KR20030088599A - Optical fiber for optical amplifier and production method of the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An optical fiber for an optical amplifier and a manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing cost by doping a core layer with a mixed solution of rare earth and metal ions using a solution doping method. CONSTITUTION: In order to manufacture an optical fiber using MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition), a clad layer and a second core layer are formed in a silica substrate tube(S10). A first core layer is formed on an inner surface of the second core layer(S20). The first core layer forms a partially-sintered layer that provides a host with respect to a Tm¬3+ ion and a metal ion. A mixed solution of the Tm¬3+ and metal ions is uniformly doped on the first core layer(S30). After completing the doping of the mixed solution, an optical fiber is manufactured by wire-drawing a glass rod containing the Tm¬3+ and metal ions(S40).

Description

광증폭기용 광섬유 및 제조방법 {OPTICAL FIBER FOR OPTICAL AMPLIFIER AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME}Optical fiber for optical amplifier and manufacturing method {OPTICAL FIBER FOR OPTICAL AMPLIFIER AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME}

본 발명은 S밴드 영역(1430nm~1530nm)에서 광전송 시스템 적용을 위한 광증폭기용 광섬유 및 제조방법에 관한 것으로서, 기존 S밴드의 광증폭기용 광섬유와는 달리 광섬유용 모재(preform) 성분을 실리카계 유리 조성으로 하고, 상용 내부기상증착 방법인 MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)법과 용액 도핑법으로 코어층의 내면에 형성되는 제1코어층에 희토류 및 금속 이온을 증착하여 S밴드 영역에서 광증폭이 가능한 광섬유를 제조하는 데 있다.The present invention relates to an optical fiber for an optical amplifier and a manufacturing method for applying the optical transmission system in the S band region (1430nm ~ 1530nm), unlike the conventional optical fiber of the optical amplifier of the S band, the preform component of the optical fiber silica-based glass The optical fiber is capable of optical amplification in the S-band region by depositing rare earth and metal ions on the first core layer formed on the inner surface of the core layer by the MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition) method and the solution doping method, which are commercial internal vapor deposition methods. To manufacture.

일반적으로 광통신은 크게 전기 신호를 광신호로 바꾸는 전송기 부분과 광신호를 전달하는 광섬유와 광신호를 전기적 신호로 바꾸는 수신기 부분으로 나눈다.In general, optical communication is divided into a transmitter part for converting an electrical signal into an optical signal and a receiver part for converting an optical signal into an optical signal and an optical signal for transmitting the optical signal.

이중에 광신호를 전달하는 수동 소자인 광섬유는 단파장의 경우 유리의 양이온에 의한 전자 천이에 의해서 광신호의 흡수가 일어나고, 장파장의 경우는 분자 진동에 의하여 광신호의 흡수가 일어나 약 1200nm에서 1700nm의 파장만이 광통신에 사용될 수 있다.The optical fiber, a passive device that transmits optical signals, absorbs optical signals due to electron transition by cations of glass in the case of short wavelengths, and absorbs optical signals due to molecular vibration in the case of long wavelengths. Only wavelengths can be used for optical communication.

그러나 이러한 영역도 모재(母材:preform)인 유리에 포함되어 있는 OH-기와 전이 금속들과 같은 불순물의 영향으로 약 1300nm 대역 파장과 1550nm파장 근처의 대역만이 광통신에 사용된다.However, this area is also affected by impurities such as OH - groups and transition metals contained in the preform glass, so that only the band around 1300 nm wavelength and 1550 nm wavelength are used for optical communication.

한편, 1550nm대역은 실리카 유리 광섬유의 손실이 가장 작은 파장으로 투과 손실이 중요한 장거리 전송에 주로 이용되며, 1300nm대역은 실리카 유리 광섬유의 영분산 파장으로 단거리 광전송에 주로 이용되고 있다.(John B. MacChensey, David J. DiGiovanni, J. Am. Ceram. Soc., 73[12], 1990)Meanwhile, the 1550 nm band is mainly used for long-distance transmission where the loss of silica glass optical fiber is the smallest, and transmission loss is important. The 1300 nm band is mainly used for short-range optical transmission as the zero dispersion wavelength of silica glass optical fiber. (John B. MacChensey , David J. DiGiovanni, J. Am. Ceram.Soc., 73 [12], 1990)

그러나 실리카 유리 광섬유는 빛을 투과시키지만 빛을 흡수하기도 하는데, 이러한 흡수에 의한 손실이 축적되어 신호광의 세기는 전송거리가 길어짐에 따라 지수적으로 감소하게 된다.However, the silica glass optical fiber transmits light but also absorbs light. The loss due to the absorption is accumulated, and the intensity of the signal light decreases exponentially as the transmission distance becomes longer.

이렇게 감소되는 신호를 증폭하기 위해서 광섬유 네트워크의 수 십km 구간마다 신호광의 강도를 증폭해 주는 증폭기를 설치해 주어야 하는데, 이러한 증폭기는 처음에는 광신호를 전기적 신호로 바꾸어 증폭시키고 다시 광신호로 전달하는 방법을 사용하였으나, 증폭과정에서 생기는 오류의 영향과 광신호를 증폭시키는데 걸리는 지연 시간 등으로 효과적이지 못하여 많은 실용화가 되지 못하였다.To amplify this reduced signal, an amplifier that amplifies the intensity of the signal light should be installed every several decades of the optical fiber network. The amplifier first converts the optical signal into an electrical signal and amplifies it, and then transmits it back to the optical signal. However, due to the effects of error in the amplification process and the delay time for amplifying the optical signal, it is not effective and it has not been put to practical use.

그리하여 위와 같은 광신호를 전기신호로 바꾸고 증폭시킨 후 다시 광신호로 전달시키는 증폭방법 대신, 광신호를 변환시키지 않고 광신호로 증폭시키는 광섬유 증폭기에 대한 연구가 활발하게 진행되었다.Thus, instead of the amplification method of converting and amplifying an optical signal into an electrical signal and then transmitting the optical signal, an optical fiber amplifier that amplifies an optical signal without converting the optical signal has been actively studied.

최초의 광섬유 증폭기는 바륨 크라운 유리를 기지 재료로 하고, 니오디늄(Neodymium)을 첨가한 광증폭기가 연구되었다.(C. J. Koester and E. Snitzer, Appl. Opt., Vol.3, pp 1182-1186, 1964)The first fiber amplifiers were based on barium crown glass, and optical amplifiers with neodymium were studied (CJ Koester and E. Snitzer, Appl. Opt., Vol. 3, pp 1182-1186. , 1964)

그 후, 광섬유 증폭기는 1980년대 후반 높은 이득과 낮은 손실을 가지고, 실리카 광섬유의 최저 손실 영역이 1550nm 대역 파장을 증폭시키는 어븀(Erbium)이 첨가된 광섬유 증폭기(EDFA, Erbium doped fiber amplifier)가 개발이 되어 상용화되었다.(W. J. Miniscalco, J. Lightwave Technol., Vol.9, pp234-250, 1991)Later, fiber amplifiers had high gains and low losses in the late 1980s, and Erbium doped fiber amplifiers (EDFA) were developed in which the lowest loss region of silica fibers amplified the 1550 nm band wavelength. (WJ Miniscalco, J. Lightwave Technol., Vol. 9, pp234-250, 1991).

