KR200389637Y1

KR200389637Y1 - Chip type Transistor

Info

Publication number: KR200389637Y1
Application number: KR20-2005-0011604U
Authority: KR
Inventors: 곽성옥; 김향우; 이옥재
Original assignee: 곽성옥
Priority date: 2005-04-26
Filing date: 2005-04-26
Publication date: 2005-07-14

Abstract

본 발명은 칩 트랜지스터에 관한 것으로서, 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 베이스단에 저항이 연결되고, 상기 트랜지스터의 에미터단에 저항이 연결되어 하나의 소자로 구성된 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 트랜지스터의 에미터단에 저항을 직렬로 연결하여 트랜지스터와 저항을 단일의 칩으로 구성함으로써, 에미터저항이 퓨즈 역할을 하여 칩이 연결된 회로를 보호할 수 있게 된다. 또한, 에미터 저항에 의해 피드백 효과를 가지게 되므로 전원의 변동 및 트랜지스터 소자간의 특성 차이에 의한 컬렉터 전류 변화를 감소시켜 보다 안정적인 동작이 가능해진다.The present invention relates to a chip transistor, characterized in that the transistor, a resistor is connected to the base terminal of the transistor, the resistor is connected to the emitter terminal of the transistor is composed of a single device. Accordingly, by connecting a resistor in series to the emitter terminal of the transistor to configure the transistor and the resistor as a single chip, the emitter resistor serves as a fuse to protect the circuit to which the chip is connected. In addition, since the emitter resistor has a feedback effect, a more stable operation can be achieved by reducing a collector current change due to variations in power and characteristics of transistor elements.

Description

Chip transistor {Chip type Transistor}

본 고안은 칩 트랜지스터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 트랜지스터와 저항을 단일화한 칩 트랜지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a chip transistor, and more particularly to a chip transistor in which a transistor and a resistor are unified.

전자부품중에는 저항이나 콘덴서 다이오드 및 트랜지스터가 있다. 여기서, 트랜지스터는 다른 전자부품과는 달리 증폭작용과 스위치작용과 같은 특별한 작용을 한다. Electronic components include resistors, capacitor diodes, and transistors. Here, unlike other electronic components, the transistor has special functions such as amplification and switching.

저항기나 콘덴서 같은 일반적인 부품을 '수동부품'이라고 하는 반면 증폭작용을 하는 트랜지스터는 '능동부품' 이라고 한다. Common components such as resistors and capacitors are called 'passive components' while transistors that amplify are called 'active components'.

수동부품이 혼자서는 아무런 작용도 하지 못하고 트랜지스터의 힘을 빌려야만 하는데 반해 능동부품은 전류를 흘려주면 혼자서 제어나 증폭 등의 작용을 한다. 이러한 트랜지스터의 구조는 일반적으로 베이스(Base), 에미터(Emitter), 콜렉터(Collector)의 세부분으로 구성되어 있다. Passive components do not work by themselves and must borrow the power of transistors, while active components act as control or amplification by passing current. The structure of such a transistor is generally composed of a base, an emitter, and a collector.

처음에는 한개의 트랜지스터가 한개의 칩 속에 들어갔으나 그 후 두 개 이상의 트랜지스터가 한 개의 칩 속에 들어갈 수 있게 되었고, 곧이어 저항기나 콘덴서 등 다른 회로구성 요소들도 한꺼번에 집적되어 하나의 칩 속에 수용될 수 있게 됐으며, 이를 IC(Integrated Circuit) 칩이라 한다. Initially, one transistor entered one chip, but two or more transistors could then fit into one chip, and then other circuit components such as resistors and capacitors could be integrated at one time and accommodated on one chip. This is called an integrated circuit (IC) chip.

한편, 일반적으로 각종 전자부품을 이용하여 전자회로를 구성할 때, 동작전원을 온/오프시키기 위해 트랜지스터와 저항이 같이 사용되는 경우가 많다. 이에 따라, 트랜지스터와 저항 만을 단일의 칩으로 구성한 칩 트랜지스터가 개발되어 많이 사용되고 있다. On the other hand, in general, when configuring an electronic circuit using various electronic components, a transistor and a resistor are often used together to turn on / off an operating power source. Accordingly, chip transistors in which only transistors and resistors are composed of a single chip have been developed and are widely used.

