KR20030054201A - Interface circuit with high frequency clock of semiconductor memory device - Google Patents

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KR20030054201A
KR20030054201A KR1020010084328A KR20010084328A KR20030054201A KR 20030054201 A KR20030054201 A KR 20030054201A KR 1020010084328 A KR1020010084328 A KR 1020010084328A KR 20010084328 A KR20010084328 A KR 20010084328A KR 20030054201 A KR20030054201 A KR 20030054201A
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Abstract

PURPOSE: An interface circuit of a memory apparatus using a high frequency clock is provided to reduce the noise due to a setup/hold time violation by using an enable signal generating unit and a control unit. CONSTITUTION: A first internal delay unit(530) receives and delays a data enable signal(DEN) in response to a reference clock signal(CLK) to generate an initial delay data enable signal(PDEN). An enable signal generating unit(550) receives the initial delay data enable signal(PDEN) to generate a delay data enable signal(ENX) delaying an active section of the initial delay data enable signal(PDEN) for a predetermined time. A second internal delay unit(540) receives and delays a data signal(DATA) in response to the reference clock signal(CLK) to generate an initial delay data signal(PDDATA). A data delay control unit(560) receives the initial delay data signal(PDDATA) and responds to a first control signal(CS1) and a second control signal(CS2) to generate a delay data signal(DATAX) delaying the initial delay data signal(PDDATA) for a predetermined time. A transmitting unit(570) receives the delay data signal(DATAX) and responds to the delay data enable signal(PDEN) to apply the delay data signal(DATAX) to a pad(580).

Description

고주파수 클럭을 사용하는 메모리 장치의 인터페이스 회로{Interface circuit with high frequency clock of semiconductor memory device}Interface circuit with high frequency clock of semiconductor memory device

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 고주파수 반도체 메모리의 양방향 패드(bi-direction pad)에서 생길 수 있는 출력 데이터 신호와 데이터 인에이블 신호의 위상 차와 패드의 딜레이의 영향에 따른 셋업 시간(set up time)과 홀드 시간(hold time)의 위반에 의한 잡음을 제거하기 위한 잡음 방지용 인터페이스 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a semiconductor device. In particular, the set-up time of the output data signal and the data enable signal that may occur in a bi-direction pad of a high frequency semiconductor memory and the delay of the pad may be set up. The present invention relates to a noise prevention interface circuit for removing noise caused by violation of time and hold time.

동기식 디램(SDRAM : synchronous Dynamic Random Access Memory)은 시스템 클럭에 동기되어 동작하고 인터리브 셀 뱅크(Interleaved cell banks), 버스트 모드(burst mode)의 동작으로 인하여 시스템과 메모리의 데이터 이동이 디램(DRAM)보다 빠르고 효율적이다. 따라서 많은 양의 데이터 처리가 필요한 멀티미디어 시스템 등에 적합하다. 그런데 시스템 클럭이 점점 고주파화 됨에 따라 동기식 디램(SDRAM)의 데이터 핀(pin)과 연결된 칩의 양 방향 핀(bi-directional pin)에 대하여 동기식 디램(SDRAM)의 입력 클럭과의 관계에서 셋업 앤드 홀드 시간(setup/hold time) 위반의 마진이 적어지게 된다. 또한 양 방향 핀(bi-directional pin)의 패드 딜레이(PAD delay)가 고주파 클럭의 주기에 상대적으로 많은 비중을 차지하고, 설계되는 시스템의 규모와 집적도가 증가함에 따라, 논리합성 과정에서 양 방향 핀(bi-directional pin)의 데이터와 데이터 인에이블 신호간에 패드까지의 내부 딜레이(internal delay)를 일치시키는데 상당한 어려움이 있다. 이러한 양 방향 핀(bi-directional pin)의 데이터와 데이터 인에이블 신호의 내부 딜레이(internal delay)의 차이는 고주파수의 클럭 주기에서는 상대적으로 높은 비중을 차지하고 실제 동기식 디램(SDRAM)에 데이터를 기입하는 과정에서 셋업 앤드 홀드 시간 위반(setup/hold time violation)을 발생시킴으로 인하여 동기식 디램(SDRAM)에 잘못된 데이터를 기입하는 결과를 발생할 수 있는 문제가 있다.Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) operates in synchronization with the system clock, and the movement of data between the system and memory is faster than DRAM due to the operation of interleaved cell banks and burst modes. Fast and efficient Therefore, it is suitable for multimedia systems that require a large amount of data processing. However, as the system clock becomes higher and higher in frequency, the setup and hold in relation to the input clock of the synchronous DRAM (SDRAM) with respect to the bi-directional pin of the chip connected to the data pin of the synchronous DRAM (SDRAM) There is less margin for setup / hold time violations. In addition, the PAD delay of bi-directional pins takes up a relatively large proportion of the period of the high frequency clock, and as the size and integration of the designed system increase, the bidirectional pins (PAD delay) There is considerable difficulty in matching the internal delay to the pad between the data on the bi-directional pin and the data enable signal. The difference between the data of the bi-directional pin and the internal delay of the data enable signal is relatively high in the clock cycle of high frequency and writes data to the actual synchronous DRAM (SDRAM). There is a problem in that incorrect data can be written to the synchronous DRAM (SDRAM) by causing a setup / hold time violation.

도 1은 종래의 동기식 디램의 양 방향 패드에 연결된 인터페이스 회로를 나타내는 도면이다. 1 is a diagram illustrating an interface circuit connected to bidirectional pads of a conventional synchronous DRAM.

도 1을 참조하면, 종래의 인터페이스 회로(100)는 플립 플랍들(110, 120)과 제 1 내부 지연부(130), 제 2 내부 지연부(140), 전송부(150) 및 양 방향 패드(160)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the conventional interface circuit 100 includes flip flops 110 and 120, a first internal delay unit 130, a second internal delay unit 140, a transmitter 150, and a bidirectional pad. And 160.

플립 플랍(110)은 기준 클럭 신호(CLK)에 응답하여 데이터 인에이블 신호(DEN)를 수신하여 제 1 내부 지연부(130)로 인가한다. 플립 플랍(120)은 기준 클럭 신호(CLK)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 수신하여 제 2 내부 지연부(140)로 인가한다.The flip flop 110 receives the data enable signal DEN in response to the reference clock signal CLK and applies it to the first internal delay unit 130. The flip flop 120 receives the data signal DATA in response to the reference clock signal CLK and applies it to the second internal delay unit 140.

