KR20030094629A - Clock enable buffer - Google Patents

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KR20030094629A
KR20030094629A KR1020020031852A KR20020031852A KR20030094629A KR 20030094629 A KR20030094629 A KR 20030094629A KR 1020020031852 A KR1020020031852 A KR 1020020031852A KR 20020031852 A KR20020031852 A KR 20020031852A KR 20030094629 A KR20030094629 A KR 20030094629A
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clock enable
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voltage
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KR1020020031852A
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Inventor
이강설
김용미
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주식회사 하이닉스반도체
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

Abstract

PURPOSE: A clock enable buffer is provided to certainly prevent the mis-operation during the initialization of the clock enable buffer by not accepting any command and address when the clock enable signal is 'L' state. CONSTITUTION: A clock enable buffer includes a clock enable buffering unit(100) and an initialization unit(210). The clock enable buffering unit(100) generates an output signal by comparing the size of the clock enable signal inputted to the second NMOS transistor gate with that of the reference voltage inputted to the first NMOS transistor gate in response to the input signal. And, the initialization unit(210) is placed between the clock enable buffering unit(100) and the ground voltage so as to operate the clock enable buffering unit(100) when the level of the reference voltage becomes larger than the threshold voltage by using the reference voltage as a control signal of the gate.

Description

클럭 인에이블 버퍼{Clock Enable Buffer}Clock Enable Buffer

본 발명은 반도체 기억 장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체 기억 장치에서 내부 전원 전위를 초기화시키는 클럭 인에이블 버퍼에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to a clock enable buffer for initializing an internal power supply potential in a semiconductor memory device.

반도체 기억 장치에서 입력 버퍼로서 다이나믹 버퍼를 사용할 때에 외부전원전위에 의해 만들어지는 실제 기준전압이 목표 기준전압보다 낮다면 클럭 인에이블 버퍼의 초기화시 오동작을 초래하게 된다.When the dynamic buffer is used as the input buffer in the semiconductor memory device, if the actual reference voltage generated by the external power potential is lower than the target reference voltage, a malfunction occurs when the clock enable buffer is initialized.

도 1A 및 도 1B는 일반적인 반도체 기억 장치의 초기화 사양에 관한 파형도이다.1A and 1B are waveform diagrams relating to initialization specifications of a general semiconductor memory device.

외부 전원 전압이 들어오는 순서는 DRAM 내부에서 사용되는 VDD 전압이 가장 먼저 들어오고, VDD 전압과 동시 혹은 조금 늦게 입출력 버퍼측에서 사용되는 DQ용 VDDQ 전압이 들어오며, VDDQ 전압보다 늦게 기준전압 VREF가 들어온다.In order for the external power voltage to come in, the VDD voltage used inside the DRAM comes first, followed by the VDDQ voltage for the DQ used at the input / output buffer side at the same time or slightly later than the VDD voltage, and the reference voltage VREF comes later than the VDDQ voltage. .

도 1B를 참조하여 초기화 사양을 좀 더 구체적으로 살펴보면, VDD가 올라간 후에도 LVCMOS(3.3V와 같이 저전압에서 동작할 수 있는 CMOS 트랜지스터)가 "L"상태로 지정되어 있고, 그 외에 클럭(CLK), 커맨드(CMD), 어드레스(ADDRESS) 및 기준전압(VREF)까지 DON'T CARE로 되어 있다. 즉, 이 부분에서는 클럭이 들어올 수도 있고, 기준전압(VREF)이 "L"상태일 수도 있으며, 어드레스/커맨드 역시 어떤 것이든지 들어올 수 있다. 이 때, 기준전압(VREF)이 엔모스트랜지스터의 문턱전압(Vth)보다 높으면 반도체 기억 장치는 파워 다운으로 인식하고 페일(fail) 발생이 없으나, 기준전압(VREF)이 문턱전압(Vth)보다 낮으면 페일(fail)가 발생하게 된다.Looking at the initialization specification in more detail with reference to Fig. 1B, the LVCMOS (a CMOS transistor capable of operating at a low voltage such as 3.3V) is set to the "L" state even after VDD is raised, and the clock CLK, The command CMD, the address ADDRESS and the reference voltage VREF are DON'T CARE. That is, the clock may come in, the reference voltage VREF may be in the "L" state, and any address / command may come in. At this time, if the reference voltage VREF is higher than the threshold voltage Vth of the NMOS transistor, the semiconductor memory device recognizes the power down and there is no failure, but the reference voltage VREF is lower than the threshold voltage Vth. If so, a fail will occur.

