자에 전기적으로 접속하는 수단으로 구비되는 구성이다.In general, a probe is a component provided as a means for electrically connecting to a terminal.

다시 말해 회로 패턴이 형성되어 있는 보드에 전기적 신호를 보내거나 보드로부터 전기적 신호를 전달받고자 할 때 보드에 형성한 단자와 접촉되도록 하는 구성이 탐침 즉 프로브이다.In other words, a probe, or a probe, is configured to be in contact with a terminal formed on a board when an electrical signal is sent to or received from a board on which a circuit pattern is formed.

이러한 프로브는 적용분야에 따라서 그 형상이 매우 다양하다.Such probes vary widely in shape depending on the application.

프로브는 통상 웨이퍼에서의 반도체 검사 또는 LCD 패널의 검사에 이용되는 프로브 카드에 가장 많이 사용된다.Probes are most commonly used for probe cards used for semiconductor inspection on wafers or inspection of LCD panels.

반도체 및 LCD 검사에 적용되는 프로브는 주로 프로브 카드에서 와이어 타입 또는 블레이드 타입의 니들로서 사용하고 있다.Probes applied to semiconductor and LCD inspection are mainly used as wire type or blade type needles in probe cards.

특히 최근의 반도체 및 LCD에서의 회로 패턴이 대단히 미세해지면서 고집적 및 고밀도화되는 추세이므로 가공성 한계에 부딪혀 현재는 니들의 형상 또한 와이어 타입에서 블레이드 타입으로 변하고 있다.In particular, as the circuit patterns of semiconductors and LCDs become very fine in recent years, high integration and high density have been encountered, and thus the shape of the needle has also changed from a wire type to a blade type in the face of processability limitations.

여기서의 가공성 한계란 종전의 와이어 타입에서의 니들은 기계적 가공에 의해서 제작되므로 기계적 가공에 의해서 최대한 줄일 수 있는 니들의 직경은 한계가 있다. The workability limit here is that the needle of the conventional wire type is manufactured by mechanical processing, so the diameter of the needle which can be reduced as much as possible by mechanical processing is limited.

따라서 더욱 고집적 및 고밀도화 되어 가는 반도체 및 LCD의 회로 패턴에 와이어 타입의 니들은 적절히 대응할 수가 없다.Therefore, wire type needles cannot cope with circuit patterns of semiconductors and LCDs that are becoming more integrated and denser.

이에 비해 블레이드 타입의 니들은 반도체 제조에 응용되는 박막 패턴 공정인 식각 공정을 이용하므로 대단히 미세한 사이즈로서 많은 수의 니들을 동시에 제작할 수가 있어 최근의 니들 제작에 주로 사용되고 있다.On the other hand, the blade type needle uses an etching process, which is a thin film pattern process applied to semiconductor manufacturing, and thus, a large number of needles can be manufactured at the same time as a very fine size, which is mainly used in recent needle manufacturing.

하지만 블레이드 타입의 니들은 장시간 사용하다 보면 단자와 지속적으로 접촉하면서 접촉 단부가 변형 또는 손상되어 사용이 불가한 상태가 되기도 하므로 사용 수명이 짧고, 니들을 낱개로 교체하기 용이치 않아 유지 관리가 비경제적인 문제가 있다.However, the blade-type needle may not be usable due to its deformed or damaged contact end as it is in continuous contact with the terminal after prolonged use, resulting in a short service life and inability to replace the needle individually. there is a problem.

따라서 본 고안은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 본 고안의 목적은 다른 구성과의 결합 및 분리가 용이토록 하여 교체의 편의와 함께 유지 관리 비용을 최소화할 수 있도록 하는 프로브 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is designed to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to facilitate the combination and separation with other components to minimize the maintenance cost with the convenience of replacement and its It is to provide a manufacturing method.

또한 본 고안은 단자와의 접촉 강도를 증강시켜 더욱 안정된 접촉을 유지할 수 있도록 하는 프로브 및 그의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.In addition, the present invention has another object to provide a probe and a method of manufacturing the same to increase the contact strength with the terminal to maintain a more stable contact.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 본체의 상부면에는 소정의 크기와 깊이로 하향 요입되게 하여 결합홈을 형성하고, 결합홈의 바닥면으로부터 상기 본체의 저면에 이르는 부위는 도체로 이루어지는 도전층인 연결부와; 상기 연결부 저면의 도전층으로부터 하향 돌출되게 구비되는 탐침부로서 이루어지도록 하는 구성이다.In order to achieve the above object, the present invention forms a coupling groove in the upper surface of the main body to be recessed downward in a predetermined size and depth, and a portion of the coupling groove from the bottom of the coupling groove to the bottom of the main body is made of a conductive layer. Phosphorus connection; It is configured to be made as a probe portion provided to protrude downward from the conductive layer on the bottom of the connecting portion.

