KR200319202Y1 - Needle assembly of probe card - Google Patents
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Abstract
본 고안은 프로브 카드의 니들 어셈블리에 대한 것으로서, 이를 위하여 본 고안은 실리콘 재질의 박판에 일정한 간격으로 소정의 폭과 길이로 니들 유동홀(11)을 형성하고, 상기 니들 유동홀(11)의 주면으로는 소정의 두께로 절연막(12)을 형성하는 니들 가이드 플레이트(10)와; 니들 유동홀(11)의 길이방향의 일측면에 일측의 단면이 부착되고, 타측의 단면들은 니들 유동홀(11)의 주면과 소정의 유동 간극(13)을 가지며, 니들 유동홀(11)의 일측면에 부착되는 일측의 단부를 제외하고 타측은 수직의 두께가 상기 니들 가이드 플레이트(10)보다는 얇게 형성되도록 하여 상부로 수직방향으로의 유동 공간을 가지는 니들 플레이트(20)가 일체로 구비되는 구성으로 형성함으로써, 프로브 카드를 제작하는데 따른 조립성 및 생산성 향상 그리고 니들의 초소형화와 함께 니들간 간극을 대폭 축소되게 함으로써 고집적의 반도체 디바이스에도 적절히 대응하여 정확한 특성 검사를 실시할 수 있게 하고, 반도체 디바이스의 검사에 더욱 신뢰성을 증대시키게 되는 동시에 더욱 소형화되는 추세에 적절히 대응하면서 반도체 디바이스에 대한 신뢰성을 더욱 높일 수 있도록 하는데 특징이 있다.The present invention is directed to a needle assembly of the probe card, for this purpose the present invention is formed in the thin plate of silicon material to form a needle flow hole (11) at a predetermined width and length at regular intervals, the main surface of the needle flow hole (11) Needle guide plate 10 for forming the insulating film 12 to a predetermined thickness; One end surface is attached to one side surface of the needle flow hole 11 in the longitudinal direction, and the other end surfaces have a main flow surface of the needle flow hole 11 and a predetermined flow gap 13, and Except for one end attached to one side, the other side is formed such that the needle plate 20 having a flow space in the vertical direction is integrally provided so that the vertical thickness is thinner than the needle guide plate 10. In addition, the gap between the needles can be greatly reduced along with the miniaturization of the needles, as well as the assembly and productivity of the fabrication of the probe card, and the semiconductor device can be precisely inspected in accordance with the high-density semiconductor devices. Reliability in semiconductor devices while increasing reliability at the time of inspection and responding to the trend toward smaller miniaturization A has a feature to allow further increased.
Description
본 고안은 프로브 카드의 니들 어셈블리에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 디바이스의 특성 검사를 위해 구비되는 프로브 카드에서의 니들 및 이 니들을 지지하는 구성을 하나의 구성으로 일체화시키면서 반도체 디바이스의 패턴 형성에 응용되는 공정을 이용하여 극소형의 니들과 이러한 니들간 간극이 대폭적으로 축소되게 함으로서 극소형화 및 고집적화되는 반도체 디바이스에 적절히 대응하여 안정된 특성 검사를 이룰 수 있도록 하는 프로브 카드의 니들 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a needle assembly of a probe card, and more particularly, to a pattern formation of a semiconductor device while integrating a needle in a probe card and a structure for supporting the needle into one configuration. The present invention relates to a needle assembly of a probe card, which allows the microneedle and the gap between the needles to be greatly reduced by using an applied process, so that a stable characteristic test can be performed in response to a miniaturized and highly integrated semiconductor device.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(Wafer) 상에 패턴(pattern)을 형성시키는 패브리케이션(Fabrication) 공정과 패턴이 형성된 웨이퍼를 각각의 칩(Chip)으로 조립하는 어셈블리(Assembly) 공정을 통해서 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured through a fabrication process of forming a pattern on a wafer and an assembly process of assembling the wafer on which the pattern is formed into each chip.
이러한 패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 통상 웨이퍼를 구성하는 각 칩의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(Electrical Die Sorting:이하 'EDS' 라 한다) 공정을 수행하게 된다.Between the fabrication process and the assembly process, an electronic die sorting (hereinafter, referred to as "EDS") process of inspecting electrical characteristics of each chip constituting the wafer is performed.
