KR20030093367A - Pink Light-emitting diode and Method of Manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 핑크색 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에폭시분말 수지에 가넷계 형광체를 혼합한 혼합 분말을 이용하여 청색 발광 다이오드 칩을 트랜스퍼 몰딩함으로써, 발광 다이오드 칩에서 발광되는 청색광의 파장을 전환시켜 핑크광을 구현하는 핑크 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a pink light emitting diode, and more particularly, by molding a blue light emitting diode chip using a mixed powder of a garnet-based phosphor mixed with an epoxy powder resin, thereby converting the wavelength of blue light emitted from the light emitting diode chip. The present invention relates to a pink light emitting diode implementing pink light.
종래 핑크 발광 다이오드는 일본국 스미토모덴키고교 가부시키가이시에 의해 출원된 대한민국 특허출원번호 제 1999-0027851호 및 제 1999-0030713호에 제시된 것과 같이, ZnSe 기판에 적색의 자기 여기 발광용 불순물을 조합하여 제작된다.The conventional pink light emitting diode combines red self-excited light-emitting impurities on a ZnSe substrate, as shown in Korean Patent Application Nos. 1999-0027851 and 1999-0030713, filed by Sumitomo Denki Kogakushi, Japan. Is produced.
상기 발광 다이오드는 활성층이 증착되는 기판 특히, ZnSe 기판에 발광 중심으로서 요드, 알루미늄, 염소, 브롬, 갈륨, 인듐과 같은 불순물을 도프하여, 상기 기판위에 n형 버퍼층, n형 피복층, 활성층, p형 피복층, p형 콘택트층을 에피택셜 성장시킨 것이다.The light emitting diode is doped with impurities such as iodine, aluminum, chlorine, bromine, gallium, and indium as a light emitting center on a substrate on which an active layer is deposited, particularly a ZnSe substrate, and an n-type buffer layer, an n-type coating layer, an active layer, and a p-type layer on the substrate. The coating layer and the p-type contact layer were epitaxially grown.
따라서, 발광 다이오드는 활성층에서 방출된 일부의 청색광이 기판에 도프된 불순물인, 형광체에 흡수되어 적색으로 여기 발광되고, 일부의 청색광과, 적색 파장에 이르는 가시광선으로 발광 파장이 변환된 변환광이 조합되어 핑크광이 형성된다.Therefore, the light emitting diode absorbs some of the blue light emitted from the active layer into the phosphor, which is an impurity doped in the substrate, is excited in red, and some of the blue light and the converted light in which the emission wavelength is converted into visible light reaching the red wavelength are used. In combination, pink light is formed.
그러나, 종래 핑크 발광 다이오드는 기판에 형광체를 도프시켜야 하기 때문에, 별도의 기판 가공 기술이 요구되므로 그 가공이 어렵고, 재료비가 상승된다.However, conventional pink light emitting diodes have to be doped with phosphors on the substrate, so that a separate substrate processing technique is required, which makes the processing difficult and increases the material cost.
또한, 기판들마다 특정의 여기 발광 특성을 갖는 불순물이 도프되어 발광 다이오드의 특정 색상 구현시 지정된 기판만을 사용할 수 있으므로 기판의 호환성이 저하되고, 색상별로 기판을 사용하여야 하므로 취급이 용이하지 않다.In addition, since impurities having specific excitation light emission characteristics are doped for each substrate, only a designated substrate may be used to implement a specific color of the light emitting diode, so compatibility of the substrate is degraded, and handling of the substrate is not easy.
또, 기판에 형광체가 균일하게 도프되지 않은 경우, 각각의 LED 뿐만 아니라개별 LED에서도 색이 분산(scaterring)되는 등의 문제점이 발생하고, 상기 기판들을 모두 파기하여야 하므로 작업공수가 저하된다.In addition, when phosphors are not uniformly doped to the substrate, problems such as color scattering occur in individual LEDs as well as individual LEDs.
