KR20030086673A - RF matching system for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조설비용 알에프(Radio Frequency;이하, 'RF'라 칭함) 매칭시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 RF 제너레이터(Generator)에서 발생시킨 RF 파워(Power)를 손실없이 공정챔버(Chamber)에 전달할 수 있도록 하는 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radio frequency (RF) matching system for semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a process chamber without losing RF power generated by an RF generator. The present invention relates to an RF matching system for semiconductor manufacturing equipment that can be delivered to
일반적으로 공정챔버에 RF 파워를 전달하여 가스(Gas)를 방전시키게 되면 플라즈마(Plasma)가 형성되게 된다. 이때, 이와 같이 형성되는 플라즈마는 애싱(Asing)이나 에칭(Etching) 등의 여러 단위공정에서 매우 정밀한 공정까지 수행가능하게 하기 때문에 최근 디자인룰(Design rule)의 미세화 추세와 함께 그 이용이 확산되고 있다.In general, when the gas is discharged by transmitting RF power to the process chamber, plasma is formed. At this time, since the plasma formed as described above can perform a very precise process in various unit processes such as ashing or etching, the use of the plasma has been spread along with the trend of miniaturization of design rules. .
여기에서, 플라즈마를 형성시키기 위한 적정 RF 파워는 RF 제너레이터에서 발생되어 공정챔버로 전달되게 되는 바, 이때 전달되는 RF 파워는 종종 그 전달되는 동안 주파수 범위가 변화되면서 공정챔버에 가스를 방전시키기 위한 최대 전력을 전달시키지 못하게 된다.Here, the appropriate RF power for forming the plasma is generated at the RF generator and delivered to the process chamber, where the delivered RF power is often the maximum for discharging gas into the process chamber as the frequency range changes during its delivery. It can't deliver power.
이에, 종래의 반도체 제조설비에는 RF 제너레이터에서 발생된 적정 RF 파워가 손실없이 공정챔버에 전달될 수 있도록 하는 RF 매칭시스템이 구비된다.Thus, the conventional semiconductor manufacturing equipment is provided with an RF matching system that allows the appropriate RF power generated by the RF generator to be transmitted to the process chamber without loss.
이하, 도 1을 참조하여 종래 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템(10)을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the RF matching system 10 for a conventional semiconductor manufacturing facility will be described in detail with reference to FIG. 1.
도면에 도시된 바와 같이 공정이 진행되는 공정챔버(60)는 일측에 구비되며, 이러한 공정챔버(60)에 RF 파워를 공급하여 가스방전이 발생되도록 하는 RF 제너레이터(20)는 공정챔버(60)의 타측에 구비된다.As shown in the figure, a process chamber 60 in which a process is performed is provided at one side, and the RF generator 20 for supplying RF power to the process chamber 60 to generate gas discharge is a process chamber 60. It is provided on the other side of the.
그리고, RF 제너레이터(20)에서 발생된 적정 RF 파워를 손실없이 공정챔버(60)에 전달될 수 있도록 하는 RF 매쳐(30)는 공정챔버(60)와 RF 제너레이터(20) 사이에 개재되며, RF 제너레이터(20)와 RF 매쳐(30) 및 공정챔버(60)는 RF 케이블(Cable,15)에 의해 연결된다.In addition, an RF matcher 30 for transmitting the appropriate RF power generated from the RF generator 20 to the process chamber 60 without loss is interposed between the process chamber 60 and the RF generator 20. The generator 20, the RF matcher 30 and the process chamber 60 are connected by an RF cable 15.
