KR200380324Y1 - Hoop for processing of wafer - Google Patents
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Abstract
본 고안은 별도로 웨이퍼의 위치를 조정하지 않아도 정위치에 안착될 수 있도록 하는 웨이퍼 가공용 후프에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing hoop that can be seated in place without adjusting the position of the wafer separately.
본 고안에 따른 웨이퍼 가공용 후프는 내측에 경사면이 형성되고 하단에 수평으로 돌출된 안착부가 형성되어, 웨이퍼를 가공하는 챔버내에 구비되어 웨이퍼를 안착시키는 웨이퍼 가공용 후프에 있어서, 상기 경사면은 후프의 상부면에서 시작되고 소정의 경사를 갖는 유도부가 형성되고, 상기 유도부의 하단에 유도부보다 급경사를 갖는 하강부가 형성되며, 상기 하강부의 하단에 하강부보다 급경사를 갖는 정치부가 형성되어, 상부에서 하부로 갈수로 경사가 급해지는 다수의 경사로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the wafer processing hoop according to the present invention, the inclined surface is formed on the inside and the mounting portion protruding horizontally at the bottom is formed, the wafer processing hoop provided in the chamber for processing the wafer to seat the wafer, the inclined surface is the upper surface of the hoop An induction part having a predetermined inclination is formed, and a lower part having a steep slope than the induction part is formed at the lower end of the induction part, and a stationary part having a steeper inclination than the lower part is formed at the lower part of the lower part, so as to go from top to bottom. It is characterized by consisting of a plurality of inclination in which the inclination is sharp.
Description
본 고안은 반도체를 가공하는 과정에서 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 가공용 후프에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 별도로 웨이퍼의 위치를 조정하지 않아도 정위치에 안착될 수 있도록 하는 웨이퍼 가공용 후프에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing hoop in which a wafer is seated in the process of processing a semiconductor. More particularly, the present invention relates to a wafer processing hoop that can be seated in place without adjusting the position of the wafer.
반도체를 가공하는 과정중에 식각 또는 증착시 챔버내에서 웨이퍼를 안착시키기 위해서 웨이퍼 가공용 후프가 제공된다.A wafer processing hoop is provided to seat the wafer in the chamber during etching or deposition during processing of the semiconductor.
이러한 웨이퍼 가공용 후프(20)는 통상적으로 알루미늄 재질로 구성되고 전체적인 형상이 링 또는 'U'자와 유사한 형태를 갖는다. 웨이퍼 가공용 후프(20)는 상단의 내경이 하단의 내경보다 크게 형성되고, 상단에서 하부로 갈수록 내경이 작아지도록 형성된다. 따라서, 웨이퍼 가공용 후프의 내측면을 살펴보면, 단면이 경사면으로 이루어진다.This wafer processing hoop 20 is typically made of aluminum and the overall shape is similar to the ring or 'U' shape. The wafer processing hoop 20 is formed such that the inner diameter of the upper end is larger than the inner diameter of the lower end, and the inner diameter decreases from the upper end to the lower end. Therefore, when looking at the inner surface of the hoop for wafer processing, the cross section is made of an inclined surface.
또한, 하단은 웨이퍼(1)가 안착될 수 있도록 내측으로 돌출된 안착부(21)가 형성된다. 안착부(21)의 상부면은 웨이퍼가 안착될 수 있도록 높이가 동일한 평면으로 형성되고, 웨이퍼(1)의 직경보다 웨이퍼 가공용 후프 하단의 내경이 조금 작게 형성되어 웨이퍼(1)가 웨이퍼 가공용 후프(20) 하단의 안착부(21)에 안착되도록 한다.In addition, the lower end is provided with a seating portion 21 protruding inward so that the wafer (1) can be seated. The upper surface of the seating portion 21 is formed in the same plane so that the wafer can be seated, and the inner diameter of the lower end of the wafer processing hoop is formed a little smaller than the diameter of the wafer 1, so that the wafer 1 is a wafer processing hoop ( 20) to be seated on the seating portion 21 at the bottom.