그러나, 최근 정보전달량의 폭발적인 증가로 종래의 WDM(wavelength division multiplexing)기술로는 사용 가능한 파장대역이 포화가 되어 새로운 파장대역에서 사용 가능한 광섬유 증폭기의 필요성이 제기되고 있다.However, the recent explosive increase in the amount of information transfer has caused a need for a fiber amplifier that can be used in a new wavelength band because the available wavelength band is saturated with the conventional wavelength division multiplexing (WDM) technology.

우선 1550nm 파장 대역보다 장파장인 1600nm으로 사용 가능 파장 대역을 Gain-Shifted EDFA를 이용하여 넓혔으나, 이 또한 포화되어 다른 파장 대역에서 사용 가능한 광섬유 증폭기가 필요하게 되었다.First, the available wavelength band was extended to 1600nm, which is longer than the 1550nm wavelength band by using the Gain-Shifted EDFA. However, this also saturates the need for an optical fiber amplifier that can be used in other wavelength bands.

한편, 1550nm대역에 인접한 1480nm대역이 손쉽게 접할 수 있는 파장대역인데, S-band(1430nm∼1530nm)에서 사용 가능한 광섬유 증폭기로서 현재 연구 개발중인 것은 Tm3+이온이 함유된 광증폭기용 광섬유이다.On the other hand, the 1480nm band adjacent to the 1550nm band is easily accessible, the optical fiber amplifier that can be used in the S-band (1430nm to 1530nm) is currently being researched and developed optical fiber for optical amplifiers containing Tm 3+ ions.

Tm3+3H4준위에서3F4준위로 천이 되는 과정에서 발생하는 형광은 그 중심파장이 1480nm로 S-band에서 광증폭이 가능하다.Fluorescence generated during the transition from the 3 H 4 level of Tm 3+ to the 3 F 4 level has a central wavelength of 1480 nm, enabling optical amplification in S-band.

그러나, Tm3+의 천이는3H4준위에서 그 하위 준위인3H5사이의 간격이 약 4200cm-1으로 작으므로, 약 1100cm-1의 격자 진동 에너지를 지니는 실리카 유리에서는3H4준위에서3F4준위로 천이 되어 발생하는 1480nm의 형광을 얻기 힘들다.However, the transition of the Tm 3+ is 3 H 4, since the distance between the lower levels of 3 H 5 level in less to about 4200cm -1, having a lattice vibration energy of about 1100cm -1 silica glass in the three levels in H 4 the transition to the 3 F 4 levels, it is difficult to obtain fluorescence of 1480nm generated.

즉,3H4준위에서3F4준위로 천이가 일어나지 않고, 바로 하위 준위인3H5준위로 열적 천이가 일어나 유리 모재에 격자 진동으로 흡수된다.That is, a transition does not occur from the 3 H 4 level to the 3 F 4 level, but a thermal transition occurs directly to the lower level 3 H 5 level and is absorbed by the lattice vibration in the glass base material.

따라서 현재의 연구개발 방향은 격자 진동 에너지가 작은 불화물계 유리와 황화물계 유리에서 Tm3+3H4준위에서3F4준위로의 천이에 의한 1480nm의 형광을 얻으려 하는 것이다.Thus it is trying to fluorescence of 1480nm by the transition of the current research and development direction of the lattice vibration energy in the small fluoride-based glass and the sulfide glass as a 3 F 4 level in the 3 H 4 level of the Tm 3+.

최근의 연구 결과로 T. Kasamatsu의 논문(Laser-Diode-Pumped Highly Efficient Gain-Shifted Thulium-Doped Fiber Amplifier Operating in the 1480-1510nm Band, IEEE Photonics Technology Letters, vol.13, No.5, 433-435, 2001)에서 불화물계 유리를 기지 재료로 하여 1480nm의 형광을 얻어냈다.Recent research results from T. Kasamatsu's paper (Laser-Diode-Pumped Highly Efficient Gain-Shifted Thulium-Doped Fiber Amplifier Operating in the 1480-1510nm Band, IEEE Photonics Technology Letters, vol. 13, No. 5, 433-435 , (Fluorescence) of 1480 nm was obtained using fluoride-based glass as a known material.

그리고, Y.B. Shin의 논문(Multiphonon and cross relaxation phenomena inGe-As(or Ga)-S glasses doped with Tm3+, Journal of Non-Crystalline Solids, 208, pp 29-35, 1996)에서는 황화물계 유리에서 1480nm의 형광발현과 그 메카니즘에 대하여 설명했다.And YB Shin's paper (Multiphonon and cross relaxation phenomena in Ge-As (or Ga) -S glasses doped with Tm 3+ , Journal of Non-Crystalline Solids, 208, pp 29-35, 1996) The fluorescence expression of and its mechanism was described.

또 다른 연구 결과로 미국 특허 제 6266181호에는 기지 재료로서 텔루라이트(tellurite)계 유리를 사용하는 광섬유 증폭기에 대하여 제시하였고, Y.G. Choi의 논문(Influence of 4f absorption transitions of Dy3+ on the emission spectra of Tm3+-doped tellurite glasses, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, pp 1-7, 2000)에 의하면 1480nm의 형광이 얻어졌다.In another study, U. S. Patent No. 6266181 proposed an optical fiber amplifier using tellurite-based glass as a known material. According to Choi's paper (Influence of 4f absorption transitions of Dy3 + on the emission spectra of Tm3 + -doped tellurite glasses, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, pp 1-7, 2000), fluorescence of 1480 nm was obtained.

그러나, 이러한 불화물계 유리와 황화물계 유리, 텔루라이트 유리는 기존의 포설되어 있는 실리카 광섬유와의 접속에 많은 어려움이 있다.However, such fluoride-based glass, sulfide-based glass, and tellurite glass have many difficulties in connection with existing silica fibers.

즉, 그 굴절률이 높아 기존의 실리카 광섬유와 접속을 하였을 경우 신호광이 전달되지 않고 산란 등의 원인에 의하여 손실될 수 있으며, 불화물계 유리와 황화물계 유리의 용융점과 실리카 광섬유의 용융점 차이가 커서 용융을 통한 접속이 어렵다.That is, if the refractive index is high, when connected with the existing silica optical fiber, the signal light may not be transmitted and may be lost due to scattering. The melting point of the fluoride glass and the sulfide glass and the melting point of the silica optical fiber are large so that melting may be performed. Connection is difficult.

