KR20030069342A - Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor - Google Patents
Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030069342A KR20030069342A KR1020020008924A KR20020008924A KR20030069342A KR 20030069342 A KR20030069342 A KR 20030069342A KR 1020020008924 A KR1020020008924 A KR 1020020008924A KR 20020008924 A KR20020008924 A KR 20020008924A KR 20030069342 A KR20030069342 A KR 20030069342A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- film transistor
- liquid crystal
- optical sensor
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
- G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Abstract
Description
본 발명은 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광민감도를 향상시켜 정확한 피사체의 정보를 전달할 수 있는 광센서를 구비하는 박막트랜지스터 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor. More particularly, the present invention relates to a thin film transistor liquid crystal display device including an optical sensor capable of transmitting information of an accurate subject by improving light sensitivity.
지문인증 보안기술은 여러 신체인증 분야 중에서 가장 보편적으로 사용되어 왔으며 보안적인 측면에서도 그 신뢰성이 매우 높다. 일반적으로, 현재 사용되는 반도체를 이용한 압전센서 및 광학센서는 신뢰성도 낮고 가격적인 면에서 박막트랜지스터(TFT)를 이용한 센서보다 많은 단점이 있다. 그러나, 박막트랜지스터 센서는 가격적인 면이나 신뢰성도 우수하며, 제조공정 및 형성방법 등도 종래 기술과 동일하여 쉽게 접근할 수 있다. 따라서, 이를 더 효율적이고 우수한 응용범위(application)를 갖는 STN-LCD 또는 TFT-LCD 패널에 직접 응용하여 여러가지 보안기술에 적용가능하고 특히 휴대폰 및 PDA의 결재 시스템 및 보안장치로 사용가능하여 그 산업상 효용가치는 매우 크게 전망되고 있다.Fingerprint authentication security technology has been the most commonly used among various body authentication fields, and the reliability is very high in terms of security. In general, piezoelectric sensors and optical sensors using semiconductors have many disadvantages compared to sensors using thin film transistors (TFTs) in terms of reliability and low cost. However, the thin film transistor sensor is excellent in price and reliability, and the manufacturing process and formation method are the same as in the prior art, and thus can be easily accessed. Therefore, it can be directly applied to STN-LCD or TFT-LCD panel which has more efficient and excellent application, and can be applied to various security technologies, and in particular, it can be used as payment system and security device of mobile phone and PDA. Utility value is expected to be very large.
도 1은 종래 기술에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to the prior art.
종래 기술에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서, TFT를 이용한 광센서층의 단위셀은, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명기판(1) 상부에 광감지부인 센서 TFT부와 스위치 TFT가 횡으로 배열되어 있다. 상기 투명기판(1) 하부에는 백라이트 또는 LED 등의 조명장치(미도시)가 상부를 향해 발광한다. 상기 센서 TFT부의 센서 소스 전극(3)과 스위치 TFT부의 스위치 드레인 전극(12)은 제1투명 전극(8)을 통해 전기적으로 연결되고, 센서 TFT부의 센서 게이트 전극(2)에는 제2투명 전극(6)이 연결되어 있다.In the thin film transistor liquid crystal display device having the optical sensor according to the prior art, the unit cell of the optical sensor layer using the TFT, as shown in Figure 1, and the sensor TFT portion which is a light sensing portion on the transparent substrate (1) The switch TFTs are arranged laterally. Under the transparent substrate 1, an illumination device (not shown) such as a backlight or an LED emits light upward. The sensor source electrode 3 of the sensor TFT portion and the switch drain electrode 12 of the switch TFT portion are electrically connected to each other through the first transparent electrode 8, and a second transparent electrode is connected to the sensor gate electrode 2 of the sensor TFT portion. 6) is connected.
여기서, 상기 센서 TFT부의 센서 드레인 전극(3)과 센서 소스 전극(5) 사이에는 비정질 실리콘(a-Si:H) 등의 감광층(4)이 형성되어 있어, 상기 감광층(4)으로 소정 광량 이상의 빛이 입사되면 상기 센서 드레인 전극(3)과 센서 소소 전극(5)이 전기적으로 도통된다. 이에 따라, 상기 투명기판(1) 하부의 조명장치(미도시)로부터 발생된 빛이 지문 패턴과 같은 피사체(17)에 반사되어 상기 센서 TFT부의 감광층(4)에 수광되므로써 상기 센서 TFT부가 도통된다.Here, a photosensitive layer 4 such as amorphous silicon (a-Si: H) is formed between the sensor drain electrode 3 and the sensor source electrode 5 of the sensor TFT portion, and the predetermined photosensitive layer 4 is formed. When more than the amount of light is incident, the sensor drain electrode 3 and the sensor source electrode 5 are electrically conducted. As a result, light generated from an illumination device (not shown) under the transparent substrate 1 is reflected by the object 17 such as a fingerprint pattern and received by the photosensitive layer 4 of the sensor TFT portion, so that the sensor TFT portion is turned on. do.
