KR20030054199A - Method for spice simulation of compiled memory - Google Patents

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KR20030054199A KR1020010084326A KR20010084326A KR20030054199A KR 20030054199 A KR20030054199 A KR 20030054199A KR 1020010084326 A KR1020010084326 A KR 1020010084326A KR 20010084326 A KR20010084326 A KR 20010084326A KR 20030054199 A KR20030054199 A KR 20030054199A
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Abstract

PURPOSE: A method for SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) simulation of a compiled memory is provided to automate the SPICE simulation by classifying memory cells having identical operation patterns therewith and describing an SPICE input file of a corresponding memory. CONSTITUTION: Complied memories are classified according to memories having identical operation patterns(21). Stimulus signals being applied to each memory are described on a file being prepared by a high-level language(22). A source file is converted into a SPICE input file(23). The converted SPICE input file is used for automatically generating stimulus signals in a SPICE simulation(24). Thus, stimulus signals to be applied to each input pin in a SPICE simulation are automatically created.

Description

컴파일드 메모리의 SPICE 시뮬레이션 방법{Method for SPICE simulation of compiled memory}Method for SPICE simulation of compiled memory

본 발명은 집적회로 설계에 관한 것으로, 특히 집적회로의 SPICE 시뮬레이션을 위한 입력 파일을 자동으로 기술하여 컴파일드 메모리 셀의 특성화를 자동화하는 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to integrated circuit design, and more particularly, to a method for automating the characterization of compiled memory cells by automatically describing an input file for SPICE simulation of an integrated circuit.

집적회로 설계(Integrated Circuit Design)에는 500,000개 이상의 트랜지스터들을 가지는 크고 복잡한 회로가 포함되기도 한다. 이와 같은 회로의 설계는, 상기 트랜지스터들을 배열하여 블록 또는 셀들을 형성하고 셀 라이브러리들(cell libraries)을 구성하는 세미-커스텀 설계 기술(semi-custom design techniques)의 사용에 의해 매우 간단해진다. 상기 기술에 의해 구성된 각각의 셀 또는 블록들은 플립-플롭(flip-flops), 멀티플렉서(multiplexers), 인버터(inverters) 등과 같은 기능을 수행한다. 각각의 셀 또는 로직 함수는 셀 라이브러리로 구성되며, 셀 라이브러리로부터 선택된 셀들은 집적회로를 구성하기 위해 상호 연결된다.Integrated circuit design may include large and complex circuits with more than 500,000 transistors. The design of such a circuit is greatly simplified by the use of semi-custom design techniques in arranging the transistors to form blocks or cells and construct cell libraries. Each cell or block constructed by the above technique performs functions such as flip-flops, multiplexers, inverters, and the like. Each cell or logic function consists of a cell library in which cells selected from the cell library are interconnected to form an integrated circuit.

이와 같은 구성을 가지는 메모리를 컴파일드 메모리 또는 파라메터라이즈드 메모리(compiled memory or parameterized memory)라 하며, 이 같은 메모리는 1998년, K. Ogawa, M. Kohno 및 F. Kitamura에 의해 Design, Automation and Test in Europe, 1998, Proceedings, pp. 15-20, "PASTEL: a parameterized memory characterization system" 등에 개시되어 있다.Memory having such a configuration is called compiled memory or parameterized memory, which was designed, automated and tested by K. Ogawa, M. Kohno and F. Kitamura in 1998. in Europe, 1998, Proceedings, pp. 15-20, "PASTEL: a parameterized memory characterization system."

현재 대다수의 집적회로 제조 업체들은 제조 단가를 줄이기 위해 집적회로의 성능(performance) 및 그것의 전원 소모(power dissipation)를 검증하는데 컴퓨터시뮬레이션 프로그램들(computer simulation programs)을 사용하고 있다. 특히, 셀 또는 블록들로 분할되는 집적회로들은 SPICE (Simulation program with Integrated Circuit Emphasis)와 같은 시뮬레이션 프로그램을 사용함에 의해 그 특성이 기술된다(characterized).Many integrated circuit manufacturers now use computer simulation programs to verify the performance of integrated circuits and their power dissipation to reduce manufacturing costs. In particular, integrated circuits divided into cells or blocks are characterized by using a simulation program such as Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE).

이와 같은 셀의 특성화(cell characterization)는, 셀 라이브러리를 구축하기 위한 것이며, 셀 라이브러리에 정의되는 다양한 타이밍 패스(timing path)에 대한 SPICE 시뮬레이션은 필수적이다.Such cell characterization is for building a cell library, and SPICE simulation for various timing paths defined in the cell library is essential.