EDS공정은 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들 중에서도 특히 불량 칩을 판별하기 위한 공정으로서, 간단히 웨이퍼를 구성하고 있는 칩들에 전기적 신호를 인가시켜 인가된 전기적 신호로부터 체크되는 신호에 의해서 불량을 판단하게 되는 검사장치를 주로 이용한다. 즉 웨이퍼를 구성하는 칩들의 전기적 검사를 위해 이들 각 칩의 패턴과 접촉되면서 전기적 신호를 인가하게 되는 다수의 니들을 구비하는 프로브 카드(probe card)라는 검사장치를 이용하게 된다.The EDS process is a process for discriminating particularly defective chips among the chips constituting the wafer. The EDS process simply applies an electrical signal to the chips constituting the wafer and checks the defect by a signal checked from the applied electrical signal. Mainly used. In other words, for the electrical inspection of the chips constituting the wafer is used a test device called a probe card (probe card) having a plurality of needles that are in contact with the pattern of each of these chips to apply an electrical signal.
프로브 카드를 이용하여 반도체 디바이스를 검사한 결과가 양품으로 판정되면 반도체 디바이스는 패키징 등의 후공정으로 이송되어 포장 등에 의해서 완성품으로서 제작된다.If the result of inspecting the semiconductor device using the probe card is determined to be good quality, the semiconductor device is transferred to a post process such as packaging and manufactured as a finished product by packaging or the like.
반도체의 전기적 특성검사는 통상 웨이퍼에 구비되는 각 반도체 디바이스의 전극 패드에 프로브 카드의 니들이 접촉되게 하고, 이 니들을 통해 별도의 테스터 장치로부터 특정의 전류를 통전시켜 그때의 전기적 특성을 측정하여 검출하게 되는 것이다.In order to inspect the electrical characteristics of a semiconductor, the needle of a probe card is usually brought into contact with the electrode pad of each semiconductor device provided on the wafer, and a specific current is supplied from a separate tester device through the needle to measure and detect the electrical characteristics at that time. Will be.
한편 최근의 반도체 디바이스는 발전을 거듭하면서 고집적화와 동시에 극소형화되는 추세이므로 이런 반도체 디바이스의 검사를 위해서는 그에 적절히 대응할 수 있는 검사장치가 필요로 되고 있으며, 이를 위해 본 출원인에 의해서 이미 다수의 특허출원을 통해 제안한 바 있고 특히 최근에는 특허출원 제2002-67655호(반도체 검사용 프로브 카드)를 통해 고집적의 반도체 디바이스의 검사가 적절하게 수행될 수 있도록 하고 있다.On the other hand, the recent development of semiconductor devices has become increasingly integrated and at the same time miniaturized, the inspection device that can respond appropriately for the inspection of such semiconductor devices, and for this purpose, the applicant has already applied a number of patent applications In particular, recently, Patent Application No. 2002-67655 (Semiconductor Inspection Probe Card) enables a proper inspection of highly integrated semiconductor devices.
이와 같은 반도체 디바이스의 검사장치에 의해 메인 기판으로부터 반도체 디바이스의 전극 패드에 접속하게 되는 니들간 간격을 최대한 좁혀지게 하는 동시에 전기적 신호의 전달 경로를 최대한 단축시키도록 한 바 있다.Such a device for inspecting a semiconductor device has shortened the gap between the needles connected to the electrode pads of the semiconductor device from the main substrate as much as possible, and at the same time, shortens the transmission path of the electrical signal.
하지만 고집적의 반도체 디바이스를 검사하기 위한 검사장치를 구현함에 있어서 니들 자체의 두께를 극소화시켜야 함은 물론 이렇게 미세한 두께를 갖는 니들간의 간격 또한 더욱 미세해져야만 한다.However, in implementing an inspection apparatus for inspecting a highly integrated semiconductor device, not only the thickness of the needle itself should be minimized, but also the spacing between the needles having such a small thickness must be made smaller.
니들 두께와 함께 니들의 간격을 미세하게 형성되도록 하기 위해서는 이들 니들을 지지하는 구성들 또한 미세한 패턴을 갖도록 형성시켜야만 할 뿐만 아니라 이런 미세한 니들에 메인 기판으로부터의 전기적 신호가 안정되게 전달되도록 연결하는 구성도 필요로 되므로 이들 구성들을 구현하기 위해서는 대단히 복잡하고 정교한 고도의 가공 기술이 필요로 되는 문제가 있다.In order to finely form the gap between the needles with the needle thickness, the components supporting these needles must also be formed to have a fine pattern, and also a structure for connecting the fine needles so as to stably transmit electrical signals from the main substrate. There is a problem that the implementation of these configurations requires a very complex and sophisticated advanced processing technology.