한편, 상기 스위치 TFT부는 스위치 게이트 전극(10)에 인가되는 게이트 제어신호에 의해 피사체를 스캐닝하도록 설정된 매 프레임마다 스위칭되어 피사체 형상을 배열된 각 센서 TFT부별로 스캔한 프레임으로서 형성되도록 한다. 한편, 상기 스위치 FTF부에는 외부광이 입사되지 못하도록 상기 스위치 드레인 전극(12)과 소스 전극(13)을 연결하는 반도체층(11)은 광차단층(14)으로 덮혀 있다.On the other hand, the switch TFT portion is switched every frame set to scan the subject by a gate control signal applied to the switch gate electrode 10 so as to form the subject shape as a scanned frame for each sensor TFT portion arranged. Meanwhile, the semiconductor layer 11 connecting the switch drain electrode 12 and the source electrode 13 is covered with the light blocking layer 14 to prevent external light from being incident on the switch FTF unit.
또한, 상기 제1투명 전극(8)과 제2투명 전극(6) 사이에는 절연막(7)이 형성되어 있고, 상기 제1투명 전극(8)상에는 광센서층 전부를 덮는 보호막(9)과 오버코팅층(15)이 형성되어 있다.In addition, an insulating film 7 is formed between the first transparent electrode 8 and the second transparent electrode 6, and over the protective film 9 covering the entire optical sensor layer on the first transparent electrode 8. The coating layer 15 is formed.
그러나, 종래 기술에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the liquid crystal display device having a light sensor according to the prior art has the following problems.
종래 기술에 있어서는, 핸드폰이나 PDA 등의 소형 응용제품에 적용시 응용제품의 화면창 이외의 별도 공간에 지문입력기 등의 별도의 장치를 형성해야 하므로 제품의 크기가 커지는 단점이 발생한다. 따라서, 제품의 크기를 그대로 유지하기 위해서 지문입력기 등과 같은 별도의 장치를 제품의 화면창 위에 형성하는 경우에는 제품이 두꺼워지는 문제점이 있으며, 또한 투명기판간의 합착 불완전 등에 의해 휘도 저하를 일으키는 문제점이 있다.In the related art, when applied to a small application such as a mobile phone or a PDA, it is necessary to form a separate device such as a fingerprint input device in a separate space other than the screen window of the application, resulting in a large size of the product. Therefore, when a separate device such as a fingerprint input device is formed on the screen of the product in order to maintain the size of the product as it is, there is a problem that the product becomes thick, and there is also a problem that the brightness decreases due to incomplete bonding between the transparent substrates. .
또한, 투명기판에 부착된 편광판에 의해 흡수광 대비 출사광의 투과도가 현저히 감소되어, 예를 들어, 지문감식장치의 광민감도가 떨어져 정확한 피사체 정보를 전달하지 못한다는 문제점도 있다.In addition, the transmittance of the emitted light relative to the absorbed light is significantly reduced by the polarizing plate attached to the transparent substrate, for example, there is also a problem in that the sensitivity of the fingerprint recognition device is poor to deliver accurate subject information.
이에, 본 발명은 상기 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 액정패널 내부에 광감지센서층을 형성시키고, 이색성 염료가 주입되거나 중합체분산 액정으로 액정층을 형성시켜 감량 및 투과율을 개선시킨 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, an object of the present invention is to form a photosensitive sensor layer inside the liquid crystal panel, a dichroic dye is injected or a liquid crystal layer formed of a polymer dispersed liquid crystal The present invention provides a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor that has reduced weight loss and improved transmittance.
도 1은 종래 기술에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to the prior art.
도 2a는 본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도.2A is a cross-sectional view of a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 1 of the present invention;
도 2b는 본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서, 게스트 호스트 액정층을 도시한 단면도.FIG. 2B is a cross-sectional view showing a guest host liquid crystal layer in the thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 1 of the present invention; FIG.
