KR20030070783A - 액상 에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법에 대해 개시한다. 본 발명은 PCB에 칩 본딩된 상태에서 에폭시 몰드 컴파운드를 사용하는 트랜스퍼 몰드 공법에 액상형 에폭시를 주입하여 몰드하는 공법으로 진행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 댐이나 컵이 없이도 형광체 안료를 일정한 두께로 쌓아 올려 항시 정확한 두께를 유지함으로써 자재 이용율을 향상시킬 수 있으며, 백색의 편차가 없이 제작의 균일성을 유지할 수 있다. 트랜스퍼 몰드 공법에 액상에폭시를 사용함으로써 자유자재 형태의 패키지에 대응할 수 있고, 고가의 EMC 대신 저가의 액상에폭시를 사용하여 제조비용을 낮출 수 있다.

Description

액상 에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법{A surface mounted device of white light emitted diode and Method for fabricating thereof}
본 발명은 백색 발광다이오드 제작방법에 관한 것으로, 특히 에폭시와 형광체 안료의 비중차에 의한 형광체 안료의 침강에 의해 백색광 표출의 균일도를 향상시키는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기존의 백색 발광다이오드의 제작에 있어서, 패키지를 컵형태의 반사판이 구현된 용기내에 형광체 안료를 채워 제작하는 방법, 또는 반도체 패키지 몰드 공법인 트랜스퍼 몰드 공법을 사용하여 제작하고, 방법을 이용하고 있다.
그런데, 패키지의 소형화, 즉 두께 및 크기의 한계가 있어 소형 패키지를 실용화하는데 제한이 있을 뿐만 아니라, 상기 트랜스퍼 몰드 공법은 사용되는 원자재가 에폭시 몰드 컴파운드로서 소형패키지를 제작함에 있어 공법의 금형 구조상으로 컬 부분과 런너 부위의 존재로 인하여 제품의 자재 이용율이 20％를 넘지 못하는단점이 있었다. 또한, 에폭시 몰드 컴파운드는 동일양의 에폭시에 비하여 2 배이상의 고가이므로 제품의 제조원가를 줄이는데 제한적이다. 그리고, 에폭시 몰드 컴파운드는 일반패키지 제조업체에서 원자재를 만들 수 없고, 컴파운드 제조업체에 의뢰하여 제조되어야 하나 표면실장형 패키지의 경우에는 그 사용량이 한정되어 있어 패키지 제작을 위한 건자재공급에 제한이 되고, 혼합되는 형광체 안료는 특정 패키지에 한정된 혼합비율로 제작되어 두께가 다르거나 패키지 형태가 다른 경우 사용이 불가능하여 신규 패키지를 개발하는데 제한이 되는 문제점이 있었다.
그러면, 여기서 종래 백색 발광다이오드의 제조공법에 대해 간략하게 살펴보자. 도 1은 일반적인 발광다이오드(LED) 소자의 측면 개략도이다. 일반적으로 LED는 도 1에 도시한 바와 같이, LED칩(1)과, PCB(2)와, 메탈포스트(애노드 리드, 3)와, 메탈포스트(케소드 리드, 4)와, 수지몰드(5)로 이루어지게 된다. 상기 LED칩(1)은 GaAsP, GaAlAs, GaP, InGaAlP 등의 재료를 0.1㎜ 정도의 두께로 절단한 다음 Ag 페이스트 등으로 리드 프레임 전극(캐소드, 애노드)에 접착 고정되게 된다.