도 2는 종래기술에 따른 클럭인에이블 버퍼 회로도이다.2 is a clock enable buffer circuit diagram according to the prior art.

입력신호(EN)는 파워 업 신호 및 다른 제어 신호와의 조합일 수 있고, 입력신호(EN)에 의해 버퍼가 켜졌을 때, 기준전압(VREF)과 클럭인에이블신호(CKE) 모두 문턱전압(Vth)이하이면 풀 다운 트랜지스터 NM2, NM3은 모두 차단되고 aa노드는 "H"상태가 될 가능성이 높고, 클럭 인에이블 신호(CKE)를 "L"상태로 인식한 것과 같아 클럭이 들어올 때 반도체 기억 장치는 파워 다운 상태가 된다.The input signal EN may be a combination of a power-up signal and another control signal, and when the buffer is turned on by the input signal EN, both the reference voltage VREF and the clock enable signal CKE may have threshold voltages. Below Vth), the pull-down transistors NM2 and NM3 are all blocked and the aa node is likely to be in the "H" state, and when the clock is turned on as if the clock enable signal (CKE) was recognized as the "L" state. The device is in a power down state.

그러나, 피모스트랜지스터 (PM1, PM2, PM3, PM4) 역시 거의 꺼진 상태이므로 aa 노드는 거의 플로팅된 것이나 마찬가지이며, 따라서 잡음에 의해 "L"상태로 전환될 가능성이 있다. 만일 "L"상태로 전환되면 클럭 인에이블 신호가 "H"상태로 인식된 결과이므로 어드레스/커맨드 버퍼들을 인에이블시켜 입력을 받아들이게 된다.However, since the PMOS transistors PM1, PM2, PM3, and PM4 are also almost turned off, the node aa is almost floating, and therefore, there is a possibility of switching to the "L" state by noise. If it is switched to the "L" state, the clock enable signal is a result of being recognized as the "H" state, so the address / command buffers are enabled to accept the input.

이와 같이 되면, 원하지 않는 커맨드와 어드레스가 들어가게 되어 페일(fail)이 유발되고, 커맨드가 모두 "L"상태이면 MRS 세팅(Mode Register Set : 유형 기억 세팅)을 실행하게 되어 컬럼 어드레스 스트로브 레이턴시(CAS Latency: CL), 버스트 렝쓰(Bursr Length: BL), 버스트 타입(Burst Type: BT) 등을 원하지 않는 방행으로 세팅할 수도 있고, 지워비릴 수도 있다. 즉, 일리걸 MRS로 인하여 반도체 기억 장치내의 모든 CL, BL, BT의 플래그 신호가 모두 "L"상태로 될 수 있다.In this case, unwanted commands and addresses are entered, causing a failure, and when all the commands are in the "L" state, the MRS setting (Mode register set) is executed to execute the column address strobe latency (CAS Latency). : CL), Burst Length (BL), Burst Type (BT), etc. can be set as desired or erased. That is, the flag signals of all the CL, BL, and BT in the semiconductor memory device may all be in the "L" state due to the illicit MRS.

도 3은 종래기술에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 시뮬레이션 파형도이다.3 is a simulation waveform diagram of a clock enable buffer according to the prior art.

클럭 인에이블 버퍼는 입력 신호(EN)가 "H"상태로 열려 있고, 클럭 인에이블 신호(CKE)가 VIL(VIL은 입력전압을 논리적으로 "L"상태로 인식하는 전압의 범위를 의미함)을 만족하는 상태에서 기준전압 VREF가 늦게 들어오는 경우, 즉 기준전압의 레벨이 낮은 경우에는 출력신호(out0)가 "H"상태를 유지해서 클럭 인에이블신호(CKE)가 "H"상태인 것처럼 동작하게 되어 클럭 및 모든 버퍼를 열어주기 때문에 페일(fail)을 야기시키는 문제가 있다.In the clock enable buffer, the input signal EN is opened in the "H" state, and the clock enable signal CKE is VIL (VIL means a voltage range in which the input voltage is logically recognized as the "L" state.) When the reference voltage VREF comes in late, i.e. when the level of the reference voltage is low, the output signal out0 remains "H" so that the clock enable signal CKE is "H". This opens up the clock and all the buffers, causing a problem.