도 2c는 본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서, 중합체분산액정층을 도시한 사시도.2C is a perspective view illustrating a polymer dispersion liquid crystal layer in a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 1 of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to a second embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예 3에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도.4 is a cross-sectional view of a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 3 of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view of a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 4 of the present invention; FIG.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-
21; 상부 투명기판22; 센서 게이트 전극21; An upper transparent substrate 22; Sensor gate electrode
23; 센서 드레인 전극24; 감광층23; Sensor drain electrodes 24; Photosensitive layer
25; 센서 소스 전극26; 제2투명 전극25; Sensor source electrode 26; Second transparent electrode
27; 제2절연막28; 제1투명 전극27; Second insulating film 28; First transparent electrode
29; 제1절연막30; 스위치 게이트 전극29; A first insulating film 30; Switch gate electrode
31; 반도체층32; 스위치 드레인 전극31; Semiconductor layer 32; Switch drain electrode
33; 스위치 소스 전극34; 광차단층33; Switch source electrode 34; Light blocking layer
35; 보호막37; 제3투명 전극35; Protective film 37; Third transparent electrode
39; 액정층40; 어레이층39; Liquid crystal layer 40; Array layer
42; 컬러필터층43; 하부 투명기판42; Color filter layer 43; Bottom transparent substrate
47; 피사체47; Subject
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치는, 상부 투명기판, 하부 투명기판, 광센서층, 컬러필터층, 어레이층, 및 액정층을 포함하여 구성된 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치로서, 상기 광센서층은, 센서 게이트 전극과 감광층과 센서 소오스 전극 및 센서 드레인 전극으로 구성되어 광전류를 생성하는 센서 박막트랜지스터부와, 제1투명 전극과 절연막 및 제2투명 전극으로 구성되어 상기 광전류를 전하 형태로 저장하는 충전부와, 광차단층과 스위치 게이트 전극과 반도체층과 스위치 소스 전극 및 스위치 드레인 전극으로 구성되어 상기 충전부의 전하를 선택적으로 방출하는 스위치 박막트랜지스터부로 구성되며, 상기 액정층은 이색성 색소 분자를 포함하거나 또는 중합체분산액정으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.A thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to the present invention for achieving the above object comprises an optical sensor including an upper transparent substrate, a lower transparent substrate, an optical sensor layer, a color filter layer, an array layer, and a liquid crystal layer. A thin film transistor liquid crystal display device, wherein the optical sensor layer comprises a sensor thin film transistor portion including a sensor gate electrode, a photosensitive layer, a sensor source electrode, and a sensor drain electrode to generate a photocurrent, a first transparent electrode, an insulating film, and a first thin film transistor. A charging unit configured to store the photocurrent in the form of charge, comprising a transparent electrode, a switch thin film transistor unit configured to selectively discharge charges of the charging unit, including a light blocking layer, a switch gate electrode, a semiconductor layer, a switch source electrode, and a switch drain electrode. The liquid crystal layer comprises dichroic dye molecules or polymer dispersed liquid crystal It characterized in that it is composed.
이하, 본 발명에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a는 본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서 게스트 호스트 액정층을 도시한 단면도이고, 도 2c는 본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서, 중합체분산액정층을 도시한 사시도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예 3에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도이고, 도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치를 도시한 단면도이다.2A is a cross-sectional view of a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2B is a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2C is a cross-sectional view illustrating a guest host liquid crystal layer, and FIG. 2C is a perspective view illustrating a polymer dispersion liquid crystal layer in a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 1 of the present invention. 3 is a cross-sectional view of a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4 is a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to Embodiment 3 of the present invention. 5 is a cross-sectional view illustrating a thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예 1에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치는, 도 2a에 도시된 바와 같이, 어레이층(40)과 컬러필터층(42) 및 액정층(39) 외에 센서 박막트랜지스터부와 충전부(투과부) 및 스위치 박막트랜지스터부로 구성된 광센서층(지문입력층)을 포함하여 구성되어 있다.In the thin film transistor liquid crystal display device having the optical sensor according to the first exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2A, in addition to the array layer 40, the color filter layer 42, and the liquid crystal layer 39, a sensor thin film transistor unit is provided. And an optical sensor layer (fingerprint input layer) composed of a charging section (transmission section) and a switch thin film transistor section.
상기 센서 박막트랜지스터부는 센서 게이트 전극(22)과, 반도체층인 감광층(24)과, 센서 소스 전극(25)과, 센서 드레인 전극(23)으로 구성되어 있다. 상기 충전부(투과부)는 제1스토리지 전극으로서의 제1투명 전극(28)과, 제2절연막(26)과, 제2스토리지 전극으로서의 제2투명 전극(26)으로 구성되고 상기 센서 박막트랜지스터부에서 발생한 전류를 전하의 형태로 저장하는 역할을 제공한다. 상기 스위치 박막트랜지스터부는 광차단층(34)과 스위치 게이트 전극(30)과 반도체층(31)과 스위치 소스 전극(33) 및 스위치 드레인 전극(32)으로 구성되고 외부의 제어신호에 따라 상기 충전부의 전하를 선택적으로 방출하는 역할을 제공한다.The sensor thin film transistor portion includes a sensor gate electrode 22, a photosensitive layer 24 serving as a semiconductor layer, a sensor source electrode 25, and a sensor drain electrode 23. The charging part (transmitting part) is composed of a first transparent electrode 28 as a first storage electrode, a second insulating film 26, and a second transparent electrode 26 as a second storage electrode and are generated in the sensor thin film transistor part. It serves to store current in the form of charge. The switch thin film transistor unit includes a light blocking layer 34, a switch gate electrode 30, a semiconductor layer 31, a switch source electrode 33, and a switch drain electrode 32, and charges in the charging unit according to an external control signal. It provides the role of selectively emitting.