따라서 본 고안은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 본 고안은 니들의 두께 및 이 니들들간 간격을 더욱 미세하게 형성시킬 수가 있게 함으로써 최근의 고집적 및 극소형의 반도체 디바이스의 검사에도 적절하게 적용할 수 있도록 하는 프로브 카드를 제공하는데 주된 목적이 있다.Therefore, the present invention is devised to solve the above-mentioned problems of the prior art, and the present invention makes it possible to form the thickness of the needle and the gaps between the needles more finely, which is suitable for the inspection of the latest high-density and ultra-small semiconductor devices. The main object is to provide a probe card that can be applied easily.
또한 본 고안은 반도체 디바이스의 전극패드에 직접적으로 접촉하게 되는 니들 및 이 니들을 지지하는 구성을 단일화함으로써 조립 공정을 단축시킬 수 있도록 하여 생산성이 향상되도록 하는데 다른 목적이 있다.In addition, the present invention has another object to improve productivity by shortening the assembly process by unifying the needle and the structure for supporting the needle to be in direct contact with the electrode pad of the semiconductor device.
도 1은 본 고안에 따른 니들 어셈블리의 일실시예를 도시한 측단면도,1 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a needle assembly according to the present invention,
도 2는 도 1의 저면도,2 is a bottom view of FIG. 1;
도 3은 본 고안에 따른 니들 어셈블리의 다른 실시예를 도시한 측단면도,Figure 3 is a side cross-sectional view showing another embodiment of a needle assembly according to the present invention,
도 4는 본 고안에 따른 니들 플레이트의 작동 상태도.Figure 4 is an operating state of the needle plate according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 니들 가이드 플레이트 11 : 니들 유동홀10: needle guide plate 11: needle flow hole
12 : 절연막 13 : 유동 간극12 insulating film 13 flow gap
20 : 니들 플레이트 21 : 니들 팁20: needle plate 21: needle tip
30 : 회로 기판30: circuit board
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 실리콘 재질의 박판에 일정한 간격으로 소정의 폭과 길이로 니들 유동홀을 형성하고, 상기 니들 유동홀의 주면으로는 소정의 두께로 절연막을 형성하는 니들 가이드 플레이트와; 니들 유동홀의 길이방향의 일측면에 일측의 단면이 부착되고, 타측의 단면들은 니들 유동홀의 주면과 소정의 유동 간극을 가지며, 니들 유동홀의 일측면에 부착되는 일측의 단부를 제외하고 타측은 수직의 두께가 상기 니들 가이드 플레이트보다는 얇게 형성되도록 하여 상부로 수직방향으로의 유동 공간을 가지는 니들 플레이트로서 이루어지도록 하는 구성이다.In order to achieve the above object, the present invention forms a needle flow hole at a predetermined width and length at a predetermined interval on a thin plate made of silicon, and a needle guide plate for forming an insulating film with a predetermined thickness as a main surface of the needle flow hole. ; One end surface is attached to one side surface of the needle flow hole in the longitudinal direction, and the other end surface has a predetermined flow gap with the main surface of the needle flow hole, and the other side is vertical except for one end portion attached to one side of the needle flow hole. The thickness is formed to be thinner than the needle guide plate is configured to be made as a needle plate having a flow space in the vertical direction upwards.