이와같이 구성된 백색 발광다이오드의 발광개념은 도 2를 이용하여 설명한다. 도 2는 일반적인 백색 발광다이오드 소자의 측면 개략도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, InGaN 계열의 B1ue 또는 UV 발광다이오드에 형광체 안료(Phosphor)를 도포하여 점등시 l차광인 청색광은 일부 형광체 안료를 투과하여 패키지 밖으로 청색 발광(發光)하며 형광체 안료에서 흡수된 청색광이 에너지 변환을 일으켜 녹색 및 황색, 그리고 적색으로 변환되어 2차광으로 출력되게 된다. 이 때 청색, 녹색, 및 적색은 가법 혼색되어 백색광으로 표출된다. 여기에 사용되는 형광체 안료는 1차광을 흡수하여 2차광으로 표출될 때 1차광의 파장 의존성을 갖게 된다. 그러므로 1차광의 흡수밴드에너지를 갖는 형광체 안료를 사용하여야 하고, 투과와 흡수의 적적한 비율을 맞추어 깨끗한 백색광을 발광시키기 위해서는 형광체 안료와 에폭시의 혼합비와 그 두께가 매우 중요한 변수로 작용한다. 이러한 변수를 최적화하는 것은 무엇보다도 중요한 것이 생산로트에 관계없이 몰드시 주입되는 에폭시 형광체 안료 혼합액을 항상 통일한 양으로 정량 주입하는 것이다. 캐스팅 방식에 사용되는 디스펜서 주입방식으로 에폭시 형광체 안료 혼합액을 주입하여 백색 발광다이오드를 생산하는데 있어서 주입시 주사바늘의 표면장력과 액의 온도동에 기인하여 주입량의 편차가 필연적으로 발생하게 된다. 이 미세한 양의 편차는 공교롭게도 1차광과 2차광의 혼색 원리를 적용한 백색 발광다이오드에서 커다란 색상의 편차를 발생하게 된다. 결과적으로 주입량의 편차는 과량(＋％) 주입시 노란색이 강한 백색 소량(－％) 주입시 푸른색이 강한 백색으로 발광하므로 상품으로의 백색 발광다이오드 양품 수율이 60％를 밑돌게 된다.
이와 같은 원리로 작동하는 백색 발광다이오드의 제조 공법에 있어서, 몰드공법상으로 백색 발광다이오드의 패키지 제조 공법은 액상에폭시를 사용하여 몰드하는 캐스팅 몰드 공법과 투명 고체 수지 몰드(EMC)를 사용하여 트랜스퍼 몰드 공법으로 성형하게 된다. 이러한 공법은 각각 제조사의 실정에 맞게 양분되어 있다.
캐스팅 몰드 공법을 이용한 백색 발광다이오드를 제작하는 방법은 도 3과 같이 리드프레임 내부에 형성된 컵 내부에 청색 발광 다이오드 칩을 Ag 페이스트로 접착고정하고 전극과 칩의 본딩패드를 연결하는 와이어 본딩이 끝나면 디스펜서를 사용하여 형광체 안료가 일정비율로 혼합된 에폭시 혼합물을 컵에 정량 주입하는 방식으로 칩 주변을 정량 코팅하여 고온 경화 후, 2차 에폭시 몰드를 진행하여 백색 발광다이오드를 제작하고 있다. 그런데, 상기 디스펜서를 사용하더라도 디스펜서의 주입부인 주사바늘의 끝단의 형태나 표면장력에 따라서 형광체 안료 혼합물이 정량 주입되지 않고 주입량의 편차를 발생시킨다. 주입량의 편차는 서술한 바와 같이 동일 제조 로트에서도 색상편차를 일으켜 60％ 미만의 저조한 양품 생산수율을 갖게 된다. 게다가 이 방법은 형광체 안료 혼합물이 흘러내리지 않고 칩 주변을 일정하게 도포하도록 컵을 형성할 수 있는 커다란 패키지 제작시에 사용할 수 있는 방법으로 컴팩트한 소자 제조에 한계가 있다.
한편, 에폭시 몰드 컴파운드를 원자재로 사용하는 트랜스퍼 몰드 공법에서는 원자재인 컴파운드에 형광체 안료를 혼합하여 제조하여야 하나 이는 발광다이오드의 발광 피크파장과 두께의 상관을 갖고 2차광인 백색광의 스펙트럼이 현저하게 차이가 발생하므로 발광파장에 맞추어 형광체 안료 컴파운드를 다르게 제조해야 하고, 패키지의 두께나 형태에 따라서 형광체 안료와 컴파운드의 혼합비가 달라져야하는 문제점이 발생되므로 형광체 안료 혼합 컴파운드를 제작한다는 것은 현실적으로 난해한 문제점을 갖게 된다. 또한, 두께가 두꺼운 패키지 제조시에는 형광체 안료가 확산제의 역할을 하여 광도가 현저하게 떨어지게 되는 문제점을 갖고 있다.