제 1 내부 지연부(130)는 데이터 인에이블 신호(DEN)를 플립 플랍(110)으로부터 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDDATA)를 발생한다. 제 2 내부 지연부(140)는 데이터 신호(DATA)를 플립 플랍(120)으로부터 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 발생한다. 전송부(150)는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)에 응답하여 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 수신하여 양 방향 패드(160)로 인가하고, 양방향 패드(160)는 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 동기식 디램(미도시)으로 인가한다.The first internal delay unit 130 receives the data enable signal DEN from the flip flop 110 and delays it to generate an initial delay data enable signal PDDATA. The second internal delay unit 140 receives the data signal DATA from the flip flop 120 and delays it to generate an initial delay data signal PDDATA. The transmitter 150 receives the initial delay data signal PDDATA in response to the initial delay data enable signal PDEN, applies the initial delay data signal PDDATA to the bidirectional pad 160, and the bidirectional pad 160 receives the initial delay data signal PDDATA. ) Is applied to the synchronous DRAM (not shown).

종래의 인터페이스 회로(100)의 동작을 살펴본다.The operation of the conventional interface circuit 100 will be described.

시스템(미도시)에서 동기식 디램(미도시)으로 데이터 신호(DATA)를 기입하는 동작은, 도 1에서 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)신호가 로우 레벨인 구간에서 데이터 신호(DATA)가 양 방향 패드(160)의 출력으로 나가게 된다. 이때 데이터 인에이블 신호(DEN)과 데이터 신호(DATA)는 동일한 기준 클럭 신호(CLK)에 응답하여 생성되므로 두 신호의 내부 딜레이(internal delay)가 동일할 경우 셋업 앤드 홀드 시간 위반(setup/hold time violation) 없이 정상적으로 동기식 디램(미도시)의 핀으로 기준 클럭 신호(CLK)와 데이터 신호(DATA)가 입력되어 메모리 동작이 수행된다. 그러나 설계되는 시스템의 규모와 집적도가 커짐에 따라 논리 합성 과정에서 데이터 인에이블 신호(DEN)와 데이터 신호(DATA)의 양방향 패드(160)까지의 내부 딜레이(internal delay)를 동일하게 맞추기가 어려워지며 두 신호의 내부 딜레이(internal delay)의 차이는 기준 클럭 신호(CLK)가 고주파수로 될 경우 기준 클럭 신호(CLK)의 주기에 상대적으로 차지하는 비중이 커지게 되므로 동기식 디램(미도시)의 입력이 되는 양 방향 패드(160)의 출력 단의 기준 클럭 신호(CLK)와 출력 데이터(OUT)간의 위상차를 초래하여 셋업 앤드 홀드 시간 위반(setup/hold time violation)이 생기는 문제가 발생하게 된다.In the operation of writing the data signal DATA to the synchronous DRAM (not shown) in the system (not shown), the data signal DATA is positive in a period where the initial delay data enable signal PDEN signal is low level in FIG. 1. It exits to the output of the directional pad 160. At this time, since the data enable signal DEN and the data signal DATA are generated in response to the same reference clock signal CLK, a setup / hold time violation occurs when the internal delays of the two signals are the same. Normally, the reference clock signal CLK and the data signal DATA are inputted to the pin of the synchronous DRAM (not shown) to perform a memory operation. However, as the size and density of the designed system increases, it becomes difficult to equalize the internal delay from the data enable signal DEN to the bidirectional pad 160 of the data signal DATA during logic synthesis. The difference between the internal delays of the two signals is that when the reference clock signal CLK becomes a high frequency, the portion of the reference clock signal CLK increases, so that the input of the synchronous DRAM (not shown) becomes large. The phase difference between the reference clock signal CLK and the output data OUT of the output terminal of the two-way pad 160 may cause a setup / hold time violation.

도 2는 도 1의 데이터 인에이블 신호의 내부 지연이 데이터 신호의 내부 지연보다 클 경우의 동작 타이밍도이다.FIG. 2 is an operation timing diagram when an internal delay of the data enable signal of FIG. 1 is greater than an internal delay of the data signal.

여기서, d1은 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 하강 에지에서의 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 출력을 나타내고, d2는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 안정(stable) 구간에서의 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 출력을나타내며, d3는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 상승 에지에서의 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 출력을 나타낸다. 또한 양 방향 패드(160)의 특성상 d1>d2>d3의 특성을 가진다.Here, d1 represents the output of the initial delay data signal PDDATA at the falling edge of the initial delay data enable signal PDEN, and d2 represents the initial state in the stable section of the initial delay data enable signal PDEN. The output of the delay data signal PDDATA is shown, and d3 represents the output of the initial delay data signal PDDATA at the rising edge of the initial delay data enable signal PDEN. In addition, the bidirectional pad 160 has a characteristic of d1> d2> d3.

데이터 인에이블 신호(DEN)의 내부 딜레이(internal delay)가 데이터 신호(DATA)의 내부 딜레이(internal delay)보다 클 경우 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 Q0가 지연된 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)에 의해 늦게 인에이블 되고 상대적으로 큰 패드 딜레이 d1에 의해 출력되므로 양 방향 패드(160)의 출력 데이터(OUT)는 고주파수인 기준 클럭 신호(CLK)의 상승 에지(positive edge)에서 래치될 때 위상 관계에 있어서 셋 업 시간(setup time)을 만족하지 못하게 되어 동기식 디램(미도시)에 데이터 기입 동작이 정상으로 수행되지 못한다.When the internal delay of the data enable signal DEN is greater than the internal delay of the data signal DATA, the initial delay data enable signal PDEN in which Q0 of the initial delay data signal PDDATA is delayed. Is enabled late by and is output by a relatively large pad delay d1, so that the output data OUT of the two-way pad 160 is phased when latched at the positive edge of the high frequency reference clock signal CLK. In this case, the setup time is not satisfied, and therefore, the data write operation cannot be normally performed in the synchronous DRAM (not shown).

도 3은 도 1의 데이터 인에이블 신호의 내부 지연이 데이터 신호의 내부 지연보다 작을 경우의 동작 타이밍도이다.3 is an operation timing diagram when an internal delay of the data enable signal of FIG. 1 is smaller than an internal delay of the data signal.