웨이퍼가 웨이퍼 가공용 후프에 안착된 상태에서 식각 또는 증착 과정을 통해 가공되고, 웨이퍼 가공용 후프 하단을 통하여 웨이퍼를 냉각시키는 헬륨가스를 공급한다. 웨이퍼 가공용 후프 하단의 내경이 웨이퍼의 직경보다 약간 작게 형성되어 웨이퍼 하부면의 대부분이 노출되어 있으므로 하부에서 헬륨가스를 공급하면 웨이퍼 전체를 고르게 냉각시키게 된다.The wafer is processed by etching or deposition in a state in which the wafer is seated on the wafer processing hoop, and supplies helium gas to cool the wafer through the bottom of the wafer processing hoop. Since the inner diameter of the lower end of the hoop for wafer processing is slightly smaller than the diameter of the wafer to expose most of the lower surface of the wafer, supplying helium gas from the lower side cools the entire wafer evenly.
그러나, 상기와 같은 종래의 웨이퍼 가공용 후프는 정확히 웨이퍼 가공용 후프의 안착부에 웨이퍼를 안착시키지 못하는 문제점이 있었다. 웨이퍼 가공용 후프의 내측에 형성된 경사면의 하단의 내경이 웨이퍼의 직경보다 크게 형성되어 있어서, 웨이퍼 가공용 후프에 웨이퍼가 안착된 상태에서 웨이퍼의 가장자리가 웨이퍼 가공용 후프의 내측면과 간격을 두고 안착되기 때문에 별도의 작업을 통하여 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 가공용 후프의 중심이 일치시켜야 하는 번거로움이 있었다.However, the conventional wafer processing hoop as described above has a problem in that the wafer cannot be seated accurately on the seating portion of the wafer processing hoop. Since the inner diameter of the lower end of the inclined surface formed inside the wafer processing hoop is larger than the diameter of the wafer, the edge of the wafer is seated at intervals from the inner surface of the wafer processing hoop while the wafer is seated on the wafer processing hoop. Through the work of, the center of the wafer and the center of the wafer hoop had to be matched.
또한, 초기에 웨이퍼와 웨이퍼 가공용 후프의 중심을 일치시킨 후 가공을 시작하더라도, 가공중에 웨이퍼가 이동하여 웨이퍼 가공용 후프의 중심과 웨이퍼의 중심이 일치하지 않는 현상이 종종 발생하였다. 이로 인하여 가공시 불량이 많이 발생하고, 웨이퍼의 위치를 파악하는데 애로가 있었으며, 웨이퍼의 하부로 공급되는 헬륨가스가 웨이퍼의 불균형한 상태로 인하여 상부로 유출되는 문제점이 있었다.In addition, even when the processing starts after the center of the wafer and the wafer processing hoop are initially aligned, a phenomenon in which the wafer moves during processing and the center of the wafer processing hoop does not coincide with the wafer often occurs. Due to this, a lot of defects occur during processing, there is a problem in determining the position of the wafer, there was a problem that helium gas supplied to the lower portion of the wafer flows out due to the unbalanced state of the wafer.