컴파일드 메모리 셀의 내부 구조는 설계 아키텍처(architecture)에 따라 서로 기능이 다른 다수의 서브-블록(sub-block)으로 나누어진다. 컴파일드 메모리 셀의 전체 동작은 각 서브-블록의 출력의 연속된 조합에 따라 다양한 패턴을 형성하게 된다. 메모리의 기입(read), 독출(write), 스탠바이(stand-by) 모드에 따라서 메모리 셀의 내부를 구성하는 각 서브-블록의 초기 상태(initial condition)가 달라지기 때문에, 셀의 특성화를 수행하는 SPICE 시뮬레이션의 방법이 복잡해진다. 또한, 컴파일드 메모리 셀은 그것의 종류 및 용량(capacity)에 따라 수백 종으로 나누어지기 때문에, SPICE 시뮬레이션을 자동화하지 않으면 라이브러리 개발 기간이 크게 연장되는 문제가 발생된다.The internal structure of a compiled memory cell is divided into a number of sub-blocks that differ in function depending on the design architecture. The overall operation of the compiled memory cell will form various patterns according to the successive combination of outputs of each sub-block. Since the initial condition of each sub-block constituting the inside of the memory cell varies according to the read, write, and standby modes of the memory, characterization of the cell is performed. The method of SPICE simulation becomes complicated. In addition, since a compiled memory cell is divided into hundreds according to its type and capacity, a problem of prolonging the library development period is caused if SPICE simulation is not automated.

따라서 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 동작 패턴이 동일한 메모리 셀들을 분류하여 해당 메모리의 SPICE 입력 파일을 기술함으로써, SPICE 시뮬레이션을 자동화하는 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a method for automating SPICE simulation by classifying memory cells having the same operation pattern and describing the SPICE input file of the corresponding memory.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of the drawings is provided.

도 1은 컴파일드 메모리의 구조를 보여주는 블록도이다.1 is a block diagram showing the structure of a compiled memory.

도 2는 도 1에 도시된 컴파일드 메모리의 동작과 관련된 신호들의 타이밍도이다.FIG. 2 is a timing diagram of signals related to an operation of the compiled memory illustrated in FIG. 1.

도 3은 SPICE 시뮬레이션시 도 2에 도시된 스티뮬러스 신호들을 자동으로 생성시키는, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시뮬레이션 방법을 보여주는 흐름도이다.3 is a flowchart showing a simulation method according to a preferred embodiment of the present invention, which automatically generates the stimulus signals shown in FIG. 2 during SPICE simulation.

도 4는 도 3에 도시된 SPICE 입력 파일을 구현하기 위한 소오스 파일의 일례를 보여주는 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of a source file for implementing the SPICE input file illustrated in FIG. 3.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 컴파일드 메모리 장치11 : 컨트롤러10: compiled memory device 11: controller

13 : 행 디코더14 : 열 디코더13: row decoder 14: column decoder

15 : 메모리 셀 어레이16 : 센스 앰프 및 I/O 회로15: memory cell array 16: sense amplifier and I / O circuit

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 컴파일드 메모리의 SPICE 시뮬레이션 방법은, (a) 컴파일드 메모리들을 동작 패턴별로 구분하는 단계; (b) 소정의 언어로 작성되는 파일 상에 상기 각 메모리에 인가되는 각각의 스티뮬러스 신호들을 기술하는 단계; (c) 상기 (b) 단계에서 기술된 상기 파일을 SPICE 입력 파일로 변환하는 단계; 및 (d) 상기 메모리의 SPICE 시뮬레이션시 상기 (c) 단계에서 변환된 상기 파일을 통해 각 입력 핀에 인가되는 스티뮬러스 신호들을 자동으로 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a SPICE simulation method of a compiled memory, including: (a) dividing the compiled memories into operation patterns; (b) describing respective stimulus signals applied to the respective memories on a file written in a predetermined language; (c) converting the file described in step (b) into a SPICE input file; And (d) automatically generating stimulus signals applied to each input pin through the file converted in the step (c) during the SPICE simulation of the memory.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의해 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 1은 컴파일드 메모리(10)의 구조를 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 컴파일드 메모리(10)는 컨트롤러(11), 행 디코더(13), 열 디코더(14), 메모리 셀 어레이(15), 그리고 센스 앰프 및 I/O 회로(16)로 구성된다.1 is a block diagram illustrating a structure of a compiled memory 10. Referring to FIG. 1, the compiled memory 10 includes a controller 11, a row decoder 13, a column decoder 14, a memory cell array 15, and a sense amplifier and an I / O circuit 16. do.