한편, 상기 센서 박막트랜지스터부와 충전부 및 스위치 박막트랜지스터부는상부 투명기판(21) 바로 아래에 연속적으로 횡으로 배열되어 광센서층을 구성하며, 상기 센서 박막트랜지스터부 및 스위치 박막트랜지스터부는 정 스태거(atagger) 구조로 되어 있다. 여기서, 상기 센서 박막트랜지스터부는 반도체로 구성된 감광층(24)이 형성되어 있어 빛의 반사에 대한 감광 특성을 나타낸다. 한편, 상기 스위치 박막트랜지스터부는 광차단층(34)이 형성되어 있어 외부광이 입사되지 못하도록 되어 있다.Meanwhile, the sensor thin film transistor unit, the charging unit, and the switch thin film transistor unit are continuously arranged horizontally directly under the upper transparent substrate 21 to form an optical sensor layer, and the sensor thin film transistor unit and the switch thin film transistor unit are positive staggers ( atagger) structure. Here, the sensor thin film transistor unit is formed with a photosensitive layer 24 made of a semiconductor, and exhibits photosensitivity to reflection of light. On the other hand, since the light blocking layer 34 is formed in the switch thin film transistor portion, external light is not incident.
상기 상부 투명기판(21) 하부에는 보호막(35)과 컬러필터층(42) 및 제3투명 전극(37)이 형성되어 있고, 하부 투명기판(43)상에는 어레이층(40)이 형성되어 있으며 상기 상부 투명기판(21)과는 액정층(39)을 사이에 두고 상호 대향하고 있다.A passivation layer 35, a color filter layer 42, and a third transparent electrode 37 are formed below the upper transparent substrate 21, and an array layer 40 is formed on the lower transparent substrate 43. The transparent substrate 21 is opposed to each other with the liquid crystal layer 39 therebetween.
상기 액정층(39)은, 도 2b에 도시된 바와 같이, 이색성 색소 분자(39b)를 포함한 게스트 호스트형 액정층이다. 즉, 상기 액정층(39)은 컬러필터층(42)이 형성된 상부 기판(21)과 어레이층(40)이 형성된 하부 기판(43) 사이에 빛의 투과율을 변화시키는 호모지니어스 배향 게스트 액정 또는 호메오트로픽 배향 게스트 액정을 도입한 것이다. 게스트 호스트 액정은 특정 파장의 빛에 대해 이색성을 나타내는 색소 분자(39b)를 포함하는데 액정분자(39a)와 색소 분자(39b)는 게스트 호스트 관계에 있는 것이다. 특히, 상기 색소 분자(39b)는 이색성을 가지고 그 배열 방향에 평행하거나 수직한 진동면을 가지는 광을 흡수한다. 컬러 구현은 상기 상부 기판(21) 및 하부 기판(43)에 형성된 투명전극 사이에 발광층을 형성하여 특정 빛에 대해 발광하여 컬러필터층(42)을 통해 컬러를 구현하거나, 또는 청색 광원 사용시 청색 발광 요소를 제외한 발광층을 사용하여 컬러를 구현할 수 있다.The liquid crystal layer 39 is a guest host type liquid crystal layer containing a dichroic dye molecule 39b, as shown in FIG. 2B. That is, the liquid crystal layer 39 is a homogeneous alignment guest liquid crystal or homeo that varies light transmittance between the upper substrate 21 on which the color filter layer 42 is formed and the lower substrate 43 on which the array layer 40 is formed. A tropic oriented guest liquid crystal is introduced. The guest host liquid crystal includes a dye molecule 39b exhibiting dichroism with respect to light of a specific wavelength. The liquid crystal molecule 39a and the dye molecule 39b are in a guest host relationship. In particular, the dye molecules 39b have dichroism and absorb light having a vibrating surface parallel or perpendicular to the arrangement direction. Color implementation may form a light emitting layer between the transparent electrode formed on the upper substrate 21 and the lower substrate 43 to emit light for a specific light to implement color through the color filter layer 42, or blue light emitting element when using a blue light source Color may be implemented using a light emitting layer except for the following.
한편, 상기 게스트 호스트 액정을 대신하여 고분자 물질내에 액정을 불연속 상태로 분산시킨 중합체분산액정(PDLC; polymer dispersed liquid crystal)으로 구성된 액정층(39)을 적용할 수 있다.Meanwhile, a liquid crystal layer 39 including a polymer dispersed liquid crystal (PDLC) in which a liquid crystal is dispersed in a polymer material in a discontinuous state in place of the guest host liquid crystal may be applied.