게다가, 트랜스퍼 몰드방식은 컴파운드형 에폭시를 1OO톤이상의 압력으로 주입함으로써 높은 압력의 프레스 장치가 필요로하며 금형또한 복잡한 구조의 형상과 수십 ㎏ 이상의 무게로 인하여 금형 교체시에 작업자의 신체적 위험성이 내포하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 캐스팅 몰드 공법과 트랜스퍼 몰드 공법의 장점 즉, 에폭시 몰드 컴파운드를 사용하는 트랜스퍼 몰드 공법에 액상형 에폭시를 주입하여 몰드하는 공법을 적용하여 백색 발광다이오드 소자를 제조하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
즉, PCB를 아래로 하고 몰드 금형을 위로하는 구조로 10톤 미만의 낮은 저압 프레스를 사용하여 클램프 된다. 에폭시와 형광체 안료가 혼합된 액은 주입전 침강에 따른 액통내의 밀도차가 발생하지 않도록 초음파로 3분 교반하고, 주입은 10초 이내의 짧은 주입 시간으로 몰드액을 주입한다. 주입 후 온도 상승에 의해 에폭시의 점도는 물과 같이 진행되어 에폭시와 형광체 안료의 비중차를 이용하여 비중이 높은 형광체 안료가 중력에 의하여 아래로 침강됨으로써 금형에 의한 동일한 액량과 중력에 의해 일정한 두께를 유지한 상태로 경화가 진행된다. 이로써 액량의 정밀도는 편차 없이 정확하며 독립 패키지별로 색상의 편차가 생산로트에 변화없이 항상 일정한 백색광을 표출하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
좀 더 상세하게는 1차광에 흡수밴드에너지를 갖고 있는 형광체 안료를 선정하여 액상에폭시에 혼합하여 로트에 관계없이 주입량의 오차한계를 5％ 이내로 설계시에도 가능한 몰드방법과 비중차를 이용하고 중력효과를 적용하여 일정두께를 유지하여 칩주변을 코팅함으로써 몰드 공정 불량율을 줄이고 생산된 제품의 광도와 색도(CIE 기준 적용)를 원하는 목표값을 가지고 색 균일도를 향상시킬 수 있는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 표면실장형 발광다이오드(LED) 소자의 측면 개략도,
도 2는 일반적인 표면실장형 백색 발광다이오드 소자의 측면 개략도,
도 3은 캐스팅 몰드 공법을 이용한 백색 발광다이오드 소자의 측면 개략도,
도 4는 본 발명의 일실시예로서, 형광체 안료가 침강된 백색 발광다이오드 소자의 측면 개략도,
도 5는 본 발명의 백색 발광다이오드 소자 제조에 이용되는 금형프레임을 개략적으로 나타낸 측면도,
도 6은 본 발명의 백색 발광다이오드 소자가 형성된 LED칩 프레임의 평면도,
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 백색 발광다이오드 소자 제조공정을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : LED칩 2 : PCB
3 : 메탈포스트(애노드 리드) 4 : 메탈포스트(케소드 리드)
5 : 수지몰드 50 : 에폭시몰드
A : 형광체 안료층 B : 에폭시 고형층
10 : 상부 금형 20 : 하부 금형
30 : LED칩 프레임
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 PCB에 칩 본딩된 표면실장형의 백색 발광다이오드 소자의 제작방법에 관한 것으로, 본 발명의 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자의 제조방법은, 에폭시 몰드 컴파운드를 사용하는 트랜스퍼 몰드 공법에 액상형 에폭시를 주입하여 몰드하는 공법을 진행하는 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 캐스팅 몰드 공법을 적용하여 액상에폭시, 실리콘, 또는 투명재질의 액상 몰드재와 형광체 안료를 혼합하되, 에폭시주제 : 경화제 ＝ 1 : 1 비율로, 에폭시 : 형광체 안료 ＝ 4.5 : 1 비율로 각각 혼합한 주입물을 준비하는 단계; 상기 PCB와 금형 사이에 삽입 정렬하여 결합한 후, 프레스로 100㎏/㎠∼140㎏/㎠ 범위내에서 설정하여 프레스로 압력을 인가하는 단계; 상기 금형을 70℃ 내지 90℃ 범위내에서 설정하여 주입물을 금형을 통해 PCB에 주입하는 단계; 및 상기 주입물에서 형광체 안료의 침강 시간을 고려하여 분당 2℃ 정도를 상승시키고 120℃ 내지 140℃ 범주내에서 에폭시의 경화가 이루어지는 단계;를 포함하여 이루어진다. 여기에, 상기 경화가 진행된 이후에, 상기 금형을 프레스에서 분리하여 130℃ 내지 160℃ 범주 내에서 3시간정도 진행하거나, 상기 금형과 몰드물을 분리한 후 130℃ 내지 160℃ 범주 내에서 3시간정도 진행하는 것도 바람직하다. 이와같은 과정에 의해 제조된 소자는 백라이트용 패널 및 조명 장치에 활용된다.