즉, 클럭 인에이블 버퍼의 초기화에 있어서, 클럭 인에이블 신호가 "L"상태일 때에는 어떠한 명령 및 어드레스도 받아들이지 못해야 하는데, 기준전압이 늦게 들어오면 클럭 인에이블 신호 자체가 "L"상태이다 하더라도 "H"상태로 인식하여 파워 다운 모드로 들어가는 것이 아니라 클럭 인에이블 버퍼를 포함한 모든 버퍼를 인에이블 시켜 에러를 초래하게 된다.That is, in the initialization of the clock enable buffer, when the clock enable signal is in the "L" state, no commands and addresses should be accepted. When the reference voltage comes in late, the clock enable signal itself is in the "L" state. Instead of going into the power-down mode by recognizing the "H" state, all buffers, including the clock enable buffer, are enabled, causing an error.

상기의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 초기화시 기준전압이 일정 레벨 이상에 도달한 후에 버퍼를 열어줄 수 있는 클럭 인에이블 버퍼를 제공하는 데에 목적이 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a clock enable buffer that can open a buffer after a reference voltage reaches a predetermined level or more at initialization.

도 1A 및 도 1B는 일반적인 반도체 기억 장치의 초기화 사양에 관한 파형도,1A and 1B are waveform diagrams relating to initialization specifications of a general semiconductor memory device;

도 2는 종래기술에 따른 클럭인에이블 버퍼 회로도,2 is a clock enable buffer circuit diagram according to the prior art;

도 3은 종래기술에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 시뮬레이션 파형도,3 is a simulation waveform diagram of a clock enable buffer according to the prior art;

도 4는 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 제1 실시예 회로도,4 is a circuit diagram of a first embodiment of a clock enable buffer according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 제2 실시예 회로도,5 is a circuit diagram of a second embodiment of a clock enable buffer according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 제3 실시예 회로도,6 is a circuit diagram of a third embodiment of a clock enable buffer according to the present invention;

도 7A 및 7B는 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 시뮬레이션 파형도.7A and 7B are simulated waveform diagrams of a clock enable buffer in accordance with the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 클럭 인에이블 버퍼링부100: clock enable buffering unit

210, 220, 230 : 초기화 안정부210, 220, 230: Initialization stabilizer

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 클럭 인에이블 버퍼는 입력신호에 응답하여 제1 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 기준전압과 제2 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호의 크기를 비교하여 출력신호를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링수단; 및 상기 기준전압을 게이트의 제어신호로 사용하여 상기 기준전압의 레벨이 문턱전압 이상이 되면 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단이 동작하도록 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단과 접지전압측의 사이에 위치한 초기화 안정수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the clock enable buffer of the present invention compares a reference voltage input to a first NMOS transistor gate with a magnitude of a clock enable signal input to a second NMOS transistor gate in response to an input signal. Clock enable buffering means for generating an output signal; And an initialization stabilization means located between the clock enable buffering means and the ground voltage side so that the clock enable buffering means operates when the reference voltage is above a threshold voltage using the reference voltage as a control signal of a gate. It is characterized by including.

또한, 본 발명의 클럭 인에이블 버퍼는 입력신호에 응답하여 제1 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 기준전압과 제2 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호의 크기를 비교하여 출력신호를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링수단; 및 출력측 전원전압을 게이트 제어신호로 사용하여 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단과 접지전압측 사이의 제3 엔모스 트랜지스터을 턴온시킴으로써 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단을 인에블시키고, 상기 출력측 전원전압을 게이트 제어신호로 사용하여 입력측 전원전압과 출력단 사이의 제1 피모스 트랜지스터를 턴온시킴으로써 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단을 디저블시키는 초기화 안정수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the clock enable buffer of the present invention generates an output signal by comparing the magnitude of the reference voltage input to the first NMOS transistor gate with the magnitude of the clock enable signal input to the second NMOS transistor gate in response to an input signal. Clock enable buffering means; And turning on the third NMOS transistor between the clock enable buffering means and the ground voltage side by using an output side power supply voltage as a gate control signal to enable the clock enable buffering means, and outputting the output side power supply voltage to a gate control signal. And an initialization stabilizing means for deactivating the clock enable buffering means by turning on a first PMOS transistor between an input side power supply voltage and an output terminal.