이때, 챔버시스템(Chamber system)에서 가장 이상적인 RF 파워의 정합은 RF 파워의 내부 임피던스(Impedance)와 공정챔버(60)의 내부 임피던스가 동일하게 되는 상태인 바, RF 매쳐는 공정챔버(60) 내부의 임피던스를 측정한 다음 이 공정챔버(60) 내부의 임피던스에 맞게 RF 제너레이터(20)로부터 전달된 RF 파워의 내부 임피던스를 매칭시켜 공정챔버(60)에 전달하게 된다.At this time, the most ideal RF power matching in the chamber system is a state in which the internal impedance of the RF power and the internal impedance of the process chamber 60 are equal to each other, and the RF matcher is inside the process chamber 60. After measuring the impedance of the process chamber 60 to match the internal impedance of the RF power delivered from the RF generator 20 according to the impedance inside the process chamber 60 is transmitted to.
이에 RF 제너레이터(20)로부터 전달된 RF 파워는 RF 케이블(15)을 통해 손실없이 공정챔버(60)에 전달되어 가스를 방전시키게 된다.The RF power transmitted from the RF generator 20 is transmitted to the process chamber 60 without loss through the RF cable 15 to discharge the gas.
그러나, 이와 같은 종래 RF 매칭시스템(10)에 있어서, RF 케이블(15)과 공정챔버(60) 및 RF 매쳐(30)는 모두 그 환경 또는 제반 여건에 따라 임피던스가 변동되게 되는 바, 이러한 임피던스 변동은 일정범위(이하, '매칭범위'라 칭함) 내에서 변동될 경우 RF 매쳐(30)의 매칭능력에 의해 자동 상쇄가 되지만 이 임피던스 변동이 매칭범위 이상을 벗어났을 경우에는 RF 매쳐(30)의 매칭이 원활하게 이루어지지 않을 뿐만 아니라 RF 파워의 많은 손실을 야기하게 되어, 종국적으로는 가스를 제대로 방전시키지 못하게 되는 등 제반 문제들을 발생시키게 된다.However, in the conventional RF matching system 10, the impedance of the RF cable 15, the process chamber 60, and the RF matcher 30 are all fluctuated according to the environment or various conditions. Is automatically canceled by the matching capability of the RF matcher 30 when it changes within a certain range (hereinafter referred to as a 'matching range'), but when the impedance variation is outside the matching range or more, the matching of the RF matcher 30 is performed. Not only does this happen smoothly, but it also causes a lot of loss of RF power, which eventually leads to problems such as poor gas discharge.
즉, RF 케이블(15)의 경우 그 위치와 길이 및 보관상태에 따라 임피던스가 변하게 되고, 공정챔버(60)의 경우 정기적으로 실시하는 챔버 크리닝(Cleaning)에 의해 내부 임피던스가 변하게 되며, RF 매쳐(30)의 경우 분해 및 조립시에 내부 임피던스가 변하게 된다. 따라서, 이와 같은 임피던스의 변동이 매칭범위 이내일 경우 RF 매쳐에 의해 매칭되게 되며, 매칭범위 이상일 경우에는 위와 같은 제반 문제들이 발생되게 된다.That is, in the case of the RF cable 15, the impedance is changed according to its position, length, and storage state, and in the case of the process chamber 60, the internal impedance is changed by chamber cleaning performed regularly, and the RF matcher ( In the case of 30), the internal impedance changes during disassembly and assembly. Therefore, if the variation of the impedance is within the matching range is matched by the RF matcher, if it is above the matching range, the above problems are generated.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 RF 제너레이터에서 발생시킨 RF 파워를 손실없이 공정챔버에 전달할 수 있도록 하는 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an RF matching system for semiconductor manufacturing equipment that enables the RF power generated by the RF generator to be transmitted to the process chamber without loss.
도 1은 일반적인 반도체 제조설비용 알에프 매칭시스템을 도시한 블럭도.1 is a block diagram showing an RF matching system for a general semiconductor manufacturing equipment.
도 2는 본 발명의 일실시예인 반도체 제조설비용 알에프 매칭시스템을 도시한 블럭도.Figure 2 is a block diagram showing an RF matching system for a semiconductor manufacturing facility of one embodiment of the present invention.