상기 중합체분산액정층은, 도 2c에 도시된 바와 같이, 초자외선 큐어링(Ultraviolet light curing)에 의해 유도되어 상분리된 단량체(Monomer), 저중합체(Oligomer) 구성의 중합체(Polymer) 전구체(39c)와 네마틱 액정분자(39d)와의 혼합물로 구성된다. 전압이 인가되면 상기 액정분자(39d)는 일정한 방향으로 배열되어 입사광이 투과되고, 전압이 인가되지 않은 경우에는 상기 액정분자(39d)는 무질서하게 배열되어 입사광이 산란 및 반사하여 투과되지 못하고 분산된다.As shown in FIG. 2C, the polymer dispersion liquid crystal layer is polymer precursor 39c of a monomer or oligomer structure separated by phase induced by ultraviolet light curing. And a nematic liquid crystal molecule 39d. When a voltage is applied, the liquid crystal molecules 39d are arranged in a predetermined direction to transmit incident light. When no voltage is applied, the liquid crystal molecules 39d are arranged randomly so that the incident light is scattered and reflected, and thus cannot be transmitted. .
상기와 같이 게스트 호스트 액정층이나 중합체 분산 액정층을 적용하는 경우에는 상부 기판(21) 및 하부 기판(43) 외면에 별도의 편광판이 필요치 않게 되고, 이로 인하여 빛의 전체 투과율은 상당부분 향상된다.When the guest host liquid crystal layer or the polymer dispersed liquid crystal layer is applied as described above, a separate polarizing plate is not required on the outer surfaces of the upper substrate 21 and the lower substrate 43, and thus the overall transmittance of light is substantially improved.
상기와 같이 구성된 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치는 다음과 같이 동작한다.The thin film transistor liquid crystal display device having the optical sensor configured as described above operates as follows.
센서부를 이루는 상기 센서 박막트랜지스터부의 반도체층인 감광층(24)은 빛을 받아 광전류를 생성하며, 상기 충전부는 상기 센서 박막트랜지스터부에서 생성된 광전류를 전하의 형태로 저장하며, 상기 스위치 박막트랜지스터부는 외부의 구동 IC(미도시)와 연결되어 제어신호에 따라 충전영역에 저장된 전하를 선택적으로 외부로 방출한다. 한편, 상기 센서 박막트랜지스터부의 센서 소스 전극(25)은 상기 스위치 박막트랜지스터부의 스위치 드레인 전극(32)과 제1투명 전극(28)을 통해 상호 전기적으로 연결되고, 상기 센서 박막트랜지스터부의 센서 게이트 전극(22)에는 제2투명 전극(26)이 연결되어 있다.The photosensitive layer 24, which is a semiconductor layer of the sensor thin film transistor unit constituting the sensor unit, receives light to generate a photocurrent, and the charging unit stores the photocurrent generated by the sensor thin film transistor unit in the form of a charge, and the switch thin film transistor unit It is connected to an external driving IC (not shown) to selectively discharge charge stored in the charging region to the outside according to a control signal. Meanwhile, the sensor source electrode 25 of the sensor thin film transistor unit is electrically connected to each other through the switch drain electrode 32 and the first transparent electrode 28 of the switch thin film transistor unit, and the sensor gate electrode of the sensor thin film transistor unit ( The second transparent electrode 26 is connected to 22.
상기 센서 박막트랜지스터부의 센서 드레인 전극(23)과 센서 소스 전극(25) 사이의 감광층(24)으로 소정 광량 이상의 빛이 입사되면 상기 센서 드레인 전극(23)과 센서 소스 전극(25)이 도통된다. 이에 따라, 상기 하부 투명기판(43) 하부의 조명장치(미도시)로부터 발생된 빛이 피사체(47)에 따라 반사되어 상기 센서 박막트랜지스터부의 감광층(24)에 수광됨으로써 상기 센서 박막트랜지스터부가 작동하게 된다. 한편, 상기 스위치 박막트랜지스터부는 스위치 게이트 전극(30)에 인가되는 게이트 제어신호에 의해 상기 피사체(47) 패턴을 스캐닝하도록 설정된 매 프레임마다 스위칭 되어 광센서층에 입력되는 상기 피사체(47) 패턴을 배열된 각 센서 박막트랜지스터부별로 스캔한 프레임으로서 형성토록 하는 것이다.When more than a predetermined amount of light is incident on the photosensitive layer 24 between the sensor drain electrode 23 and the sensor source electrode 25 of the sensor thin film transistor portion, the sensor drain electrode 23 and the sensor source electrode 25 become conductive. . Accordingly, light generated from an illumination device (not shown) under the lower transparent substrate 43 is reflected along the subject 47 to be received by the photosensitive layer 24 of the sensor thin film transistor part to operate the sensor thin film transistor part. Done. On the other hand, the switch thin film transistor unit is arranged for every frame set to scan the subject 47 pattern by a gate control signal applied to the switch gate electrode 30 to arrange the subject 47 pattern input to the optical sensor layer. Each of the sensor thin film transistors is formed as a scanned frame.