또한 본 고안은 실리콘 재질의 박판에 일정한 간격으로 소정의 폭과 길이로서 니들 유동홀을 형성하고, 상기 니들 유동홀의 주면으로는 소정의 두께로 절연막을 형성하는 니들 가이드 플레이트와; 니들 유동홀의 길이방향의 일측면에 일측의 단면이 부착되고, 타측의 단면들은 니들 유동홀의 주면과 소정의 유동 간극을 가지며, 니들 유동홀의 일측면에 부착되는 일측의 단부를 제외하고 타측은 수직의 두께가 상기 니들 가이드 플레이트보다는 얇게 형성되도록 하여 상부로 수직방향으로의 유동 공간을 가지는 니들 플레이트와; 상기 니들 가이드 플레이트의 상부로 소정의 두께로서 형성되고, 판면에는 상기 니들 플레이트의 상단부와 전기적으로 접속되도록 수직의 컨텍홀을 형성하며, 컨텍홀과 상부면측에 형성한 접속패턴간을 전기적으로 연결되도록 하여 회로를 형성한 회로 기판으로서 이루어지는 구성으로 형성할 수도 있다.In addition, the present invention is a needle guide plate for forming a needle flow hole in a predetermined width and length at a predetermined interval on a thin sheet of silicon material, and forming an insulating film with a predetermined thickness as the main surface of the needle flow hole; One end surface is attached to one side surface of the needle flow hole in the longitudinal direction, and the other end surface has a predetermined flow gap with the main surface of the needle flow hole, and the other side is vertical except for one end portion attached to one side of the needle flow hole. A needle plate having a flow space in the vertical direction so that the thickness is formed thinner than the needle guide plate; It is formed as a predetermined thickness on the needle guide plate, the plate surface is formed in the vertical contact hole to be electrically connected to the upper end of the needle plate, so as to electrically connect between the contact hole and the connection pattern formed on the upper surface side It can also be formed in the structure which consists of a circuit board in which the circuit was formed.
이하 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 고안에 따른 반도체 디바이스의 특성 검사용 프로브 카드의 니들을 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view showing a needle of a probe card for characteristic inspection of a semiconductor device according to the present invention.
본 고안의 니들 어셈블리는 도시한 바와 같이 니들 가이드 플레이트(10)와 니들 플레이트(20)가 일체로 형성되도록 하는데 특징이 있는 것이다.The needle assembly of the present invention is characterized in that the needle guide plate 10 and the needle plate 20 are integrally formed as shown.
이때 니들 가이드 플레이트(10)는 실리콘 재질로서 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하고, 니들 플레이트(20)는 니들 가이드 플레이트(10)에 일체로 형성되는 도전성 물질로 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.In this case, the needle guide plate 10 is most preferably made of a silicon material, and the needle plate 20 is most preferably made of a conductive material integrally formed with the needle guide plate 10.
이를 보다 상세하게 설명하면 니들 가이드 플레이트(10)는 소정의 두께를 갖는 실리콘 재질의 박판으로 이루어지도록 하는 구성으로서, 이러한 평판의 구성에서 판면에는 일정한 간격으로 소정의 폭과 길이로서 수직으로 관통되는 니들 유동홀(11)이 형성되도록 한다.In more detail, the needle guide plate 10 is configured to be made of a thin plate of silicon material having a predetermined thickness. In this flat plate configuration, a needle penetrates vertically as a predetermined width and length at a predetermined interval on the plate surface. The flow hole 11 is formed.
니들 가이드 플레이트(10)에는 니들 유동홀(11)의 내주면과 함께 판면의 상부면 및 저면에도 일정한 두께로서 절연막(12)이 형성되도록 한다.In the needle guide plate 10, the insulating film 12 is formed to have a constant thickness on the upper and lower surfaces of the plate surface together with the inner circumferential surface of the needle flow hole 11.
이때의 절연막(12)은 산화막 및 실리콘 질화막으로서 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.At this time, the insulating film 12 is most preferably made of an oxide film and a silicon nitride film.
본 고안의 구성에서 니들 플레이트(20)는 그 자체만으로 보았을 때 재질은 도전성 물질로서 이루어진다. 이때의 도전성 물질은 화학 기상 증착에 유리한 물질로서 이루어지도록 하되 일례로 니켈이나 베릴륨 카파(beryllium copper) 및 그외의 다양한 물질로서 사용이 가능하다.In the structure of the present invention, the needle plate 20 is made of a conductive material when viewed by itself. In this case, the conductive material may be formed as a material advantageous for chemical vapor deposition, but may be used as, for example, nickel, beryllium copper, and various other materials.
니들 플레이트(20)는 구체적으로 니들 가이드 플레이트(10)에 형성되는 니들 유동홀(11)의 길이방향에서 일측면에 일측의 단면이 부착되고, 그 이외의 측단면들은 도 2에서와 같이 니들 유동홀(11)의 내주면과 소정의 유동 간극(13)을 갖도록 한 구성이다. 특히 니들 플레이트(20)는 니들 유동홀(11)에서 일측으로 부착되는 면에 일체로 "ㄴ"자 형상으로 형성되게 함으로써 니들 가이드 플레이트(10)에 부착되는 일단부를 축으로 타측이 상하로 유동할 수 있도록 한다.The needle plate 20 is specifically attached to one side of the cross-section on one side in the longitudinal direction of the needle flow hole 11 formed in the needle guide plate 10, other side cross-sections are needle flow as shown in FIG. It is a structure which has the inner peripheral surface of the hole 11, and the predetermined | prescribed flow gap 13. In particular, the needle plate 20 is formed integrally with the surface attached to one side in the needle flow hole 11 in a "b" shape so that the other end can flow up and down on one end of the shaft attached to the needle guide plate 10. To help.