데이터 인에이블 신호(DEN)의 내부 딜레이(internal delay)가 데이터 신호(DATA)의 내부 딜레이(internal delay)보다 작을 경우, 양 방향 패드(160)의 출력 데이터(OUT)는 Q0 이전의 유효하지 않은 데이터 신호(DATA)의 구간이 양 방향 패드(160)의 출력 데이터(OUT)로서 출력 될 수 있는 경우가 발생할 수 있으며, 출력 데이터(OUT)의 지연으로 인하여 셋업 시간(setup time)을 만족하지 못할 수 있다.When the internal delay of the data enable signal DEN is smaller than the internal delay of the data signal DATA, the output data OUT of the two-way pad 160 is invalid before Q0. There may occur a case where the section of the data signal DATA may be output as the output data OUT of the two-way pad 160, and the setup time may not be satisfied due to the delay of the output data OUT. Can be.

도 4는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 상승 에지에서의 초기 지연데이터 신호(PDDATA)의 출력시간이 짧은 경우의 동작 타이밍도이다.4 is an operation timing diagram when the output time of the initial delay data signal PDDATA on the rising edge of the initial delay data enable signal PDEN is short.

초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 상승 에지(positive edge)에서의 딜레이인 d3가 d1 및 d2에 비하여 상대적으로 적은 값을 가지므로 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 마지막 데이터 Q3가 충분한 인에이블 구간을 갖기 전에 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)가 하이 레벨로 올라가면 Q3의 출력 데이터(OUT)는 홀드 시간(hold time)을 만족하지 못하게 된다. 이때 출력 데이터(OUT)가 Q3에서 하이 임피던스 상태로 변화될 때 홀드 시간(hold time) 조건을 만족하지 못하면 이 부분에서 잡음이 생성될 수 있고 이러한 잡음을 동기식 디램(미도시)의 클럭이 그대로 래치하는 문제가 생길 수 있다.Since the delay d3 at the positive edge of the initial delay data enable signal PDEN has a relatively smaller value than d1 and d2, the last data Q3 of the initial delay data signal PDDATA is sufficient. If the initial delay data enable signal PDEN goes up to a high level before the output delay, the output data OUT of Q3 does not satisfy the hold time. At this time, when the output data (OUT) is changed to the high impedance state at Q3, if the hold time condition is not satisfied, noise may be generated at this portion, and the noise of the synchronous DRAM (not shown) is latched as it is. You may have a problem.

따라서 본 발명은 고주파의 클럭을 사용함으로써 발생할 수 있는 동기식 디램(미도시)과의 패드 인터페이스(PAD interface) 회로의 양 방향 핀(bi-directional pin)의 데이터 신호(DATA)와 데이터 인에이블 신호(EN)의 내부 딜레이(internal delay)의 차이 및 셋업 앤드 홀드 시간 위반(setup/hold time violation)을 방지하기 위해 인터페이스 회로에 소정의 인에이블 신호 발생부 및 데이터 지연 제어부의 추가를 그 내용으로 한다.Accordingly, the present invention provides a data signal DATA and a data enable signal of a bi-directional pin of a pad interface circuit with a synchronous DRAM (not shown) that may be generated by using a high frequency clock. In order to prevent the difference in the internal delay of EN) and the setup / hold time violation, the addition of a predetermined enable signal generator and a data delay controller are added to the interface circuit.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 고주파수 반도체 메모리의 양방향 패드(bi-direction pad)에서 생길 수 있는 출력 데이터 신호와 데이터 인에이블 신호의 위상 차와 패드의 딜레이의 영향에 따른 셋업 시간(set up time)과 홀드 시간(hold time)의 위반에 의한 잡음을 제거하기 위한 잡음 방지용 인터페이스 회로를 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is a set up time due to the effects of the phase difference between the output data signal and the data enable signal and the delay of the pad which may occur in the bi-direction pad of the high frequency semiconductor memory. And an interface circuit for noise prevention to remove noise caused by a violation of the "

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 종래의 동기식 디램의 양 방향 패드에 연결된 인터페이스 회로를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating an interface circuit connected to bidirectional pads of a conventional synchronous DRAM.

도 2는 도 1의 데이터 인에이블 신호의 내부 지연이 데이터 신호의 내부 지연보다 클 경우의 동작 타이밍도이다.FIG. 2 is an operation timing diagram when an internal delay of the data enable signal of FIG. 1 is greater than an internal delay of the data signal.

도 3은 도 1의 데이터 인에이블 신호의 내부 지연이 데이터 신호의 내부 지연보다 작을 경우의 동작 타이밍도이다.3 is an operation timing diagram when an internal delay of the data enable signal of FIG. 1 is smaller than an internal delay of the data signal.

도 4는 초기 지연 데이터 인에이블 신호의 상승 에지에서의 초기 지연 데이터 신호의 출력시간이 짧은 경우의 동작 타이밍도이다.4 is an operation timing diagram when the output time of the initial delay data signal on the rising edge of the initial delay data enable signal is short.

도 5는 본 발명에 따른 인터페이스 회로를 나타내는 도면이다.5 illustrates an interface circuit according to the present invention.

도 6은 도 5의 데이터 지연 제어부를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a data delay controller of FIG. 5.

도 7은 도 5의 인터페이스 회로의 동작을 나타내는 타이밍 도 이다.7 is a timing diagram illustrating an operation of the interface circuit of FIG. 5.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 인터페이스 회로는, 제 1 내부 지연부, 인에이블 신호 발생부, 제 2 내부 지연부, 데이터 지연 제어부 및 전송부를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, an interface circuit includes a first internal delay unit, an enable signal generator, a second internal delay unit, a data delay controller, and a transmitter.

제 1 내부 지연부는 기준 클럭 신호에 응답하여 데이터 인에이블 신호를 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 발생한다. 인에이블 신호 발생부는 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 수신하여 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호의 활성 구간을 소정 시간 동안 지연시킨 지연 데이터 인에이블 신호를 발생한다.The first internal delay unit receives and delays the data enable signal in response to the reference clock signal to generate an initial delay data enable signal. The enable signal generator receives the initial delay data enable signal and generates a delay data enable signal for delaying an active section of the initial delay data enable signal for a predetermined time.