상기한 구성의 프로브는 제1 기판의 표면에 포토리소그라피 공정을 이용하여 포토 마스크를 형성하고, 상기 포토 마스크를 이용하여 상기 제1 기판을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와; 상기 제1 기판의 표면에 남아있는 상기 포토 마스크를 제거하고, 상기 트랜치를 형성한 제1 기판의 표면으로 미세한 두께로서 스퍼터링에 의해 제1 어드히젼막을 증착하는 단계와; 상기 제1 어드히젼막의 상부로 제1 솔더링막을 소정의 두께로서 도금하는 단계와; 상기 제1 솔더링막의 상부로 금속의 제1 도전막을 도금하는 단계와; 화학적 기계적 연마에 의해서 트랜치 부위의 상기 제1 도전막과 함께 트랜치 부위의 외측으로 상기 제1 기판이 동시에 노출되도록 평탄화하는 단계와; 평탄화한 표면으로 미세한 두께로서 스퍼터링에 의해 제2 어드히젼막을 증착하여 제1 결합부재가 구비되도록 하는 단계와; 제2 기판의 표면에 포토리소그라피 공정을 이용하여 포토 마스크를 형성하고, 상기 포토 마스크를 이용하여 제2 기판을 식각하여 소정의 크기와 깊이로 식각홈을 형성하는 단계와; 상기 제2 기판의 표면에 남아있는 상기 포토 마스크를 제거하고, 식각홈을 포함하는 표면으로 미세한 두께로서 산화막을 형성하는 단계와; 상기 산화막의 상부로 고강도의 재질로 이루어지는 제2 도전막을 도금에 의해 증착하는 단계와; 상기 제2 도전막의 상부로 제3 도전막을 도금에 의해 증착하는 단계와; 화학적 기계적 연마에 의해서 제3 도전막과 함께 그 외측에서 제2 기판이 노출되도록 평탄화하는 단계와; 평탄화한 표면에 소정의 두께로서 서퍼터링에 의해 제3 어드히젼막을 증착하는 단계와; 상기 제3 어드히젼막의 상부로 포토리소그라피 공정을 이용하여 포토 마스크를 형성하고, 상기 포토 마스크의 상부로 제3 솔더링막을 소정의 두께로서 도금에 의해 증착시키는 단계와; 세정액을 이용하여 상기 포토 마스크가 제거되도록 하면서 상기 포토 마스크의 상부에 증착되어 있는 제3 솔더링막은 제거되게 함으로써 상기 제3 도전막의 상부에만 제3 솔더링막이 증착되게 하여 제2 결합부재가 구비되도록 하는 단계와; 상기 제1 결합부재와 상기 제2 결합부재에서 각각 상기 제2 솔더링막과 상기 제3 솔더링막을 형성한 일측면간을 상호 밀착시켜 열압착에 의해 견고하게 결합되도록 하는 단계와; 상호 결합된 상기 제1 결합부재와 제2 결합부재에서 상기 제1 결합부재의 결합면과 대응되는 면으로 포토리소그라피 공정과 식각 공정을 이용하여 상기 제1 결합부재의 상기 제1 어드히젼막을 에칭 정지층으로 하여 상기 제1 기판을 건식 식각함으로써 결합홈을 형성하는 단계와; 상기 제1 기판에 형성한 결합홈과 동심원상으로 그 외측에 상기 제2 어드히젼막을 에칭 정지층으로 하여 소정의 두께로 건식 식각하는 단계와; 결합된 상기 제1 결합부재와 상기 제2 결합부재를 에칭액에 담가 노출된 상기 제2 어드히젼막과 상기 제3 어드히젼막이 제거되면서 상기 제1 기판의 외측에 잔존하는 제1 기판이 제거되도록 하는 단계와; 상기의 단계를 거친 상기 제1 결합부재와 상기 제2 결합부재의 결합 구조물을 다른 에칭액에 담가 상기 제2 도전막을 감싸고 있는 산화막이 제거되게 함으로써 제2 기판이 제거되도록 하는 단계로서 이루어지도록 하는 것이다.The probe having the above configuration may include forming a photo mask on the surface of the first substrate using a photolithography process, and etching the first substrate using the photo mask to form a trench; Removing the photo mask remaining on the surface of the first substrate, and depositing a first adhesion film by sputtering as a fine thickness on the surface of the first substrate on which the trench is formed; Plating a first soldering film with a predetermined thickness on top of the first advice film; Plating a first conductive film of metal on top of the first soldering film; Planarizing such that the first substrate is simultaneously exposed to the outside of the trench region together with the first conductive film of the trench region by chemical mechanical polishing; Depositing a second adhering film by sputtering to a planarized surface with a fine thickness so that the first coupling member is provided; Forming a photo mask on the surface of the second substrate using a photolithography process, and etching the second substrate using the photo mask to form etching grooves having a predetermined size and depth; Removing the photo mask remaining on the surface of the second substrate, and forming an oxide film with a fine thickness on a surface including an etching groove; Depositing a second conductive film made of a high strength material by plating on the oxide film; Depositing a third conductive film by plating on top of the second conductive film; Planarizing the second substrate along with the third conductive film on the outside thereof by chemical mechanical polishing; Depositing a third adventure film on the planarized surface by surfacing at a predetermined thickness; Forming a photo mask on top of the third advice film using a photolithography process, and depositing a third soldering film on the top of the photo mask by a predetermined thickness by plating; Removing the third soldering film deposited on the photomask while removing the photomask by using a cleaning solution so that a third soldering film is deposited only on the third conductive film so that the second coupling member is provided. Wow; Contacting one side of each of the first soldering member and the second soldering member on which the second soldering film and the third soldering film are formed so as to be firmly joined by thermocompression bonding; Etching stop of the first advice layer of the first coupling member by using a photolithography process and an etching process from the first coupling member and the second coupling member to the surface corresponding to the coupling surface of the first coupling member Forming a coupling groove by dry etching the first substrate as a layer; Dry etching a predetermined thickness by using the second advance film as an etch stop layer on an outer side thereof concentrically with the coupling groove formed in the first substrate; The first substrate remaining on the outside of the first substrate is removed while the second adhering layer and the third adhering layer are exposed by dipping the combined first and second coupling members in an etchant. Steps; The second substrate is removed by immersing the coupling structure of the first coupling member and the second coupling member through the above step in another etching solution so that the oxide film surrounding the second conductive layer is removed.