이와 더불어 광섬유 제조시 원료를 도가니에 넣어 녹인 후 광섬유를 인선하는 용융법으로 제조함으로써, OH-기와 전이 금속등과 같은 불순물에 의한 오염의 가능성이 높고, 광섬유 결함이 생길 가능성 또한 매우 높다.In addition, since the raw materials are melted in a crucible during the manufacture of the optical fiber and manufactured by melting the optical fiber, the possibility of contamination by impurities such as OH - groups and transition metals is high, and the possibility of optical fiber defects is also very high.

이러한 이유로 광손실이 약 200dB/m에 달하고, 제조된 광섬유의 OH-기의 침투와 같은 화학적인 내구성도 떨어져 실용화에 어려운 단점이 있다.For this reason, the light loss reaches about 200 dB / m, and chemical durability such as penetration of OH - groups of the manufactured optical fiber is also poor, which makes it difficult to be practical.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해소하기 위해 창출된 것으로써, 본 발명의 목적은 일반적으로 사용하는 용액도핑법을 사용하여 코어층을 희토류 및 금속이온이 혼재된 용액으로 도핑함으로써, S-band(1430nm∼1530nm)에서 제조비용이 저렴하고, 안정된 광학특성과 편의성을 제공하는 광섬유를 제공함에 있다.Therefore, the present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to dope the core layer with a mixed solution of rare earth and metal ions using a solution doping method, which is generally used, and thus, S-band. (1430nm to 1530nm) to provide a low-cost manufacturing optical fiber that provides a stable optical characteristics and convenience.

그리고, 본 발명의 다른 목적중의 하나는 높고 안정된 도핑 농도를 얻을 수 있고, 도핑 이온의 농도를 조절하는 것에 의해 그리고 굴절율 프로파일을 조절하는 것에 의해 적절한 광증폭 특성을 얻을 수 있는 광증폭기용 광섬유를 제공함에 있다.One of the other objectives of the present invention is to provide an optical amplifier optical fiber which can obtain a high and stable doping concentration and obtain appropriate optical amplification characteristics by adjusting the concentration of doping ions and by adjusting the refractive index profile. In providing.

또한, 본 발명은 위에 상술된 낮은 격자 진동 에너지를 지니는 불화물계 유리와 황화물계 유리에서만 Tm3+이온이 1480nm 대역에서 형광을 발현하는 문제점을 해결하여, 1480nm 대역에서 광증폭이 가능한 광증폭기용 실리카 광섬유를 제공하는 것이다.In addition, the present invention solves the problem that Tm 3+ ions fluoresce in the 1480 nm band only in the fluoride-based glass and sulfide-based glass having the above-described low lattice vibration energy, thus enabling optical amplification in the 1480 nm band. It is to provide an optical fiber.

도 1은 본 발명에 따른 광증폭기용 광섬유의 개략적인 구성을 나타내는 도면.1 is a view showing a schematic configuration of an optical fiber for an optical amplifier according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 광증폭기용 광섬유의 개략적인 제조방법을 나타내는 흐름도.Figure 2 is a flow chart showing a schematic method of manufacturing an optical fiber for an optical amplifier according to the present invention.

도 3은 Tm3+이온의 에너지 준위도를 나타내는 도면.3 shows the energy level of Tm 3+ ions.

도 4는 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼의 형광 측정 장치를 나타낸 도면.Figure 4 is a view showing a fluorescence measuring device of the preform for the optical amplifier prepared according to Example 1 of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼에 800nm 파장의 레이저를 조사하여, Tm3+이온의 1480nm형광 및 1800nm의 형광 방출 스펙트럼을 나타낸 도면.FIG. 5 is a diagram showing 1480 nm fluorescence of a Tm 3+ ion and a fluorescence emission spectrum of 1800 nm by irradiating a laser having a wavelength of 800 nm to a preamplifier for an optical amplifier prepared according to Example 1 of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼에서 Tm3+의 600nm에서 850nm 파장대역에서의 흡수 스펙트럼을 나타낸 도면.6 is a view showing an absorption spectrum in the wavelength range of 600 nm to 850 nm of Tm 3+ in the optical amplifier preform manufactured according to Example 1 of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼에서 Tm3+의 1150nm에서 1250nm 파장대역에서의 흡수 스펙트럼을 나타낸 도면.7 is a view showing absorption spectra in a wavelength range of 1150 nm to 1250 nm of Tm 3+ in the optical amplifier preform manufactured according to Example 1 of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 : 기판튜브 2 : 클래드층1: substrate tube 2: cladding layer

3 : 제2코어층 4 : 제1코어층3: second core layer 4: first core layer

11 : Ar레이져 12 : Ti-Sapphire레이져11: Ar laser 12: Ti-Sapphire laser

13 : 초퍼 14 : 광섬유프리폼13: chopper 14: optical fiber preform

15 : 모노크로미터 16 : 모노크로미터 콘트롤러15: monochromator 16: monochromator controller

17 : InSb 디텍터 18 : 전 증폭기17: InSb detector 18: preamplifier

19 : Lock-in amplifier 20 : 컴퓨터19: Lock-in amplifier 20: Computer

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판튜브, 클래드층 및 코어층을 포함하는 광섬유에 있어서, 상기 광섬유가 1430nm에서 1530nm의 영역에서 광증폭기로 사용되도록 기지재료로서 실리카, 게르마늄, 불소를 포함하고, 상기 코어층의 중심부에는 Tm3+이온 및 금속 이온을 포함하는 불순물이 도핑되는 제1코어층과;상기 제1코어층의 외주면에 형성되고 불순물이 도핑되지 않는 제2코어층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유를 제공한다.The present invention for achieving the above object includes a silica, germanium, fluorine as a base material in the optical fiber comprising a substrate tube, a cladding layer and a core layer so that the optical fiber is used as an optical amplifier in the region of 1430nm to 1530nm And a first core layer doped with impurities including Tm 3+ ions and metal ions at a central portion of the core layer; and a second core layer formed on an outer circumferential surface of the first core layer and not doped with impurities. It provides an optical fiber for an optical amplifier, characterized in that.