이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명은 반응가스가 주입되는 공정챔버와, 반응가스를 방전시키기 위해 RF 파워를 발생시켜 공정챔버로 전달시켜주는 RF 제너레이터와, 공정챔버와 RF 제너레이터 사이에 설치되며 RF 제너레이터에서 발생된 후 공정챔버로 전달되는 동안 변동되는 RF 파워의 임피던스를 매칭시켜주는 RF 매쳐를 구비하는 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템에 있어서,The present invention for implementing the above object is installed between the process chamber, the RF generator for generating the RF power to deliver the reaction gas to the process chamber to discharge the reaction gas, and is installed between the process chamber and the RF generator RF In the RF matching system for semiconductor manufacturing equipment having an RF matcher for matching the impedance of the RF power that is generated during the generator and then transferred to the process chamber,
상기 RF 매쳐와 공정챔버 사이에는 RF 매쳐를 경유한 RF 파워의 임피던스를 측정하는 임피던스 계측기와, RF 매쳐의 매칭범위를 벗어난 RF 파워의 임피던스를 수동으로 매칭시켜주는 서브(Sub) RF 매쳐가 더 구비된 것을 특징으로 한다.Between the RF matcher and the process chamber further includes an impedance meter for measuring the impedance of the RF power via the RF matcher, and a sub RF matcher for manually matching the impedance of the RF power outside the matching range of the RF matcher. It is characterized by.
나아가, 상기 서브 RF 매쳐는 임피던스 계측기로 RF 파워를 측정하여 측정된 임피던스가 RF 매쳐의 매칭범위를 벗어난 경우 선택적으로 구동되는 것을 특징으로 한다.Further, the sub RF catcher is selectively driven when the measured impedance is out of the matching range of the RF matcher by measuring the RF power with an impedance meter.
더 나아가, 상기 서브 RF 매쳐는 수동으로 가변할 수 있는 수동형 인덕터(Inductor)인 것을 특징으로 한다.Further, the sub-RF matcher is a passive inductor (Inductor) that can be changed manually.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템(100)을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the RF matching system 100 for semiconductor manufacturing equipment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.
도 2에 도시된 바와 같이 플라즈마가 형성되고 공정이 진행되는 공정챔버(160)는 일측에 구비되며, 이러한 공정챔버(160)에 플라즈마가 형성되도록 적정 RF 파워를 공급하여 가스를 방전시키는 RF 제너레이터(120)는 공정챔버(160)의 타측에 구비된다.As shown in FIG. 2, a plasma chamber is formed and a process chamber 160 in which a process is performed is provided at one side, and an RF generator for supplying appropriate RF power to discharge a gas to form a plasma in the process chamber 160 ( 120 is provided on the other side of the process chamber 160.
그리고, RF 제너레이터(120)에서 발생된 적정 RF 파워를 손실없이공정챔버(160)에 전달될 수 있도록 하는 RF 매칭유닛(Unit;130,140,150)은 공정챔버(160)와 RF 제너레이터(120) 사이에 개재되며, RF 제너레이터(120)와 RF 매칭유닛(130,140,150) 및 공정챔버(160)는 RF 케이블(115)에 의해 연결된다.In addition, an RF matching unit (Unit; 130, 140, 150) that can be delivered to the process chamber 160 without losing the appropriate RF power generated in the RF generator 120 is interposed between the process chamber 160 and the RF generator 120. The RF generator 120, the RF matching units 130, 140, 150, and the process chamber 160 are connected by the RF cable 115.
보다 구체적으로 설명하면, RF 매칭유닛(130,140,150)은 RF 제너레이터(120)에서 발생된 적정 RF 파워가 손실없이 공정챔버(160)에 전달될 수 있도록 RF 파워를 매칭시켜주는 역할을 하며, 다시 RF 매쳐(130)와 서브 RF 매쳐(150) 및 임피던스 계측기(140)로 구성된다.More specifically, the RF matching unit 130, 140, 150 serves to match the RF power so that the appropriate RF power generated in the RF generator 120 can be delivered to the process chamber 160 without loss, and again, RF matcher 130, the sub RF matcher 150, and the impedance meter 140.