이하 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 고안의 프로브를 도시한 것으로서, 본 고안의 프로브는 크게 연결부(10)와 탐침부(20)가 일체로 결합되는 구성이다.1 shows a probe of the present invention, the probe of the present invention is largely configured in which the connection portion 10 and the probe portion 20 are integrally coupled.

연결부(10)는 다시 본체(11)의 상부면으로부터 소정의 크기와 깊이로 하향 요입되게 하여 결합홈(12)을 이루고, 이 결합홈(12)의 바닥면으로부터는 본체(11)의 저면에 이르는 부위를 도체로서 형성되도록 하여 도전층(13)을 이루는 구성이다. 이때의 본체(11)는 미세한 크기로의 결함홈(12)을 형성해야 하므로 이러한 미세 가공이 용이한 재질을 사용하는 것이 바람직한 바 본체(11)의 재질로서는 현재 가장 많이 사용되고 있는 특히 반도체 분야에서 주로 사용되는 실리콘 기판으로 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.The connecting portion 10 is recessed downward from the upper surface of the main body 11 to a predetermined size and depth to form the engaging groove 12, and from the bottom surface of the engaging groove 12 to the bottom surface of the main body 11. It is the structure which forms the conductive layer 13 so that the site | part which leads up may be formed as a conductor. At this time, since the main body 11 should form a defect groove 12 having a fine size, it is preferable to use a material which is easy to process such a micro bar. Most preferably, it consists of the silicon substrate used.

연결부(10)의 도전층(13)은 결함홈(12)의 바닥면을 이루는 구성으로서, 결함홈(12)의 바닥면으로부터 본체(11)의 저면에 이르는 두께가 도체로서 이루어지도록 하는 구성이다. 이때의 도전층(13)은 특히 전도성이 좋은 재질로서 이루어지도록 하며, 이런 도전층(13)을 이루는 주된 재질로는 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 등의 전도성이 좋은 금속을 사용한다.The conductive layer 13 of the connecting portion 10 constitutes the bottom surface of the defect groove 12, and is such that the thickness from the bottom surface of the defect groove 12 to the bottom surface of the main body 11 is formed as a conductor. . In this case, the conductive layer 13 is made of a particularly good conductive material, and the main materials constituting the conductive layer 13 include nickel (Ni), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), A metal with good conductivity such as platinum (Pt) is used.

연결부(10)와 함께 본 고안을 이루는 구성인 탐침부(20)는 연결부(10)의 도전층(13) 저면에서 소정의 높이로 하향 돌출되게 구비되는 구성이다. 특히 연결부(10)는 연결부(10)의 도전층(13)과 통전이 양호하게 이루어져야 하는 동시에 단자와의 지속적인 접촉이 이루어지는 구성이므로 전도성과 함께 강도면에서 보다 강한 재질로서 형성되게 하는 것이 가장 바람직하다. 이러한 탐침부(20)를 이루는 재질로는 Ni-w 이 대표적이며, 그 외의 다양한 합금으로도 사용이 가능하다.The probe unit 20, which constitutes the present invention together with the connection unit 10, is configured to protrude downward from the bottom of the conductive layer 13 of the connection unit 10 to a predetermined height. In particular, since the connecting portion 10 is configured to have good electrical current with the conductive layer 13 of the connecting portion 10 and is in continuous contact with the terminal, it is most preferable that the connecting portion 10 be formed of a stronger material in terms of conductivity and strength. . Ni-w is typical as a material forming the probe unit 20, and may be used as various other alloys.

한편 탐침부(20)는 도전층(13)의 저면에서 중심부에 형성되게 할 수도 있고, 일측으로 편심 위치시켜 형성되게 할 수도 있으며, 특히 평단면적이 상부로부터 하부로 점차 좁아지도록 하면서 하단부는 단자와 선접촉되도록 하는 것이 가장 바람직하다.On the other hand, the probe portion 20 may be formed at the center of the bottom surface of the conductive layer 13, or may be formed to be eccentrically positioned to one side, in particular, the lower end portion and the terminal portion is gradually narrowed from the top to the bottom It is most desirable to be in line contact.

이와 같은 구성의 프로브는 다음과 같은 과정을 통해 제조된다.Probe of such a configuration is manufactured through the following process.

본 고안의 프로브 제작을 위해서는 우선 연결부(10)를 형성하기 위한 제1 결합부재와 탐침부(20)를 형성하기 위한 제2 결합부재를 각각 제작해야 한다.In order to manufacture the probe of the present invention, first, a first coupling member for forming the connection portion 10 and a second coupling member for forming the probe portion 20 should be manufactured.

각 결합부재의 제작을 위해서는 별도의 제1 기판(100)과 제2 기판(200)이 필요하다.In order to manufacture each coupling member, a separate first substrate 100 and a second substrate 200 are required.

이때의 제1 기판(100)과 제2 기판(200)은 실리콘 기판을 사용하는 것이 가장 바람직하다.At this time, it is most preferable to use a silicon substrate for the first substrate 100 and the second substrate 200.