이 때, 상기 칩은 발광피크 파장이 450㎚∼475㎚의 사파이어를 서브스트레이트로하는 InGaN, InGaAlN 계열의 블루칩이거나, 발광피크 파장이 450㎚∼475㎚의 SiC 재질을 서브스트레이트로하는 GaN, InGaN, InGaAlN741열의 블루칩을 사용한다. 또한, 상기 칩은 발광피크 파장이 385㎚∼405㎚의 사파이어를 서브스트레이트로하는 InGaN, InGaAlN계열의 UV칩이거나, 발광피크 파장이 385㎚∼405㎚의 SiC 재질을 서브스트레이트로하는 GaN, InGaN, InGaA1N계열의 UV칩을 사용한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도면설명에 있어서, 종래와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 부여한다.
도 4는 본 발명의 일실시예로서, 형광체 안료가 침강된 백색 발광다이오드 소자의 측면 개략도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 백색 발광다이오드 소자는, LED칩(1)과, PCB(2)와, 메탈포스트(애노드 리드, 3)와, 메탈포스트(케소드 리드,4)와, 본 발명에 의해 이루어진 형광체 안료를 침강시킨 에폭시몰드(50)로 이루어지게 된다. 상기 LED칩(1)은 발광피크 파장이 450㎚∼475㎚의 사파이어 또는 SiC 재질을 서브스트레이트로하는 InGaN, InGaAlN 계열의 블루칩을 사용하거나, 발광피크 파장이 385㎚∼405㎚의 사파이어 또는 SiC 재질을 서브스트레이트로하는 InGaN, InGaAlN계열의 UV칩을 사용한다.
본 발명의 에폭시몰드(50)는 그 아래층에 형광체 안료층(A)이 형성되게 되며, 상기 형광체 안료층(A) 상부로 경화된 에폭시 고형층(B)이 형성되어 2층의 구조로 되어 있다.
여기서, 상기 형광체 안료는 Y와 Al을 포함하는 이트륨ㆍ알루미늄ㆍ가넷계 형광체(yttrium-aluminum-garnet fluorescent material)를 포함하는 것이 바람직하고, 형광체 안료의 일반식 (Re1-rSmr)3(Al1-sGas)5O12: Ce 로 표시되는 형광체를 사용할 수 있다. (단, 0≤r＜1, 0≤s≤1, Re는 Y, Gd에서 선택되는 어느 하나)
도 5는 본 발명의 백색 발광다이오드 소자 제조에 이용되는 금형프레임을 개략적으로 나타낸 측면도이고, 도 6은 본 발명의 백색 발광다이오드 소자가 형성된 LED칩 프레임의 평면도이다. 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 몰드 프레임은 상부 금형과 하부 금형으로 이루어지며, 상기 상부 금형에는 형광체 안료와 에폭시가 혼합된 주입물을 주입할 수 있도록 상부 금형내에 형성된 가이드로에 연통되는 주입구(11)가 형성되어 있다. 상기 상부 금형과 하부 금형 사이에 LED칩이 와이어본딩 완료된 PCB(30)가 삽입되게 된다.