바람직하게는, 본 발명의 상기 초기화 안정수단은, 상기 출력측 전원전압단과 제3 엔모스 트랜지스터 사이에는 상기 출력 전원전압의 레벨이 엔모스 트랜지스터의 문턱전압의 1배 내지 2배에 이르렀는지를 감지할 수 있도록 복수의 버퍼를 직렬접속하여 사용하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the initialization stabilization means of the present invention detects whether the level of the output power supply voltage reaches between one and two times the threshold voltage of the NMOS transistor between the output side power supply voltage terminal and the third NMOS transistor. A plurality of buffers are connected in series so as to be used.

또한, 본 발명의 클럭 인에이블 버퍼는 출력측 전원전압이 일정 레벨에 이르렀음이 감지되면 제어신호의 제어에 의해 출력시키는 초기화안정수단; 및 상기 초기화안정수단으로부터 출력되는 신호를 입력신호로 사용하고, 상기 입력신호에 응답하여 제1 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 기준전압과 제2 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호의 크기를 비교하여 출력신호를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the clock enable buffer of the present invention includes an initialization stabilizing means for outputting by the control of the control signal when it is detected that the output side power supply voltage has reached a predetermined level; And a signal output from the initialization stabilization means as an input signal, and the magnitude of the reference voltage input to the first NMOS transistor gate and the clock enable signal input to the second NMOS transistor gate in response to the input signal. And clock enable buffering means for generating an output signal in comparison.

바람직하게는, 본 발명의 상기 초기화 안정수단은, 상기 출력측 전원전압의 레벨이 엔모스 트랜지스터의 문턱전압의 1배 내지 2배에 이르렀는지를 감지할 수 있도록 복수의 버퍼를 직렬접속하여 사용하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the initialization stabilization means of the present invention is to use a plurality of buffers in series so as to detect whether the level of the output-side power supply voltage reaches 1 to 2 times the threshold voltage of the NMOS transistor. It features.

본 발명은 종래기술의 버퍼 인에이블 트랜지스터에 직렬로 연결되고 게이트가 기준전압에 의해 제어되는 엔모스트랜지스터를 사용함으로써 클럭 인에이블 버퍼의 초기화 페일을 제거하거나, 기준전압(VREF) 자체가 VDDQ 전압과 VSSQ 전압으로부터 분압되어 출력되는 전원이므로 VDDQ 전압의 레벨을 검출하여 버퍼를 열어주도록 함으로써 초기화 페일을 제거한다.The present invention eliminates the initialization failure of the clock enable buffer by using an NMOS transistor connected in series with a buffer enable transistor of the prior art and whose gate is controlled by a reference voltage, or the reference voltage VREF itself is equal to the VDDQ voltage. Since the power is divided and output from the VSSQ voltage, the initialization fail is eliminated by detecting the VDDQ voltage level and opening the buffer.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 본 발명의 가장 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention. .

도 4는 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 제1 실시예 회로도이다.4 is a circuit diagram of a first embodiment of a clock enable buffer according to the present invention.

본 발명의 제1 실시예는 입력신호(EN)에 응답하여 엔모스 트랜지스터(NM2) 게이트에 입력되는 기준전압(VREF)과 엔모스 트랜지스터(NM3) 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호(CKE)의 크기를 비교하여 출력신호(out)를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링부(100)와, 기준전압(VREF)을 게이트의 제어신호로 사용하여 기준전압(VREF)의 레벨이 문턱전압 이상이 되면 클럭 인에이블 버퍼링부(100)가 동작하도록 클럭 인에이블 버퍼링부(100)와 접지전위(VSSI) 사이에 위치한 엔모스 트랜지스터(N0)로 된 초기화 안정부(210)로 구성된다.According to the first embodiment of the present invention, the reference voltage VREF input to the NMOS transistor NM2 and the clock enable signal CKE input to the NMOS transistor NM3 in response to the input signal EN are provided. The clock enable buffering unit 100 that compares the magnitude and generates the output signal out, and the reference voltage VREF is used as a control signal of the gate, and when the level of the reference voltage VREF becomes greater than or equal to the threshold voltage, the clock in The enable buffering unit 100 includes an initialization stabilizer 210 formed of an NMOS transistor NO located between the clock enable buffering unit 100 and the ground potential VSSI to operate.