제어회로(11)는 외부로부터 인가되는 제어 신호(WEN, CSN)에 따라 동작 모드를 선택하여 컴파일드 메모리(10) 전체의 동작을 제어한다. 그리고, 외부 어드레스 신호(A[0], A[1], …, A[i])에 따라서 행 어드레스 신호 및 열 어드레스 신호를발생하여, 이를 행 및 열 디코더(13, 14)로 인가한다.The control circuit 11 selects an operation mode according to control signals WEN and CSN applied from the outside to control the operation of the compiled memory 10 as a whole. Then, the row address signal and the column address signal are generated in accordance with the external address signals A [0], A [1], ..., A [i] and applied to the row and column decoders 13 and 14.

메모리 셀 어레이(15)는 각각 1 비트의 데이터를 기억하는 복수 개의 메모리 셀들을 포함하며, 각각의 메모리 셀은 행 어드레스 및 열 어드레스에 의해 결정되는 소정의 어드레스에 배치된다.The memory cell array 15 includes a plurality of memory cells each storing one bit of data, each memory cell being arranged at a predetermined address determined by the row address and column address.

행 디코더(13)는 행 어드레스 신호에 응답해서 메모리 셀 어레이(15)의 해당 행 어드레스를 지정하고, 열 디코더(14)는 열 어드레스 신호에 응답해서 메모리 셀 어레이(15)의 해당 열 어드레스를 지정한다.The row decoder 13 specifies the corresponding row address of the memory cell array 15 in response to the row address signal, and the column decoder 14 specifies the corresponding column address of the memory cell array 15 in response to the column address signal. do.

센스 앰프 및 I/O 회로(16)는 외부로부터 인가되는 제어 신호(WEN, OEN)에 따라서, 외부로부터 입력되는 데이터(DIN)를 받아들이고 이를 선택된 메모리 셀에 기입한다. 그리고, 선택된 메모리 셀로부터 독출된 판독 데이터(DOUT)를 외부로 출력하는 동작을 수행한다.The sense amplifier and I / O circuit 16 receives data DIN input from the outside and writes them to the selected memory cell in accordance with control signals WEN and OEN applied from the outside. In addition, an operation of outputting read data DOUT read from the selected memory cell to the outside is performed.

도 2는 도 1에 도시된 컴파일드 메모리(10)의 동작과 관련된 신호들의 타이밍도이다. 특히, 도 2는 컴파일드 메모리 셀에 대한 타이밍 특성 중, 클럭 신호(CK)의 입력에서 데이터 출력(DOUT)까지의 전파 지연( propagation delay)을 측정(measure)하고자 할 때, 클럭 신호(CK)와 데이터 출력(DOUT)의 스위칭(switching) 동작을 유발시키기 위해 메모리 셀(10)에 인가되어야 하는 스티뮬러스 신호들(stimulus signals)(예를 들면, CK, WEN, CSN, OEN, DIN, A[0], A[1], …, A[i])의 파형을 나타낸다.FIG. 2 is a timing diagram of signals related to an operation of the compiled memory 10 shown in FIG. 1. In particular, FIG. 2 illustrates a clock signal CK when measuring propagation delays from an input of a clock signal CK to a data output DOUT among timing characteristics of a compiled memory cell. And stimulus signals that must be applied to the memory cell 10 to induce a switching operation of the data output DOUT (e.g., CK, WEN, CSN, OEN, DIN, A [0], A [1], ..., A [i]).

클럭 신호(CK)의 입력으로부터 데이터 출력(DOUT)까지의 전파 지연을 측정하기 위해서는, 도 2에 도시된 바와 같이 30n의 지연 이후에 입력되는 클럭 신호(CK)의 첫 번째 상승 시점을 트리거 포인트(trigger point)로 하여 데이터 출력(DOUT)이 처음으로 상승하는 시점까지를 시뮬레이션 하여 측정한다. 이 같은 지연의 측정을 위해서는 메모리의 기입 모드시 어드레스가 가리키는 비트 셀을 하이(high) 또는 로우(low) 레벨로 초기화시킨 후, 메모리의 모드를 기입 모드로 바꾸어 클럭 신호(CK)와 데이터 출력(DOUT)을 스위칭 하는 것을 반드시 고려해야 한다.In order to measure the propagation delay from the input of the clock signal CK to the data output DOUT, as shown in FIG. 2, the first rising time of the clock signal CK input after the delay of 30n is determined as the trigger point ( The trigger point is used to simulate and measure up to the point when the data output (DOUT) first rises. In order to measure such a delay, in the memory write mode, the bit cell indicated by the address is initialized to a high or low level, and then the memory mode is changed to the write mode so that the clock signal CK and data output ( Switching must be considered.