제1 결합부재와 제2 결합부재 중 제1 결합부재는 도 2a 내지 도 2h에 의해서 제작된다.The first coupling member of the first coupling member and the second coupling member is manufactured by FIGS. 2A to 2H.

즉 일정한 사이즈로 마련되는 제1 기판(100)의 상측 표면에 포토레지스트를 도포한 후 현상과 노광에 의한 포토리소그라피 공정을 이용하여 도 2a에서와 같이 포토 마스크(110)를 형성하고, 이 포토 마스크(110)를 이용하여 제1 기판(100)을 소정의 깊이와 크기로서 식각한다. That is, after the photoresist is applied to the upper surface of the first substrate 100 having a constant size, a photomask 110 is formed as shown in FIG. 2A by using a photolithography process by development and exposure. The first substrate 100 is etched using the 110 by a predetermined depth and size.

제1 기판(100)의 식각은 건식 식각으로 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하며, 이러한 식각에 의해서 제1 기판(100)의 상부면에는 소정의 크기와 깊이를 갖는 트랜치(trench, 120)가 형성된다.Most preferably, the etching of the first substrate 100 is performed by dry etching. A trench 120 having a predetermined size and depth is formed on the upper surface of the first substrate 100 by the etching. .

트랜치(120)를 형성한 후 제1 기판(100)에 남아있는 포토 마스크(110)는 세정에 의해서 제거되도록 하고, 트랜치(120)가 형성된 제1 기판(100)의 상부면에는 도 2b에서와 같이 표면을 따라 미세한 두께로서 스퍼터링에 의해 제1 어드히젼막(adhesion membrane, 130)이 증착되도록 한다.After forming the trench 120, the photo mask 110 remaining on the first substrate 100 is removed by cleaning, and the upper surface of the first substrate 100 on which the trench 120 is formed is shown in FIG. 2B. As described above, the first adhesion membrane 130 is deposited by sputtering at a fine thickness along the surface.

상부 표면에 증착된 어드히젼막(130)의 상부에는 다시 도 2c와 도 2d에서와 같이 제1 솔더링막(soldering membrane, 140)과 제1 도전막(electric conduction membrane, 150)이 일정한 두께로서 차례로 도금에 의해서 적층되도록 한다.The first soldering film 140 and the first electrically conducting film 150 are sequentially formed on the upper part of the advice film 130 deposited on the upper surface, as shown in FIGS. 2C and 2D. Laminate by plating.

제1 기판(100)의 표면에 처음 도포되는 제1 어드히젼막(130)은 제1 기판(100)에 직접 솔더링을 위해 사용되는 금속이 잘 접착되지 않기 때문에 제1 솔더링막(140)의 안정된 증착을 위해서 증착시키게 되는 것이다.Since the metal used for direct soldering to the first substrate 100 is hardly adhered to the first advice layer 130 first applied to the surface of the first substrate 100, the first solder layer 140 may be stable. It will be deposited for deposition.

제1 어드히젼막(130)으로서 사용하기 위한 막질 재질로는 금(Au)을 주로 사용하며, 제1 솔더링막(140)은 Au-Sn, Pb-Sn 등을 주로 사용한다.Gold (Au) is mainly used as a film material for use as the first adventure film 130, and the first soldering film 140 mainly uses Au-Sn, Pb-Sn, or the like.

한편 제1 도전막(150)으로는 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 등의 다양한 재질을 사용할 수가 있으며, 이들의 결합 구성인 합금을 사용할 수도 있다.Meanwhile, various materials such as nickel (Ni), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), and platinum (Pt) may be used as the first conductive layer 150. Can also be used.

이렇게 제1 기판(100)에 형성한 트랜치(120)를 포함한 상부의 표면으로 제1 어드히젼막(130)과 제1 솔더링막(140)과 제1 도전막(150)이 차례로 증착되면 이들을 화학적 기계적 연마 설비(CMP)를 이용하여 표면을 도 2e와 같이 평탄화시킨다.When the first adduct film 130, the first soldering film 140, and the first conductive film 150 are sequentially deposited on the upper surface including the trench 120 formed on the first substrate 100, they are chemically deposited. Mechanical polishing equipment (CMP) is used to planarize the surface as shown in FIG. 2E.

이때의 평탄화 정도는 트랜치(120)의 내부에 채워지는 제1 도전막(150)과 함께 트랜치(120)의 외부측 제1 기판(100)이 동시에 노출되는 정도로 평탄화가 이루어지도록 한다.In this case, the degree of planarization is such that planarization is performed such that the first substrate 100 outside the trench 120 is simultaneously exposed together with the first conductive layer 150 filled in the trench 120.

평탄화시킨 표면에는 다시 미세한 두께로 서퍼터링에 의해서 도 2f에서와 같이 제2 어드히젼막(160)이 증착되게 하여 본 고안의 연결부(10)를 이룰 제1 결합부재를 완성한다.The second planarized film 160 is deposited on the planarized surface again by sublimation to a fine thickness, as shown in FIG. 2F, thereby completing the first coupling member to form the connection part 10 of the present invention.