기준전압의 레벨이 엔모스 트랜지스터(N0)의 문턱전압 이상일 때에만 클럭인에이블 버퍼핑부(100)가 동작하도록 하여 기준전압이 문턱전압보다 낮은 레벨일 때에는 클럭 인에이블 버퍼링부(100)가 동작을 하지 않으므로 출력단(OUT)이 "L"상태가 되어 파워 다운 상태가 되고, 결국 클럭 인에이블 버퍼의 초기화 페일이 발생하지 않는다.The clock enable buffering unit 100 operates only when the level of the reference voltage is greater than or equal to the threshold voltage of the NMOS transistor N0. When the reference voltage is lower than the threshold voltage, the clock enable buffering unit 100 operates. As a result, the output terminal OUT is turned to the "L" state, and the power-down state is not established. Consequently, the initialization failure of the clock enable buffer does not occur.

도 5는 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 제2 실시예 회로도이다.5 is a circuit diagram of a second embodiment of a clock enable buffer according to the present invention.

본 발명의 제2 실시예는 입력신호(EN)에 응답하여 엔모스 트랜지스터(NM2) 게이트에 입력되는 기준전압(VREF)과 엔모스 트랜지스터(NM3) 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호(CKE)의 크기를 비교하여 출력신호(out)를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링부(100)와, 출력측 전원전압(VDDQ)을 게이트 제어신호로 사용하여 클럭 인에이블 버퍼링부(100)와 접지전압(VSSI)사이의 엔모스 트랜지스터(N1)을 턴온시킴으로써 클럭 인에이블 버퍼링부(100)를 인에블시키고, 출력측 전원전압(VDDQ)을 게이트 제어신호로 사용하여 입력측 전원전압(VDDI)과 출력단 사이의 피모스 트랜지스터(P1)를 턴온시킴으로써 클럭 인에이블 버퍼링부(100)를 디저블시키는 초기화 안정부(220)로 구성된다. 여기서, 출력측 전원전압(VDDQ)을 엔모스 트랜지스터(N1)의 게이트 제어신호로 사용함에 있어서는 VDDQ 전압이 일정 레벨(예를 들어, 문턱전압의 1배 내지 2배)에 이르렀는지를 감지할 수 있도록 버퍼(I0, I1)를 사용하여 기준전압이 낮은 레벨에서는 클럭 인에이블 버퍼가 동작을 하지 않으므로 출력단(out)이 "L"상태가 되어 파워 다운 상태가 된다.According to the second exemplary embodiment of the present invention, the reference voltage VREF input to the NMOS transistor NM2 and the clock enable signal CKE input to the NMOS transistor NM3 in response to the input signal EN are provided. The clock enable buffering unit 100 which compares the magnitude and generates the output signal out, and the clock enable buffering unit 100 and the ground voltage VSSI using the output power supply voltage VDDQ as a gate control signal. Turn on the NMOS transistor N1 to enable the clock enable buffering unit 100, and use the output side power supply voltage VDDQ as a gate control signal, and the PMOS transistor between the input side power supply voltage VDDI and the output terminal. It consists of an initialization stabilizer 220 that deactivates the clock enable buffering unit 100 by turning on P1. Here, when the output side power supply voltage VDDQ is used as the gate control signal of the NMOS transistor N1, it is possible to detect whether the VDDQ voltage reaches a predetermined level (for example, 1 to 2 times the threshold voltage). Since the clock enable buffer does not operate at the level where the reference voltage is low by using the buffers I0 and I1, the output end becomes the "L" state and the power-down state.