또한 니들 플레이트(20)의 니들 가이드 플레이트(10)에 부착되는 일단부와 대응되는 타단부 저면에는 소정의 크기로 하향 돌출되게 니들 팁(21)을 형성한다.니들 팁(21)은 하단부가 반도체 디바이스의 접속 패드에 직접적으로 접촉되는 부위로서 접촉 저항을 최소화하기 위하여 면접촉보다는 점접촉에 의해서 접촉될 수 있도록 끝단부는 뾰족하게 형성되는 첨단의 형상으로 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.In addition, a needle tip 21 is formed on the bottom of the other end corresponding to one end attached to the needle guide plate 10 of the needle plate 20 to protrude downward in a predetermined size. It is most preferable that the end portion has a pointed shape that is pointed to be contacted by point contact rather than surface contact in order to minimize contact resistance as a portion directly contacting the connection pad of the device.
특히 니들 플레이트(20)의 상하로 요동하는 타측의 끝단부와 그에 마주하는 니들 가이드 플레이트(10)의 내주면측 절연막(12)과의 사이 유동 간극(13)은 니들 플레이트(20)의 끝단부가 상하로 요동하면서 상기 절연막(12)과의 접촉이 방지되도록 하는 충분한 공간의 폭으로서 유동 간극(13)을 형성하도록 한다.In particular, the flow gap 13 between the other end of the needle plate 20 which swings up and down of the needle plate 20 and the insulating film 12 of the inner circumferential surface of the needle guide plate 10 facing the upper and lower ends of the needle plate 20 The flow gap 13 is formed as a width of a sufficient space so that contact with the insulating film 12 is prevented while rocking.
한편 본 고안은 전기한 구성에서 도 3과 같이 회로 기판(30)이 일체로 구비되는 구성으로 형성되게 하는 것도 바람직하다.On the other hand, the present invention is also preferably configured to have a configuration in which the circuit board 30 is integrally provided as shown in FIG.
즉 회로 기판(30)은 프로브 카드의 메인 기판으로부터 니들 플레이트(20)에 전기적 신호가 원활하게 전달될 수 있도록 니들 가이드 플레이트(10)의 상부면에 일체로 증착 또는 부착되도록 하는 구성인 바, 회로 기판(30)에는 상부면에 우선 그 상측으로 구비되는 전기적 신호 연결 수단과 전기적으로 연결될 수 있도록 하는 접속 패드(31)가 형성되도록 한다.That is, the circuit board 30 is configured to be integrally deposited or attached to the upper surface of the needle guide plate 10 so that an electrical signal can be smoothly transferred from the main board of the probe card to the needle plate 20. The substrate 30 has a connection pad 31 formed on the upper surface thereof so as to be electrically connected to an electrical signal connection means provided above.
또한 회로 기판(30)에는 니들 플레이트(20)의 니들 가이드 플레이트(10)의 상단면에 동일 수평선상에 있는 니들 플레이트(20)의 일단부와 동일 수직선상의 판면에는 수직으로 콘택홀에 도전성 물질을 채워 콘택(32)이 형성되도록 하고, 이 콘택(32)의 상단부는 상부면의 접속 패드(31)와 전기적으로 연결되는 패턴이 형성되어 있다.In addition, the circuit board 30 has a conductive material perpendicular to the contact hole perpendicular to the one end of the needle plate 20 on the same horizontal line with the top surface of the needle guide plate 10 of the needle plate 20. The contact 32 is formed so that the upper end of the contact 32 is electrically connected to the connection pad 31 of the upper surface.
이와 같은 니들의 형성을 위하여 본 고안은 통상 반도체 디바이스를 제조하는데 이용되는 방법을 사용한다.In order to form such a needle, the present invention generally uses a method used to manufacture a semiconductor device.
즉 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 기판에 다양한 소자를 형성하기 위한 공정 즉 사진, 식각을 수행하는 포토 리소그라피 공정, 다양한 막질을 증착시키는 화학 기상 증착(CVD)과 같은 증착 공정 및 판면을 강제 연마하는 연마 공정들을 이용하여 본 고안을 제조한다.That is, in order to manufacture a semiconductor device, a process for forming various devices on a substrate, that is, a photolithography process for performing etching and etching, a deposition process such as chemical vapor deposition (CVD) for depositing various films, and a polishing process for forcibly polishing a plate surface The present invention is manufactured using these.
따라서 본 고안에서도 소정의 두께로서 구비되는 평판의 실리콘 판재인 니들 가이드 플레이트(10)를 이같은 포토 리소그라피 공정과 증착 공정 특히 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 공정을 사용해서 판면에 일체로 니들 플레이트(20)가 형성되도록 하는 것이다.Therefore, even in the present invention, the needle guide plate 10, which is a silicon plate of flat plate provided with a predetermined thickness, is integrally formed on the plate surface by using such a photolithography process and a deposition process, in particular, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process. Is to be formed.
이를 보다 구체적으로 설명하면 우선 니들 가이드 플레이트(10)에서 니들 유동홀(11)을 형성하는 방법은 포토 리소그라피 공정을 통해서 하게 되고, 이러한 니들 유동홀(11)에 니들 플레이트(20)를 형성하는 방법으로는 증착 공정을 사용한다.In more detail, first, a method of forming the needle flow hole 11 in the needle guide plate 10 is performed through a photolithography process, and a method of forming the needle plate 20 in the needle flow hole 11. As a deposition process is used.
다만 이러한 공정을 수행 시 반드시 하나의 공정만으로 이루어지는 것은 물론 아니다.However, this process is not necessarily made of only one process.
특히 이와 같은 제조 공정을 수행 시 니들 플레이트(20)의 측단면과 마주보게 되는 니들 유동홀(11)의 내주면으로는 소정의 두께로 절연막(12)을 형성하되 특히 "ㄴ"자 형상의 니들 플레이트(10)에서 수평으로 구비되는 부위의 측단면과 마주보거나 직접적으로 부착되는 니들 가이드 플레이트(10)측의 절연막(12)은 실리콘 질화막으로 형성되도록 하여 니들 유동홀(11)에서 니들 플레이트(10)가 부착되는상측의 산화막과는 다른 재질로서 이루어지도록 한다.In particular, the inner peripheral surface of the needle flow hole 11 which faces the side cross-section of the needle plate 20 when the manufacturing process is performed to form an insulating film 12 to a predetermined thickness, in particular "b" shaped needle plate The insulating film 12 on the needle guide plate 10 side facing or directly attached to the side cross-section of the horizontally provided portion 10 is formed of a silicon nitride film so that the needle plate 10 in the needle flow hole 11 is formed. Is made of a material different from that of the oxide film on the upper side.
이와 함께 니들 플레이트(20)에는 반도체 디바이스의 전극 패드에 접촉되도록 하는 니들 팁(21)을 저면의 일단부 즉 상하 유동하게 되는 일단부측 저면에서 소정의 높이로 하향 돌출되게 형성되도록 하는 바 이러한 니들 팁(21)은 니들 플레이트(20)에서 별도의 증착 공정을 통해 형성하게 된다.In addition, the needle plate 20 is formed such that the needle tip 21 for contacting the electrode pad of the semiconductor device protrudes downward at a predetermined height from one end of the bottom, i.e., the bottom of one end that is to be vertically flown. 21 is formed in the needle plate 20 through a separate deposition process.
한편 니들 플레이트(20)를 일체로 형성하게 되는 니들 가이드 플레이트(10)의 상부면으로는 회로 기판(30)이 일체로 증착 및 부착되게 할 수도 있다.Meanwhile, the circuit board 30 may be integrally deposited and attached to the upper surface of the needle guide plate 10 which integrally forms the needle plate 20.
즉 이러한 회로 기판(30)으로도 니들 가이드 플레이트(10)에서와 같이 포토 리소그라피 공정과 증착 공정을 이용하여 회로 패턴이 형성되도록 하는 것이다.In other words, the circuit pattern 30 is formed using the photolithography process and the deposition process as in the needle guide plate 10.
특히 니들 가이드 플레이트(10)는 상단면과 저면이 연마 공정에 의해 평탄화가 이루어지도록 하는 것이 가장 바람직하다.In particular, the needle guide plate 10 is most preferably such that the top and bottom surfaces are planarized by a polishing process.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 작용에 대해서 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation by the present invention configured as described above are as follows.