그리고, 본 발명에서 상기 광섬유는 MCVD 공법을 이용하여 실리카 기판튜브 내부에 클래드층과 제2코어층을 형성시키는 단계와; 상기 제2코어층의 내면에 Tm3+이온 및 금속 이온에 대하여 호스트(Host)를 제공하는 부분 소결층을 이루는 제1코어층을 형성시키는 단계와; 상기 부분 소결층이 형성된 제1코어층에 Tm3+이온 및 금속 이온이 혼합된 용액을 균일하게 용액 도핑하는 단계와; 용액 도핑이 완료된 후 고온에서 모재를 붕괴시켜 Tm3+이온 및 금속 이온이 함유된 유리봉을 제조하고 일정한 직경의 광섬유로 인선하는 단계를 통해 제조되는 것이 바람직하다.In the present invention, the optical fiber is a step of forming a clad layer and a second core layer inside the silica substrate tube using the MCVD method; Forming a first core layer on the inner surface of the second core layer, the first core layer forming a partially sintered layer providing a host to Tm 3+ ions and metal ions; Uniformly doping a solution in which a Tm 3+ ion and a metal ion are mixed in the first core layer on which the partially sintered layer is formed; After the solution doping is completed, it is preferable to prepare a glass rod containing Tm 3+ ions and metal ions by disintegrating the base material at a high temperature, and then preparing the glass rod with a constant diameter optical fiber.

또한, 본 발명에서는 상기한 광섬유를 이용한 광증폭기를 제공한다.In addition, the present invention provides an optical amplifier using the optical fiber described above.

이하, 본 발명의 구성을 첨부도면에 의거하여 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings.

또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.In addition, this embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only.

도 1은 본 발명에 따른 광증폭기용 광섬유의 개략적인 구성을 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 광증폭기용 광섬유의 개략적인 제조방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a view showing a schematic configuration of an optical amplifier optical fiber according to the present invention, Figure 2 is a flow chart showing a schematic manufacturing method of the optical amplifier optical fiber according to the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 광증폭기용 광섬유는 모재의 중심에 형성되는 제1코어층(4)과, 상기 제1코어층(4)의 외주면에 형성되는 제2코어층(3)과, 상기 제2코어층(3)의 외주면에 형성되는 클래드층(2)과, 상기 클래드층(2)의 외주면에 형성되는 기판튜브(1)로 구성된다.As shown, the optical amplifier optical fiber according to the present invention includes a first core layer 4 formed at the center of the base material, a second core layer 3 formed on the outer circumferential surface of the first core layer 4, and And a cladding layer 2 formed on the outer circumferential surface of the second core layer 3 and a substrate tube 1 formed on the outer circumferential surface of the cladding layer 2.

즉, 본 발명에서 상기 광섬유가 1430nm에서 1530nm의 영역에서 광증폭기로 사용되도록 기지재료로서 실리카, 게르마늄, 불소가 사용되고, 코어층의 중심부에는 Tm3+이온 및 금속 이온을 포함하는 불순물이 도핑되는 제1코어층(4)이 형성되며, 상기 제1코어층(4)의 외주면에는 불순물이 도핑되지 않는 제2코어층이 형성된다.That is, in the present invention, silica, germanium, and fluorine are used as base materials so that the optical fiber is used as an optical amplifier in the region of 1430 nm to 1530 nm, and Tm is formed in the center of the core layer.3+ion And a first core layer 4 doped with an impurity including metal ions, and a second core layer not doped with impurities is formed on an outer circumferential surface of the first core layer 4.

이때, 상기 도핑되는 불순물에는 Ho, Tb, Eu, Dy, Yb, Er, Pr으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 희토류 이온을 부가적으로 포함시켜 사용하는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable to additionally include one or two or more rare earth ions selected from the group consisting of Ho, Tb, Eu, Dy, Yb, Er, and Pr as the doped impurities.

또한, 상기 금속 이온으로는 Al, La, Te로 이루어진 그룹 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 선택하여 사용 가능한데, 바람직하게는 상기 금속 이온으로 Te의 이온을 사용한다.In addition, any one or two or more of the group consisting of Al, La, and Te may be selected and used as the metal ions. Preferably, the ion of Te is used as the metal ion.

한편, 본 발명에서의 코어층은 불순물이 도핑되는 제1코어층(4)과 불순물이 도핑되지 않는 제2코어층(3)으로 구획되지만, 이 외에도 불순물이 도핑되는 하나의 단일층 만으로의 형성도 가능하다.Meanwhile, the core layer of the present invention is divided into a first core layer 4 doped with impurities and a second core layer 3 not doped with impurities, but only one single layer doped with impurities is formed. It is also possible.

또한, 상기 광증폭기용 광섬유의 여기광원으로 Tm3+이온의 흡수가 발생하는 파장의 레이져 및 레이져 다이오드를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use a laser and a laser diode of a wavelength at which absorption of Tm 3+ ions occurs as an excitation light source of the optical amplifier optical fiber.

상기한 본 발명에 따른 광섬유의 제조방법은 다음과 같다.The manufacturing method of the optical fiber according to the present invention described above is as follows.

먼저, 실리카 기판튜브(1)에 사염화실리콘과 사염화게르마늄과 불소를 기상상태로 공급하고, 상기 기판튜브(1)를 회전시킴과 동시에 외부의 가열원을 좌, 우방향으로 이동시키면서 가열하여, 기판튜브(1) 내벽에 소결 투명화를 이루어 미립자의 퇴적을 일으킴으로서, 굴절율이 기판튜브(1)보다 약 0.2% 작은 클래드층(2) 또는 기판튜브(1)와 같도록 클래드층(2)을 형성시킨다.First, silicon tetrachloride, germanium tetrachloride, and fluorine are supplied to the silica substrate tube 1 in a gaseous state, and the substrate tube 1 is rotated and heated while moving an external heating source to the left and right directions, thereby heating the substrate. By sintering transparent to the inner wall of the tube 1 to cause the deposition of fine particles, the clad layer 2 is formed such that the refractive index is equal to the cladding layer 2 or the substrate tube 1 which is about 0.2% smaller than the substrate tube 1. Let's do it.

그리고, 상기 제2코어층(3)은 사염화실리콘과 사염화게르마늄을 기상 상태로 공급하고, 상기와 같이 기판튜브(1)를 회전시킴과 동시에 외부의 가열원을 좌, 우 방향으로 이동하면서 가열하여, 클래드층(2) 내벽에 소결 투명화를 이루어 미립자의 퇴적을 일으킴으로서, 굴절율이 기판튜브(1) 보다 약 0.2%에서 1.2% 높은 제2코어층(3)을 퇴적시킨다.The second core layer 3 supplies silicon tetrachloride and germanium tetrachloride in a gaseous state, rotates the substrate tube 1 as described above, and heats the external heating source while moving in the left and right directions. By sintering the inner wall of the cladding layer 2 to cause fine particles to be deposited, the second core layer 3 having a refractive index of about 0.2% to 1.2% higher than that of the substrate tube 1 is deposited.