제 2 내부 지연부는 기준 클럭 신호에 응답하여 데이터 신호를 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 신호를 발생한다. 데이터 지연 제어부는 상기 초기 지연 데이터 신호를 수신하고 제 1 및 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 신호를 소정 시간동안 지연시킨 지연 데이터 신호를 발생한다.The second internal delay unit receives and delays the data signal in response to the reference clock signal to generate an initial delay data signal. The data delay control unit receives the initial delay data signal and generates a delay data signal in which the initial delay data signal is delayed for a predetermined time in response to the first and second control signals.

전송부는 상기 지연 데이터 신호를 수신하고 상기 지연 데이터 인에이블 신호에 응답하여 상기 지연 데이터 신호를 패드로 인가한다.The transmitter receives the delay data signal and applies the delay data signal to the pad in response to the delay data enable signal.

상기 제 1 및 제 2 내부 지연부는 동일한 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 한다.The first and second internal delay units have the same delay time.

바람직하기로는, 상기 데이터 지연 제어부는 상기 초기 지연 데이터 신호를 수신하여 지연시키는 제 1 지연 소자, 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 상기 초기지연 데이터 신호 및 상기 제 1 지연 소자의 출력 신호중 하나를 선택하여 출력하는 제 1 선택수단 , 상기 제 1 선택 수단의 출력 신호를 수신하여 지연시키는 직렬 연결되는 제 2 내지 제 n 지연 소자 및 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 제 1 선택 수단 및 상기 제 2 내지 제 n 지연 소자 각각의 출력 신호들 중 하나를 선택하여 상기 지연 데이터 신호로서 발생하는 제 2 선택 수단을 구비한다.Preferably, the data delay controller selects one of a first delay element that receives and delays the initial delay data signal, and an output signal of the initial delay data signal and the first delay element in response to the first control signal. First selecting means for outputting, second to n-th delay elements connected in series for receiving and delaying an output signal of the first selecting means, and the first selecting means and the second to second responses in response to the second control signal. and second selecting means for selecting one of the output signals of each of the n delay elements to generate the delay data signal.

또한 상기 인에이블 신호 발생부는 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 수신하고 상기 제 1 및 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 소정의 시간동안 지연시키는 인에이블 신호 지연 제어부 및 상기 인에이블 신호 지연 제어부의 출력 신호 및 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 논리곱하여 상기 지연 데이터 인에이블 신호를 발생하는 논리곱 수단을 구비한다.The enable signal generator may receive the initial delay data enable signal and delay the initial delay data enable signal for a predetermined time in response to the first and second control signals. And logical AND means for generating the delayed data enable signal by ANDing the output signal of the enable signal delay controller and the initial delayed data enable signal.

여기서, 상기 인에이블 신호 지연 제어부는 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 수신하여 지연시키는 제 1 지연 소자, 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호 및 상기 제 1 지연 소자의 출력 신호중 하나를 선택하여 출력하는 제 1 선택수단, 상기 제 1 선택 수단의 출력 신호를 수신하여 지연시키는 직렬 연결되는 제 2 내지 제 m 지연 소자 및 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 제 1 선택 수단 및 상기 제 2 내지 제 m 지연 소자 각각의 출력 신호들 중 하나를 선택하여 상기 지연 데이터 인에이블 신호로서 발생하는 제 2 선택 수단을 구비한다.The enable signal delay control unit may include a first delay element configured to receive and delay the initial delay data enable signal, and among the initial delay data enable signal and an output signal of the first delay element in response to the first control signal. First selection means for selecting and outputting one, second to mth delay elements connected in series for receiving and delaying an output signal of the first selection means, and the first selection means and the response in response to the second control signal. And second selecting means for selecting one of the output signals of each of the second to mth delay elements to generate the delay data enable signal.

상기 전송부는 상기 지연 데이터 인에이블 신호에 응답하여 상기 지연 데이터 신호를 수신하여 패드로 인가하는 3-상태 버퍼(tri-state buffer)인 것을 특징으로 한다.The transmitter is a tri-state buffer for receiving the delay data signal in response to the delay data enable signal and applying it to a pad.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 5는 본 발명에 따른 인터페이스 회로를 나타내는 도면이다.5 illustrates an interface circuit according to the present invention.

도 6은 도 5의 데이터 지연 제어부를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a data delay controller of FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 잡음 방지용 인터페이스 회로(500)는 제 1 내부 지연부(530), 인에이블 신호 발생부(550), 제 2 내부 지연부(540), 데이터 지연 제어부(560) 및 전송부(570)를 구비하는 것을 특징으로 한다.5 and 6, the noise preventing interface circuit 500 according to the present invention includes a first internal delay unit 530, an enable signal generator 550, a second internal delay unit 540, and a data delay. And a control unit 560 and a transmission unit 570.

제 1 내부 지연부(530)는 기준 클럭 신호(CLK)에 응답하여 데이터 인에이블 신호(DEN)를 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 발생한다. 인에이블 신호 발생부(550)는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 수신하여 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 활성 구간을 소정 시간 동안 지연시킨 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)를 발생한다.The first internal delay unit 530 receives and delays the data enable signal DEN in response to the reference clock signal CLK to generate an initial delay data enable signal PDEN. The enable signal generator 550 receives the initial delay data enable signal PDEN and generates a delay data enable signal ENX that delays the active section of the initial delay data enable signal PDEN for a predetermined time. .

제 2 내부 지연부(540)는 기준 클럭 신호(CLK)에 응답하여 데이터 신호(DATA)를 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 발생한다. 데이터 지연 제어부(560)는 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 수신하고 제 1 및 제 2 제어 신호(CS1, CS2)에 응답하여 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 소정 시간동안 지연시킨 지연 데이터 신호(DATAX)를 발생한다.The second internal delay unit 540 receives and delays the data signal DATA in response to the reference clock signal CLK to generate the initial delay data signal PDDATA. The data delay control unit 560 receives the initial delay data signal PDDATA and delays the initial delay data signal PDDATA for a predetermined time in response to the first and second control signals CS1 and CS2. Will occur).

제 1 및 제 2 내부 지연부(530, 540)는 동일한 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 한다.The first and second internal delay units 530 and 540 have the same delay time.