본 발명의 목적은, 분말 에폭시 수지에 적색 여기 발광 특성을 갖는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합하여 이를 이용해 핑크 발광 다이오드를 제작함으로써, 발광 다이오드의 색도도 및 피크 에미션 등을 향상시키는데 있다.An object of the present invention is to improve the chromaticity, peak emission and the like of a light emitting diode by mixing a garnet-based phosphor having a red excitation light emission property with a powder epoxy resin in a predetermined ratio and producing a pink light emitting diode using the same.
더 나아가, 본 발명의 또 다른 목적은, 분말 에폭시 수지와 가넷계 형광체의 혼합 분말을 이용하여 몰딩 성형부를 형성하여 형광체를 균일하게 분포시킴으로써, 핑크 발광 다이오드의 휘도를 향상시키고, 제품 수율을 증가시키는데 있다.Furthermore, another object of the present invention is to form a molding molded part using a mixed powder of a powder epoxy resin and a garnet-based phosphor to uniformly distribute the phosphors, thereby improving the brightness of the pink light emitting diode and increasing the product yield. have.
더 나아가, 본 발명의 다른 목적은, 상기 혼합 분말로 제작된 태블릿을 이용하여 트랜스퍼 몰딩 방법으로 발광 다이오드를 제작함으로써, 핑크 발광 다이오드를 박형화하는데 있다.Furthermore, another object of the present invention is to thin the pink light emitting diode by manufacturing the light emitting diode by the transfer molding method using the tablet made of the mixed powder.
이를 위하여, 본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드의 제작 방법은 박막 패턴이 형성된 인쇄 회로 기판 상에 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩을 도전성 또는 비도전성 접착제로 접착 고정하여 결합수단으로 전기적으로 연결하는 단계와; 분말 에폭시 수지에 대하여, 적색 여기 발광 특성을 가지는 가넷계 형광체를 소정 비율로 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계와; 상기 혼합 분말을 사용하여 상기 발광 다이오드 칩이 탑재된 인쇄 회로 기판을 트랜스퍼 몰딩하는 단계;로 이루어진다.To this end, the method for manufacturing a pink light emitting diode according to the present invention is electrically bonded to a light emitting diode chip having a light emission wavelength of 430 nm to 530 nm on a printed circuit board on which a thin film pattern is formed by a conductive or nonconductive adhesive. Connecting; Mixing the powdered epoxy resin with a garnet-based phosphor having a red excitation emission property at a predetermined ratio to form a mixed powder; And transfer molding a printed circuit board on which the light emitting diode chip is mounted using the mixed powder.
바람직하게, 혼합 분말을 50-300㎏/㎠ 사이의 압력으로 압축하는 단계를 더포함한다.Preferably, the method further comprises compressing the mixed powder to a pressure between 50-300 kg / cm 2.
바람직하게, 상기 형광체는 상기 분말 에폭시 수지에 대하여 중량당 3-50% 혼합된다.Preferably, the phosphor is mixed 3-50% by weight relative to the powder epoxy resin.
본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 상기와 같은 제작 방법에 따라 제작되고, 박막 패턴이 형성된 인쇄 회로 기판과, 발광 파장이 430㎚ 내지 530㎚인 발광 다이오드 칩과, 적색 여기 발광 특성을 가지는 가넷계 형광체가 균일하게 혼합되어 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩 성형부를 포함한다.The pink light emitting diode according to the present invention is manufactured according to the above manufacturing method, a printed circuit board having a thin film pattern, a light emitting diode chip having an emission wavelength of 430 nm to 530 nm, and a garnet-based phosphor having red excitation emission characteristics Is uniformly mixed to include a molding molding unit encapsulating a light emitting diode chip.
도 1은 본 발명에 따른, 하나의 와이어 본딩이 이루어진 핑크 발광 다이오드의 구조를 도시하는 종단면도;1 is a longitudinal sectional view showing the structure of a pink light emitting diode made of one wire bonding according to the present invention;
도 2는 본 발명에 따른, 두개의 와이어 본딩이 이루어진 핑크 발광 다이오드를 도시하는 종단면도;2 is a longitudinal sectional view showing a pink light emitting diode with two wire bondings according to the present invention;
도 3은 460㎚의 파장을 흡수하여 여기발광 되는 Cr3+의 스펙트럼;3 is a spectrum of Cr 3+ that is excited by absorbing a wavelength of 460 nm;
도 4는 CIE 색도 좌표.4 is a CIE chromaticity coordinate.