상기한 도 4에서 제시한 본 발명의 백색 발광다이오드의 제조과정에 대해 도 4 내지 도 7을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 7은 본 발명의 일실시 예에 의한 백색 발광다이오드 소자 제조공정을 개략적으로 나타낸 흐름도 이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 칩 등을 포함한 원부자재의 외관 및 용도특성에 대한 양불판정을 진행하여(S1) 선정된 양품의 원부자재에 대해 웨이퍼 탭에서 칩을 픽업이 용이하도록 테입을 확장하는 작업을 수행한다(S2). 이후, PCB(2)의 패드에 페이스트(Paste)를 소량 도팅(Dotting)하고 칩을 부착하는 공정을 진행한다. 칩의 부착이 완료되면 부착되는 본딩성분의 경화를 위해 180℃ 범주에서 12분 정도 건조시킨다(S3). 이후, 전자현미경 등을 이용하여 칩과 PCB(2)의 접착력을 검사하고, 접착력이 양호한 제품에 대해 칩의 전극패드와 PCB(2)의 전극패드를 30㎛ 정도의 금선(Gold Wire)으로 연결하여 주는 작업을 진행한다(S4). 다음으로, 금선의 인장력 테스트를 통해 패드와 금선의 전착강도 검사한다.
이후, 본 발명에서 이루고자 하는 형광체 안료를 침강되는 과정 및 경화속도의 제어, 그리고 에폭시 몰드 컴파운드를 사용하는 트랜스퍼 몰드 공법에 액상형 에폭시를 주입하여 몰드하는 공법을 진행하게 된다.
먼저, 에폭시주제 : 경화제 ＝ 1 : 1 비율로 혼합하고, 에폭시 : 형광체 안료 ＝ 4.5 : 1 비율로 혼합하여 준비한다(S5). 이 때, 몰드 두께에 따라 혼합비율을 가변시킬 수 있다. 한편, PCB(2)와 금형 사이에 삽입 정렬하여 결합한 후, 프레스로 압력(120㎏/㎠)을 인가한다(S6). 이 때, 금형온도 80℃ 정도로 세팅한다. 이 상태에서 즉, 80℃에서 형광체 안료가 함유된 에폭시를 19호 바늘을 이용하여 30초 동안에 1.2㏄ 정도 주입한다(S7). 이 때, 금형온도를 80℃로 설정한 이유는 에폭시가 속경화반응을 일으키지 않게 하기 위함이다. 즉, 형광체 안료가 함유된 에폭시 주입후 80℃ 내지 90℃ 범위내에서 침강속도에 의해 5분내에 형광체 분말이 바닥으로 깔리게 되고, 발광다이오드 칩을 아주 미세하게 도포시키게 된다. 이 때, 도포 두께는 목표색도 설계값에 따라서 0.10㎜ 내지 0.15㎜ 범주내이다.
이후, 온도는 130℃에 세팅하여 분당 2℃씩 온도를 상승시킨다(S8). 즉, 금형 온도를 80℃에서 130℃로 상승시키며, 대략 소요시간은 25분이 걸리게 된다. 일반적으로 사용되는 에폭시는 120℃ 이상에서 12분 정도 내에 경화되므로, 시간상으로 형광체 안료가 5분내에 침강이 완료되는 것을 고려할 때 금형 온도가 90℃ 정도 상승한 단계에서는 이미 형광체 안료가 침강이 완료된 상태이다. 이에 따라 침강이 완료된 상태에서 120℃ 이상에서 경화가 진행되므로 형광체 안료가 침강된 상태에서 경화가 이루어지게 된다(S9). 이후, 130℃ 정도를 40분 정도 유지시켜 경화를 계속 진행시킨다.
한편, 1차 경화(mold)후 생산성 목적으로 금형을 프레스에서 분리하여 2차 경화를 수행할 수도 있다. 이는 150℃ 정도에서 3시간동안 진행후 금형과 몰드물을 분리하거나, 또는 금형과 몰드물을 분리한 후 2차 경화를 진행한다(S10).