이때, 챔버시스템에서 가장 이상적인 RF 파워의 정합은 RF 파워의 내부 임피던스와 공정챔버(160)의 내부 임피던스가 동일하게 되는 상태인 바, RF 매쳐(130)는 RF 제너레이터(120)와 공정챔버(160) 사이에 설치되어 공정챔버(160)의 내부 임피던스를 측정한 다음 이 공정챔버(160)의 내부 임피던스에 맞게 RF 제너레이터(120)로부터 전달된 RF 파워의 내부 임피던스를 매칭시켜 공정챔버(160)로 전달하는 역할을 하게 된다.In this case, the most ideal RF power matching in the chamber system is a state in which the internal impedance of the RF power and the internal impedance of the process chamber 160 are the same, and the RF matcher 130 is the RF generator 120 and the process chamber 160. The internal impedance of the process chamber 160 is measured and then the internal impedance of the RF power transmitted from the RF generator 120 is matched to the process chamber 160 according to the internal impedance of the process chamber 160. It is to convey.
즉, 일예로 공정챔버(160)의 내부 임피던스가 50Ω일 경우 RF 제너레이터(120)는 공정챔버(160)의 내부 임피던스와 동일한 임피던스를 갖는 RF 파워를 발생시켜 공정챔버(160)로 전달하게 된다. 이때, RF 제너레이터(120)에서 발생되어 공정챔버(160)로 전달되는 적정 RF 파워는 전달되는 동안 내부환경 및 제반 조건에 의해 그 임피던스가 변동되게 되는 바, RF 매쳐(130)는 RF 파워가 전달되는 동안 변동된 임피던스를 다시 50Ω으로 보상해주는 역할을 하게 된다.That is, for example, when the internal impedance of the process chamber 160 is 50Ω, the RF generator 120 generates RF power having the same impedance as the internal impedance of the process chamber 160 and transmits the RF power to the process chamber 160. At this time, the appropriate RF power generated by the RF generator 120 and delivered to the process chamber 160 is changed in impedance due to the internal environment and various conditions during the transfer, and the RF matcher 130 transmits the RF power. During this time, it will compensate for the changed impedance back to 50Ω.
그리고, 임피던스 계측기(140)는 RF 매쳐(130)와 공정챔버(160) 사이에 설치되며, RF 매쳐(130)에 의해 보상된 RF 파워의 임피던스를 측정하는 역할을 한다.In addition, the impedance measuring unit 140 is installed between the RF matcher 130 and the process chamber 160, and serves to measure the impedance of the RF power compensated by the RF matcher 130.
또한, 서브 RF 매쳐(150)는 임피던스 계측기(140)와 공정챔버(160) 사이에 설치되며, RF 매쳐(130)를 경유한 RF 파워를 다시한번 매칭시키는 역할을 한다. 즉, 서브 RF 매쳐(150)는 RF 제너레이터(120)에서 발생되어 전달된 RF 파워의 임피던스가 RF 매쳐(130)가 보상할 수 있는 대역폭을 벗어나서 RF 매쳐(130)에 의해 매칭되지 못하였을 경우 이 RF 파워의 임피던스를 수동조절하여 공정챔버(160)의 임피던스에 매칭시키는 역할을 한다. 또, 서브 RF 매쳐(150)는 RF 파워가 RF 매쳐(130)를 경유한 후 재변동되었을 경우에도 이를 재보상해주는 역할도 겸하게 된다.In addition, the sub RF matcher 150 is installed between the impedance meter 140 and the process chamber 160, and serves to match the RF power via the RF matcher 130 once again. That is, the sub-RF matcher 150 is generated when the impedance of the RF power generated by the RF generator 120 is not matched by the RF matcher 130 because it is out of the bandwidth that the RF matcher 130 can compensate. By manually adjusting the impedance of the RF power serves to match the impedance of the process chamber 160. In addition, the sub-RF matcher 150 also serves to recompensate the RF power when it is changed again after passing through the RF matcher 130.