본 발명의 실시예 2에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 도 2의 구조와 달리 하부 투명기판(143) 상에 컬러필터층(142)과 제3투명전극(137)이 순차로 형성되어 있고, 피사체(147)를 직접 대하는 상부 투명기판(121)상에는 보호막(135)과 어레이층(140)이 형성되어 있는 구조이다. 그 외는 본 발명의 실시예 1의 구조 및 작용이 동일하므로 본원에서의 상세한 설명은 생략하기로 한다.As shown in FIG. 3, the thin film transistor liquid crystal display including the optical sensor according to the second exemplary embodiment of the present invention, unlike the structure of FIG. 2, has a color filter layer 142 and a third filter on the lower transparent substrate 143. The transparent electrodes 137 are sequentially formed, and the passivation layer 135 and the array layer 140 are formed on the upper transparent substrate 121 that directly faces the object 147. Other than the structure and operation of the first embodiment of the present invention is the same, so the detailed description thereof will be omitted.
한편, 본 발명의 실시예 3에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 투명기판(243)상에 역 스태거 구조의 센서 박막트랜지스터부와 충전부(투과부) 및 역 스태거 구조의 스위치 박막트랜지스터부로 구성된 광센서층과 어레이층(240)이 형성되어 있으며, 상부 투명기판(221)상에는 컬러필터층(242)과 제3투명 전극(237)이 형성되어 있다.On the other hand, the thin film transistor liquid crystal display device having an optical sensor according to the third embodiment of the present invention, as shown in Figure 4, on the lower transparent substrate 243, the sensor thin film transistor portion and the charging portion of the reverse stagger structure ( An optical sensor layer and an array layer 240 formed of a transmissive portion) and a switch thin film transistor portion having a reverse stagger structure, and a color filter layer 242 and a third transparent electrode 237 are formed on the upper transparent substrate 221. have.
상기 본 발명의 실시예 3은 박막트랜지스터 광센서를 상부 투명기판(221)이 아닌 하부 투명기판(243)상에 형성한 구조이다. 즉, 센서 박막트랜지스터부는 센서 게이트 전극(222)이 먼저 형성된 후에 감광층(224)이 형성된 구조이다. 여기서, 상기 감광층(224)은 노출되어 하부 투명기판(243) 아래에 위치한 백라이트(미도시)와 같은 조명장치로부터 발생된 빛이 위를 향해 발광하여 상기 상부 투명기판(221) 상의 피사체(247)에 따라 반사되어 노출된 감광층(224)에 수광되어 센서 박막트랜지스터부가 도통되도록 한 것이다. 또한, 센서 박막트랜지스터부의 센서 소스 전극(225)과 스위치 박막트랜지스터부의 스위치 드레인 전극(232)은 제1투명 전극(228)을 통해 전기적으로 연결되고, 센서 박막트랜지스터부의 센서 게이트 전극(222)에는 제2투명 전극(226)이 연결되어 있다.The third embodiment of the present invention has a structure in which the thin film transistor optical sensor is formed on the lower transparent substrate 243 instead of the upper transparent substrate 221. That is, the sensor thin film transistor has a structure in which the photosensitive layer 224 is formed after the sensor gate electrode 222 is formed first. Here, the photosensitive layer 224 is exposed, and light generated from an illumination device such as a backlight (not shown) positioned under the lower transparent substrate 243 emits upwards, thereby subjecting the subject 247 on the upper transparent substrate 221. The sensor thin film transistor portion is received by the photosensitive layer 224 that is reflected and exposed. In addition, the sensor source electrode 225 of the sensor thin film transistor unit and the switch drain electrode 232 of the switch thin film transistor unit are electrically connected to each other through the first transparent electrode 228, and the sensor gate electrode 222 of the sensor thin film transistor unit may be electrically connected. Two transparent electrodes 226 are connected.