상기한 바와 같이 MCVD공법을 이용하여 광섬유의 모재를 제조하기 위해 실리카 기판튜브(1) 내부에 클래드층(2)과 제2코어층(3)을 형성시키는 준비단계(S10)가 끝나면, 제2코어층(3)을 퇴적시키는 방법과 같은 방법으로 제1코어층(4)을 퇴적시키는데, 제2코어층(3)과 퇴적 방법에서 차이점은 외부에서 가열하는 온도를 높게 하여 완전 소결을 이루는 것이 아니라 온도를 낮게 하여 부분 소결을 이루어 불순물에 대한 호스트(host)를 제공하게 한다(S20).As described above, when the preparation step (S10) of forming the cladding layer 2 and the second core layer 3 inside the silica substrate tube 1 to manufacture the base material of the optical fiber by the MCVD method, the second, The first core layer 4 is deposited in the same way as the core layer 3 is deposited. The difference between the second core layer 3 and the deposition method is that the external heating is performed at a high temperature to achieve complete sintering. Instead, by lowering the temperature, partial sintering is performed to provide a host for impurities (S20).

이러한 호스트는 증착되는 화학물질이 기포를 만들어 내지 않고 불순물에 대해 다공성 구조를 가질 수 있도록 최적화되어야 한다.Such hosts must be optimized so that the chemicals deposited are porous without impurities and create bubbles.

이와 같이 부분 소결하는 이유는 부분 소결을 하지 않고 완전 소결 시킬 경우, 상기 제1코어층(4) 부분에 공간 형성이 어려워 도핑이 활발하게 이루어지지 않기 때문이다.The reason for the partial sintering as described above is that when sintering completely without partial sintering, it is difficult to form a space in the first core layer 4 and doping is not actively performed.

상기한 코어층의 내면 즉 제1코어층(4)에 Tm3+이온 및 금속이온에 대하여 호스트를 제공하는 부분 소결층을 형성시키는 단계(S20) 이후에는, 상기 부분 소결층이 형성된 모재에 Tm3+이온 및 금속이온이 혼합된 용액을 약 1시간 동안 유지하여 부분 소결층에 용액이 균일하게 도핑되도록 한다(S30).After the step (S20) of forming a partial sintered layer to provide a host for the Tm 3+ ions and metal ions on the inner surface of the core layer, that is, the first core layer (4), Tm on the base material on which the partial sintered layer is formed The solution mixed with 3+ ions and metal ions is maintained for about 1 hour so that the solution is uniformly doped in the partially sintered layer (S30).

이때, 상기 제1코어층(4)에 도핑되는 용액은 Tm 외에 Pr, Er, Nd, Eu, Tb, Dy, Ho, Yb으로 이루어진 군으로부터 선택된 희토류 금속 이온을 포함할 수 있으며, 상기 금속이온은 Al, Te, La로 이루어진 그룹 중에서 어느 하나 또는 둘 이상이 선택된 금속 이온이 혼합되어 이루어진다.In this case, the solution doped in the first core layer 4 may include rare earth metal ions selected from the group consisting of Pr, Er, Nd, Eu, Tb, Dy, Ho, Yb in addition to Tm, wherein the metal ion Any one or two or more selected from the group consisting of Al, Te, and La are made by mixing metal ions.

상기 Tm3+이온 및 희토류 금속이온과 금속이온을 물이나 아세톤 또는 알코올과 같이 희토류 금속이온과 금속이온을 녹일 수 있는 용매에 넣어 만든다.The Tm 3+ ions, rare earth metal ions and metal ions are prepared by adding a rare earth metal ion and a metal ion such as water, acetone or alcohol in a solvent capable of dissolving.

상기한 용액도핑단계(S30)이후, 도핑 용액을 건조시키고 호스트(host)로 제공된 부분 소결층을 완전 소결 시킨 후, 고온에서 모재를 붕괴시켜 상기 Tm3+이온 및 금속이온이 함유된 유리봉을 제조하고 일정한 직경의 광섬유로 인선하여 광증폭기용 광섬유를 생산하게 된다(S40).After the solution doping step (S30), the doping solution is dried and the partially sintered layer provided as a host is completely sintered, and then the base material is collapsed at a high temperature to obtain the glass rod containing the Tm 3+ ions and metal ions. By manufacturing and cutting the fiber with a constant diameter of the optical amplifier to produce an optical fiber (S40).

이와 같은 방법으로 제조된 광섬유는 코어층의 직경이 약 1에서 6㎛이고, 광섬유의 직경은 125㎛가 되는데, 코어층의 직경 및 굴절률을 조절함으로써, 1250nm이하의 차단파장(cutoff wavelength)을 지니도록 한다.The optical fiber manufactured in this way has a diameter of the core layer of about 1 to 6㎛, the diameter of the optical fiber is 125㎛, by controlling the diameter and refractive index of the core layer, having a cutoff wavelength of less than 1250nm. To do that.

즉, 공지된 기술로서와 같은 식이 있다.That is, as a known technique Is the same as

이때, a는 코어의 반지름이고, n1은 코어의 굴절률, n2는 클래드의 굴절률,는 빛의 파장을 나타내며,이다.Where a is the radius of the core, n 1 is the refractive index of the core, n 2 is the refractive index of the clad, Represents the wavelength of light, to be.

상기 식에서 V 값이 2.405보다 작을 때의값이 차단파장이 된다.Where V is less than 2.405 The value is the blocking wavelength.

따라서,라는 식을 통해 코어의 크기와 굴절률을 조절하여 원하는 차단파장을 조절하게 된다.therefore, By controlling the size and refractive index of the core through the equation to control the desired blocking wavelength.

한편, 상기 광섬유의 제1코어층(4)에 도핑되는 희토류 이온으로는3H4준위에서 하위 준위인3F4준위로 전이를 일으키며 1480nm의 형광을 내는 Tm3+이온이 첨가되고, 광증폭 대역을 넓히며 모재의 격자진동 에너지를 줄여 주는 Al, Te, La과 금속 이온들이 첨가되는 것이 바람직하다.Meanwhile, as rare earth ions doped in the first core layer 4 of the optical fiber, Tm 3+ ions which emit 1480 nm of fluorescence with a transition from 3 H 4 levels to 3 F 4 levels, which are lower levels, are added and are optically amplified. It is desirable to add Al, Te, La and metal ions that widen the band and reduce the lattice vibration energy of the base metal.

이때, 상기 Tm3+이온의 함량은 100~20,000 ppm 인 것이 바람직하며, 상기 금속이온의 함량은 0.01~10mol% 인 것이 바람직하다.In this case, the content of the Tm 3+ ions is preferably 100 ~ 20,000 ppm, the content of the metal ions is preferably 0.01 ~ 10mol%.