아울러, 웨이퍼 가공용 후프가 단순히 알루미늄으로만 제작되어 있어서, 웨이퍼를 안착시키는 과정에서 웨이퍼 가공용 후프의 웨이퍼가 과도하게 접촉하여 웨이퍼를 손상시키는 문제점도 있었다.In addition, since the wafer processing hoop is simply made of aluminum, there is a problem that the wafer of the wafer processing hoop excessively contacts and damages the wafer in the process of seating the wafer.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 별도의 작업이 필요없이도 웨이퍼 가공용 후프내에서 웨이퍼를 정확하게 안착시킬 수 있는 웨이퍼 가공용 후프를 제공하는데 목적이 있다. The present invention is designed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing hoop which can accurately seat a wafer in a wafer processing hoop without a separate work.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 고안의 웨이퍼 가공용 후프는 내측에 경사면이 형성되고 하단에 수평으로 돌출된 안착부가 형성되어, 웨이퍼를 가공하는 챔버내에 구비되어 웨이퍼를 안착시키는 웨이퍼 가공용 후프에 있어서, 상기 경사면은 후프의 상부면에서 시작되고 소정의 경사를 갖는 유도부가 형성되고, 상기 유도부의 하단에 유도부보다 급경사를 갖는 하강부가 형성되며, 상기 하강부의 하단에 하강부보다 급경사를 갖는 정치부가 형성되어, 상부에서 하부로 갈수로 경사가 급해지는 다수의 경사로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the wafer processing hoop of the present invention in order to achieve the above object, the inclined surface is formed on the inside and the mounting portion protruding horizontally is formed at the bottom, the wafer processing hoop provided in the chamber for processing the wafer seating the wafer, The inclined surface starts at an upper surface of the hoop and has a guide portion having a predetermined slope, and a lower portion having a steep slope than the guide portion is formed at the bottom of the guide portion, and a stationary portion having a steep slope than the lower portion is formed at the bottom of the lower portion. , Characterized by consisting of a plurality of inclinations in which the inclination is steep from the top to the bottom.
상기 웨이퍼 가공용 후프의 표면에는 합성수지가 코팅된 것을 특징으로 한다.The surface of the hoop for wafer processing is characterized in that the synthetic resin is coated.
여기서, 상기 합성수지는 테플론인 것이 바람직하다.Here, the synthetic resin is preferably Teflon.
이하 첨부된 도면을 이용하여 본 고안의 웨이퍼 가공용 후프를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the hoop for wafer processing of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 고안의 웨이퍼 가공용 후프(10)는 웨이퍼 가공용 후프(10)의 내측에 형성되는 경사면을 서로 기울기가 다른 3개의 경사면으로 형성하고, 표면을 합성수지를 코팅하여 이루어진다.The wafer processing hoop 10 of the present invention is formed by inclining surfaces formed inside the hoop 10 for wafer processing into three inclined surfaces having different inclinations from each other, and the surface is coated with a synthetic resin.
웨이퍼 가공용 후프(10) 내측의 경사면을 서로 다른 기울기를 갖는 유도부(12), 하강부(13), 정치부(定置部)(14)의 3개의 경사면을 형성하여, 상부에서 하부로 갈수로 경사가 급해지도록 한다.The inclined surface inside the wafer processing hoop 10 is formed with three inclined surfaces of the induction part 12, the lowering part 13, and the stationary part 14 having different inclinations, and the inclined surface is gradually inclined from the upper part to the lower part. Be urgent.
최상부에 형성되는 유도부(12)는 웨이퍼 가공용 후프(10)의 상단에서 시작되면, 완만하게 형성된다. 유도부(12)는 외부에서 이송된 안착될 수 있도록 웨이퍼 가공용 후프(10)의 상부면에서 웨이퍼(1)가 외부로 이탈하는 것을 방지하도록 한다. 수평인 웨이퍼 가공용 후프(10)의 상단에서 시작되는 유도부(12)의 경사각도는 평면에 대하여 15도 내지 25도로 형성되는 것이 바람직하다.The induction part 12 formed at the uppermost part is formed gently when it starts at the upper end of the hoop 10 for wafer processing. The induction part 12 prevents the wafer 1 from escaping outward from the upper surface of the wafer processing hoop 10 so as to be transported from the outside. The inclination angle of the induction part 12 starting at the upper end of the horizontal wafer processing hoop 10 is preferably formed to be 15 degrees to 25 degrees with respect to the plane.
상기 유도부(12)의 하단에 이어서 형성되는 하강부(13)는 상기 유도부(12)보다 급한 경사면으로 이루어지고, 유도부(12)로 유입된 웨이퍼(1)가 웨이퍼 가공용 후프의 하단으로 하강되도록 한다. 하강부(13)의 경사각은 평면에 대하여 60도 내지 75도로 형성되는 것이 바람직하다.The lower portion 13, which is formed after the lower end of the induction part 12, has a steep inclined surface than the induction part 12, and allows the wafer 1 introduced into the induction part 12 to descend to the lower end of the wafer processing hoop. . The inclination angle of the lower portion 13 is preferably formed to 60 to 75 degrees with respect to the plane.