<도면 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of Symbols for Main Parts of Drawing>
1 : 인쇄 회로 기판 2 : 발광 다이오드 칩1: printed circuit board 2: light emitting diode chip
3 : 몰딩 성형부 11 : 전극3: molding molding part 11: electrode
4 : 접착제 6 : 가넷계 형광체4: adhesive 6: garnet-based phosphor
본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 하기에서 첨부도면을 참조하여 상세히 설명된다.Pink light emitting diode according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른, 하나의 와이어 본딩이 이루어진 핑크 발광 다이오드의 구조를 도시하는 종단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른, 두개의 와이어 본딩이 이루어진 핑크 발광 다이오드를 도시하는 종단면도이며, 도 3은 460㎚의 파장을 흡수하여 여기발광 되는 Cr3+의 스펙트럼이고, 도 4는 CIE 색도 좌표이다.1 is a longitudinal sectional view showing a structure of a pink light emitting diode made of one wire bonding according to the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a pink light emitting diode made of two wire bonding according to the present invention; FIG. 3 is a spectrum of Cr 3+ that is excited by absorbing a wavelength of 460 nm, and FIG. 4 is a CIE chromaticity coordinate.
본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이, 필요에 따라 각각의 재질로 다수 층이 도금되어 일정한 패턴을 이루고 있는 인쇄 회로 기판(1)과, 430㎚ 내지 530㎚ 파장을 갖고 인쇄 회로 기판 상에 실장 되는 발광 다이오드 칩(2)과, 청색 발광 다이오드 칩(2)을 봉지하는 몰딩 성형부(3)로 구성된다.As illustrated in FIGS. 1 and 2, the pink light emitting diode according to the present invention includes a printed circuit board 1 having a predetermined pattern formed by plating a plurality of layers with respective materials as necessary, and a wavelength of 430 nm to 530 nm. The light emitting diode chip 2 includes a light emitting diode chip 2 mounted on a printed circuit board and a molding molded part 3 encapsulating the blue light emitting diode chip 2.
상기 인쇄 회로 기판(1)은 청색광을 발광하는 다이오드의 종류와 제작 방법에 따라 전극(11)의 도전 상태로 만들어 주는 방법과 그 형상은 다양하게 변경될 수 있다.The printed circuit board 1 may be changed in various ways and its shape to be made into the conductive state of the electrode 11 according to the type and manufacturing method of the diode emitting blue light.
몰딩 성형부(3)내에는 발광 다이오드 칩(2)에서 발광된 청색광에 의해 여기 발광되어 적색 파장의 가시광선으로 광을 변환시키도록, 형광체(6)가 균일하게 분포되어 있다.In the molding part 3, the phosphor 6 is uniformly distributed so as to be excited by the blue light emitted from the light emitting diode chip 2 and convert the light into visible light having a red wavelength.
상기 형광체는 가넷(Garnet)계 형광체(6)로서, Y, Gd로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소와, Al 및, Ga로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고 Cr3+이온으로 활성화된다.The phosphor is a garnet-based phosphor 6, and includes at least one element selected from the group consisting of Y and Gd, and at least one element selected from the group consisting of Al and Ga, and is activated with Cr 3+ ions. do.
상기 형광체의 일반식은 (Y1-pGdp)3(Al1-x-yGaxCry)5O12로 표시될 수 있고, 0≤p≤0.9, 0≤x≤0.99, 0.001≤y≤0.1이고, 바람직하게 p≒0.2, x≒0.001, y≒ 0.005이다.The general formula of the phosphor may be represented by (Y 1-p Gd p ) 3 (Al 1-xy Ga x Cr y ) 5 O 12, and 0 ≦ p ≦ 0.9, 0 ≦ x ≦ 0.99, 0.001 ≦ y ≦ 0.1 And preferably p'0.2, x'0.001, and y '0.005.