도 3은 SPICE 시뮬레이션시 도 2에 도시된 스티뮬러스 신호들을 자동으로 생성시키는, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시뮬레이션 방법을 보여주는 흐름도이다. 도 3을 참조하면, 먼저 컴파일드 메모리들이 동작 패턴이 동일한 메모리별로 구분된다(21 단계). 이어서, 각 메모리에 인가되는 스티뮬러스 신호들이 C 프로그램 언어와 같은 고급 언어로 작성되는 파일 상에 각각 기술된다(22 단계). 22 단계에서 구성된 소오스 파일은 SPICE 입력 파일로 변환되고(23 단계), 변환된 SPICE 입력 파일은 SPICE 시뮬레이션시 스티뮬러스 신호들을 자동으로 발생하는 데 사용된다(24 단계). 그럼으로써, SPICE 시뮬레이션시 각 입력 핀에 인가되어야 할 스티뮬러스 신호들이 자동으로 생성된다.3 is a flowchart showing a simulation method according to a preferred embodiment of the present invention, which automatically generates the stimulus signals shown in FIG. 2 during SPICE simulation. Referring to FIG. 3, first, the compiled memories are classified for each memory having the same operation pattern (step 21). Subsequently, the stimulus signals applied to each memory are each described on a file written in a high-level language such as the C programming language (step 22). The source file constructed in step 22 is converted into a SPICE input file (step 23), and the converted SPICE input file is used to automatically generate stimulus signals during the SPICE simulation (step 24). This automatically generates stimulus signals that must be applied to each input pin during SPICE simulation.

도 4는 도 3에 도시된 SPICE 입력 파일을 구현하기 위한 소오스 파일(source file)의 일례를 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a source file for implementing the SPICE input file illustrated in FIG. 3.

도 4에 도시된 소오스 파일은, 메모리 셀의 특성화(memory cell characterization)시 라이브러리를 구성하는 타이밍 패턴(timing pattern)에 대한 입력 스티뮬러스들(input stimulus)의 정의 및 측정 방법을 사전에 셋업(setup)하는 외부 스크립트(script)이다. 이와 같이 사전에 예약된 포맷(format)의 스크립트 기술 내용은, C 언어 프로그램(C language program) 과 같은 고급 언어에 의해 구성되며, 내부 내용이 의도하는 목적에 따라서 SPICE 입력 파일로 변환(translation)된다.The source file shown in FIG. 4 has previously set up a method of defining and measuring input stimulus for a timing pattern constituting a library at the time of memory cell characterization. Setup is an external script. The script description content in the previously reserved format is composed of a high-level language such as a C language program, and the internal content is translated into a SPICE input file according to the intended purpose. .

도 4에 도시된 스크립트 내용 중 1 또는 0으로 표기된 부분은 스티뮬러스 신호의 실제적인 파형을 나타내는 부분으로서, 1 과 0 은 각각 파형의 하이 상태(VDD) 및 로우 상태(GROUND) 값을 나타내며, 궁극적으로는 SPICE 입력 파일에서 각 셀의 입력 핀에 인가되는 전압 소오스(voltage source)를 의미한다.In the script contents shown in FIG. 4, portions marked as 1 or 0 represent actual waveforms of the stimulus signal, and 1 and 0 represent high state (VDD) and low state (GROUND) values of the waveform, respectively. Ultimately, it refers to the voltage source applied to the input pin of each cell in the SPICE input file.

예를 들어, 1 또는 0으로 표기된 1 비트의 데이터가 5n 동안 하이 상태(VDD) 또는 로우 상태(GROUND)의 값을 가지는 경우, 도 4에 도시된 "CK : 0 1 0 1 0 1 0 1"은 셀의 클럭 입력 핀으로 10n 주기의 펄스 신호 4 개가 0n 부터 40n 까지 인가되는 것을 의미한다.For example, when one bit of data denoted as 1 or 0 has a value of high state (VDD) or low state (GROUND) for 5n, "CK: 0 1 0 1 0 1 0 1" shown in FIG. Means that 4 pulse signals of 10n period are applied from 0n to 40n to the clock input pin of the cell.