도 1은 칩 트랜지스터를 엘이디(LED: Light Emitting Diode)의 동작전원을 온오프시키는 엘이디 구동회로의 예를 도시한 것이다. FIG. 1 illustrates an example of an LED driving circuit in which a chip transistor is turned on and off of an LED (light emitting diode).

일반적으로 트랜지스터와 저항을 단일화한 칩 트랜지스터에는, 트랜지스터(101))의 베이스단에 저항 R1(103)을 연결하고, 베이스단과 에미터단 사이에 저항 R2(105)를 연결한 회로가 내장되어 있다. In general, a chip transistor in which a transistor and a resistor are unified has a circuit in which a resistor R1 103 is connected to the base terminal of the transistor 101 and a resistor R2 105 is connected between the base terminal and the emitter terminal.

그런데, 종래의 칩 트랜지스터에는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional chip transistor has the following problems.

첫 번째로, 전류 증폭률을 활용한 회로에서는, 아래 수식에서 알 수 있는 바와 같이, 트랜지스터의 전류증폭률(HFE)에 따라 엘이디(LED)에 흐르는 전류(Ic)가 변화한다. 이에 따라, 엘이디에 흐르는 전류(Ic)는 전류증폭률(HFE)과 비례관계이다. 따라서, 전류증폭률(HFE)이 커지면 엘이디에 과전류가 흘러서 엘이디 또는 트랜지스터가 파손될 수 있으므로 저항을 연결하여 전류를 조정하여 사용하고 있다.First, in a circuit utilizing the current amplification factor, as shown in the following equation, the current Ic flowing in the LED LED changes according to the current amplification factor HFE of the transistor. Accordingly, the current Ic flowing in the LED is proportional to the current amplification factor HFE. Therefore, when the current amplification factor HFE increases, an overcurrent may flow to the LED, which may damage the LED or the transistor. Therefore, a current is adjusted by connecting a resistor.

Ic={(Vin-VF)/R1-VF/R2}*HFE (VF는 트랜지스터의 베이스-에미터간 순방향 전압이며 이후 VF라 칭함)Ic = {(Vin-VF) / R1-VF / R2} * HFE (VF is the base-emitter forward voltage of the transistor, hereinafter referred to as VF)

두 번째로, 포화영역을 활용한 회로에서는 아래 수식에서 알 수 있는 바와 같이, 엘이디에 흐르는 전류(Ic)는 전원전압(Vcc)과 비례관계이므로, Vcc의 변화 및 엘이디(LED)의 순방향 전압(VF_led)에 따라 엘이디(LED)에 흐르는 전류가 비례적으로 변화한다. Second, in the circuit using the saturation region, as shown in the following equation, since the current Ic flowing in the LED is proportional to the power supply voltage Vcc, the change in Vcc and the forward voltage of the LED (LED) VF_led) changes the current flowing in the LED proportionally.

Ic=(Vcc-Vce_sat-VF_led)/Rled (여기서 Vce_sat은 컬렉터-에미터간 포화 전압 임)Ic = (Vcc-Vce_sat-VF_led) / Rled where Vce_sat is the collector-emitter saturation voltage

세 번째로, 아래수식에서 알 수 있는 바와 같이, 엘이디에 흐르는 전류(Ic)는 입력전압(Vin)과 비례관계이므로, 입력전류(Iin)의 변화에 따라 컬렉터 전류의 변화가 심하다. Third, as can be seen from the following equation, since the current Ic flowing in the LED is proportional to the input voltage Vin, the collector current changes significantly according to the change of the input current Iin.

Ic={(Vin-VF)/R1-VF/R2}*HFE Ic = {(Vin-VF) / R1-VF / R2} * HFE

네 번째로, 포화영역을 활용한 회로에서는, 아래 수식에서 알 수 있는 바와 같이, 엘이디에 흐르는 전류인 컬렉터전류(Ic)는 순방향 전압(V_{F_led})과 반비례 관계이므로, 엘이디의 순방향 전압의 종류에 따라 달라질 수 있다.Fourthly, in the circuit utilizing the saturation region, as can be seen from the following equation, the collector current Ic, which is the current flowing through the LED, is inversely related to the forward voltage V _{F_led} . It may vary.

Ic=(Vcc-Vce_sat-VF_led)/Rled Ic = (Vcc-Vce_sat-VF_led) / Rled

다섯 번째로, 입력저항(R1,R2)이 높아 통상의 입력전압(Vin)에서는 과도한 전류가 흐르지 않아 퓨즈(fuse) 기능을 하지 못한다.Fifth, the input resistance (R1, R2) is high, the excessive current does not flow at the normal input voltage (Vin) does not function as a fuse (fuse).

통상의 입력저항(R1)을 2.2~100㏀ 범위의 폴리저항을 사용한 경우, 전력을 약 0.125W로 하면, IFUSE==7.54mA로 입력전압(Vin=0.00754*2200 +0.6V=17.2V)은 17mA를 초과해야 하나, 칩 트랜지스터의 사용범위에 따라 적정의 R1, F2 값을 사용하므로 퓨징이 안되게 된다. 즉, 종래의 칩 트랜지스터가 장착된 회로에서 쇼트가 발생하면, 칩 트랜지스터로 과전류가 인가되어 칩 트랜지스터 및 주변 소자가 파손될 수 있다.If the normal input resistance (R1) is used with a poly resistor in the range of 2.2 to 100 mA, the power is approximately 0.125 W. IFUSE = Input voltage (Vin = 0.00754 * 2200 + 0.6V = 17.2V) should be more than 17mA. However, fusing is not possible because the proper R1 and F2 values are used depending on the range of chip transistors. That is, when a short occurs in a circuit in which a conventional chip transistor is mounted, an overcurrent is applied to the chip transistor, and the chip transistor and the peripheral device may be damaged.

이에 본 고안은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 트랜지스터의 에미터단에 저항을 직렬로 연결한 트랜지스터와 저항의 단일 칩을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a single chip of a transistor and a resistor connected in series to the emitter terminal of the transistor.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 칩 트랜지스터에 있어서, 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 베이스단에 저항이 연결되고, 상기 트랜지스터의 에미터단에 저항이 연결되어 하나의 소자로 구성된 것에 의해 달성된다.The present invention for achieving the above object is achieved by a chip transistor comprising a transistor, a resistor connected to the base end of the transistor, and a resistor connected to the emitter end of the transistor. .

상기 베이스단과 상기 에미터단 사이에 저항이 연결되어, 상기 저항에 의해 누설전류를 방지하여 회로의 오동작을 방지할 수 있게 된다.A resistor is connected between the base end and the emitter end, thereby preventing leakage current by the resistor, thereby preventing malfunction of the circuit.

상기 에미터단의 저항은 적정의 너비와 두께 및 길이를 갖는 폴리저항이며, 상기 폴리저항의 일정 영역에서 너비를 작게 형성하여 최대전력을 조정함으로써 상기 폴리저항이 퓨즈기능을 갖도록 할 수 있다.The emitter stage resistance is a polyresist having a proper width, thickness and length, and the polyresist may have a fuse function by adjusting the maximum power by forming a smaller width in a predetermined region of the polyresist.

이하 본 고안을 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 본 고안에 따른 칩 트랜지스터(10)를 이용한 엘이디 구동회로도이다. 칩 트랜지스터(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(11)의 베이스단에 저항 R1(13)을 연결하고, 에미터단에 저항 R2(15)를 연결하여 하나의 칩으로 구성한다. 트랜지스터(11)의 에미터단에 저항 R2(15)를 연결하면 다음과 같은 효과가 있다. 2 is an LED driving circuit diagram using the chip transistor 10 according to the present invention. As shown in FIG. 2, the chip transistor 10 is connected to the resistor R1 13 at the base of the transistor 11 and the resistor R2 15 at the emitter. Connecting the resistor R2 15 to the emitter terminal of the transistor 11 has the following effects.

첫 번째로, 에미터단의 저항R2(15)는 저항R2(15)의 최대전력을 조정하여, 퓨즈기능을 하도록 연결한 것이다. 에미터 저항(15)으로서 폴리저항을 사용하여 과전류가 저항 R2(15)에 흐르게 되면, 퓨즈역할을 하여 회로를 보호한다. 폴리저항의 최대 전력은 제조시 조정이 가능하지만 통상 약 0.125W이므로, 퓨징전류 IFUSE= 가 된다. 그리고, 칩 트랜지스터의 통상의 사용범위에서 퓨징이 가능하게 된다. 여기서, 에미터단의 저항R2로 사용할 폴리저항의 너비, 두께 및 체적저항률(면저항률 포함)을 조정하면 최대전력을 조정할 수 있다.First, the resistor R2 (15) of the emitter stage is connected to function as a fuse by adjusting the maximum power of the resistor R2 (15). When overcurrent flows to the resistor R2 (15) using a poly resistor as the emitter resistor (15), it acts as a fuse to protect the circuit. The maximum power of the polyresist can be adjusted during manufacturing, but is typically about 0.125W, so the fusing current IFUSE = Becomes Fusing is then possible within the normal use range of the chip transistor. Here, the maximum power can be adjusted by adjusting the width, thickness, and volume resistivity (including surface resistivity) of the poly resistor to be used as the resistor R2 of the emitter stage.

두 번째로, 에미터 저항(R2)이 피드백 저항이 되어 입력전압(Vin)과 컬렉터 단을 통한 전원전압(Vcc)의 변화에 의한 컬렉터전류(Ic) 변화 폭이 감소한다. Secondly, the emitter resistor R2 becomes a feedback resistor, thereby reducing the change in the collector current Ic due to the change in the input voltage Vin and the power supply voltage Vcc through the collector stage.

에미터단의 저항R2(15)에 의한 효과를 상세히 살펴보면 다음과 같다.Looking at the effect of the emitter resistor R2 (15) in detail as follows.

아래 수식에서 알 수 있는 바와 같이, 입력전압(Vin)이 변하면 그에 따라 에미터 전압(VE)이 변하게 되어 피드백 되므로 컬렉터 전류의 변화 폭이 감소한다. As can be seen from the equation below, when the input voltage Vin changes, the emitter voltage VE changes and feeds back, thereby reducing the change in collector current.

Ic=HFE*IB=HFE*{(Vin-VF-VE)/R1}=HFE*{(Vin-VF-IE*R2)/R1}=HFE*{(Vin-VF-(HFE+1)*IB*R2)/R1} (여기서 VE는 에미터와 접지간 전압이며, 에미터 전류는 IE라 하고, 베이스 전류는 IB라 칭함)Ic = HFE * IB = HFE * {(Vin-VF-VE) / R1} = HFE * {(Vin-VF-IE * R2) / R1} = HFE * {(Vin-VF- (HFE + 1) * IB * R2) / R1} (where VE is the voltage between emitter and ground, emitter current is IE, base current is called IB)

이에 따라, 입력전압이 상승(강하)하면, 베이스 전류가 증가(감소)하게 되고, 엘이디에 흐르는 컬렉터 전류가 증가(감소)하여 에미터의 전류가 증가(감소)하게 되어, 에미터 전압이 상승(강하)하게 된다. 따라서, 베이스 전류가 감소(증가)하여 컬렉터에 흐르는 전류의 변화폭이 감소하게 된다.Accordingly, when the input voltage rises (drops), the base current increases (decreases), the collector current flowing through the LED increases (decreases), and the emitter current increases (decreases), thereby increasing the emitter voltage. (Descent) Therefore, the base current decreases (increases), and the change width of the current flowing through the collector decreases.

또한, 전원전압(Vcc)이 변화하게 되어도, 에미터 저항에 의한 피드백에 의하여 컬렉터 전류의 변화폭이 감소하게 된다.In addition, even if the power supply voltage Vcc changes, the change range of the collector current decreases due to feedback by the emitter resistance.

세 번째로 엘이디(LED)의 순방향 전압(VF_led)이 조금씩 다른 엘이디를 병렬로 연결하여 사용할 경우에도 피드백 효과에 의해 각각의 엘이디에 흐르는 전류의 변화량이 감소하게 된다.Third, even when the LEDs (LEDs) with slightly different forward voltages (VF_led) are connected in parallel, the amount of change in the current flowing through each LED is reduced by the feedback effect.

Ic??VE/R2=(Vcc-Vce-VF_led)/R2Ic ?? VE / R2 = (Vcc-Vce-VF_led) / R2

이에 따라 엘이디의 순방향 전압이 낮아지면 엘이디에 흐르는 컬렉터 전류가 증가 하게 되고 컬렉터 전류가 증가하면 에미터 전압이 상승하게 되어 다시 컬렉터전류가 감소하여 전류의 변화폭이 감소하게 된다.Accordingly, when the forward voltage of the LED decreases, the collector current flowing through the LED increases, and when the collector current increases, the emitter voltage increases, thereby decreasing the collector current and decreasing the current change range.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 칩 트랜지스터(20)를 이용한 엘이디 구동회로를 도시한 것이다. 칩 트랜지스터(20)는 도 3에 도시된 바와 같이, 트랜지스터의 베이스단에 저항R1(23)을 연결하고, 에미터단에 저항R2(25)를 연결하고, 베이스단과 에미터단 사이를 저항R3(27)으로 연결하여 하나의 칩으로 구성하였다. 여기서, 베이스단과 에미터단 사이에 저항(27)을 연결하면 누설전류에 의해 회로의 오동작을 방지하는 기능을 한다. 3 illustrates an LED driving circuit using a chip transistor 20 according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the chip transistor 20 connects a resistor R1 (23) to the base end of the transistor, a resistor R2 (25) to the emitter end, and a resistor R3 (27) between the base end and the emitter end. ) To connect one chip. Here, connecting the resistor 27 between the base end and the emitter end serves to prevent the circuit from malfunctioning due to leakage current.

또한, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 칩 트랜지스터를 엘이디(LED)(7)를 구동하는 회로에 사용할 경우, 전류를 제어하는 저항을 사용하지 않아도 되어 회로가 간단하여지고, 제조원가가 줄어들며, 부품의 사용 수가 줄게 되어 품질 사고 확률도 감소하는 효과가 있다.In addition, as shown in Figs. 2 and 3, when the chip transistor of the present invention is used in a circuit for driving the LED (LED) 7, the circuit is simplified by not using a resistor to control the current. The manufacturing cost is reduced, and the number of parts used is reduced, which reduces the probability of quality accidents.

도 4는 본 발명에 따른 칩 트랜지스터의 레이아웃 도면이다. 칩 트랜지스터의 내부에는 도 4에 도시된 바와 같이, 기저층으로서 컬렉터(30)를 형성하고, 컬렉터(30) 상에 베이스(31)와 폴리저항(37, 38)을 형성하고, 베이스(31)상에 에미터(32)를 형성한다. 그 다음, 베이스(31) 상에 폴리저항(37)을 연결하기 위한 베이스 콘텍(33)을 형성하고, 에미터(32) 상에 폴리저항(38)을 연결하기 위한 에미터 콘텍(34)을 형성한다. 그리고, 베이스(31)상에 형성된 베이스 콘텍(33)에 폴리저항(37)의 일단을 연결하고, 폴리저항(37)의 타단을 금속 박막 도선으로 형상화한 패드(pad)에 연결한 후 와이어본딩(36)에 연결하여, 칩 트랜지스터를 동작시킬 때 와이어본딩(36)으로 트랜지스터의 리드(lead)(미도시)에 연결하게 된다. 그리고, 트랜지스터의 에미터 콘텍(34)과 에미터 패드에 폴리저항(38)의 양단을 금속 박막 도선으로 연결한다. 여기서, 도 4에 도시된 칩 트랜지스터의 컬렉터와 베이스 및 에미터의 공정방법은 공지된 기술이므로 상세한 설명은 생략한다. 4 is a layout diagram of a chip transistor according to the present invention. As shown in FIG. 4, the collector 30 is formed as a base layer in the chip transistor, and the base 31 and the poly resistors 37 and 38 are formed on the collector 30, and on the base 31. Emitter 32 is formed. Next, a base contact 33 is formed on the base 31 for connecting the poly resistor 37, and an emitter contact 34 for connecting the poly resistor 38 on the emitter 32 is formed. Form. Then, one end of the poly resistor 37 is connected to the base contact 33 formed on the base 31, and the other end of the poly resistor 37 is connected to a pad shaped as a metal thin film conductor, and then wire bonded. In connection with the reference numeral 36, when the chip transistor is operated, the wire bonding 36 is connected to a lead (not shown) of the transistor. Then, both ends of the poly resistor 38 are connected to the emitter contact 34 and the emitter pad of the transistor by a metal thin film lead. Here, since the collector, the base, and the emitter processing method of the chip transistor illustrated in FIG. 4 are well known technologies, detailed descriptions thereof will be omitted.

본 실시예에서는 칩 트랜지스터의 에미터단자에 접속되는 폴리저항(38)이 퓨징기능을 할 수 있도록, 도 4에 도시된 바와 같이, 에미터(32)에 연결되는 폴리저항(38)의 일정 영역의 너비(W)를 작게 형성하였다. 이에 따라, 폴리저항(38)의 너비가 작게 형성된 부분에서는 저항값이 커지고 그에 따라 최대전력이 커져서 폴리저항(38)을 퓨즈로서 이용할 수 있다.In the present embodiment, as shown in FIG. 4, a predetermined area of the poly resistor 38 connected to the emitter 32 so that the poly resistor 38 connected to the emitter terminal of the chip transistor can perform a fusing function. The width W of was formed small. Accordingly, in the portion where the width of the poly resistor 38 is formed small, the resistance value increases, and accordingly, the maximum power increases, so that the poly resistor 38 can be used as a fuse.

도 5를 참조하여, 폴리저항(38)의 저항값의 산출원리를 설명하면 다음과 같다. 도 5에 도시된 바와 같이, 폴리저항(38)의 너비를 'W', 전체길이를 'L', 두께를 't'라 하였을 때, 폴리저항(38)의 단위체적저항값은 너비(W)와 길이(A)가 같을 때의 저항값이며, 이를 체적저항율()이라 한다. 그리고, 도 6a 및 도 6b와 같이 폴리저항(38)의 평면도에서 정사각형 부분(41, 42)은 단위저항이며, 폴리저항(38)의 전체 저항값은 'R=*(L/W)'이 된다. 여기서, L은 폴리저항의 전체 길이이고, W는 폴리저항의 너비이다.Referring to Figure 5, the calculation principle of the resistance value of the poly resistor 38 will be described. As shown in FIG. 5, when the width of the poly resistor 38 is 'W', the total length is 'L', and the thickness is 't', the unit volume resistance value of the poly resistor 38 is the width (W). ) Is the resistance value when the length (A) is the same and the volume resistivity ( It is called). 6A and 6B, in the plan view of the poly resistor 38, the square portions 41 and 42 are unit resistances, and the total resistance value of the poly resistor 38 is equal to 'R =. * (L / W) '. Where L is the total length of the polyresistance and W is the width of the polyresistance.

그런데, 폴리저항(38)의 일정 부분의 너비(W)를 좁게 하면, 원래의 너비 부분에서나 좁은 너비 부분에서나 동일한 전류가 흐르므로 '전력=(전류제곱*저항)'에 의해 좁은 너비 부분에서의 전력은 다른 부분보다 높아지므로 과전류가 인가될 경우 폴리저항(38)이 단선되어 퓨징기능을 할 수 있게 된다. 따라서, 이러한 원리를 이용하여 폴리저항(38)의 퓨징전력을 계산하여 폴리저항(38)을 패턴화하면 에미터 단자에 접속된 폴리저항이 퓨징기능을 하도록 할 수 있다.However, if the width W of a certain portion of the polyresist 38 is narrowed, the same current flows in the original width portion or the narrow width portion, so that 'power = The power in the narrow width portion is higher than the other portions by the (current square * resistance) ', so that when the overcurrent is applied, the poly resistor 38 is disconnected to enable the fusing function. Thus, by using this principle to calculate the fusing power of the poly resistor 38 to pattern the poly resistor 38 it is possible to make the poly resistor connected to the emitter terminal to perform the fusing function.