상기 가넷계 형광체는 430㎚-530㎚의 파장을 흡수하여 580㎚-720㎚ 파장의 적색으로 여기 발광되고, 도 4의 CIE 색도 좌표 상에서 x= 0.5806, y= 0.2894의 좌표값을 갖는 인광 물질이다.The garnet-based phosphor absorbs a wavelength of 430 nm to 530 nm, is excited to emit red light at a wavelength of 580 nm to 720 nm, and is a phosphor having a coordinate value of x = 0.5806 and y = 0.2894 on the CIE chromaticity coordinate of FIG. 4. .
예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 도 3에서 도시된 바와 같이, 460㎚의 광을 흡수하는 경우, 그 피크치의 파장은 712㎚의 영역이고, 상기 가넷계 형광체에 의해 발광 다이오드 칩에서 발광된 광은 장파장으로의 쉬프트가 이루어져 충분한 적색광을 나타낸다.For example, as shown in FIG. 3, when the garnet-based phosphor absorbs light of 460 nm, the wavelength of the peak value is a region of 712 nm, and the light emitted from the light emitting diode chip by the garnet-based phosphor. Is shifted to a longer wavelength, indicating sufficient red light.
만약 적절하다면, 활성제로 쓰이는 Cr3+이온 외에, 소량의 다른 첨가물, 특히 빛의 강도를 높일 수 있는 Li 이온, Ce 이온, B 이온 등을 소정 비율로 추가할 수도 있다.If appropriate, in addition to Cr 3+ ions used as the activator, a small amount of other additives, in particular Li ions, Ce ions, B ions, etc., which can increase the intensity of light, may be added at a predetermined ratio.
이와 같은 형광체(6)는 Y원소를 포함하는 물질과, Al원소를 포함하는 물질과, Y의 격자 위치에 대신 들어가 격자를 완성시키는 Gd와, Al을 치환하는 Ga, Cr이 소정 몰량만큼 혼합되도록 BaF, NH4F등의 융제와 함께 잘 혼합한 후, 1300℃ 내지 1800℃의 고온도에서 하에서 바람직하게, 2시간에서 5시간동안 가열하여 반응시키면, 단일 격자를 갖는 상기 형광체가 생산된다.The phosphor 6 is mixed with a material containing the Y element, a material containing the Al element, Gd for entering the lattice position of Y to complete the lattice, and Ga and Cr for replacing Al by a predetermined molar amount. After mixing well with fluxes such as BaF, NH 4 F and the like, and reacting by heating at a high temperature of 1300 ° C to 1800 ° C, preferably for 2 hours to 5 hours, the above-mentioned phosphor having a single lattice is produced.
이에 따라, 도 3의 국제조명위원회 (CIE : , Commission International de l’Eclairage)에서 규정한 색도 좌표에서 보여지는 바와 같이, 방출 파장이 약 460㎚의 청색은 CIE좌표 상에서 A점에 위치되고, 상기 파장을 갖는 일부의 청색광은 상기와 같은 형광체에 흡수되어 형광체에 2.64eV를 제공하므로 형광체의 에너지 준위가 상승되었다가 하락하면서 방출되는 적색광이 방출된다.Accordingly, as shown in the chromaticity coordinates defined by the Commission International de l'Eclairage (CIE) of FIG. 3, blue with an emission wavelength of about 460 nm is positioned at point A on the CIE coordinates. Some of the blue light having the wavelength is absorbed by the above-described phosphor to provide 2.64 eV to the phosphor, so that the red light emitted as the energy level of the phosphor rises and falls.
상기 가넷계 형광체에 의하여 파장변환된 적색광은 x= 0.5806, y= 0.2894의 좌표값을 갖는 712nm의 장파장 영역의 B점에 위치된다.The red light wavelength-converted by the garnet-based phosphor is located at point B of a long wavelength region of 712 nm having a coordinate value of x = 0.5806 and y = 0.2894.
이 때, 상기 색도좌표에서 오른편 꼭지점은 약 700nm의 단색광이고 파장이 짧아짐에 따라 윗 방향으로의 가장자리 곡선을 따라가서 400nm의 단색광이 되면 x축과 붙어 있는 꼭지점에 이른다.At this time, the vertex on the right side of the chromaticity coordinate is about 700 nm of monochromatic light, and as the wavelength becomes shorter, it follows the edge curve in the upward direction and reaches a vertex attached to the x-axis when the monochromatic light is 400 nm.