이오 같은 스티뮬러스 신호의 기술 방법에 의하면, 예를 들어 도 2의 WEN 신호는, 도 4에 도시된 바와 같이 "WEN : 0 0 1 1 0 0 1 1 0"로 기술되어 메모리의 기입 및 독출 동작에 사용될 수 있다. 이와 같은 스티뮬러스 신호(예를 들면, WEN 신호)의 기술에 의하면, 메모리는 0 ~ 10n 및 20 ~30n 구간 동안에는 데이터 기입 동작을 수행하고, 10 ~ 20n 및 30 ~ 40n 구간 동안에는 데이터 독출 동작을 수행하게 된다.According to the method of describing a stimulus signal such as Io, for example, the WEN signal of FIG. 2 is described as "WEN: 0 0 1 1 0 0 1 1 0" as shown in FIG. 4 to write and read the memory. Can be used for operation. According to the description of the stimulus signal (for example, the WEN signal), the memory performs a data write operation during the 0 to 10n and 20 to 30n sections, and performs a data read operation during the 10 to 20n and 30 to 40n sections. Will be performed.

이와 같은 본 발명에 의한 SPICE 입력 파일의 기술에 의하면, 설계자가 의도하는 메모리의 동작을 위해 각 입력 핀에 인가되어야 할 스티뮬러스 신호들이 SPICE 시뮬레이션에서 자동으로 생성된다. 그 결과, SPICE 시뮬레이션의 효율이 증대되고, 이로 인해 셀 특성화를 효율적으로 수행할 수 있게 되며, 컴파일드 메모리를 위한 라이브러리 개발 기간이 크게 단축될 수 있게 된다.According to the description of the SPICE input file according to the present invention, stimulus signals to be applied to each input pin for the operation of the memory intended by the designer are automatically generated in the SPICE simulation. As a result, the efficiency of the SPICE simulation is increased, which enables efficient cell characterization and significantly shortens the library development time for the compiled memory.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, optimal embodiments have been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 시뮬레이션 입력 파일 자동 기술 방법은, 동작 패턴이 동일한 메모리 셀들을 분류하여 SPICE 입력 파일을 기술하고, 이를 SPICE 시뮬레이션에 입력 파일로 사용한다. 이로 인해, SPICE 시뮬레이션의 효율이 증대되고, 셀 특성화가 효율적으로 수행되어, 컴파일드 메모리를 위한 라이브러리 개발 기간이 크게 단축되는 장점이 있다.As described above, the method for automatically describing a simulation input file according to the present invention describes a SPICE input file by classifying memory cells having the same operation pattern, and using the SPICE input file as an input file for SPICE simulation. As a result, efficiency of SPICE simulation is increased, cell characterization is efficiently performed, and a library development period for compiled memory is greatly shortened.

Claims (4)

(a) 컴파일드 메모리들을 동작 패턴별로 구분하는 단계;(a) dividing the compiled memories into operation patterns; (b) 소정의 언어로 작성되는 파일 상에 상기 각 메모리에 인가되는 각각의 스티뮬러스 신호들을 기술하는 단계;(b) describing respective stimulus signals applied to the respective memories on a file written in a predetermined language; (c) 상기 (b) 단계에서 기술된 상기 파일을 SPICE 입력 파일로 변환하는 단계; 및(c) converting the file described in step (b) into a SPICE input file; And (d) 상기 메모리의 SPICE 시뮬레이션시, 상기 (c) 단계에서 변환된 상기 파일을 통해 각 입력 핀에 인가되는 스티뮬러스 신호들을 자동으로 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SPICE 시뮬레이션 방법.and (d) automatically generating stimulus signals applied to each input pin through the file converted in the step (c) during the SPICE simulation of the memory. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계에서 작성되는 상기 파일은, 상기 컴파일드 메모리 셀의 라이브러리를 구성하는 타이밍 패턴에 대한 입력 스티뮬러스 신호들의 정의 및 측정 방법을 셋업하는 외부 스크립트인 것을 특징으로 하는 SPICE 시뮬레이션 방법.The file created in step (b) is an external script for setting up a method of defining and measuring input stimulus signals for timing patterns constituting the library of the compiled memory cell. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계에서 기술되는 상기 스티뮬러스 신호들은, 소정의 구간 동안 하이 또는 로우 상태의 값을 가지는 2진 데이터로 표시되는 것을 특징으로 하는 SPICE 시뮬레이션 방법.And the stimulus signals described in step (b) are represented as binary data having a high or low value for a predetermined period. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계에서 작성되는 상기 파일은, C 언어를 포함하는 고급 언어로 작성되는 것을 특징으로 하는 SPICE 시뮬레이션 방법.SPICE simulation method, characterized in that the file created in the step (b) is written in a high-level language including the C language.
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CN101944146A (en) * 2010-09-03 2011-01-12 浙江大学 Nanometer process standard unit delay parameter extracting method
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CN101944146A (en) * 2010-09-03 2011-01-12 浙江大学 Nanometer process standard unit delay parameter extracting method
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