이때, 서브 RF 매쳐(150)는 임피던스 계측기(140)를 통해 RF 매쳐(130)를 경유한 RF 파워의 임피던스를 측정하였을 때 측정된 임피던스가 RF 매쳐(130)가 매칭할 수 있는 매칭범위에서 벗어난 경우 및 재보상이 필요할 경우에 사용자에 의해 선택적으로 구동되게 되며, 수동으로 가변할 수 있는 수동형 커패시터(Capacitor )및 수동형 인덕터 등이 서브 RF 매쳐(150)로 설치될 수 있다. 여기에서, 서브 RF 매쳐(150) 및 임피던스 계측기(140)는 RF 파워가 유입되는 공정챔버(160)에 근접하게 설치됨이 바람직하다.At this time, the sub-RF matcher 150 measures the impedance of the RF power via the RF matcher 130 through the impedance meter 140, and the measured impedance is out of a matching range that the RF matcher 130 can match. In the case of re-compensation and when necessary to be selectively driven by the user, a passive capacitor (Capacitor) and a passive inductor, which can be changed manually may be installed as a sub RF matcher (150). Here, it is preferable that the sub RF matcher 150 and the impedance meter 140 are installed in close proximity to the process chamber 160 into which the RF power is introduced.
이하, 이상과 같이 구성된 본 발명 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템(100)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation and effects of the RF matching system 100 for semiconductor manufacturing equipment of the present invention configured as described above will be described in detail.
먼저, 공정챔버(160)의 내부 임피던스가 50Ω일 경우 RF 제너레이터(120)는 이 공정챔버(160)의 내부 임피던스와 동일한 임피던스인 50Ω의 내부 임피던스를갖는 RF 파워를 발생시켜 RF 케이블(115)을 통해 공정챔버(160)로 전달하게 된다.First, when the internal impedance of the process chamber 160 is 50 Ω, the RF generator 120 generates RF power having an internal impedance of 50 Ω, which is the same impedance as the internal impedance of the process chamber 160 to generate the RF cable 115. It is transmitted to the process chamber 160 through.
이때, RF 제너레이터(120)에서 발생되어 공정챔버(160)로 전달되는 RF 파워의 임피던스는 RF 케이블(115)의 내부 환경 및 제반 조건 등에 의해 전달되는 동안 변동되게 된다. 이에 RF 매쳐(130)는 RF 제너레이터(120)와 공정챔버(160) 사이에 설치되어 이와 같이 변동되는 RF 파워의 임피던스를 다시 50Ω으로 보상해주게 된다.At this time, the impedance of the RF power generated by the RF generator 120 and delivered to the process chamber 160 is varied while being transmitted by the internal environment and general conditions of the RF cable 115. The RF matcher 130 is installed between the RF generator 120 and the process chamber 160 to compensate for the impedance of the RF power thus changed to 50Ω again.
이후, RF 제너레이터(120)에서 발생되어 RF 매쳐(130)를 경유한 RF 파워는 임피던스 계측기(140)와 서브 RF 매쳐(150)를 경유한 후 공정챔버(160)로 전달되게 된다.Thereafter, the RF power generated by the RF generator 120 and passed through the RF matcher 130 is transferred to the process chamber 160 after passing through the impedance meter 140 and the sub-RF matcher 150.
이때, 임피던스 계측기(140)는 RF 매쳐(130)를 경유한 RF 파워의 임피던스를 측정하는 바, 이 측정된 임피던스가 RF 매쳐(130)가 매칭할 수 있는 매칭범위에서 벗어난 경우 및 임피던스가 RF 매쳐(130)를 경유한 후 다시 변동되어 재보상이 필요한 경우에 사용자는 서브 RF 매쳐(150)를 수동으로 구동 및 조절하여 RF 파워의 임피던스를 공정챔버(160)의 임피던스와 동일한 크기의 임피던스로 매칭시키게 된다.At this time, the impedance measuring instrument 140 measures the impedance of the RF power via the RF matcher 130, and when the measured impedance is out of the matching range that the RF matcher 130 can match and the impedance is the RF matcher. If it is changed again after passing through 130 and needs to be recompensated, the user manually drives and adjusts the sub RF matcher 150 to match the impedance of the RF power with an impedance equal to the impedance of the process chamber 160. Let's go.