본 실시예에서는 백색 발광다이오드 소자에 대한 제조공정에 대해 설명하고 있으나, 이는 푸른 백색(Bluish White)을 방사하는 발광다이오드 등의 제조방법에도 동일하게 적용됨은 주지의 사실이다. 즉, 상기 단계 S5에서 에폭시 : 형광체 안료 ＝ 8 ∼ 15 : 1 비율로 혼합함으로써 상기한 푸른 백색 발광다이오드를 제조할 수 있다. 물론, 푸른 백색 발광다이오드 뿐만 아니라 에폭시와 형광체 안료의 비를 임의로 조절함으로써 다양한 색상을 발현하는 발광다이오드에 상기한 공정이 적용될 수 있음은 주지의 사실이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법은, 댐이나 컵이 없이도 형광체 안료를 일정한 두께로 쌓아 올려 항시 정확한 두께를 유지함으로써 자재 이용율을 향상시킬 수 있으며, 백색의 편차가 없이 고른 색 분포를 갖는 백색 발광다이오드를 제작할 수 있다. 즉, 기존의 트랜스퍼 몰드 공법의 EMC 대신 액상에폭시를 적용하여 패키지 형태별로 다른 적정혼합비율을 생산할 때마다 그때그때 혼합하여 사용가능 하므로, EMC의 문제점인 패키지 형태별로 혼합비율이 다르게 결정되어 패키지형태별로 원자재를 별도 구매해야하는 문제점을 해결할 수 있다.
결과적으로 본 발명을 통하여 액상에폭시를 사용함으로써 자유자재 형태의 패키지에 대응할 수 있고, 고가의 EMC 대신 저가의 액상에폭시를 사용하여 자재비용을 1/10 정도로 낮출 수 있으며, 원자재 이용율을 앵없이상 사용함으로써 제조원가의 절감을 도모할수 있다. 또한 트랜스퍼 몰드 공법의 필연적인 고압의 프레스 등을 사용할 필요가 없어 신규 투자 설비비를 감소시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백할 것이다.

Claims (10)

  1. PCB에 칩 본딩된 표면실장형의 백색 발광다이오드 소자의 제작방법에 있어서,
    에폭시 몰드 컴파운드를 사용하는 트랜스퍼 몰드 공법에 액상형 에폭시를 주입하여 몰드하는 공법으로 진행하는 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자의 제조방법.
  2. PCB에 칩 본딩된 표면실장형의 백색 발광다이오드 소자의 제작방법에 있어서,
    캐스팅 몰드 공법을 적용하여 액상에폭시, 실리콘, 또는 투명재질의 액상 몰드재와 형광체 안료를 혼합하되, 에폭시주제 : 경화제 ＝ 1 : 1 비율로, 에폭시 : 형광체 안료 ＝ 3 ∼ 6 : 1 중량비로 각각 혼합한 주입물을 준비하는 단계;
    상기 PCB와 금형 사이에 삽입 정렬하여 결합한 후, 프레스로 100㎏/㎠∼140㎏/㎠ 범위내에서 설정하여 프레스로 압력을 인가하는 단계;
    상기 금형을 70℃ 내지 90℃ 범위내에서 설정하여 주입물을 금형을 통해 PCB에 주입하는 단계; 및
    상기 주입물에서 형광체 안료가 중력에 의해 침강이 이루어짐과 동시에 침강 시간을 고려하여 금형온도를 분당 2℃ 정도로 상승시키고 에폭시 경화가 이루어지는 120℃ 내지 150℃ 범주내에서 온도를 유지시키는 단계;
    를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 경화가 진행된 이후에,
    상기 금형을 프레스에서 분리하여 130℃ 내지 160℃ 범주 내에서 3시간정도 진행하거나, 상기 금형과 몰드물을 분리한 후 130℃ 내지 160℃ 범주 내에서 3시간정도 진행하는 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자의 제조방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 칩은 발광피크 파장이 450㎚∼475㎚의 사파이어를 서브스트레이트로하는 InGaN, InGaAlN 계열의 블루칩인 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 칩은 발광피크 파장이 450㎚∼475㎚의 SiC 재질을 서브스트레이트로하는 GaN, InGaN, InGaAlN741열의 블루칩인 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 칩은 발광피크 파장이 385㎚∼405㎚의 사파이어를 서브스트레이트로하는 InGaN, InGaAlN계열의 UV칩인 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 칩은 발광피크 파장이 385㎚∼405㎚의 SiC 재질을 서브스트레이트로하는 GaN, InGaN, InGaA1N계열의 UV칩인 것을 특징으로 하는 액상에폭시를 적용한 표면실장형 백색 발광다이오드 소자.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항의 방법으로 제조된 백색 발광다이오드 소자 패키지를 장착한 것을 특징으로 하는 백라이트용 패널.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항의 방법으로 제조된 백색 발광다이오드 소자 패키지를 장착한 것을 특징으로 하는 조명 장치.
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