따라서, 발광 다이오드로부터 청색광과 적색광이 방출되고 단색광들이 합성된 복합광은 상기 CIE좌표 상에서, 두 지점을 가중 평균한 지점, 즉 두 지점을 이어준 선상에 놓이게 된다.Therefore, the composite light, in which blue light and red light are emitted from the light emitting diode and the monochromatic light is synthesized, is placed on the CIE coordinate on a weighted average of two points, that is, a line connecting two points.
상기 A점과 B점을 연결하는 중간에 위치되는 파장대가 적색광과 청색광을 더해서 혼합한 색의 색좌표가 되며, 이는 A와 B의 두 빛을 혼합하면 이들 밝기의 비로 가중 평균한 지점의 색이 된다는 Grassman의 색채 제2법칙에 따른 것이다.The wavelength band located in the middle connecting the A point and the B point becomes the color coordinate of the color mixed with the addition of the red light and the blue light. When the two lights of A and B are mixed, they become the color of the weighted average point by the ratio of these brightnesses. It is according to Grassman's second law of color.
이에 따라, 사람의 눈에는 적색과 청색의 중간에 위치한 파장대 즉, 핑크색광이 본 발명에 따른 발광 다이오드로부터 방출되는 것과 같이 보여지는 것이다.Accordingly, in the human eye, the wavelength band located between the red and the blue, that is, pink light, is seen as emitted from the light emitting diode according to the present invention.
본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따라, 칩형 핑크 발광 다이오드는 하기와 같은 방법으로 제작된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the chipped pink light emitting diode is manufactured in the following manner.
인쇄 회로 기판(1)에 형성된 전극(11)상에 청색 발광 다이오드 칩들(2)을 접착제(4)를 사용하여 일정 위치에 실장한 다음, 접착제(4)가 경화되도록 특성에 맞는 온도 조건하에서, 예를 들어 100 내지 150℃의 온도로 30분 내지 1시간 정도 방치한다.The blue light emitting diode chips 2 are mounted on the electrodes 11 formed on the printed circuit board 1 in a predetermined position by using the adhesive 4, and then under temperature conditions suitable for the properties so that the adhesive 4 is cured, For example, it is left for 30 minutes to 1 hour at a temperature of 100 to 150 ℃.
이 후, 청색 발광 다이오드 칩들(2)과 전극(11)을 하나 또는 두개의 와이어(5)를 이용하여 서로 연결해 준다.Thereafter, the blue LED chips 2 and the electrode 11 are connected to each other using one or two wires 5.
이 때, 인쇄 회로 기판(1)에 형성되어 있는 전극 패턴에 따라 1회에 생산 할 수 있는 LED의 개수가 결정된다는 것은 잘 알려져 있다.At this time, it is well known that the number of LEDs that can be produced at one time is determined according to the electrode pattern formed on the printed circuit board 1.
한편, 발광 다이오드 칩(2)이 실장된 인쇄 회로 기판(1)은 인쇄 회로 기판에 알맞은 금형이 설치된 트랜스퍼 몰딩 프레스 위에 배열되어 트랜스퍼 몰딩 공정을 거치게 된다.On the other hand, the printed circuit board 1 on which the light emitting diode chip 2 is mounted is arranged on a transfer molding press provided with a mold suitable for the printed circuit board to undergo a transfer molding process.
이 때, 트랜스퍼 몰딩 공정에 사용되는 태블릿은, 분말 에폭시 수지에 특수하게 처리된 가넷계 형광체(6) 분말을, 원하고자 하는 품질의 핑크광 수준에 따라, 일정한 비율로 혼합하여 소정 압력 하에 압축시킨 것이다.At this time, the tablet used in the transfer molding process is a powder of garnet-based phosphor (6) specially treated with a powder epoxy resin is mixed under a predetermined pressure by mixing at a constant ratio, according to the pink light level of the desired quality. will be.
바람직하게, 형광체(6)는 분말 에폭시 수지에 대해, 중량당 3-50wt%의 비율로 혼합한다.Preferably, the phosphor 6 is mixed at a ratio of 3-50 wt% per weight with respect to the powder epoxy resin.