따라서, RF 제너레이터(120)에서 발생된 RF 파워는 손실없이 공정챔버(160)로 전달되게 되며, 공정챔버(160)내 반응가스는 방전되면서 플라즈마를 형성시키게 된다.Therefore, the RF power generated by the RF generator 120 is transferred to the process chamber 160 without loss, and the reaction gas in the process chamber 160 forms a plasma while discharging.
이상과 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템(100)은 종래와 같이 일정범위내 변동된 RF 파워의 임피던스의 경우 RF 매쳐(130)를 이용하여매칭시켜 줄 뿐만 아니라 종래에 매칭시키지 못했던 일정범위 이상 변동된 RF 파워일지라도 그 임피던스를 서브 RF 매쳐(150)를 이용하여 매칭시켜 줄 수 있게 된다.As described above, the RF matching system 100 for semiconductor fabrication equipment according to the present invention not only matches the conventional RF matcher using the RF matcher 130 in the case of the impedance of the RF power changed within a certain range as in the prior art, Even if the RF power fluctuates beyond a certain range, the impedance can be matched using the sub RF matcher 150.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템(100)에는 별도의 임피던스 계측기(140)가 구비되기 때문에 공정챔버(160)로 전달되는 RF 파워의 임피던스를 측정하여 이 임피던스가 RF 매쳐에서 매칭할 수 있는 매칭범위를 벗어난 경우에 선택적으로 서브 RF 매쳐(150)를 구동시킬 수 있게 된다.In addition, since the RF matching system 100 for semiconductor manufacturing facilities according to the present invention is provided with a separate impedance measuring instrument 140, the impedance of the RF power delivered to the process chamber 160 is measured and the impedance is matched in the RF matcher. If it is out of the possible matching range it is possible to selectively drive the sub RF matcher 150.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템은 종래와 같이 일정범위내 변동된 RF 파워의 임피던스의 경우 RF 매쳐를 이용하여 매칭시켜 줄 뿐만 아니라 종래에 매칭시키지 못했던 일정범위 이상 변동된 RF 파워일지라도 그 임피던스를 서브 RF 매쳐를 이용하여 매칭시켜 줄수 있게 되는 효과가 있다.As described above, the RF matching system for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention not only matches by using an RF matcher in the case of the impedance of the RF power which is changed within a certain range as in the prior art, but more than a certain range that cannot be conventionally matched. Even with varying RF power, the impedance can be matched using a sub-RF matcher.
또한, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 RF 매칭시스템에는 별도의 임피던스 계측기가 구비되기 때문에 공정챔버로 전달되는 RF 파워의 임피던스를 측정하여 이 임피던스가 RF 매쳐에서 매칭할 수 있는 매칭범위를 벗어난 경우에 선택적으로 서브 RF 매쳐를 구동시킬 수 있게 되는 효과가 있다.In addition, since the RF matching system for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention is provided with a separate impedance measuring device, the impedance of the RF power delivered to the process chamber is measured so that the impedance is out of the matching range that can be matched in the RF matcher. There is an effect that it is possible to selectively drive the sub RF matcher.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10971335B2 (en) | 2019-04-29 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Radio frequency (RF) power monitoring device and plasma enhanced (PE) system including the same |
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2002
- 2002-05-06 KR KR1020020024790A patent/KR20030086673A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10971335B2 (en) | 2019-04-29 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Radio frequency (RF) power monitoring device and plasma enhanced (PE) system including the same |
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Legal Events
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