이터 지연 제어부(560)는 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 수신하여 지연시키는 제 1 지연 소자(DD1), 제 1 제어 신호(CS1)에 응답하여 초기 지연 데이터 신호(PDDATA) 및 제 1 지연 소자(DD1)의 출력 신호중 하나를 선택하여 출력하는 제 1 선택수단(610), 제 1 선택 수단(610)의 출력 신호를 수신하여 지연시키는 직렬 연결되는 제 2 내지 제 n 지연 소자(DD2, DD3 ~ DDn) 및 제 2 제어 신호(CS2)에 응답하여 제 1 선택 수단(610) 및 제 2 내지 제 n 지연 소자(DD2, DD3 ~ DDn) 각각의 출력 신호들 중 하나를 선택하여 지연 데이터 신호(DATAX)로서 발생하는 제 2 선택 수단(620)을 구비한다.The data delay control unit 560 receives a first delay element DD1 for receiving and delaying an initial delay data signal PDDATA, an initial delay data signal PDDATA, and a first delay element in response to the first control signal CS1. First selecting means 610 for selecting and outputting one of the output signals of DD1, and second to nth delay elements DD2, DD3 to DDn connected in series for receiving and delaying the output signal of the first selecting means 610 ) And one of the output signals of each of the first selection means 610 and the second to nth delay elements DD2 and DD3 to DDn in response to the second control signal CS2 to delay data signal DATAX. And a second selecting means 620 to generate as.

여기서, 제 1 내지 제 n 지연 소자들(DD1, DD2, DD3 ~ DDn)은 동일한 지연 시간을 가지거나 또는 서로 다른 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 한다. 또한, 제 1 내지 제 n 지연 소자들(DD1, DD2, DD3 ~ DDn)은 각각의 지연 소자들의 지연 시간의 합이 상기 기준 클럭 신호(CLK)의 주기와 같거나 작은 것을 특징으로 한다.Here, the first to nth delay elements DD1, DD2, and DD3 to DDn have the same delay time or different delay times. In addition, the first to nth delay elements DD1, DD2, DD3 to DDn have a sum of delay times of the respective delay elements equal to or less than a period of the reference clock signal CLK.

제 1 및 제 2 선택 수단(610, 620)은 멀티플렉서일 수 있다.The first and second selection means 610, 620 may be multiplexers.

인에이블 신호 발생부(550)는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 수신하고 제 1 및 제 2 제어 신호(CS1, CS2)에 응답하여 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 소정의 시간동안 지연시키는 인에이블 신호 지연 제어부(590) 및 인에이블 신호 지연 제어부(590)의 출력 신호 및 초기 지연 데이터 인에이블 신호9PDEN)를 논리곱하여 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)를 발생하는 논리곱 수단(595)을 구비한다.The enable signal generator 550 receives the initial delay data enable signal PDEN and generates the initial delay data enable signal PDEN in response to the first and second control signals CS1 and CS2 for a predetermined time. Logical means 595 for generating a delayed data enable signal ENX by performing a logical AND on the output signal of the enable signal delay control unit 590 and the enable signal delay control unit 590 for delaying, and the initial delay data enable signal 9PDEN. ).

여기서, 인에이블 신호 지연 제어부(590)는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 수신하여 지연시키는 제 1 지연 소자(미도시), 제 1 제어 신호(CS1)에 응답하여 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN) 및 제 1 지연 소자(미도시)의 출력 신호중 하나를 선택하여 출력하는 제 1 선택수단(미도시), 제 1 선택 수단(미도시)의 출력 신호를 수신하여 지연시키는 직렬 연결되는 제 2 내지 제 m 지연 소자(미도시) 및 제 2 제어 신호(CS2)에 응답하여 제 1 선택 수단(미도시) 및 제 2 내지 제 m 지연 소자(미도시) 각각의 출력 신호들 중 하나를 선택하여 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)로서 발생하는 제 2 선택 수단(미도시)을 구비한다.Here, the enable signal delay control unit 590 receives a first delay element (not shown) for receiving and delaying an initial delay data enable signal PDEN and an initial delay data enable signal in response to the first control signal CS1. A first selection means (not shown) for selecting and outputting one of a PDEN and an output signal of the first delay element (not shown), and a serially connected device for receiving and delaying an output signal of the first selection means (not shown). Select one of the output signals of each of the first selecting means (not shown) and the second to mth delay elements (not shown) in response to the second to mth delay elements (not shown) and the second control signal CS2. And second selection means (not shown) for generating as a delay data enable signal ENX.

제 1 내지 제 m 지연 소자들(미도시)은 동일한 지연 시간을 가지거나 또는 서로 다른 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 한다. 또한 제 1 내지 제 m 지연 소자들(미도시)은 각각의 지연 소자들의 지연 시간의 합이 상기 기준 클럭 신호의 주기와 같거나 작은 것을 특징으로 한다.The first to mth delay elements (not shown) may have the same delay time or different delay times. In addition, the first to m-th delay elements (not shown) are characterized in that the sum of the delay times of the respective delay elements is equal to or less than the period of the reference clock signal.

여기서, n과 m은 동일한 자연수이며 제 1 및 제 2 선택 수단(미도시)은 멀티플렉서 일 수 있다. 그리고 제 1 및 제 2 제어 신호(CS1, CS2)는 외부에서 제어가 가능한 신호들인 것을 특징으로 한다.Here, n and m are the same natural number and the first and second selection means (not shown) may be a multiplexer. The first and second control signals CS1 and CS2 may be externally controllable signals.

전송부(570)는 지연 데이터 신호(DATAX)를 수신하고 지연 데이터 인에이블신호(ENX)에 응답하여 지연 데이터 신호(DATAX)를 패드(580)로 인가한다. 좀더 상세히 설명하면, 전송부(570)는 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)에 응답하여 지연 데이터 신호(DATAX)를 수신하여 패드로 인가하는 3-상태 버퍼(tri-state buffer)이다.The transmitter 570 receives the delayed data signal DATAX and applies the delayed data signal DATAX to the pad 580 in response to the delayed data enable signal ENX. In more detail, the transmitter 570 is a tri-state buffer that receives the delay data signal DATAX and applies it to the pad in response to the delay data enable signal ENX.

도 7은 도 5의 인터페이스 회로의 동작을 나타내는 타이밍 도 이다.7 is a timing diagram illustrating an operation of the interface circuit of FIG. 5.

이하, 도 5, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명에 따른 인터페이스 회로(500)의 동작을 살펴본다.Hereinafter, the operation of the interface circuit 500 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5, 6, and 7.