하강부(13)의 하단은 웨이퍼(1)를 정위치에 안착시키기 위한 정치부(定置部)(14)가 형성된다. 정치부(14)의 경사는 상기 하강부(13)의 경사보다 급하게 형성되어 거의 직각에 가까우며, 정치부(14) 하단의 내경은 웨이퍼(1)의 직경과 동일하게 형성되도록 한다. 따라서, 웨이퍼(1)가 웨이퍼 가공용 후프(10)로 이송되어 하강되면, 별도의 조정없이 웨이퍼(1)의 중심과 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심이 서로 일치하게 된다. 정치부(14)의 경사각은 평면에 대하여 80도 내지 85도를 갖도록 한다.The lower end of the lower portion 13 is provided with a stationary portion 14 for seating the wafer 1 in position. The inclination of the stationary part 14 is formed more sharply than the inclination of the lowering part 13 to be almost right angle, and the inner diameter of the bottom of the stationary part 14 is formed to be equal to the diameter of the wafer 1. Accordingly, when the wafer 1 is transferred to the wafer processing hoop 10 and lowered, the center of the wafer 1 and the center of the wafer processing hoop 10 coincide with each other without any adjustment. The inclination angle of the stationary portion 14 is to have 80 to 85 degrees with respect to the plane.
정치부(14)의 하부로는 웨이퍼(1)를 안착시키는 안착부(11)가 형성된다. 안착부(11)의 형상은 종래의 웨이퍼 가공용 후프(10)에서와 마찬가지로 단면에서 보았을 때, 웨이퍼 가공용 후프(10)의 하단에서 내측으로 돌출되는 형태로 형성되고, 안착부(11)은 평면이고, 내경은 웨이퍼(1)의 직경보다 약간 작게 형성된다.In the lower part of the stationary part 14, a seating part 11 for seating the wafer 1 is formed. The shape of the seating portion 11 is formed so as to protrude inward from the lower end of the wafer processing hoop 10 as seen in the cross section as in the conventional wafer processing hoop 10, the seating portion 11 is flat The inner diameter is formed slightly smaller than the diameter of the wafer 1.
한편, 웨이퍼 가공용 후프(10)는 전체적으로, 특히 웨이퍼 가공용 후프(10)의 상부면, 유도부(12), 하강부(13), 정치부(14) 및 안착부(11)에는 합성수지를 코팅하도록 한다. 웨이퍼 가공용 후프(10)의 표면의 경도를 향상시키고, 표면조도를 향상시켜 웨이퍼(1) 표면에 스크래치가 발생하는 것을 반지학 위해서 합성수지를 코팅한다. 웨이퍼 가공용 후프(10)의 표면에는 고온인 챔버의 내부에서 견딜 수 있도록 내열성이 우수하고, 가스와 반응하지 않아 내화학성이 우수한 테플론(15), 실리콘 등을 이용할 수 있으며, 특히 테플론(15)을 이용하여 코팅하는 것이 바람직하다.On the other hand, the wafer processing hoop 10 as a whole, in particular, the upper surface of the wafer processing hoop 10, the induction part 12, the lowering portion 13, the stationary portion 14 and the mounting portion 11 to be coated with a synthetic resin. The synthetic resin is coated in order to improve the hardness of the surface of the hoop 10 for wafer processing and to improve the surface roughness and to generate scratches on the surface of the wafer 1. The surface of the hoop 10 for wafer processing may use Teflon 15, silicon, or the like having excellent heat resistance and high chemical resistance because it does not react with gas, and particularly, the Teflon 15 may be used. It is preferable to coat using.
상기와 같은 구성을 갖는 웨이퍼 가공용 후프의 작용은 다음과 같다.The action of the hoop for wafer processing having the above configuration is as follows.