즉, 상기 제1코어층(4)이 1430nm~1530nm의 파장대역에서 격자 진동으로 Tm3+3H4준위에서3H5준위로 천이에 의한 에너지가 기지 재료에 흡수되는 것을 방지하기 위하여 Te 이온과 함께 도핑되는 것이 바람직하며, 상기 제1코어층(4)이 1430nm~1530nm의 파장대역에서 도핑되는 희토류 이온의 용해도를 증가시키고 광증폭 범위를 늘리기 위해 금속이온 Al 또는 La과 함께 도핑되는 것이 바람직하다.That is, the first core layer 4 in the wavelength band of 1430nm ~ 1530nm in order to prevent the energy absorbed by the transition from the 3 H 4 level of Tm 3 + to 3 H 5 level by the lattice vibration to the base material It is preferable to be doped with ions, and the first core layer 4 is doped with metal ions Al or La to increase the solubility of the rare earth ions doped in the wavelength range of 1430 nm to 1530 nm and to increase the optical amplification range. desirable.

또한, Tm3+의 하위준위인3F4준위의 형광 수명이 1480nm의 형광을 발현하는3H4준위의 형광 수명보다 길어 자발적인 형광 발현을 어렵게 하기 때문에, 상기 제1코어층(4)을 도핑시키는 용액에는 에너지 전달에 의해 Tm3+이온의 하위준위인3F4준위에서 다른 희토류 금속 이온으로 전이되어3F4준위의 형광 수명을 줄이는 역할을 하는 Ho, Dy, Eu, Tb이온을 첨가한다.In addition, since the fluorescence lifetime of the 3 F 4 level, which is a lower level of Tm 3+ , is longer than the fluorescence lifetime of the 3 H 4 level which expresses 1480 nm fluorescence, spontaneous fluorescence expression is difficult, and thus, the first core layer 4 is doped. solution has a Tm 3+ in the 3 F 4 level of the lower energy level of the ions is transferred to the other rare earth metal ion, which serves to reduce the fluorescent lifetime of the 3 F 4 level Ho, Dy, Eu, Tb ions by energy transfer is added to .

이때, 상기 첨가되는 희토류 이온의 함량은 0.01~5 mol% 인 것이 바람직하다.At this time, the content of the rare earth ions added is preferably 0.01 ~ 5 mol%.

즉, 종래 기술에서 언급한 바와 같이 Tm3+이온의3H4준위와3H5준위와의 간격이 약 4200cm-1로(John B. MacChensey, David J. DiGiovanni, J. Am. Ceram. Soc., 73[12], 1990) 약 1100cm-1의 격자 진동에너지를 가지는 실리카 유리를 이용하여 형광방출을 유도할 경우 원하는3H4준위에서3F4준위로 천이가 일어나며 형광을 방출하지 못하고, 격자 진동에 의해 열이 기지 재료로 흡수된다.That is, as mentioned in the prior art, the distance between the 3 H 4 level and the 3 H 5 level of the Tm 3+ ion is about 4200 cm −1 (John B. MacChensey, David J. DiGiovanni, J. Am. Ceram. Soc , 73 [12], 1990) When fluorescence emission is induced by using silica glass having a lattice vibration energy of about 1100 cm −1 , transition from the desired 3 H 4 level to 3 F 4 level does not emit fluorescence, Heat is absorbed into the matrix material by the lattice vibration.

이러한 문제점을 해결하고자, 불화물계 유리와 황화물계 유리가 연구되고 있는데, 미국 특허 제 6266181호에는 기지 재료로서 텔루라이트(tellurite)계 유리를 사용하여 광섬유 증폭기에 대하여 제시하였고, Y.G. Choi의 논문(Influence of 4fabsorption transitions of Dy3+ on the emission spectra of Tm3+-doped tellurite glasses, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, pp 1-7, 2000)에 의하면 1480nm의 형광을 얻어냈다.In order to solve this problem, fluoride glass and sulfide glass have been studied. US Pat. No. 6266181 proposes a fiber amplifier using tellurite glass as a known material, and YG Choi's paper (Influence) of 4fabsorption transitions of Dy3 + on the emission spectra of Tm 3+ -doped tellurite glasses, Journal of Non-Crystalline Solids, 276, pp 1-7, 2000).

그러나, 기지 재료의 굴절률이 높아 기존의 실리카 광섬유와 접속을 하였을 경우 신호광이 전달되지 않고 산란등의 원인에 의하여 손실될 수 있고, 불화물계 유리와 황화물계 유리, 텔루라이트 유리의 용융점과 실리카 광섬유의 용융점 차이가 약 500℃ 이상이므로 용융을 통한 접속이 어렵다.However, if the refractive index of the known material is high, when connected with the existing silica optical fiber, the signal light may not be transmitted and may be lost due to scattering, and the melting point of the fluoride glass, the sulfide glass, the tellurium glass, and the silica optical fiber may be lost. Since melting point difference is about 500 degreeC or more, connection through melting is difficult.

이와 더불어 광섬유는 원료를 도가니에 넣어 녹인 후 광섬유를 인선하는 용융법으로 제조하기 때문에 OH-와 전이 금속등과 같은 불순물에 의한 오염의 가능성이 높고, 광섬유 결함이 생길 가능성 또한 매우 높다.In addition, since the optical fiber is manufactured by melting a raw material into a crucible and then cutting the optical fiber, there is a high possibility of contamination by impurities such as OH - and a transition metal, and an optical fiber defect is also very likely.

따라서, 본 발명은 낮은 격자 진동 에너지를 가지는 실리카 유리 광섬유를 제작하기 위하여 Te, Al, La를 함께 도핑시켜 희토류 주위의 국부 환경을 실리카 유리가 아닌 다른 유리 환경으로 만들고, 이로써 실리카 광섬유에서 1480nm 대역의 형광을 얻을 수 있도록 하였다.Therefore, in order to fabricate a silica glass optical fiber having a low lattice vibration energy, the present invention dopes Te, Al, and La together to make the local environment around the rare earth into a glass environment other than silica glass, thereby making the 1480 nm band in the silica optical fiber. Fluorescence was obtained.

도 3은 Tm3+이온의 에너지 준위도를 나타내는 도면인데, 800nm의 여기광으로 Tm3+이온이 바닥상태에서3H4준위로 여기되고,3F4준위로 천이가 이루어져 1480nm의 형광을 내게 된다. 또한3F4준위에서 바닥상태인3H6준위로 천이되며 1800nm의 형광을 내게 된다.Inde Figure 3 shows an energy level diagram of the Tm 3+ ions, the excitation light of 800nm Tm 3+ ions are excited to 3 H 4 level in the ground state, the transition consists of a 3 F 4 level to me fluorescence of 1480nm do. In addition, the transition from the 3 F 4 level to the ground state of the 3 H 6 level gives a fluorescence of 1800nm.

그리고, 1064nm의 여기광으로 Tm3+이온이3H5준위로 여기되고, 다시3F2준위로 여기가 이루어진 후 자발적으로3H4준위로 격자 진동에 의해 천이되고3F4준위로 천이가 이루어지면서 1480nm의 형광이 발생한다.Then, the excitation light of the 1064nm Tm 3+ ions is excited by 3 H 5 level, and transition back by the lattice vibration in spontaneously 3 H 4 level then this is made a transition to the 3 F 2 level 3 F 4 level Fluorescence of 1480 nm occurs.