그리고, 혼합 분말은 형광체가 고압에 의해 색변화가 발생되지 않는 50-300㎏/㎠ 사이의 압력으로 가압하여 태블릿으로 형성하고, 이 때, 분말 에폭시 수지는 일반적으로 150℃ 온도에서 15분 이내에 경화 될 수 있다In addition, the mixed powder is formed into a tablet by pressing the phosphor at a pressure between 50-300 kg / cm 2 where no color change occurs due to high pressure, and the powder epoxy resin is generally cured within 15 minutes at a temperature of 150 ° C. Can be
한편, 형광체와 분말 에폭시 수지를 분말 상태에서 혼합하여 태블릿 형상으로 제작하는 이유는, 대략 생산 작업에 편리하고 최종 제품에 기포가 생기는 등의 문제점을 제거하기 위한 것이다.On the other hand, the reason why the phosphor and the powder epoxy resin are mixed in a powder state and manufactured in a tablet form is to be convenient for production work and to eliminate problems such as bubbles in the final product.
상기 태블릿은 트랜스퍼 몰딩공정에 투입하기 전에 70℃ 정도의 온도로 예열된 후, 트랜스퍼 몰드기에 투입되어 130℃내지 180℃의 온도에서 0.5 내지 2ton/㎠의 압력으로 200 내지 600초 동안 압착된다.The tablet is preheated to a temperature of about 70 ° C. before being put into the transfer molding process, and then the tablet is pressed into a transfer mold machine and pressed for 200 to 600 seconds at a pressure of 0.5 to 2 ton / cm 2 at a temperature of 130 ° C. to 180 ° C.
상기 온도와 압력에 의해 에폭시가 융해되어 트랜스퍼 몰딩기의 금형 형태에 따라 상기 인쇄 회로 기판(1)을 몰딩하게 된다.The epoxy is melted by the temperature and the pressure to mold the printed circuit board 1 according to the mold shape of the transfer molding machine.
트랜스퍼 몰딩 성형 후 다이싱 공정 등을 통해, 인쇄 회로 기판(1) 자체를 도금된 패턴에 따라 개별 발광 다이오드 제품으로 절단한다.After the transfer molding, through the dicing process or the like, the printed circuit board 1 itself is cut into individual light emitting diode products according to the plated pattern.
이 때, 다이싱 공정 중에 발생기는 수분을 제거하고 성형된 몰딩의 상태를 안정화 시켜주기 위해, 개별 발광 다이오드는 100℃ 내지 250℃의 온도로 1시간정도 방치해 주기도 한다.At this time, the generator during the dicing process to remove the moisture and to stabilize the state of the molded molding, the individual light emitting diode may be left for about 1 hour at a temperature of 100 ℃ to 250 ℃.
그리고, 단시간에 경화된 발광 다이오드는 각각 알맞은 수준의 핑크 종류와 그 발광하는 광도의 값에 따라 일정하게 분류 및 테스트하여 표면 실장에 편리하도록 자동화 설비를 통해 릴(real)에 감아서 출하하게 된다.In addition, the LEDs cured in a short period of time are classified and tested according to the type of pink and the light emitted at a suitable level, and then wound and shipped to a reel through an automated facility for convenient surface mounting.
이와 같은 제작 방법으로 제작된 핑크 발광 다이오드에 있어서, 발광 다이오드 칩(2)에서 방사된 청색광의 일부는 몰딩 성형부(3)내에 균일하게 분포된 형광체(6)에 흡수되어 적색으로 변환된다.In the pink light emitting diode manufactured by the manufacturing method as described above, part of the blue light emitted from the light emitting diode chip 2 is absorbed by the phosphor 6 uniformly distributed in the molding part 3 and converted into red color.
그리고, 변환된 광은 에폭시 몰딩 성형부(3)로부터 방사되어 변환되지 않은 청색광의 일부와 결합하여 핑크광을 형성한다.The converted light is radiated from the epoxy molding part 3 to combine with a part of the blue light which is not converted to form pink light.