로봇이 외부에서 가공을 위해서 외부에서 챔버의 내부로 웨이퍼(1)를 이송시킨 후, 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심으로 웨이퍼(1)를 이동시킨다. 웨이퍼(1)가 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심으로 이동한 상태에서 로봇이 서서히 웨이퍼(1) 하강시켜 웨이퍼 가공용 후프(10)의 안착부(11)에 안착시킨다. 로봇이 웨이퍼(1)를 서서히 하강시키면, 웨이퍼(1)는 웨이퍼 가공용 후프(10)의 내측면에 형성된 유도부(12), 하강부(13) 및 정치부(14)를 따라서 안착부(11)에 안착된다.After the robot transfers the wafer 1 from the outside to the inside of the chamber for processing from the outside, the robot 1 moves the wafer 1 to the center of the wafer processing hoop 10. The robot gradually lowers the wafer 1 while the wafer 1 moves to the center of the wafer processing hoop 10 and rests on the seating portion 11 of the wafer processing hoop 10. When the robot slowly lowers the wafer 1, the wafer 1 is placed on the seating portion 11 along the guide portion 12, the lowering portion 13, and the stationary portion 14 formed on the inner surface of the wafer processing hoop 10. It is seated.
로봇이 웨이퍼(1)의 중심과 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심을 일치시킨 상태에서 하강시키면, 바로 웨이퍼(1)가 웨이퍼 가공용 후프(10)의 안착부(11)에 안착된다.When the robot descends while the center of the wafer 1 coincides with the center of the hoop 10 for wafer processing, the wafer 1 is immediately seated on the seating portion 11 of the hoop 10 for wafer processing.
그러나, 로봇이 웨이퍼(1)의 중심과 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심을 일치시키지 못한 상태에서 하강시키면, 웨이퍼(1)의 일측이 유도부(12) 또는 하강부(13)의 경사면에 정위치로 안착된다. 종래기술에 의한 웨이퍼 가공용 후프에서 이와 같은 현상이 발생하면, 웨이퍼 가공용 후프의 중심과 웨이퍼의 중심이 서로 일치하지 않는 상태에서 안착되어 웨이퍼의 불량을 유발하게된다. 하지만, 본 고안의 웨이퍼 가공용 후프(10)에서는 로봇이 웨이퍼(1)를 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심에 위치시키지 않아도, 웨이퍼(1)가 하강되는 과정에서 자연적으로 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심과 웨이퍼(1)의 중심이 일치하게 된다. 만약, 웨이퍼(1)의 중심과 웨이퍼 가공용 후프(10)의 중심이 일치하지 않은 상태에서 하강이 시작되면, 웨이퍼(1)의 일측이 유도부(12) 또는 하강부(13)의 경사면에 닿게된다. 웨이퍼(1)의 일측이 유도부(12) 또는 하강부(13)의 경사면과 접촉한 상태에서 하강이 지속되면, 웨이퍼(1)는 하강과 동시에 수평방향으로도 이동된다. 웨이퍼 가공용 후프(10)의 내측이 하부로 갈수로 내경이 좁아지고, 특히, 하강부(13)의 하단에 이어 형성된 정치부(14)의 하단의 내경은 웨이퍼(1)의 직경과 동일하게 형성되므로, 웨이퍼(1)는 하강하면서 자연스럽게 정해진 위치에 안착된다.However, if the robot descends in a state where the center of the wafer 1 and the center of the wafer processing hoop 10 do not coincide, one side of the wafer 1 is positioned at the inclined surface of the guide portion 12 or the lower portion 13. Is seated. When such a phenomenon occurs in the wafer processing hoop according to the prior art, the center of the wafer processing hoop and the center of the wafer do not coincide with each other to cause a wafer defect. However, in the wafer processing hoop 10 of the present invention, even if the robot does not position the wafer 1 at the center of the wafer processing hoop 10, the wafer processing hoop 10 is naturally formed in the process of lowering the wafer 1. The center and the center of the wafer 1 coincide. If lowering starts when the center of the wafer 1 and the center of the wafer processing hoop 10 do not coincide with each other, one side of the wafer 1 contacts the inclined surface of the induction part 12 or the lowering part 13. . When the lowering continues while the one side of the wafer 1 is in contact with the inclined surface of the induction part 12 or the lowering part 13, the wafer 1 moves in the horizontal direction at the same time as the lowering. Since the inner diameter of the hoop 10 for wafer processing goes to the lower side, the inner diameter is narrowed, and in particular, the inner diameter of the lower end of the stationary part 14 formed following the lower end of the lowering part 13 is formed to be the same as the diameter of the wafer 1. The wafer 1 is seated in a naturally fixed position while descending.