도 6의 데이터 지연 제어부(560)는 본 발명의 인터페이스 회로(500)가 사용되는 시스템의 기준 클럭 신호(CLK)에 따라 지연 모듈(delay module)이 다르게 구성될 수 있다. 도 6은 데이터 지연 제어부(560)의 회로 구성의 하나의 실시예로서, 주파수가 135Mhz, 즉, 주기가 7.4ns인 기준 클럭 신호(CLK)를 사용하는 시스템에 사용되는 데이터 지연 제어부(560)를 나타낸 것이다. 기준 클럭 신호(CLK)의 주기가 7.4 ns 이므로, n은 4 이며 제 1 지연 소자(DD1)는 1 ns의 지연 시간을 가지고, 제 2 내지 제 4 지연 소자(DD2, DD3 ~ DDn)는 2ns의 지연 시간을 가진다. 각각의 지연 소자들(DD1, DD2, DD3 ~ DDn)의 개수와 지연 시간은 인터페이스 회로(500)가 사용되는 시스템의 기준 클럭 신호(CLK)의 주기에 따라 달라질 수 있는 것은 당연하다.In the data delay controller 560 of FIG. 6, a delay module may be configured differently according to a reference clock signal CLK of a system in which the interface circuit 500 of the present invention is used. FIG. 6 shows an example of a circuit configuration of the data delay control unit 560. The data delay control unit 560 used in a system using a reference clock signal CLK having a frequency of 135 MHz, that is, a period of 7.4 ns is shown. It is shown. Since the period of the reference clock signal CLK is 7.4 ns, n is 4 and the first delay element DD1 has a delay time of 1 ns, and the second to fourth delay elements DD2 and DD3 to DDn have a length of 2 ns. Has a delay. The number and delay times of the respective delay elements DD1, DD2, DD3 ˜ DDn may vary depending on the period of the reference clock signal CLK of the system in which the interface circuit 500 is used.

데이터 지연 제어부(560)에 의해서 135Mhz 기준 클럭 신호(CLK)의 한 주기 내에서 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 지연(delay) 시간을 가변적으로 조절할 수 있다. 데이터 지연 제어부(560)는 두개의 선택 수단(610, 620)을 구비하며 선택수단(610, 620)을 제어하기 위한 신호로서 제 1 제어 신호(CS1)와 제 2 제어 신호(CS2)가 사용된다. 제 1 제어 신호(CS1) 및 제 2 제어 신호(CS2)는 외부에서 제어가 가능한 신호들이며 외부에서 정해진 값에 따라 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 0ns ~ 7ns만큼 지연해서 출력하는 기능을 수행한다.The data delay controller 560 may variably adjust the delay time of the initial delay data signal PDDATA within one period of the 135 MHz reference clock signal CLK. The data delay control unit 560 includes two selection means 610 and 620, and a first control signal CS1 and a second control signal CS2 are used as signals for controlling the selection means 610 and 620. . The first control signal CS1 and the second control signal CS2 are signals that can be controlled externally and perform a function of delaying and outputting the initial delay data signal PDDATA by 0 ns to 7 ns according to an externally determined value.

인에이블 신호 발생부(550)는 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 인에이블 신호 지연 제어부(590)로 수신하고 논리곱 수단(595)에 의하여 펄스 신호인 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)를 발생한다. 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)는 인에이블 신호 지연 제어부(590)의 지연 소자들에 의하여 펄스 폭이 결정된다.The enable signal generator 550 receives the initial delay data enable signal PDEN to the enable signal delay control unit 590 and receives the delay data enable signal ENX, which is a pulse signal, by the AND product 595. Occurs. The delay width of the enable data signal ENX is determined by the delay elements of the enable signal delay controller 590.

인에이블 신호 지연 제어부(590)는 데이터 지연 제어부(560)와 동일한 회로 구성을 가지므로 그 상세한 설명은 생략한다.The enable signal delay control unit 590 has the same circuit configuration as the data delay control unit 560, and thus a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 인터페이스 회로(500)는 인에이블 신호 발생부(550)와 데이터 지연 제어부(560)를 조정하여 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN) 및 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 적절하게 지연시켜 양 신호의 내부 딜레이를 일치시키고 또한 양 방향 패드(580)에서의 출력 데이터(OUT)의 셋업 시간 및 홀드 시간 위반을 방지할 수 있다.The interface circuit 500 of the present invention adjusts the enable signal generator 550 and the data delay controller 560 to appropriately delay the initial delay data enable signal PDEN and the initial delay data signal PDDATA. It is possible to match the internal delay of the signal and also to avoid setup time and hold time violation of the output data OUT at the bidirectional pad 580.

즉, 인에이블 신호 발생부(550)와 데이터 지연 제어부(560)에 의하여 각 신호의 타이밍이 기준 클럭 신호(CLK)의 1주기 내에서 각각 자유롭게 조절됨으로써 데이터 신호(DATA)와 데이터 인에이블 신호(DEN) 중 어느 신호의 내부 지연(internal delay)이 논리회로 합성과정에서 고주파 기준 클럭 신호(CLK)의 주기에 비해 상대적으로 크게 되었을 경우 이의 상호 보상이 가능하게 되어 정상적인출력 데이터(OUT)의 출력의 위상을 가질 수 있다. 또, 패드 딜레이(PAD delay)의 영향에 의해 생길 수 있는 비동기식 디램(SDRAM) 입력의 고주파 클럭과 출력 데이터(OUT)의 위상차도 보상이 가능해진다.That is, the timing of each signal is freely adjusted by the enable signal generator 550 and the data delay controller 560 within one period of the reference clock signal CLK, thereby allowing the data signal DATA and the data enable signal ( If the internal delay of any one of the DENs becomes relatively large compared to the period of the high frequency reference clock signal CLK in the logic circuit synthesis process, mutual compensation is possible so that the output of the normal output data OUT is reduced. May have a phase. In addition, the phase difference between the high frequency clock of the asynchronous DRAM (SDRAM) input and the output data OUT, which may be caused by the influence of the PAD delay, can be compensated.

좀더 상세하게 동작을 설명한다.The operation is described in more detail.