제1 결합부재는 최상부로 제2 어드히젼막(160)만을 증착시키는 구성으로 형성되게 할 수도 있으나 도 2g에서와 같이 제2 어드히젼막(160)의 상부로 포토레지스트를 도포하여 현상과 노광에 의해 제2 어드히젼막(160)의 상부면 일부가 노출되게 패터닝하여 포토 마스크(170)가 형성되도록 하고, 이 포토 마스크(170)의 상부로 제2 솔더링막(180)을 증착시키게 되면 도면에서와 같이 포토 마스크(170)에는 도금이 이루어지지 않으면서 제2 어드히젼막(160)의 상부면 일부가 노출된 부위에만 도금층이 채워지면서 제2 솔더링막(180)이 형성되게 할 수도 있다.The first coupling member may be formed in such a manner that only the second adhering film 160 is deposited on top, but as shown in FIG. 2G, a photoresist is applied to the upper part of the second adhering film 160 to develop and expose the first coupling member. When the photomask 170 is formed by patterning a portion of the upper surface of the second adhesion layer 160 by exposure, and depositing the second soldering layer 180 on the photomask 170, the drawing As described above, the second soldering layer 180 may be formed on the photomask 170 while the plating layer is filled only on a portion of the upper surface of the second advice layer 160 exposed without plating.

제2 솔더링막(180)이 증착되면 된 포토 마스크(170)를 세정액을 이용하여 제거하여 제2 어드히젼막(160)의 상부에는 도 2h에서와 같이 필요로 하는 최소한의 크기로 제2 솔더링막(180)이 구비되도록 하는 구성으로 제1 결합부재가 구비되게 하는 것도 바람직하다. When the second soldering film 180 is deposited, the photomask 170 is removed by using a cleaning solution, and the second soldering film is formed on the upper portion of the second advice film 160 to a minimum size as shown in FIG. 2H. It is also preferable that the first coupling member is provided in such a configuration that the 180 is provided.

제1 결합부재와는 별도로 제작되는 제2 결합부재 또한 제1 결합부재를 제작하는데 사용되는 제1 기판(100)과 동일한 사이즈의 제2 기판(200)을 이용해서 도 3a 내지 도 3h의 과정을 통해 제작되도록 한다.The process of FIGS. 3A to 3H is performed by using a second substrate 200 having the same size as the first substrate 100 used to fabricate the first coupling member, which is also manufactured separately from the first coupling member. Make it through.

제1 기판(100)과 동일한 사이즈로 마련되는 제2 기판(200)의 상부 표면에는 도 3a에서와 같이 포토레지스트를 도포한 후 현상과 노광에 의한 포토리소그라피 공정을 이용하여 포토 마스크(210)를 형성하고, 이 포토 마스크(210)를 이용하여 제2 기판(200)의 일부를 소정의 깊이로서 식각한다.The photomask 210 is applied to the upper surface of the second substrate 200 having the same size as the first substrate 100 by using a photolithography process by developing and exposing a photoresist as shown in FIG. 3A. A portion of the second substrate 200 is etched at a predetermined depth by using the photo mask 210.

이때의 식각은 제1 기판(100)에서 트랜치(120)를 형성하기 위한 건식 식각과는 달리 습식 식각으로 이루어지도록 하여 식각홈이 하부로 점차 내경이 축소되는 형상으로 형성되도록 한다.In this case, the etching is performed by wet etching, unlike dry etching for forming the trench 120 in the first substrate 100 so that the etching groove is formed to have a shape in which the inner diameter gradually decreases downward.

식각홈이 형성된 제2 기판(200)은 세정액을 사용하여 제2 기판(200)에 남아있는 포토 마스크(210)를 제거하고, 포토 마스크(210)가 제거된 제2 기판(200)의 표면과 함께 식각홈의 내주면을 따라 도 3b에서와 같이 일정한 두께로서 산화막(220)이 형성되도록 한다.The second substrate 200 on which the etching groove is formed is removed from the photo mask 210 remaining on the second substrate 200 using a cleaning solution, and the surface of the second substrate 200 from which the photo mask 210 is removed. Together, the oxide film 220 is formed to have a constant thickness as shown in FIG. 3B along the inner circumferential surface of the etching groove.

산화막(220)의 상부로는 다시 도금에 의해서 도 3c와 도 3d에서와 같이 제2 도전막(230)과 제3 도전막(240)이 순차적으로 증착되도록 한다.The second conductive film 230 and the third conductive film 240 are sequentially deposited on the oxide film 220 by plating again as shown in FIGS. 3C and 3D.

이때의 제2 도전막(230)은 특히 전도성이 양호하면서 접촉 충격에 강한 강도를 갖는 재질로서 형성되도록 하는 것이 바람직하며, 이러한 재질로서는 Ni-w, Cu-w 등을 사용하는 것이 가장 바람직하다. 그리고 제3 도전막(240)은 제2 도전막(230)과 마찬가지이나 전도성만 양호하면 굳이 강도에는 제한이 없으므로 제1 연결부재에서의 제1 도전막(150)과 같이 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt) 등으로 형성되도록 한다.In this case, the second conductive film 230 is particularly preferably formed of a material having good conductivity and strong strength against contact impact, and most preferably Ni-w, Cu-w, or the like. The third conductive film 240 is the same as the second conductive film 230, but if the conductivity is good, there is no limitation in strength, and thus, like the first conductive film 150 in the first connecting member, nickel (Ni) and copper are used. (Cu), gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt) and the like.

이와 같이 제2 도전막(230)과 제3 도전막(240)이 증착되면 도 3e에서와 같이 화학적 기계적 연마 설비(CMP)에 의해서 표면 평탄화가 이루어지도록 한다.As such, when the second conductive layer 230 and the third conductive layer 240 are deposited, the surface is planarized by a chemical mechanical polishing facility (CMP) as shown in FIG. 3E.

이때의 평탄화는 식각홈에 채워진 산화막(220)과 제2 도전막(230)과 제3 도전막(240) 및 그 외측의 제2 기판(200)이 동시에 노출되는 정도로서 이루어지도록 한다.In this case, the planarization may be performed such that the oxide film 220, the second conductive film 230, the third conductive film 240, and the second substrate 200 on the outside thereof are simultaneously exposed.

평탄화한 제2 기판(200)의 상부면에는 도 3f에서와 같이 서퍼터링에 의해 미세한 두께로 제3 어드히젼막(250)을 증착하고, 제3 어드히젼막(250)의 상부에는 도 3g에서와 같이 포토레지스트를 도포한 후 현상과 노광을 하는 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝된 포토 마스크(260)가 증착되도록 한다. 3F is deposited on the upper surface of the planarized second substrate 200 to have a fine thickness by surfering, and the upper portion of the third advice layer 250 is illustrated in FIG. 3G. After the photoresist is applied, the patterned photomask 260 is deposited through a photolithography process of developing and exposing the photoresist.

이때의 포토 마스크(260)는 제2 도전막(230)의 직상부가 오픈되는 형상으로 패턴이 이루어지고, 이러한 포토 마스크(260)의 상부로 제3 솔더링막(270)을 도금하게 되면 포토 마스크(260)의 상부면으로는 도금층이 형성되지 않으므로 제2 도전막(230)의 일부 오픈된 부위에만 제3 솔더링막(270)이 채워지게 된다.At this time, the photomask 260 is patterned to have a shape in which the upper portion of the second conductive film 230 is opened, and when the third soldering film 270 is plated on the photomask 260, the photomask ( Since the plating layer is not formed on the upper surface of the 260, the third soldering layer 270 is filled only in a portion of the second conductive layer 230 that is open.

포토 마스크(260)의 오픈된 부위와 함께 상부로 제3 솔더링막(270)이 증착되도록 한 후 세정액을 사용하여 포토 마스크(260)를 제거하게 되면 제3 어드히젼막(250)의 상부에는 도 3h에서와 같이 제2 도전막(230)의 크기로 제3 솔더링막(270)만이 남게 된다.After the third soldering film 270 is deposited along with the open portion of the photo mask 260, and then the photo mask 260 is removed using a cleaning solution, the upper portion of the third advice film 250 may be removed. As in 3h, only the third soldering film 270 remains in the size of the second conductive film 230.

이로서 차후 본 고안의 탐침부(20)를 이룰 제2 결합부재가 완성된다.This completes the second coupling member to form the probe 20 of the present invention.

한편 제2 결합부재에서 구비되는 제3 어드히젼막(250)과 제3 솔더링막(270)은 제1 기판(100)에서의 제1 어드히젼막(130)과 제2 어드히젼막(160) 및 제1 솔더링막(140)과 제2 솔더링막(180)의 재질과 동일 내지는 유사한 재질로서 사용하도록 한다.Meanwhile, the third advice film 250 and the third soldering film 270 provided in the second coupling member may be formed of the first advice film 130 and the second advice film 160 of the first substrate 100. And the same or similar materials as those of the first soldering film 140 and the second soldering film 180.

이렇게 해서 각각 완성된 제1 연결부재와 제2 연결부재는 도 4에서와 같이 제1 연결부재측 제2 어드히젼막(250)에 제2 연결부재측의 제3 솔더링막(270)이 서로 밀착되게 한 상태에서 가열압착시켜 상호 견고하게 결합되게 한다.As shown in FIG. 4, the first soldering member 270 and the second soldering member 270 of the second coupling member side closely adhere to each other as shown in FIG. 4. Heat-compress in a state where it is possible to bond firmly to each other.

제1 연결부재와 제2 연결부재를 결합시킨 상태에서 도 5에서와 같이 상측에 구비되는 제1 연결부재의 제2 연결부재와 결합되는 결합면에 대응하는 제1 기판(100)의 상부면으로 포토리소그라피 공정과 에칭 공정에 의해서 제1 결합부재의 트랜치(120)에 증착시킨 제1 어드히젼막(130)을 에칭 정지층으로 하여 제1 기판(10)을 식각한다.In the state in which the first connection member and the second connection member are coupled to the upper surface of the first substrate 100 corresponding to the coupling surface coupled to the second connection member of the first connection member provided on the upper side as shown in FIG. The first substrate 10 is etched using the first adhesion film 130 deposited on the trench 120 of the first coupling member by a photolithography process and an etching process as an etch stop layer.

제1 기판(100)의 식각에 의해서 제1 기판(100)에는 소정의 크기로 상향 개방시킨 홈을 형성하게 되는데 이 홈이 차후 본 고안의 결합홈(12)을 이루게 된다.By etching the first substrate 100, the first substrate 100 is formed with a groove open upward to a predetermined size, which is to form a coupling groove 12 of the present invention.

그리고 제1 기판(100)에 형성한 결합홈(12)과 동심원상의 외측으로 제1 어드히젼막(130)의 외측단부보다는 더 외측으로 형성한 제1 기판(100)의 제2 어드히젼막(160)을 에칭 정지층으로 하여 다시 제1 기판(100)을 도 6에서와 같이 소정의 두께로 식각하도록 한다.The second advice layer of the first substrate 100 formed outwardly from the outer end portion of the first advice layer 130 on the outer side of the coupling groove 12 formed in the first substrate 100. Using the 160 as an etch stop layer, the first substrate 100 is etched again to a predetermined thickness as shown in FIG. 6.

한편 제1 기판(100)에서의 결합홈(12) 형성 및 결합홈(12)의 외측으로 수행되는 식각은 제1 어드히젼막(130)과 제2 어드히젼막(160)을 에칭 정지층으로 사용하는 건식 식각에 의해서 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.Meanwhile, the formation of the coupling groove 12 in the first substrate 100 and the etching performed to the outside of the coupling groove 12 may be performed by using the first advice film 130 and the second advice film 160 as an etch stop layer. Most preferably, it is achieved by dry etching used.

제1 결합부재의 제1 기판(100)을 식각한 제1 결합부재와 제2 결합부재의 결합 구조물은 어드히젼막만을 선택적으로 식각하도록 하는 에칭액에 담겨지게 함으로써 에칭액에 직접 접촉되는 제2 어드히젼막(160)과 제3 어드히젼막(250)의 접촉 부위가 제거되게 한다.The first structure of the first coupling member and the second coupling member which etched the first substrate 100 of the first coupling member may be immersed in the etchant to selectively etch only the Adherence film, thereby adsorbing the second adduct in direct contact with the etchant. The contact portion of the first layer 160 and the third advice layer 250 may be removed.

에칭액에 의해 제2 어드히젼막(160)과 제3 어드히젼막(250)을 식각하게 되면 제3 솔더링막(270)에 커버되는 부위간 남고 되는 동시에 제거되는 어드히젼막에 부착되어 있던 제1 기판(100)의 일부도 제거되면서 도 7에서와 같은 구성만 남게 된다.The etching of the second and third adhering films 160 and 250 by the etching solution leaves portions between the portions covered by the third soldering film 270 and adheres to the first and first adhering films which are removed. A portion of the substrate 100 is also removed, leaving only the configuration as shown in FIG. 7.

다시 도 7의 제1 결합부재와 제2 결합부재의 결합 구조물을 산화막 제거용 에칭액에 재차 잠겨지도록 하면 도 8과 같이 제2 도전막(230)을 감싸고 있던 산화막(220)이 제거되면서 이 산화막(220)에 의해 부착되어 있던 제2 기판(200)이 제거된다.When the coupling structure of the first coupling member and the second coupling member of FIG. 7 is again immersed in the etching solution for removing the oxide film, the oxide film 220 that surrounds the second conductive film 230 is removed as shown in FIG. The second substrate 200 attached by the 220 is removed.

이렇게 해서 산화막(220)과 제2 기판(200)을 제2 결합부재로부터 제거시키게 되면 제2 결합부재에는 제2 도전막(230)과 제3 도전막(240)과 미세한 크기의 제3 어드히젼막(250) 및 제3 솔더링막(270)이 남게 되면서 본 고안의 탐침부(20)를 이루게 된다.In this manner, when the oxide film 220 and the second substrate 200 are removed from the second coupling member, the second coupling member 230 and the third conductive layer 240 are finely attached to the second coupling member. As the electrode film 250 and the third soldering film 270 remain, the probe part 20 of the present invention is formed.

이와 같이 본 고안은 제1 결합부재에 의해서는 연결부(10)를 형성하고, 제2 결합부재에 의해서는 탐침부(20)가 형성되게 함으로써 도 9에서와 같이 연결부(10)측 결합홈(12)으로 프로브 기판의 니들 팁이나 그와 유사한 전기적 신호 전달 구성(300)의 끝단부가 결합되도록 하는 조립 구조로서 사용할 수가 있도록 한다.As such, the present invention forms the connection portion 10 by the first coupling member, and the probe portion 20 is formed by the second coupling member, so that the coupling groove side coupling groove 12 as shown in FIG. ) Can be used as an assembly structure to allow the needle tip of the probe substrate or the end of a similar electrical signal transfer configuration 300 to be coupled.

따라서 본 고안은 전기적 신호를 전달하는 구성의 팁부에 손쉽게 교체가 가능하게 조립할 수가 있으며, 특히 결합홈(12) 사이즈를 신호 전달 구성의 팁부에 맞춤 결합되는 크기로 형성하게 되면 간단히 교체 및 조립이 가능한 작업의 편의를 제공하게 된다.Therefore, the present invention can be easily assembled to replace the tip portion of the configuration for transmitting electrical signals, in particular, when the coupling groove 12 is formed in a size that is custom-fitted to the tip of the signal transmission configuration can be easily replaced and assembled It will provide convenience for work.

또한 단자 등과 지속적으로 접촉되는 탐침부(20)는 제2 도전막(230)을 통해 재질적으로 보다 강하게 이루어지게 함으로써 장시간 사용으로 인한 마모와 변형 등이 최소화되도록 하여 안정된 접속이 제공되도록 한다. In addition, the probe portion 20 continuously contacting the terminal and the like may be made stronger through the second conductive layer 230 to minimize wear and deformation due to prolonged use, thereby providing a stable connection.

한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있기는 하나, 그들은 고안의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. While many details are specifically described in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments, rather than to limit the scope of the invention.

따라서 본 고안의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같이 본 고안은 대량으로 제작이 가능하고, 다양한 전기적 신호 전달 구성(300) 즉 프로브 카드의 니들 등과 같은 구성과 손쉽게 결합 및 분리시킬 수 있도록 하여 교체가 용이토록 함으로써 비교적 저렴한 비용에 의해서 유지 보수를 가능케 하는 이점이 있다.As described above, the present invention can be manufactured in large quantities, and can be easily combined and separated with various electrical signal transmission configurations 300, that is, configurations such as needles of a probe card, so that replacement can be easily maintained by relatively low cost. There is an advantage to making repairs possible.

또한 본 고안의 프로브는 초정밀 미세 피치의 패턴 단자와도 정확한 접촉이 안정되게 유지되도록 하며, 이러한 접속을 장시간 견고하게 유지하면서 접촉 부위의 내구력이 증강되도록 하여 사용 수명이 대폭적으로 연장되게 함으로써 보다 안정된 전기적 신호 전달 기능을 수행할 수 있도록 한다.In addition, the probe of the present invention maintains accurate contact with the pattern terminals of ultra-precision fine pitch, and maintains the connection for a long time, thereby increasing the durability of the contact portion, thereby greatly extending the service life, thereby providing more stable electrical Allows you to perform signal transfer functions.

특히 프로브 카드의 니들과 같은 전기적 신호 전달 구성(300)에 각각 결합시켜 사용하므로 비교적 고가의 전기적 신호 전달 구성(300)들을 교체할 필요없이 간단이 본 고안의 프로브만을 교체시키기만 하면 되므로 대단히 경제적인 효과를 제공한다. In particular, since it is used in combination with each of the electrical signal transmission configuration 300, such as the needle of the probe card, it is very economical to simply replace only the probe of the present invention without having to replace relatively expensive electrical signal transmission configuration 300 Provide effect.

도 1은 본 고안에 따른 프로브의 단면 구조도,1 is a cross-sectional structural view of a probe according to the present invention,

도 2a 내지 도 2h는 본 고안의 제1 결합부재를 제조하는 과정을 도시한 공정도,2a to 2h is a process diagram showing a process for manufacturing a first coupling member of the present invention,

도 3a 내지 도 3h는 본 고안의 제2 결합부재를 제조하는 과정을 도시한 공정도,3a to 3h is a process diagram showing a process of manufacturing a second coupling member of the present invention,

도 4는 본 고안에 따른 제1 결합부재와 제2 결합부재의 결합 구조를 도시한 단면도,4 is a cross-sectional view showing a coupling structure of the first coupling member and the second coupling member according to the present invention;

도 5는 본 고안의 제1 결합부재와 제2 결합부재를 압착시킨 구조를 도시한 단면도,5 is a cross-sectional view showing a structure in which the first coupling member and the second coupling member of the present invention are compressed;

도 6과 도 7은 본 고안의 제1 결합부재를 식각에 의해 패터닝한 구성을 도시한 단면도,6 and 7 are cross-sectional views showing a configuration in which the first coupling member of the present invention is patterned by etching;

도 8은 도 7에서 제2 결합부재의 제2 기판을 제거시킨 상태를 도시한 단면도,8 is a cross-sectional view illustrating a state in which a second substrate of the second coupling member is removed from FIG. 7;

도 9는 본 고안의 프로브를 프로브 카드의 니들에 결합시킨 상태를 예시한 사용상태도.9 is a use state illustrating a state in which the probe of the present invention is coupled to the needle of the probe card.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 연결부10: connection part

20 : 탐침부20 probe

100 : 제1 기판100: first substrate

130, 160, 250 : 어드히젼막(adhesion membrane)130, 160, 250: Adhesion membrane

140, 180, 270 : 솔더링막(soldering membrane)140, 180, 270: soldering membrane

150, 220, 230 : 도전막(electric conduction membrane)150, 220, 230: electric conduction membrane

200 : 제2 기판200: second substrate

Claims (12)

본체(11)의 상부면에는 소정의 크기와 깊이로 하향 요입되게 하여 결합홈(12)을 형성하고, 결합홈(12)의 바닥면으로부터 상기 본체의 저면에 이르는 부위는 도체로 이루어지는 도전층(13)인 연결부(10)와; The upper surface of the main body 11 is recessed downward in a predetermined size and depth to form a coupling groove 12, and a portion from the bottom surface of the coupling groove 12 to the bottom of the main body is formed of a conductive layer ( 13 and a connecting portion 10; 상기 연결부(10) 저면의 도전층(13)으로부터 하향 돌출되게 구비되는 탐침부(20);A probe unit 20 protruding downward from the conductive layer 13 at the bottom of the connection unit 10; 로서 이루어지는 프로브.Probe consisting of. 제 1 항에 있어서, 상기 본체(11)는 실리콘으로 이루어지는 프로브.The probe according to claim 1, wherein the main body (11) is made of silicon. 제 1 항에 있어서, 상기 도전층(13)은 주된 재질이 니켈(Ni), 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt) 중 하나로 이루어지는 프로브.The probe of claim 1, wherein the conductive layer (13) is made of one of nickel (Ni), gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and platinum (Pt). 제 1 항에 있어서, 상기 탐침부(20)는 상기 도전층(13)의 저면에서 일측으로 편심 위치하는 프로브.The probe of claim 1, wherein the probe part (20) is eccentrically positioned on one side of the bottom surface of the conductive layer (13). (삭제)(delete) 삭제delete (삭제)(delete) (삭제)(delete) (삭제)(delete) (삭제)(delete) (삭제)(delete) (삭제)(delete)
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