도 6은 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 제3 실시예 회로도이다.Figure 6 is a circuit diagram of a third embodiment of a clock enable buffer according to the present invention.

본 발명의 제3 실시예에서는 입력신호(EN)에 응답하여 엔모스트랜지스터(NM2) 게이트에 입력되는 기준전압(VREF)과 엔모스 트랜지스터(NM3) 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호(CKE)의 크기를 비교하여 출력신호(out)를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링부(100)와, 클럭 인에이블 버퍼링부(100)에 입력되는 입력신호(EN)로서 버퍼(I2, I3)를 통과한 출력측 전원전압(VDDQ)이 일정 레벨에 이르렀음이 감지되면 셀프 리프레쉬 혹은 파워 다운과 관련된 제어신호(CNTL)에 의해 출력되는 신호를 사용하는 초기화안정부(230)로 구성된다. 여기서, 초기화 안정부(230)내 CKE_CTRL블럭은 출력측 전원전압(VDDQ)과 제어신호(CNTL)를 입력으로 하는 낸드 게이트와 낸드 게이트 출력에 인버터가 접속되거나 노아 게이트만으로 구성될 수 있다.According to the third embodiment of the present invention, the reference voltage VREF input to the NMOS transistor NM2 and the clock enable signal CKE input to the NMOS transistor NM3 gate in response to the input signal EN are applied. The output power supply that has passed through the buffers I2 and I3 as the input signal EN inputted to the clock enable buffering unit 100 and the clock enable buffering unit 100 to generate the output signal out by comparing the magnitudes. When it is detected that the voltage VDDQ has reached a predetermined level, it is configured as an initialization stabilizer 230 using a signal output by the control signal CNTL related to self refresh or power down. Here, the CKE_CTRL block in the initialization stabilizer 230 may include an NAND gate and a NOR gate output connected to the NAND gate and the NAND gate output which input the output side power supply voltage VDDQ and the control signal CNTL.

도 7A 및 7B는 본 발명에 따른 클럭 인에이블 버퍼의 시뮬레이션 파형도이다.7A and 7B are simulation waveform diagrams of a clock enable buffer according to the present invention.

도 7A는 도 4에 개시된 본 발명의 제1 실시예의 시뮬레이션 결과로서, 기준전압이 낮은 구간에서도 출력이 "L"상태를 유지하기 때문에 파워 다운 상태가 되어 오동작이 방지됨을 알 수 있다.FIG. 7A is a simulation result of the first embodiment of the present invention disclosed in FIG. 4, and it can be seen that the output is maintained in the "L" state even in a period where the reference voltage is low, thereby preventing the malfunction.

도 7B는 도 5에 개시된 본 발명의 제2 실시예 및 도 6에 개시된 제3 실시예의 시뮬레이션 결과로서, 기준전압이 VDDQ 전압과 VSSQ 전압에 의해 분압되는 것을 이용하여 VDDQ 전압을 입력신호에 사용함으로써 출력이 "L"상태를 유지하기 때문에 파워 다운 상태가 되어 오동작이 방지된다.FIG. 7B is a simulation result of the second embodiment of the present invention disclosed in FIG. 5 and the third embodiment disclosed in FIG. 6, by using the VDDQ voltage as an input signal by using a voltage divided by the VDDQ voltage and the VSSQ voltage. Since the output remains in the "L" state, it goes into a power-down state, preventing malfunction.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지로치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니다.The present invention described above is capable of various substitutions, modifications, and changes without departing from the technical spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It is not limited to.

상기와 같은 구성에 따라 본 발명은 클럭 인에이블 신호가 "L"상태인 경우에는 어떠한 커맨드 및 어드레스도 받아들이지 않아 클럭 인에이블 버퍼의 초기화시 오동작을 확실히 방지하는 우수한 효과가 있다.According to the above configuration, the present invention has an excellent effect of reliably preventing a malfunction during initialization of the clock enable buffer by not accepting any command or address when the clock enable signal is in the "L" state.