도 2에 도시된 것과 같이, 데이터 인에이블 신호(DEN)의 내부 지연이 데이터 신호(DATA)의 내부 지연보다 커서 출력 데이터(OUT)에 셋업 시간 위반(setup time violation)이 발생한 경우, 데이터 신호(DATA)는 데이터 인에이블 신호(DEN)에 의하여 각각 d1, d2, d3 지연 후에 출력 데이터(OUT)로서 래치 되므로 데이터 지연 제어부(560)만을 이용하여 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)에만 지연을 주어서는 셋업 시간(setup time)의 조건을 맞추기 어렵다. 따라서 이 경우에는 데이터 지연 제어부(560)와 인에이블 신호 지연 제어부(590)를 모두 이용하여 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)와 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)를 모두 지연시켜야 셋업 시간(setup time)을 만족시킬 수 있다.As shown in FIG. 2, when an internal delay of the data enable signal DEN is greater than an internal delay of the data signal DATA, when a setup time violation occurs in the output data OUT, the data signal ( DATA is latched as the output data OUT after the delays d1, d2, and d3 by the data enable signal DEN, respectively, so that only the initial delay data signal PDDATA is delayed using the data delay control unit 560. It is difficult to meet the conditions of the setup time. Therefore, in this case, both the initial delay data enable signal PDEN and the initial delay data signal PDDATA must be delayed by using both the data delay control unit 560 and the enable signal delay control unit 590. Can satisfy

도 3에 도시된 것과 같이, 데이터 인에이블 신호(DEN)의 내부 지연이 데이터 신호(DATA)의 내부 지연보다 작아서 출력 데이터(OUT)에 셋업 시간 위반(setup time violation)이 발생한 경우도, 인에이블 신호 지연 제어부(590)를 이용해 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 지연시킴으로써 출력 데이터(OUT)의 셋업 시간 위반(setup time violation)을 막을 수 있다.As shown in FIG. 3, even when an internal delay of the data enable signal DEN is smaller than an internal delay of the data signal DATA, the setup time violation occurs in the output data OUT. By delaying the initial delay data enable signal PDEN by using the signal delay controller 590, a setup time violation of the output data OUT may be prevented.

도 4에 도시된 것과 같이, 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)의 상승 에지에서의 초기 지연 데이터 신호(PDDATA)의 출력시간이 짧아서 출력 데이터(OUT)에홀드 시간 위반(hold time violation)이 발생한 경우, 인에이블 신호 지연 제어부(550)를 이용하여 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 지연시킨 후, 논리곱 수단(595)을 이용하여 원래의 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)와 지연된 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 논리곱한 결과인 지연 데이터 인에이블 신호(ENX)를 이용하면 셋업 및 홀드 시간(setup/hold time)을 만족시킬 수 있다. 이는 단순히 마지막 출력 데이터(OUT)의 홀드 시간(hold time)을 맞춰주기 위해 인에이블 신호 지연 제어부(590)만을 이용하여 지연된 초기 지연 데이터 인에이블 신호(PDEN)를 사용할 경우 도 2의 경우와 같이 앞쪽의 출력 데이터(OUT)에 셋업 시간 위반(setup time violation)이 생길 우려가 있기 때문이다.As shown in FIG. 4, the output time of the initial delay data signal PDDATA at the rising edge of the initial delay data enable signal PDEN is short, and a hold time violation occurs in the output data OUT. In this case, after delaying the initial delay data enable signal PDEN by using the enable signal delay control unit 550, and using the logical multiplication means 595, the original initial delay data enable signal PDEN and the delayed initial state. By using the delay data enable signal ENX, which is a result of multiplying the delay data enable signal PDEN, the setup and hold time may be satisfied. This is the case when the initial delay data enable signal PDEN is delayed using only the enable signal delay control unit 590 to simply match the hold time of the last output data OUT, as shown in FIG. 2. This is because there is a possibility that a setup time violation may occur in the output data OUT.

위와 같은 동작에 의하여, 인에이블 신호 발생부(550)와 데이터 지연 제어부(560)를 이용하여 고주파용 동기식 디램(SDRAM)의 양 방향 핀(bi-directional pin)에서 생길 수 있는 데이터 인에이블 신호(DEN)와 데이터 신호(DATA)의 내부 지연의 차이 및 셋업 시간 및 홀드 시간 위반과 이에 따른 잡음을 제거할 수 있다.By the above operation, using the enable signal generator 550 and the data delay control unit 560, a data enable signal that may be generated at the bi-directional pin of the high frequency synchronous DRAM (SDRAM) ( DEN) and the difference between the internal delay of the data signal DATA and the setup time and hold time violations and the resulting noise can be eliminated.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, optimal embodiments have been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 잡음 방지용 인터페이스 회로는, 고주파수의 기준 클럭을 사용하는 메모리 장치의 양 방향 패드(bi-direction pad)에서 생길 수 있는 출력 데이터 신호와 데이터 인에이블 신호의 위상 차와 패드 지연(PAD delay)의 영향에 따른 셋업 및 홀드 시간 위반(setup/hold time violation)에 의한 잡음을 제거할 수 있는 장점이 있다.As described above, the noise prevention interface circuit according to the present invention includes a pad and a phase difference between an output data signal and a data enable signal that may occur in a bi-direction pad of a memory device using a high frequency reference clock. There is an advantage in that noise caused by setup and hold time violation due to the effect of PAD delay can be eliminated.

Claims (16)