한편, 스위치 박막트랜지스터부는 상기 스위치 게이트 전극(230)에 인가되는 게이트 제어신호에 의해 피사체(247)를 스캐닝하도록 설정된 매 프레임마다 스위칭되어 상기 피사체(247) 패턴을 배열된 각 센서 박막트랜지스터부별도 스캔한 프레임으로서 형성토록 하는 것이다. 스위치 박막트랜지스터부에는 외부광이 입사되지 못하도록 스위치 드레인 전극(232)과 스위치 소스 전극(233) 위에 광차단층(234)이 덮혀있다.On the other hand, the switch thin film transistor unit is switched every frame set to scan the subject 247 by the gate control signal applied to the switch gate electrode 230 to scan each sensor thin film transistor unit in which the pattern of the subject 247 is arranged. It is to be formed as a frame. The light blocking layer 234 is covered on the switch drain electrode 232 and the switch source electrode 233 to prevent external light from being incident on the switch thin film transistor unit.
또한, 본 발명의 실시예 4에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치는, 도 5에 도시된 바와 같이, 하부 투명기판(343)상에 역 스태거 구조의 센서박막트랜지스터부와 충전부 및 역 스태거 구조의 스위치 박막트랜지스터부로 구성된 광센서층과 컬럴필터층(342) 및 제3투명 전극(337)이 형성되어 있으며, 피사체(347)를 직접 대하는 상부 투명기판(321)상에는 어레이층(340)이 형성되어 있다. 그 외는 본 발명의 실시예 3의 구조 및 작용이 동일하므로 여기서의 자세한 설명은 생략하기로 한다.In addition, as shown in FIG. 5, the thin film transistor liquid crystal display including the optical sensor according to the fourth exemplary embodiment of the present invention includes a sensor thin film transistor portion and a charging portion having an inverse stagger structure on the lower transparent substrate 343. An optical sensor layer including a switch thin film transistor unit having an inverted stagger structure, a color filter layer 342, and a third transparent electrode 337 are formed, and an array layer 340 is disposed on the upper transparent substrate 321 directly facing the object 347. ) Is formed. Other details are the same as the structure and operation of the third embodiment of the present invention will be omitted here.
본 발명의 실시예 1 내지 4에 있어서, 박막트랜지스터 광센서층은 어레이층과 별개로 또는 일체로 구동할 수 있으며, 상부 또는 하부 투명기판과 독립적으로, 예를 들어, 하부 투명기판의 단위셀의 정수배 형태로 형성할 수 있다. 또한, 박막트랜지스터 광센서층을 액정패널의 사각부분과 같이 액정패널의 특정위치에 형성할 수 있어서 노트북이나 모니터 이용시 지문 인식 시스템을 구축할 수 있다.In embodiments 1 to 4 of the present invention, the thin film transistor optical sensor layer can be driven separately or integrally with the array layer, and independently of the upper or lower transparent substrate, for example, of the unit cell of the lower transparent substrate. It can be formed in integer multiples. In addition, the thin film transistor optical sensor layer may be formed at a specific position of the liquid crystal panel, such as a rectangular portion of the liquid crystal panel, so that a fingerprint recognition system may be constructed when using a notebook or a monitor.
본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.Various embodiments can be easily implemented as well as self-explanatory to those skilled in the art without departing from the principles and spirit of the present invention. Accordingly, the claims appended hereto are not limited to those already described above, and the following claims are intended to cover all of the novel and patented matters inherent in the invention, and are also common in the art to which the invention pertains. Includes all features that are processed evenly by the knowledgeable.
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 광센서를 구비한 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the thin film transistor liquid crystal display device having the optical sensor according to the present invention has the following effects.
본 발명에 있어서는, 휴대폰이나 PDA에 지문 인식을 통한 결제시스템 구축시제품의 크기나 두께의 변동 없이 제조비용을 낮출 수 있으며, 투과율 향상으로 인한 정확한 광정보를 전달할 수 있다. 또한, 액정표시장치의 표시품질도 향상시키는 지문인식 결제시스템 겸용 액정표시장치를 구축할 수 있는 효과가 있다.In the present invention, it is possible to lower the manufacturing cost without changing the size or thickness of the product when building a payment system through the fingerprint recognition in the mobile phone or PDA, it is possible to deliver accurate optical information due to the improved transmittance. In addition, there is an effect to build a liquid crystal display device combined with a fingerprint recognition payment system that also improves the display quality of the liquid crystal display device.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020008924A KR20030069342A (en) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020008924A KR20030069342A (en) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030069342A true KR20030069342A (en) | 2003-08-27 |
Family
ID=32221914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020008924A KR20030069342A (en) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20030069342A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100801536B1 (en) * | 2006-05-23 | 2008-02-12 | 경희대학교 산학협력단 | Thin film transistor liquid crystal display with an embedded sensor having metal mask and it's fabrication method |
KR100973817B1 (en) * | 2004-01-09 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | Light sensing liquid crystal display |
KR101000454B1 (en) * | 2003-10-08 | 2010-12-13 | 삼성전자주식회사 | Display device and display system |
KR101028663B1 (en) * | 2003-12-11 | 2011-04-12 | 삼성전자주식회사 | Display apparatus |
KR101266768B1 (en) * | 2006-06-10 | 2013-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating Thereof |
US8698144B2 (en) | 2009-07-17 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with improved sensing mechanism |
US9217899B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Nanocrystal display |