이러한 구성에 의하여, 트랜지스터의 베이스단에 저항을 연결하고 에미터단에 저항을 연결하여 하나의 칩 트랜지스터를 구성함으로써, 에미터단의 저항의 형태를 변경하여 부분적으로 저항값을 조정하여 최대전력을 조정함으로써 퓨즈기능을 하도록 할 수 있으며, 에미터단의 저항에 의해 피드백 기능을 할 수 있게 되어 베이스단으로 입력되는 입력전압(Vin)과 컬렉터 단을 통한 인가전압(Vcc) 및 엘이디의 순방향의 전압의 차이에 의한 컬렉터 전류의 변화 폭이 감소하게 되어 칩 트랜지스터는 보다 안정적으로 동작될 수 있게 된다.According to this configuration, by connecting a resistor to the base end of the transistor and a resistor to the emitter end to form a single chip transistor, the shape of the emitter end is changed to partially adjust the resistance value to adjust the maximum power. A fuse function can be used, and a feedback function can be provided by the emitter terminal resistance. Therefore, the difference between the input voltage (Vin) and the applied voltage (Vcc) through the collector stage and the forward voltage of the LED are input to the base stage. As a result, the change in the collector current is reduced, so that the chip transistor can be operated more stably.

이상 설명한 바와 같이 본 고안에 의하면, 트랜지스터의 에미터단에 저항을 직렬로 연결하여 트랜지스터와 저항을 단일의 칩으로 구성함으로써, 에미터저항이 퓨즈 역할을 하여 칩이 연결된 회로를 보호할 수 있게 된다. 또한, 에미터 저항에 의해 피드백 효과를 가지게 되므로 전원의 변동 및 트랜지스터 다수의 소자간 또는 주변 소자간의 특성 차이에 의한 컬렉터 전류 변화를 감소시켜 보다 안정적인 동작이 가능해진다.As described above, according to the present invention, by connecting a resistor in series to the emitter terminal of the transistor to configure the transistor and the resistor as a single chip, the emitter resistor acts as a fuse to protect the circuit to which the chip is connected. In addition, since the emitter resistor has a feedback effect, a more stable operation can be achieved by reducing a collector current change due to a change in power supply and a characteristic difference between a plurality of transistors or a peripheral device.

도 1은 종래의 엘이디 구동회로도,1 is a conventional LED driving circuit diagram,

도 2 및 도 3은 본 고안에 따른 엘이디 구동회로도,2 and 3 is an LED driving circuit diagram according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 칩 트랜지스터의 레이아웃 도면,4 is a layout diagram of a chip transistor according to the present invention;

도 5는 도 4의 폴리저항의 저항값 계산 수식도,5 is a formula for calculating the resistance value of the poly resistor of FIG.

도 6a 및 도 6b는 도 4의 폴리저항의 단위체적 표시도, 6A and 6B are unit volume display diagrams of the poly resistor of FIG.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

10, 20 : 칩 트랜지스터 11, 21 : 트랜지스터10, 20: chip transistor 11, 21: transistor

13, 23 : 입력측 저항 15, 25 : 에미터 저항13, 23: input side resistance 15, 25: emitter resistance

30 : 컬렉터 31 : 베이스 30: collector 31: base

32 : 에미터 33 : 베이스 콘텍 32: emitter 33: base contact

34 : 에미터 콘텍 35, 36 : 와이어 본딩부34: emitter contact 35, 36: wire bonding portion

37, 38 : 폴리저항 37, 38: Polyresist

Claims

In chip transistors,

A chip transistor comprising a transistor, a resistor connected to a base end of the transistor, and a resistor connected to an emitter end of the transistor, and configured as one element.

The chip transistor according to claim 1, wherein a resistor is connected between the base end and the emitter end.

The method of claim 1, wherein the resistance of the emitter stage is a poly resistor having a predetermined width, height, and length, and the width is made small in a predetermined region of the poly resistor to adjust the maximum power so that the poly resistor has a fuse function. A chip transistor, characterized in that.