기준 클럭 신호에 응답하여 데이터 인에이블 신호를 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 발생하는 제 1 내부 지연부 ;A first internal delay unit configured to receive and delay a data enable signal in response to a reference clock signal to generate an initial delay data enable signal; 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 수신하여 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호의 활성 구간을 소정 시간 동안 지연시킨 지연 데이터 인에이블 신호를 발생하는 인에이블 신호 발생부 ;An enable signal generator configured to receive the initial delay data enable signal and generate a delay data enable signal for delaying an active section of the initial delay data enable signal for a predetermined time; 기준 클럭 신호에 응답하여 데이터 신호를 수신하고 지연 시켜 초기 지연 데이터 신호를 발생하는 제 2 내부 지연부 ;A second internal delay unit configured to receive and delay a data signal in response to a reference clock signal to generate an initial delay data signal; 상기 초기 지연 데이터 신호를 수신하고 제 1 및 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 신호를 소정 시간동안 지연시킨 지연 데이터 신호를 발생하는 데이터 지연 제어부 ;A data delay control unit for receiving the initial delay data signal and generating a delay data signal for delaying the initial delay data signal for a predetermined time in response to first and second control signals; 상기 지연 데이터 신호를 수신하고 상기 지연 데이터 인에이블 신호에 응답하여 상기 지연 데이터 신호를 패드로 인가하는 전송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And a transmitter configured to receive the delay data signal and apply the delay data signal to a pad in response to the delay data enable signal. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 내부 지연부는,The method of claim 1, wherein the first and second internal delay unit, 동일한 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit having the same delay time. 제 1항에 있어서, 상기 데이터 지연 제어부는,The method of claim 1, wherein the data delay control unit, 상기 초기 지연 데이터 신호를 수신하여 지연시키는 제 1 지연 소자 ;A first delay element receiving and delaying the initial delay data signal; 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 신호 및 상기 제 1 지연 소자의 출력 신호중 하나를 선택하여 출력하는 제 1 선택수단 ;First selecting means for selecting and outputting one of the initial delay data signal and an output signal of the first delay element in response to the first control signal; 상기 제 1 선택 수단의 출력 신호를 수신하여 지연시키는 직렬 연결되는 제 2 내지 제 n 지연 소자 ; 및Second to nth delay elements connected in series for receiving and delaying an output signal of the first selection means; And 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 제 1 선택 수단 및 상기 제 2 내지 제 n(n은 2 이상의 자연수) 지연 소자 각각의 출력 신호들 중 하나를 선택하여 상기 지연 데이터 신호로서 발생하는 제 2 선택 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Second selecting means for selecting one of the first selecting means and output signals of each of the second to nth (n is a natural number of two or more) delay elements in response to the second control signal and generating the delayed data signal; Noise prevention interface circuit comprising a. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 n 지연 소자들은,The method of claim 3, wherein the first to n-th delay elements, 동일한 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit having the same delay time. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 n 지연 소자들은,The method of claim 3, wherein the first to n-th delay elements, 서로 다른 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit having a different delay time. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 n 지연 소자들은,The method of claim 3, wherein the first to n-th delay elements, 각각의 지연 소자들의 지연 시간의 합이 상기 기준 클럭 신호의 주기와 같거나 작은 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And a sum of delay times of respective delay elements is equal to or less than a period of the reference clock signal. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 선택 수단은,The method of claim 3, wherein the first and second selection means, 멀티플렉서인 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit, characterized in that the multiplexer. 제 1항에 있어서, 상기 인에이블 신호 발생부는,The method of claim 1, wherein the enable signal generator, 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 수신하고 상기 제 1 및 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 소정의 시간동안 지연시키는 인에이블 신호 지연 제어부 ; 및An enable signal delay controller configured to receive the initial delay data enable signal and delay the initial delay data enable signal for a predetermined time in response to the first and second control signals; And 상기 인에이블 신호 지연 제어부의 출력 신호 및 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 논리곱하여 상기 지연 데이터 인에이블 신호를 발생하는 논리곱 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And an AND logic means for generating the delayed data enable signal by ANDing the output signal of the enable signal delay controller and the initial delay data enable signal. 제 8항에 있어서, 상기 인에이블 신호 지연 제어부는,The method of claim 8, wherein the enable signal delay control unit, 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호를 수신하여 지연시키는 제 1 지연 소자 ;A first delay element receiving and delaying the initial delay data enable signal; 상기 제 1 제어 신호에 응답하여 상기 초기 지연 데이터 인에이블 신호 및 상기 제 1 지연 소자의 출력 신호중 하나를 선택하여 출력하는 제 1 선택수단 ;First selecting means for selecting and outputting one of the initial delay data enable signal and an output signal of the first delay element in response to the first control signal; 상기 제 1 선택 수단의 출력 신호를 수신하여 지연시키는 직렬 연결되는 제 2 내지 제 m(m은 2 이상의 자연수) 지연 소자 ; 및Second through m-th (m is a natural number of two or more) delay elements connected in series for receiving and delaying the output signal of said first selecting means; And 상기 제 2 제어 신호에 응답하여 상기 제 1 선택 수단 및 상기 제 2 내지 제 m 지연 소자 각각의 출력 신호들 중 하나를 선택하여 상기 지연 데이터 인에이블 신호로서 발생하는 제 2 선택 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And second selecting means for selecting one of the first selecting means and output signals of each of the second to mth delay elements in response to the second control signal to generate the delay data enable signal. Noise prevention interface circuit. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 m 지연 소자들은,The method of claim 9, wherein the first to m-th delay elements, 동일한 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit having the same delay time. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 m 지연 소자들은,The method of claim 9, wherein the first to m-th delay elements, 서로 다른 지연 시간을 가지는 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit having a different delay time. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 m 지연 소자들은,The method of claim 9, wherein the first to m-th delay elements, 각각의 지연 소자들의 지연 시간의 합이 상기 기준 클럭 신호의 주기와 같거나 작은 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And a sum of delay times of respective delay elements is equal to or less than a period of the reference clock signal. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 선택 수단은,The method of claim 9, wherein the first and second selection means, 멀티플렉서인 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise prevention interface circuit, characterized in that the multiplexer. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 제어 신호는,The method of claim 1, wherein the first and second control signals, 외부에서 제어가 가능한 신호들인 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.Noise control interface circuit, characterized in that the externally controllable signals. 제 1항에 있어서, 상기 전송부는,The method of claim 1, wherein the transmission unit, 상기 지연 데이터 인에이블 신호에 응답하여 상기 지연 데이터 신호를 수신하여 패드로 인가하는 3-상태 버퍼(tri-state buffer)인 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And a tri-state buffer configured to receive the delay data signal in response to the delay data enable signal and apply the same to a pad. 제 3항 또는 제 9항에 있어서,The method according to claim 3 or 9, 상기 n과 m은 동일한 자연수 인 것을 특징으로 하는 잡음 방지용 인터페이스 회로.And n and m are the same natural number.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101508578B1 (en) * 2014-01-02 2015-04-07 고려대학교 산학협력단 Apparatus and method for sensing temperature based on temperature dependence of current according to channel length variation
WO2015102274A1 (en) * 2014-01-02 2015-07-09 고려대학교 산학협력단 Temperature sensing apparatus and temperature sensing method based on temperature dependence of current according to channel length variation

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