상기한 바와 같이 본 발명은 실리카 유리의 제1코어층(4)에 희토류 이온이 도핑 되어 있고 더불어 다른 금속이온이 도핑 되어 있는 광증폭기용 광섬유를 제공하는데, 상기 광섬유는 MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)법으로 제조되었고, 전통적인 용액 도핑법으로 상기 제1코어층(4)에 Tm3+이온과 다른 금속 이온을 도핑 시킨다.As described above, the present invention provides an optical amplifier optical fiber in which a rare earth ion is doped in the first core layer 4 of silica glass and another metal ion is doped, and the optical fiber is a modified chemical vapor deposition (MCVD). Tm 3+ ions and other metal ions are doped into the first core layer 4 by a conventional solution doping method.

한편, 상기한 광섬유를 이용하여 주지된 구성을 갖는 광증폭기의 생산이 가능한바, 상기 광증폭기로 이용되는 여기광원으로는 Tm3+이온의 흡수가 발생하는 파장의 레이져 및 레이져 다이오드를 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is possible to produce an optical amplifier having a well-known configuration using the above-described optical fiber, the excitation light source used as the optical amplifier is to use a laser and a laser diode of the wavelength at which the absorption of Tm 3 + ions occurs. desirable.

실시예 1Example 1

도 4는 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼의 형광 측정 장치를 나타낸 도면인데, 코어에 Tm, Tb, Al, Te이온이 첨가된 광섬유 프리폼(14)을 제조하고, 측정에 맞는 시편을 제조하여 형광 스펙트럼과 흡수 스펙트럼을 측정하였다.4 is a view showing a fluorescence measuring device of the optical amplifier preform prepared according to Example 1 of the present invention, the optical fiber preform 14 to which Tm, Tb, Al, Te ions are added to the core, Fit specimens were prepared to measure fluorescence spectra and absorption spectra.

이때, 시편의 크기는 직경이 15mm이고 높이가 20mm이고, 코어의 크기는 1.13mm이고, Tm3+이온의 농도는 EPMA(Electron Probe Micro Analysis)를 이용하여 측정한 결과 0.16wt%이다. 그리고, 단면은 1㎛이하로 광학연마 하였고, 실험은 상온에서 진행되었다.At this time, the size of the specimen is 15mm in diameter, 20mm in height, the size of the core is 1.13mm, the concentration of Tm 3+ ions is 0.16wt% as measured using Electron Probe Micro Analysis (EPMA). And, the cross section was optically polished to less than 1㎛, the experiment was conducted at room temperature.

실시예 1의 실험장치를 구체적으로 살펴보면, 488nm 파장의 Ar레이져(11)로 구동되는 800nm파장의 Ti-Sapphire레이져(12)로 Tm3+이온을 여기시켜 모노크로미터(15)로 빛을 파장별로 분리하고, InSb디텍터(17)로 신호광을 측정하고 컴퓨터(20)를 이용하여 형광 스펙트럼을 얻었다.Looking specifically at the experimental apparatus of Example 1, the Tm 3 + ions are excited with an 800 nm wavelength Ti-Sapphire laser 12 driven by an Ar laser 11 having a 488 nm wavelength to excite light with a monochromator 15. Was separated, and the signal light was measured with an InSb detector 17, and a fluorescence spectrum was obtained using a computer 20.

즉, 800nm의 파장을 지니고 입사광의 세기가 1.3W인 Ti-Sapphire 레이져(12) 광원을 제조된 프리폼(14)의 코어부분에 입사 시켜 자발적으로 발현하는 형광을 입사광으로부터 수직으로 놓여진 550nm에서 2800nm까지의 빛을 감지할 수 있는 InSb 디텍터(EG&G사, 11)를 사용하여 형광 스펙트럼을 얻어냈다.That is, the fluorescence which spontaneously expresses by injecting the Ti-Sapphire laser 12 light source having a wavelength of 800 nm and the incident light intensity of 1.3 W into the core portion of the manufactured preform 14 from 550 nm to 2800 nm placed vertically from the incident light. Fluorescence spectra were obtained using an InSb detector (EG & G, 11) capable of detecting light.

그리고, 상기 모노크로미터(9)는 1/4m의 것을 사용하였고, 디텍터(17)에서 나오는 신호를 증폭하기 위하여 100회/초로 회전하는 초퍼(7)와 lock-in-amplifier(13)을 사용하였다.In addition, the monochromator 9 is a 1/4 m, and the chopper 7 and the lock-in-amplifier 13 rotated at 100 times / second to amplify the signal from the detector 17. It was.

또한, 흡수 스펙트럼은 모재를 원판 모양으로 가공하여 PerkinElmer 사의 Lambda 900 UV/VIS/NIR spectrometer를 사용하여 측정하였다.In addition, the absorption spectrum was measured by using a Lambda 900 UV / VIS / NIR spectrometer of PerkinElmer by processing the base material in the shape of a disk.

이때, 도면부호 16은 모노크로미터 콘트롤러이고, 도면부호 18은 전 증폭기이다.In this case, reference numeral 16 is a monochromator controller, and reference numeral 18 is a preamplifier.

도 5는 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼에 800nm 파장의 레이저를 조사하여, Tm3+이온의 1480nm형광 및 1800nm의 형광 방출 스펙트럼을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram showing a 1480 nm fluorescence of a Tm 3+ ion and a fluorescence emission spectrum of 1800 nm by irradiating a laser having a wavelength of 800 nm to a preamplifier for an optical amplifier prepared according to Example 1 of the present invention.

그리고, 도 6은 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼에서 Tm3+의 600nm에서 850nm 파장대역에서의 흡수 스펙트럼을 나타낸 도면인데, 800nm 파장대에 Tm3+이온의3H4준위와 650nm에서 700nm에 걸친 열적으로 접속된3F33F2준위를 볼 수 있다.And, Figure 6 is a view showing the absorption spectrum in the 600nm to 850nm wavelength band of Tm 3+ in the optical amplifier preform manufactured according to Example 1 of the present invention, 3 H 4 level of Tm 3 + ion in the 800nm wavelength band You can see thermally connected 3 F 3 and 3 F 2 levels from 650 nm to 700 nm.

또한, 도 7은 본 발명의 실시 예 1에 따라 제조된 광증폭기용 프리폼에서Tm3+의 1150nm에서 1250nm 파장대역에서의 흡수 스펙트럼을 나타낸 도면인데, 1210nm대에 Tm3+이온의3H5준위를 볼 수 있다.In addition, Figure 7 is a view showing the absorption spectrum in the wavelength range of 1150nm to 1250nm of Tm 3+ in the optical amplifier preform manufactured according to Example 1 of the present invention, 3 H 5 level of Tm 3 + ion in the band 1210nm Can be seen.

한편, 본 발명의 추가적인 이점 및 변형은 이 분야의 지식을 가진 자에게는 용이하게 알 수 있을 것이다.On the other hand, additional advantages and modifications of the present invention will be readily apparent to those skilled in the art.

따라서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 갖는 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Therefore, various modifications and variations are possible to those skilled in the art within the equivalent scope of the technical concept of the present invention and the claims to be described below.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 광증폭기용 광섬유는 1430nm에서 1530nm대역에서 사용가능하고, 제조를 위한 비용이 저렴하며, 안정된 광학특성 및 편의성을 제시하는 효과가 있다.As described above, the optical fiber for an optical amplifier according to the present invention can be used in the band from 1430 nm to 1530 nm, is inexpensive for manufacturing, and has an effect of presenting stable optical characteristics and convenience.

또한, 높고 안정된 도핑 농도를 얻을 수 있으며, 도핑 이온의 농도와 굴절율 프로파일을 조절하는 것에 의해 적절한 광증폭 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.In addition, a high and stable doping concentration can be obtained, and an appropriate optical amplification characteristic can be obtained by adjusting the concentration of the doping ions and the refractive index profile.

그리고, 본 발명은 낮은 격자 진동 에너지를 지니는 불화물계 유리와 황화물계 유리에서만 Tm3+이온이 1480nm 대역에서 형광을 발현하는 문제점을 해결하여, 1480nm 대역에서 광증폭이 가능한 광증폭기용 실리카 광섬유를 제공하는 효과가 있다.In addition, the present invention solves the problem that Tm 3+ ions fluoresce in the 1480 nm band only in the fluoride-based glass and sulfide-based glass having low lattice vibration energy, thereby providing an optical amplifier silica optical fiber capable of optical amplification in the 1480 nm band. It is effective.

Claims (10)

기판튜브, 클래드층 및 코어층을 포함하는 광섬유에 있어서,In an optical fiber comprising a substrate tube, a cladding layer and a core layer, 상기 광섬유가 1430nm에서 1530nm의 영역에서 광증폭기로 사용되도록 기지재료로서 실리카, 게르마늄, 불소를 포함하고,It includes silica, germanium, fluorine as a base material so that the optical fiber is used as an optical amplifier in the region of 1430nm to 1530nm, 상기 코어층의 중심부에는 Tm3+이온 및 금속이온을 포함하는 불순물이 도핑되는 제1코어층과;A first core layer doped with an impurity including Tm 3+ ions and a metal ion in a central portion of the core layer; 상기 제1코어층의 외주면에 형성되고 불순물이 도핑되지 않는 제2코어층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유.The optical amplifier optical fiber, characterized in that formed on the outer circumferential surface of the first core layer and composed of a second core layer which is not doped with impurities. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도핑되는 불순물에 Ho, Tb, Eu, Dy, Yb, Er, Pr으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 희토류 이온을 부가적으로 포함시켜 사용함을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유.Optical fiber for an optical amplifier, characterized in that the doped impurities additionally include any one or two or more rare earth ions selected from the group consisting of Ho, Tb, Eu, Dy, Yb, Er, Pr. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 이온으로는 Al, La, Te로 이루어진 그룹 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 선택하여 사용함을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유.The optical fiber for an optical amplifier, characterized in that to use any one or two or more selected from the group consisting of Al, La, Te as the metal ion. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코어층의 직경과 굴절율의 조절을 통해 1250nm 이하의 차단파장(cutoff wavelength)을 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유.Optical fiber for an optical amplifier, characterized in that to maintain a cutoff wavelength of 1250nm or less by controlling the diameter and the refractive index of the core layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1코어층과 제2코어층은 불순물이 도핑되는 단일층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광증촉기용 광섬유.And the first core layer and the second core layer are formed of a single layer doped with impurities. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 광증폭기용 광섬유의 여기광원으로 Tm3+이온의 흡수가 발생하는 파장의 레이져 및 레이져 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유.An optical amplifier optical fiber, characterized in that for the excitation light source of the optical amplifier optical fiber using a laser and a laser diode of a wavelength at which the absorption of Tm 3 + ions occurs. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재된 광섬유를 이용한 광 증폭기.The optical amplifier using the optical fiber of any one of Claims 1-5. MCVD 공법을 이용하여 광섬유의 모재를 제조하기 위하여 실리카 기판튜브 내부에 클래드층과 제2코어층을 형성시키는 단계(S10)와;Forming a cladding layer and a second core layer in the silica substrate tube in order to manufacture the base material of the optical fiber by using the MCVD method (S10); 상기 제2코어층의 내면에 Tm3+이온 및 금속 이온에 대하여 호스트(Host)를 제공하는 부분 소결층을 이루는 제1코어층을 형성시키는 단계(S20)와;Forming a first core layer on the inner surface of the second core layer, the first core layer forming a partially sintered layer providing a host to Tm 3+ ions and metal ions; 상기 부분 소결층이 형성된 제1코어층(4)에 Tm3+이온 및 금속이온이 혼합된 용액을 균일하게 용액 도핑하는 단계(S30)와;Uniformly doping the solution of a mixture of Tm 3+ ions and metal ions in the first core layer (4) having the partial sintered layer (S30); 용액 도핑이 완료된 후 고온에서 모재를 붕괴시켜 상기 Tm3+이온 및 금속이온이 함유된 유리봉을 제조하고 일정한 직경의 광섬유로 인선하는 단계(S40)를 통해 광섬유를 제조하는 것을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유 제조 방법.After the solution doping is completed, the substrate is collapsed at a high temperature to produce a glass rod containing the Tm 3+ ions and metal ions, and the optical amplifier is characterized in that the optical fiber is produced through the step (S40) of cutting a constant diameter optical fiber Method for manufacturing optical fiber for 제 8항에 있어서, 상기 도핑되는 불순물에 Ho, Tb, Eu, Dy, Yb, Er, Pr으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 희토류 이온을 부가적으로 포함시켜 사용함을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유 제조 방법.9. The optical amplifier of claim 8, wherein any one or two or more rare earth ions selected from the group consisting of Ho, Tb, Eu, Dy, Yb, Er, and Pr are additionally included in the doped impurities. Optical fiber manufacturing method. 제 8항에 있어서, 상기 금속 이온으로는 Al, La, Te로 이루어진 그룹 중에서 어느 하나 또는 둘 이상을 선택하여 사용함을 특징으로 하는 광증폭기용 광섬유 제조 방법.The method of claim 8, wherein the metal ion is selected from any one or two or more selected from the group consisting of Al, La, Te is used in the optical amplifier optical fiber manufacturing method.
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