Claims (5)

입력신호에 응답하여 제1 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 기준전압과 제2 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호의 크기를 비교하여 출력신호를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링수단; 및Clock enable buffering means for generating an output signal by comparing a reference voltage input to the first NMOS transistor gate with a magnitude of a clock enable signal input to the second NMOS transistor gate in response to an input signal; And 상기 기준전압을 게이트의 제어신호로 사용하여 상기 기준전압의 레벨이 문턱전압 이상이 되면 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단이 동작하도록 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단과 접지전압측의 사이에 위치한 초기화 안정수단Initialization stabilization means located between the clock enable buffering means and the ground voltage side so that the clock enable buffering means operates when the reference voltage is above a threshold voltage using the reference voltage as a control signal of a gate. 을 포함하는 것을 특징으로 하는 클럭 인에이블 버퍼.The clock enable buffer comprising a. 입력신호에 응답하여 제1 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 기준전압과 제2 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호의 크기를 비교하여 출력신호를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링수단; 및Clock enable buffering means for generating an output signal by comparing a reference voltage input to the first NMOS transistor gate with a magnitude of a clock enable signal input to the second NMOS transistor gate in response to an input signal; And 출력측 전원전압을 게이트 제어신호로 사용하여 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단과 접지전압측 사이의 제3 엔모스 트랜지스터을 턴온시킴으로써 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단을 인에블시키고, 상기 출력측 전원전압을 게이트 제어신호로 사용하여 입력측 전원전압과 출력단 사이의 제1 피모스 트랜지스터를 턴온시킴으로써 상기 클럭 인에이블 버퍼링수단을 디저블시키는 초기화 안정수단The clock enable buffering means is enabled by turning on a third NMOS transistor between the clock enable buffering means and the ground voltage side by using an output power supply voltage as a gate control signal, and the output power supply voltage is used as a gate control signal. Initialization stabilizing means for disabling said clock enable buffering means by turning on a first PMOS transistor between an input side power supply voltage and an output terminal 을 포함하는 것을 특징으로 하는 클럭 인에이블 버퍼.The clock enable buffer comprising a. 제2항에 있어서, 상기 초기화 안정수단은,The method of claim 2, wherein the initialization stabilization means, 상기 출력측 전원전압단과 제3 엔모스 트랜지스터 사이에는 상기 출력 전원전압의 레벨이 엔모스 트랜지스터의 문턱전압의 1배 내지 2배에 이르렀는지를 감지할 수 있도록 복수의 버퍼를 직렬접속하여 사용하는 것을 특징으로 하는 클럭 인에이블 버퍼.A plurality of buffers are connected in series between the output power supply voltage terminal and the third NMOS transistor so as to detect whether the level of the output power supply voltage reaches 1 to 2 times the threshold voltage of the NMOS transistor. Clock enable buffer. 출력측 전원전압이 일정 레벨에 이르렀음이 감지되면 제어신호의 제어에 의해 출력시키는 초기화안정수단; 및Initialization stabilizing means for outputting, by the control of the control signal, if it is detected that the output side power supply voltage reaches a predetermined level; And 상기 초기화안정수단으로부터 출력되는 신호를 입력신호로 사용하고, 상기 입력신호에 응답하여 제1 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 기준전압과 제2 엔모스 트랜지스터 게이트에 입력되는 클럭인에이블신호의 크기를 비교하여 출력신호를 발생하는 클럭 인에이블 버퍼링수단The signal output from the initialization stabilization means is used as an input signal, and the magnitude of the clock enable signal input to the second NMOS transistor gate is compared with the reference voltage input to the first NMOS transistor gate in response to the input signal. Clock enable buffering means for generating an output signal 을 포함하는 것을 특징으로 하는 클럭 인에이블 버퍼.The clock enable buffer comprising a. 제4항에 있어서, 상기 초기화 안정수단은,The method of claim 4, wherein the initialization stabilization means, 상기 출력측 전원전압의 레벨이 엔모스 트랜지스터의 문턱전압의 1배 내지 2배에 이르렀는지를 감지할 수 있도록 복수의 버퍼를 직렬접속하여 사용하는 것을특징으로 하는 클럭 인에이블 버퍼.And a plurality of buffers connected in series so as to detect whether the level of the output power voltage reaches 1 to 2 times the threshold voltage of the NMOS transistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7948272B2 (en) 2003-11-27 2011-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Input buffer for detecting an input signal

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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