즉, 파장이 연속하는 적색과 청색의 광, 즉 장파장의 광과 단파장의 광이 조합되어 핑크색이 발광된다.That is, red and blue light of continuous wavelengths, that is, light of long wavelength and light of short wavelength are combined to emit pink color.
이와 같은 핑크색의 색도는 CIE(Commission International de l´Eclargae, 국제조명위원회)의 색도 좌표에서 정의된 핑크점, 예를 들면 그 좌표가 x=0.28, y=0.45에 대하여 근접하다.This pink chromaticity is close to the pink point defined in the chromaticity coordinates of the Commission International De l'Eclargae (CIE), for example x = 0.28 and y = 0.45.
따라서, 형광체를 따로 액상 상태의 에폭시 수지에 혼합하여 일일이 발광 다이오드 칩 위에 포팅하는 등의 번거로운 작업이 생략될 뿐만 아니라, 일반적인 파장(430, 430, 530, 590, 600, 620, 635, 660㎚등)의 광을 발광하는 발광 다이오드를 제작하는 기존 공정에서 크게 벗어나지 않고도 핑크를 발광하는 발광 다이오드를 제작할 수 있다.Therefore, cumbersome tasks such as potting the phosphors separately on a light emitting diode chip by mixing phosphors separately in a liquid state are omitted, as well as general wavelengths (430, 430, 530, 590, 600, 620, 635, 660 nm, etc.). It is possible to manufacture a light emitting diode that emits pink without large deviation from the existing process of manufacturing a light emitting diode that emits light of the
또한, 한번의 트랜스퍼 몰딩 성형 작업으로 동일한 조성의 형광체를 가지는발광 다이오드 제품을 대량으로 제작할 수 있으며, 형광체가 몰딩 성형부내에 균일하게 분포되므로 개별 발광 다이오드의 휘도가 향상된다.In addition, it is possible to manufacture a large amount of light emitting diode products having phosphors of the same composition in one transfer molding operation, and the luminance of the individual light emitting diodes is improved because the phosphors are uniformly distributed in the molding forming portion.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 핑크 발광 다이오드는 분말 상태의 에폭시와 형광체를 이용하여 청색, 적색 등의 단색 LED를 제작하는 트랜스퍼 몰딩 공정을 통해 제작하므로, 작업공수가 감소되며, 그 두께를 박형화할 수 있다.As described above, the pink light emitting diode according to the present invention is manufactured through a transfer molding process for producing monochromatic LEDs such as blue and red using epoxy and phosphors in a powder state, thereby reducing the workmanship and increasing the thickness thereof. It can be thinned.
또한, 분말 상태로 에폭시와 형광체가 균일하게 혼합하여 몰딩 공정을 거치기 때문에 개별 발광 다이오드뿐만 아니라, 1회 제품 생산품에서 생산되는 발광 다이오드들마다 그 핑크색이 균일하게 발광되므로 제품 공급 수율 및, 발광 휘도가 향상된다.In addition, since the epoxy and the phosphor are uniformly mixed in the powder state and subjected to the molding process, the pink light is uniformly emitted not only for individual light emitting diodes but also for each light emitting diode produced in a single product product. Is improved.
또, 에폭시 자체가 단시간에 경화될 수 있으므로 형광체가 하중에 의해 밑으로 가라 않지 않으므로 핑크 발광 다이오드 발광 휘도가 향상된다.In addition, since the epoxy itself can be cured in a short time, since the phosphor does not go down by the load, the pink light emitting light emission luminance is improved.
그리고, 고체 상태의 에폭시 수지를 사용하기 때문에 액상의 에폭시 수지와 달리 에폭시 수용기, 돌출턱과 같은 가이드 등을 설치할 필요가 없으므로 그 공정이 단순화된다.In addition, since the epoxy resin in the solid state is used, unlike the liquid epoxy resin, there is no need to install an epoxy receptor, a guide such as a protrusion, and the process is simplified.
또한, 기판에 형광 중심인 불순물을 도프하는 별도의 공정이 필요하지 않으므로 제작비용이 감소된다.In addition, since a separate process of doping the impurity that is the center of fluorescence in the substrate is not necessary, the manufacturing cost is reduced.
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