본 고안은 전술한 바와 같이 반도체 디바이스의 전극 패드에 직접적으로 접촉이 되는 니들을 하나의 구성으로 형성시키면서 니들의 간극이 더욱 조밀하게 형성되도록 하는데 특징이 있다.The present invention is characterized in that the gap between the needles is formed more densely, while forming the needles in direct contact with the electrode pads of the semiconductor device as described above.
특히 니들 가이드 플레이트(10)에서 니들 플레이트(20)는 도 4에서와 같이 일단이 소정의 각도로 상하 승강이 가능하게 구비되므로 반도체 디바이스의 전극 패드와의 접촉에 따른 충격에 대해서 완충작용을 하게 되며,In particular, the needle plate 20 in the needle guide plate 10 is provided with one end can be moved up and down at a predetermined angle, as shown in Figure 4, so as to buffer the impact caused by the contact with the electrode pad of the semiconductor device,
니들의 구성에 있어서 니들 가이드 플레이트(10)에 니들 플레이트(20)와 그리고 회로 기판(30)이 일체로 형성되게 함으로써 차후 프로브 카드를 제작하기 위한 조립 공정의 수행 시 편의를 제공하게 되는 것이다.In the needle configuration, the needle plate 20 and the circuit board 30 are integrally formed on the needle guide plate 10 to provide convenience in performing an assembly process for manufacturing a probe card.
즉 통상의 니들 어셈블리는 니들과 이 니들을 지지하는 가이드 플레이트 및 니들에 전기적 신호를 전달하는 회로 기판이 별도로 각각 구비되어 이들을 순차적으로 조립하도록 하는 것이 일반적이나 본 고안은 이들을 하나의 구성으로서 일체화시켜 프로브 카드를 제작하는데 조립을 보다 손쉽게 할 수 있도록 한다.That is, in general, a needle assembly includes a needle, a guide plate for supporting the needle, and a circuit board for transmitting an electrical signal to the needle, respectively, so that they are sequentially assembled, but the present invention integrates them as one configuration to probe This makes the card easier to assemble.
이와 함께 특히 본 고안은 반도체 디바이스의 패턴을 형성하는 미세 가공 공정을 적용하여 니들 플레이트(20)와 이 니들 플레이트(20)간 간극을 형성함으로서 점차 극소형화 및 고집적화되어 가는 반도체 디바이스의 패턴에 효과적으로 대응할 수 있는 프로브 카드를 제공할 수가 있도록 한다.In addition, the present invention, in particular, forms a gap between the needle plate 20 and the needle plate 20 by applying a microfabrication process for forming a pattern of the semiconductor device to effectively cope with the pattern of semiconductor devices that are gradually miniaturized and highly integrated. It is possible to provide a probe card.
상술한 바와 같이 본 고안은 반도체 디바이스의 전극 패드에 접촉하는 니들어셈블리의 구성을 하나의 구성에 일체로 형성되게 하면서 반도체 디바이스의 패턴 형성 공정을 이용하여 제작되게 함으로서 프로브 카드를 제작하는데 따른 조립성 및 생산성 향상 그리고 니들의 초소형화와 함께 니들간 간극을 대폭 축소되게 함으로써 고집적의 반도체 디바이스에도 적절히 대응하여 정확한 특성 검사를 실시할 수 있도록 한다.As described above, the present invention allows the assembly of the needle assembly in contact with the electrode pad of the semiconductor device to be fabricated using a pattern forming process of the semiconductor device while being integrally formed in one configuration. In addition to improving productivity and minimizing the needle, the gap between the needles is greatly reduced, so that accurate characteristic inspection can be performed in response to high-density semiconductor devices.
따라서 본 고안은 반도체 디바이스의 검사에 더욱 신뢰성을 증대시키게 되는 동시에 더욱 소형화되는 추세에 적절히 대응하면서 반도체 디바이스의 신뢰성을 높이게 되는 매우 유용한 효과를 제공하게 된다.Therefore, the present invention provides a very useful effect of increasing the reliability of the semiconductor device while appropriately responding to the trend of miniaturization while increasing reliability in inspecting the semiconductor device.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2003-0011148U KR200319202Y1 (en) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | Needle assembly of probe card |
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Family Applications (1)
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