또한, 웨이퍼 가공용 후프(10)의 내측에서 하강하는 동안에 웨이퍼 가공용 후프(10)의 내측면에 테프론(15), 실리콘과 같은 합성수지가 코팅되어 있어서, 웨이퍼(1)가 하강하면서 웨이퍼(1)의 측면과 웨이퍼 가공용 후프(10) 내측면의 접촉시 마찰에 의해서 웨이퍼(1)의 표면에 스크래치가 발생하지 않게 된다.In addition, a synthetic resin such as Teflon 15 and silicon is coated on the inner surface of the wafer processing hoop 10 while descending from the inside of the wafer processing hoop 10, so that the wafer 1 is lowered while the wafer 1 is lowered. Scratch does not occur on the surface of the wafer 1 due to friction during contact between the side surface and the inner surface of the hoop 10 for wafer processing.
이상에서 살펴본 본 고안의 웨이퍼 가공용 후프에 의하면, 별도의 과정없이도 웨이퍼 가공용 후프에 웨이퍼를 정위치시킬 수 있게된다. 웨이퍼 가공용 후프의 중심과 웨이퍼의 중심이 일치하므로, 가공시 불량이 감소하고, 센서 등에 의해서 웨이퍼의 위치를 파악하는 것이 용이해지며, 웨이퍼의 하부면으로 공급된 헬륨이 상부로 유출되는 현상도 방지할 수 있다.According to the wafer processing hoop of the present invention as described above, it is possible to place the wafer in the wafer processing hoop without a separate process. Since the center of the wafer hoop coincides with the center of the wafer, defects are reduced during processing, and the position of the wafer can be easily detected by a sensor or the like, and the helium supplied to the lower surface of the wafer is prevented from leaking upward. can do.
또한, 웨이퍼를 웨이퍼 가공용 후프로 안착시키는 과정 또는 가공후 배출하는 과정에서 웨이퍼가 웨이퍼 가공용 후프 본체를 이루는 알루미늄과 직접적으로 접촉하지 않으므로 접촉에 의해서 발생하는 이물질에 의한 불량이 감소된다. In addition, since the wafer does not directly contact the aluminum forming the hoop body for wafer processing in the process of seating the wafer into the wafer processing hoop or discharging after processing, defects due to foreign matter caused by the contact are reduced.
도1은 본 고안에 따른 웨이퍼 가공용 후프의 사시도.1 is a perspective view of a hoop for wafer processing according to the present invention;
도2는 본 고안에 따른 웨이퍼 가공용 후프의 단면도 및 부분확대도.2 is a cross-sectional view and a partially enlarged view of a hoop for wafer processing according to the present invention.
도3는 종래 기술에 따흔 웨이퍼 가공용 후프의 단면도.3 is a cross-sectional view of a hoop for wafer processing according to the prior art.
※ 도면의 주요 부호에 대한 설명 ※※ Explanation of main code of drawing ※
1 : 웨이퍼 10 : 후프1: wafer 10: hoop
11 : 안착부 12 : 유도부11: seating part 12: induction part
13 : 하강부 14 : 정치부13: descent 14: politics
15 : 테플론 20 : 후프15: teflon 20: hoop
21 : 안착부21: seating part
Claims (3)
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| KR20-2004-0036856U KR200380324Y1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Hoop for processing of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0036856U KR200380324Y1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Hoop for processing of wafer |
Publications (1)
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| KR200380324Y1 true KR200380324Y1 (en) | 2005-03-29 |
Family
ID=43681948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0036856U KR200380324Y1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Hoop for processing of wafer |
Country Status (1)
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-
2004
- 2004-12-27 KR KR20-2004-0036856U patent/KR200380324Y1/en not_active IP Right Cessation
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