US9423661B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-08-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
WO2017078201A1 (en) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | 실리콘디스플레이 (주) | Flat plate type image sensor |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000039830A (en) * | 1998-12-16 | 2000-07-05 | 구본준 | Method for manufacturing optical sensor of thin film transistor |
JP2001052151A (en) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Seiko Instruments Inc | Device and method for reading fingerprint |
JP2001052148A (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Seiko Instruments Inc | Fingerprint reader |
JP2001094089A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Casio Comput Co Ltd | Finger print sensor |
KR20020000317A (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-05 | 구본준, 론 위라하디락사 | Thin Film Transistor Type Finger Print Sensor |
KR20020028754A (en) * | 2001-05-04 | 2002-04-17 | 안준영 | LCD panel also functioning as fingerprint acquisition |
-
2002
- 2002-02-20 KR KR1020020008924A patent/KR20030069342A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000039830A (en) * | 1998-12-16 | 2000-07-05 | 구본준 | Method for manufacturing optical sensor of thin film transistor |
JP2001052148A (en) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Seiko Instruments Inc | Fingerprint reader |
JP2001052151A (en) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Seiko Instruments Inc | Device and method for reading fingerprint |
JP2001094089A (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Casio Comput Co Ltd | Finger print sensor |
KR20020000317A (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-05 | 구본준, 론 위라하디락사 | Thin Film Transistor Type Finger Print Sensor |
KR20020028754A (en) * | 2001-05-04 | 2002-04-17 | 안준영 | LCD panel also functioning as fingerprint acquisition |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101000454B1 (en) * | 2003-10-08 | 2010-12-13 | 삼성전자주식회사 | Display device and display system |
KR101028663B1 (en) * | 2003-12-11 | 2011-04-12 | 삼성전자주식회사 | Display apparatus |
KR100973817B1 (en) * | 2004-01-09 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | Light sensing liquid crystal display |
KR100801536B1 (en) * | 2006-05-23 | 2008-02-12 | 경희대학교 산학협력단 | Thin film transistor liquid crystal display with an embedded sensor having metal mask and it's fabrication method |
KR101266768B1 (en) * | 2006-06-10 | 2013-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating Thereof |
US8698144B2 (en) | 2009-07-17 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with improved sensing mechanism |
US9217899B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-12-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Nanocrystal display |
US9423661B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-08-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
WO2017078201A1 (en) * | 2015-11-06 | 2017-05-11 | 실리콘디스플레이 (주) | Flat plate type image sensor |
CN108140651A (en) * | 2015-11-06 | 2018-06-08 | 硅显示技术有限公司 | Flat imaging sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6900864B2 (en) | Transflective electro-optical device and electronic apparatus | |
CN111722444B (en) | Display device | |
KR20050020332A (en) | Dual liquid crystal display using of dual front light | |
WO2004090708A1 (en) | Display device with display panel | |
KR20080043219A (en) | Liquid-crystal display, method for rpoducing liquid-crystal display, and electronic device | |
KR100993820B1 (en) | Color filter substrate, liquid crystal display panel having the same, liquid crystal display apparatus having the same and method of manufacturing the same | |
US20030117538A1 (en) | Liquid crystal display device and driving method thereof | |
US7110069B2 (en) | Liquid crystal display with two surface display function | |
KR20060134538A (en) | Substrate assembly and display device having the same | |
KR20030058719A (en) | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor | |
KR20080003072A (en) | Narrow view angle display device and switchable wide/narrow viewing angle display device | |
US7253855B2 (en) | Liquid crystal display devices using a plastic substrate with particular relative thickness | |
KR20030069342A (en) | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor | |
US7889288B2 (en) | Dual reflective liquid crystal display device | |
US20050270465A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal device and method for manufacturing the same | |
JP2000267077A (en) | Liquid crystal display device and electronic equipment | |
JP2012128001A (en) | Liquid crystal display device | |
KR100671160B1 (en) | Transflective LCD and the fabrication method | |
KR101450059B1 (en) | LCD for image-scan and method of fabricating the same | |
US7339640B2 (en) | Transflective liquid crystal display device and fabrication method thereof | |
CN101067704A (en) | Picture element structure, display device and photoelectric device | |
KR20030058720A (en) | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor | |
KR20030058718A (en) | Apparatus for thin film transistor liquid crystal display equipped with light sensor | |
KR100855482B1 (en) | Modulator for inspecting Liquid Crystal Display | |
WO2009109122A1 (en) | Transflective liquid crystal display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |