KR20030052562A - Device and Method for Fabricating poly silicom thin film using magnetic field and ultraviolet rays - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 폴리 실리콘 제조 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 저온에서도 결정화가 가능한 폴리 실리콘 제조장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a polysilicon manufacturing method and apparatus, and more particularly, to a polysilicon manufacturing apparatus and method capable of crystallization even at low temperatures.
폴리 실리콘 박막을 이용한 TFT 소자는 비정질 실리콘 박막의 TFT에 비해 전자의 이동도가 큼으로 인해 고정세화, 고집적화가 가능한 장점을 갖고 있다.TFT devices using polysilicon thin films have the advantage of high definition and high integration due to the higher electron mobility than TFTs of amorphous silicon thin films.
이러한 폴리 실리콘 제조를 위해서는 우선 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 고온에서 장시간 열처리를 하거나(고온 폴리 실리콘), 저온에서 열처리 혹은 기타방법(저온 폴리 실리콘)을 통해서 제조를 하게 된다.In order to manufacture such polysilicon, an amorphous silicon thin film is first deposited and then heat treated at a high temperature for a long time (high temperature polysilicon), or manufactured at low temperature by heat treatment or other method (low temperature polysilicon).
고온 폴리 실리콘의 경우는 600℃ 이상에서 수 십시간 열처리를 함으로써 기판으로 사용되는 유리의 변형을 초래되고, 이를 방지하기 위해선 Quartz를 필수적으로 사용해야 하므로 제조단가가 높은 단점이 있다.In the case of high temperature polysilicon, heat treatment at 600 ° C. or more for several hours may cause deformation of glass used as a substrate, and in order to prevent this, quartz must be used to have high manufacturing cost.
따라서 최근 업체의 동향은 유리 기판을 사용가능한 온도범위에서 폴리 실리콘이 제조 가능하도록 많은 연구가 진행되고 있다. 저온 폴리 실리콘 제조는 여러 가지가 있는데, 엑시머 레이저(Excimer Laser)를 이용한 방법(ELA법)과 금속을 첨가하여 결정화시키는 방법(금속유도 결정화법: Metal Induced Crystallization), 기타방법 등이다.Therefore, the recent trend of the company is a lot of research to be able to manufacture polysilicon in the temperature range that can be used glass substrate. Low temperature polysilicon is manufactured in various ways, such as a method using an excimer laser (ELA method), a method of crystallizing by adding a metal (Metal Induced Crystallization), and other methods.
레이저를 이용한 방법의 경우 비정질 박막에 레이저를 스캔할 경우 입사된 부위는 비정질에서 액정으로 변하고 fp이저가 지나간 후 다시 액정에서 고상으로 변태가 되어 결정화가 된다.In the case of using the laser method, when the laser is scanned on the amorphous thin film, the incident part is changed from amorphous to liquid crystal, and after the fpizer passes, the liquid crystal is transformed into a solid phase and crystallized.
이러한 레이저 폴리 실리콘의 특성은 결정내의 결함밀도가 낮아 전자이동도가 큰 장점이 있는 반면 균일도 문제점을 갖고 있고 대면적 LCD 제품에 적용시 제조단가가 높은 단점을 갖고 있다.The characteristics of the laser polysilicon have a high electron mobility due to the low density of defects in the crystal, while having a uniformity problem and a high manufacturing cost when applied to a large area LCD product.
금속유도 결정화법의 경우 Ni 등의 금속을 실리콘 막 상부 혹은 하부층에 증착을 시킨후 열처리를 가하면 첨가된 금속들이 실리콘 결정화의 촉매 역할을 함으로서 실리콘의 결정화가 진행이 된다.In the metal-induced crystallization method, when a metal such as Ni is deposited on the upper or lower layer of the silicon film and then subjected to heat treatment, the crystallization of silicon proceeds by adding the metals as a catalyst for silicon crystallization.
이 방법은 제조단가가 낮고 대면적 LCD 제품에도 적용이 가능한 반면 실리콘 결정화시의 상당량의 내부 결함 밀도가 높아 전자이동도 감소, 누설전류 증가 등의 TFT 특성의 저하를 초래하게 된다.This method has low manufacturing cost and can be applied to large-area LCD products, but due to the high internal defect density during silicon crystallization, the TFT characteristics such as decrease of electron mobility and leakage current increase.
따라서 기존의 기술로서는 실리콘의 저온 결정화시킨 후 LCD 등의 디스플레이 제품에 적용시 장단점을 동시에 갖고 있는 실정이다.Therefore, the existing technology has the advantages and disadvantages at the same time when the low-temperature crystallization of silicon and applied to display products such as LCD.
본 발명에서는 폴리 실리콘 제조의 저온 공정의 새로운 방법으로서 자기장과 자외선을 동시에 비정질 실리콘에 가함으로써 유리기판의 변형을 최소화시킬 수 있는 온도범위에서 열처리가 가능하고 금속을 첨가시키지 않으므로 제품의 특성의 향상을 가져올 수 있고 대면적에서도 가능하도록 고안하였다.In the present invention, as a new method of low temperature process of polysilicon production, by applying magnetic field and ultraviolet rays to amorphous silicon at the same time, heat treatment is possible in the temperature range that can minimize the deformation of the glass substrate, and no addition of metal improves the characteristics of the product. It is designed to be imported and to be possible in large areas.
본 발명은 실리콘의 결정화 온도 및 시간을 최소화하는 자기장 및 자외선을 이용한 저온 폴리 실리콘 박막 제조장치 및 방법을 제공하는데 있다.The present invention provides a low temperature polysilicon thin film manufacturing apparatus and method using a magnetic field and ultraviolet rays to minimize the crystallization temperature and time of the silicon.
본 발명의 또 다른 목적은 저온 폴리 실리콘 박막을 이용한 TFT를 제조하여 TFT-LCD 및 액티브 매트릭스 OLED 등의 디스플레이 제품의 제조단가를 낮추고, 고해상도 및 고집적화를 향상시키는데 있다.Still another object of the present invention is to manufacture a TFT using a low temperature polysilicon thin film to lower the manufacturing cost of display products such as TFT-LCD and active matrix OLED, and to improve high resolution and high integration.
도1은 실리콘 박막 소자를 구성하기 위한 시편의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a specimen for constituting a silicon thin film device.
도2는 상기와 같은 자기장 및 자외선을 이용한 원리에 의한 실리콘 박막의 결정화 효과를 제공하는 장치 구성도이다.FIG. 2 is a block diagram of an apparatus for providing a crystallization effect of a silicon thin film based on the principle of using the magnetic field and ultraviolet rays as described above.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 자기장원 2 : 자외선 광원1: magnetic field source 2: ultraviolet light source
3 : 기판 4 : 컨베이어 시스템3: substrate 4: conveyor system
5 : 히터 6 : 챔버5: heater 6: chamber
10 : 기판 11 : 절연막10 substrate 11 insulating film
12 : 실리콘 박막12: silicon thin film
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자기장 및 자외선을 이용한 저온 폴리 실리콘 박막 제조장치의 특징은 챔버 내에 실리콘 박막이 형성된 기판; 상기 기판의 상부 및 하부의 적어도 하나에 배치된 자기장원; 상기 기판의 상부 소정 영역에 배치된 적어도 하나의 자외선 광원; 상기 기판을 소정 온도로 높이는 열을 제공하기 위한 히터를 포함하여 구성되는데 있다.Features of the low-temperature polysilicon thin film manufacturing apparatus using a magnetic field and ultraviolet rays according to the present invention for achieving the above object is a substrate formed with a silicon thin film in the chamber; A magnetic field source disposed on at least one of upper and lower portions of the substrate; At least one ultraviolet light source disposed in an upper predetermined region of the substrate; And a heater for providing heat to raise the substrate to a predetermined temperature.
그리고, 상기 기판 하부에 상기 기판을 이동시키기 위해 설치된 컨베이어 시스템을 더 포함하고, 상기 챔버 내에 진공을 유지하는 펌프를 더 포함하여 구성된다.And a conveyor system installed to move the substrate under the substrate, and further comprising a pump for maintaining a vacuum in the chamber.
상기 자기장원은 자석 또는 코일로 이루어지며, 상기 자기장원은 상기 기판과 수직하게 배열된다.The magnetic field source consists of a magnet or a coil, and the magnetic field source is arranged perpendicular to the substrate.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 자기장 및 자외선을 이용한 저온 폴리 실리콘 박막 제조방법의 특징은 비정질 실리콘 박막이 형성된 기판을 챔버내에 준비하는 제1 단계; 상기 기판에 소정 온도를 인가하고, 자기장 및 자외선을 인가하여 상기 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 제2 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제2 단계에서 상기 기판을 이동하는 단계를 더 포함하여 이루어져, 상기 기판의 전 범위를 결정화시키는데 있다.Features of the low-temperature polysilicon thin film manufacturing method using a magnetic field and ultraviolet rays according to the present invention for achieving the above object is a first step of preparing a substrate on which an amorphous silicon thin film is formed; And a second step of crystallizing the amorphous silicon thin film by applying a predetermined temperature to the substrate, applying a magnetic field and ultraviolet rays, and further comprising moving the substrate in the second step. To crystallize the full range of.
상기 소정 온도는 400~500℃이다.The said predetermined temperature is 400-500 degreeC.
본 발명의 특징에 따른 작용은 열처리를 위한 챔버 내에 자기장을 가할 수 있는 코일 혹은 자석을 장착을 하고 자외선을 발생시키는 장치를 동시에 장착하여, 비정질 실리콘 박막을 자기장과 자외선을 동시에 이용함으로써 결정화 온도 및 시간을 최소화시킨다.The action according to the characteristics of the present invention is to mount a coil or a magnet capable of applying a magnetic field in the chamber for heat treatment and simultaneously mount a device for generating ultraviolet rays, thereby simultaneously crystallizing the temperature and time of the amorphous silicon thin film by using the magnetic field and ultraviolet rays. Minimize
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the detailed description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 자기장 및 자외선을 이용한 저온 폴리 실리콘 박막 장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a preferred embodiment of a low-temperature polysilicon thin film device using a magnetic field and ultraviolet light and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described.
도1은 실리콘 박막 소자를 구성하기 위한 시편의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a specimen for constituting a silicon thin film device.
즉, TFT-LCD 혹은 액티브 매트릭스 OLED 등의 디스플레이에 적용되는 실리콘 박막 소자의 기본구조는 도1과 같다.That is, the basic structure of a silicon thin film element applied to a display such as a TFT-LCD or an active matrix OLED is shown in FIG.
기판(예: glass)(10) 상에 절연막(11)을 형성하고, 절연막(11) 상에 비정질 실리콘을 LPCVD 혹은 PECVD법에 의해 증착을 시켜 실리콘 박막(12)을 30~100nm 정도로 형성한다.An insulating film 11 is formed on a substrate (eg, glass) 10, and amorphous silicon is deposited on the insulating film 11 by LPCVD or PECVD to form a silicon thin film 12 of about 30 to 100 nm.
기판(10)은 석영이나 유리 또는 산화막 등이 이용될 수 있다.The substrate 10 may be made of quartz, glass, an oxide film, or the like.
이때, 비정질 실리콘 결정화 공정에서 기판(10)의 불순물이 실리콘 박막(12)으로 침투하는 것을 방지하기 위하여 절연막(11)을 형성하고, 절연막으로는 산화절연막(SiNx, SiOx 등)이 이용된다.In this case, in order to prevent impurities from the substrate 10 from penetrating into the silicon thin film 12 in the amorphous silicon crystallization process, an insulating film 11 is formed, and an oxide insulating film (SiNx, SiOx, etc.) is used as the insulating film.
이때의 실리콘 박막(12)은 비정질 상태이므로 결정화를 위해선 기존에 레이저 혹은 기타 열처리 방법을 통하여 폴리로 성장을 시키고, 이러한 폴리 실리콘을 사용하여 폴리 TFT를 제조한 후, LCD, OLED 등의 디스플레이에 적용하게 된다.At this time, since the silicon thin film 12 is in an amorphous state, it is conventionally grown to poly by laser or other heat treatment method for crystallization, and after manufacturing poly TFT using such poly silicon, it is applied to displays such as LCD and OLED. Done.
이와 같은 공정중 비정질에서 결정질로의 성장을 어떻게 할 것인지가 가장 중요한 관건이라 할 수 있다.The most important issue is how to grow from amorphous to crystalline during the process.
본 발명은 비정질 실리콘 박막(12)을 결정화시키는 방법으로서 자기장과 자외선을 동시에 이용함으로써 결정화 온도 및 시간을 최소화시킨다.The present invention minimizes the crystallization temperature and time by simultaneously using a magnetic field and ultraviolet rays as a method of crystallizing the amorphous silicon thin film 12.
상기와 같은 자기장과 자외선을 이용한 비정질 실리콘 박막(12)의 결정화의 원리를 설명하면 다음과 같다.The principle of crystallization of the amorphous silicon thin film 12 using the magnetic field and ultraviolet light as described above is as follows.
첫째, 자기장에 의한 비정질 실리콘 박막(12)의 결정화 원리는 다음과 같다.First, the crystallization principle of the amorphous silicon thin film 12 by the magnetic field is as follows.
예를 들어, 도체 물질이 자기장 속에 존재하였을 때 도체 내에는 와전류가 (eddy current)가 발생한다.For example, when a conductor material is present in a magnetic field, an eddy current occurs in the conductor.
상기 와전류는 도체의 내부에서 국부적으로 소용돌이 모양으로 닫힌 통로를 흐르는 전류로서, 자기장에 의해 도체 내부를 지나는 자기력선속의 변화로 인해서 생기는 전류이다.The eddy current is a current flowing through a locally closed passage in the inside of the conductor, and is a current generated by the change of the magnetic flux in the conductor through the inside of the conductor by the magnetic field.
즉, 도체판에 직각으로 자속 등으로 자기장을 걸어서 이것을 증가시키면 자기장의 증가를 방해하려는 방향으로 도체판에는 자기장 방향에 대하여 좌회전하는 와전류가 발생하며, 이러한 와전류는 도체내의 온도를 증가시키는 줄열로 변환되어 도체에 열을 인가한 효과를 낸다.In other words, if the magnetic field is increased by magnetic flux or the like at right angles to the conductor plate, this increases the eddy current which turns left in the direction of the magnetic field on the conductor plate in a direction to prevent the increase of the magnetic field, and this eddy current is converted into Joule heat increasing the temperature in the conductor The effect is that heat is applied to the conductor.
이때 자기장에 의해 발생된 열량 Q는 다음과 같이 계산될 수 있다.At this time, the calorie Q generated by the magnetic field may be calculated as follows.
Q = (i2R)t = C·Volume·ΔTQ = (i 2 R) t = CVolumeΔT
i : 발생된 전류(와전류)i: generated current (eddy current)
R : 저항R: resistance
t : 자기장 인가 시간t: magnetic field application time
C : 실리콘의 단위 부피당 열용량C: heat capacity per unit volume of silicon
Volume : 실리콘의 부피Volume: Volume of Silicon
ΔT : 실리콘의 온도변화ΔT: temperature change of silicon
실리콘 박막(12)의 경우 상온에서는 반도체의 성질을 갖고 있으나 400℃ 이상의 온도를 가했을 경우 거의 도체에 해당하는 저항을 가질 수가 있으므로, 실리콘 박막(12) 내부에 줄열 효과에 의한 온도 상승이 가능하다.The silicon thin film 12 has a semiconductor property at room temperature, but when the temperature is 400 ° C. or higher, the silicon thin film 12 may have a resistance almost equivalent to that of the conductor. Thus, the temperature of the silicon thin film 12 may increase due to the Joule heat effect.
즉, 실리콘 박막(12)을 소정의 온도분위기에서 가열함과 동시에 자기장을 인가하면 실리콘 박막(12)이 상기 소정의 온도분위기에 의해 도체에 해당하는 저항을 가지게 되고, 이에 따라 상기 인가된 자기장에 의해 실리콘 박막(12) 내부에 와전류가 발생하게 되며, 이 와전류에 실리콘 박막(12)의 온도를 증가시키는 줄열로 변환되어 실리콘 박막(12)에 열을 가한 효과를 낸다.That is, when the silicon thin film 12 is heated in a predetermined temperature atmosphere and a magnetic field is applied, the silicon thin film 12 has a resistance corresponding to a conductor by the predetermined temperature atmosphere, and thus the applied magnetic field is applied to the applied magnetic field. As a result, an eddy current is generated in the silicon thin film 12, and the eddy current is converted into Joule heat, which increases the temperature of the silicon thin film 12, thereby exerting an effect of applying heat to the silicon thin film 12.
이에 반해 하부층의 절연막(11)이나 기판(10)의 경우 절연체로 와전류가 발생되지 않는 물질이므로 이러한 층에서의 와전류에 의해 기인된 줄열에 의한 추가적인 온도 상승은 없으며 유리기판의 변형은 일어나지 않는다.On the other hand, in the case of the insulating layer 11 or the substrate 10 of the lower layer, since no eddy current is generated as the insulator, there is no additional temperature rise due to Joule heat caused by the eddy current in the layer, and the glass substrate is not deformed.
둘째, 자외선에 의한 비정질 실리콘 박막(12)의 결정화 원리는 다음과 같다.Second, the crystallization principle of the amorphous silicon thin film 12 by ultraviolet rays is as follows.
일반적인 물질은 외부 전자기장의 파장에 따라 물질의 흡수 영역이 다르다.In general, the absorption region of a material varies depending on the wavelength of the external electromagnetic field.
실리콘의 경우, 자외선 영역에 해당하는 파장에서 급격한 흡수를 보이므로 소자 중의 실리콘 박막(12)에 해당되는 부위만 선택적인 흡수 영역을 나타낼 수가 있고, 따라서 실리콘 박막(12) 내부에 온도 상승 효과를 나타낼 수가 있다.In the case of silicon, since it shows a rapid absorption at the wavelength corresponding to the ultraviolet region, only a portion corresponding to the silicon thin film 12 in the device can exhibit a selective absorption region, thus exhibiting a temperature increase effect inside the silicon thin film 12. There is a number.
따라서 자기장 및 자외선을 동시에 이용할 경우 비정질 실리콘 박막(12)의 결정화 온도 및 결정화 시간의 최소화가 가능하다.Therefore, when the magnetic field and the ultraviolet light are used at the same time, it is possible to minimize the crystallization temperature and the crystallization time of the amorphous silicon thin film 12.
도2는 상기와 같은 자기장 및 자외선을 이용한 원리에 의한 실리콘 박막의 결정화 효과를 제공하는 장치 구성도이다.FIG. 2 is a block diagram of an apparatus for providing a crystallization effect of a silicon thin film based on the principle of using the magnetic field and ultraviolet rays as described above.
먼저 자기장을 가할 수 있는 자석 혹은 코일의 자기장원(1)을 기판(3)에 수직으로 상하부 양쪽에 장착을 한다.First, a magnetic field source 1 of a magnet or coil capable of applying a magnetic field is mounted on both upper and lower sides perpendicular to the substrate 3.
와전류를 증가시키기 위해선 수직으로 교차할수록 효율이 높다.In order to increase the eddy current, the vertical cross is higher efficiency.
또한 자외선을 가하기 위한 자외선 광원(2)을 기판(3) 위에 장착을 한다. 이때 자외선 광원(2)은 챔버(6) 내의 가능한 공간에 많이 설치할수록 효율이 높다.In addition, an ultraviolet light source 2 for applying ultraviolet light is mounted on the substrate 3. At this time, the more the ultraviolet light source 2 is installed in the space available in the chamber 6, the higher the efficiency is.
대면적 디스플레이용일 경우 컨베이어 시스템(4)을 설치하여 기판(3) 상의 실리콘 박막(미도시)의 모든 부위에 자기장 및 자외선을 가할 수 있도록 설계한다.In the case of a large area display, the conveyor system 4 is installed to apply magnetic fields and ultraviolet rays to all parts of the silicon thin film (not shown) on the substrate 3.
또한 실리콘 박막의 결정화를 위한 열처리를 위해 히터(5)를 설치한다.In addition, a heater 5 is installed for heat treatment for crystallization of the silicon thin film.
그리고 챔버(6) 내에는 필요에 따라 진공을 위한 펌프를 설치하여 열처리 분위기를 맞춘다.In the chamber 6, a pump for vacuum is installed as necessary to match the heat treatment atmosphere.
상기와 같은 장치의 동작은 다음과 같다.The operation of such a device is as follows.
비정질 실리콘 박막이 증착된 기판(3)을 챔버(6) 내에 넣고 히터(5)를 이용하여 실리콘 박막의 결정화 온도로 약 400~500℃ 까지 올린다.The substrate 3 on which the amorphous silicon thin film is deposited is placed in the chamber 6 and raised to a crystallization temperature of the silicon thin film by about 400 to 500 ° C. using the heater 5.
이때 자기장 및 자외선 광원(1, 2)을 실리콘 박막 부위에 가해 준다.At this time, the magnetic field and the ultraviolet light source (1, 2) is applied to the silicon thin film portion.
자기장원(1)은 자석을 설치하거나, 코일을 이용하는 경우에는 교류전원을 인가하여 준다.The magnetic field source 1 is provided with a magnet or, in the case of using a coil, applies an AC power source.
자기장과 자외선이 가해진 기판(3)의 실리콘 박막 부위는 와전류에 의한 줄열 발생으로 인해 온도가 상승되고, 또한 자외선 흡수 효과에 의한 온도 상승으로인해 빠르게 결정화가 진행된다.The temperature of the silicon thin film portion of the substrate 3 to which the magnetic field and ultraviolet rays are applied increases in temperature due to the generation of Joule heat due to eddy currents, and crystallization proceeds rapidly due to the temperature increase due to the ultraviolet absorption effect.
대면적 디스플레이를 위한 기판(3)의 경우 결정화 부위가 기판(3)의 전 범위가 되도록 컨베이어 시스템(4)을 이용하여 속도를 조절하면서 서서히 기판(3)을 이동시키면 전 실리콘 박막(12)의 결정화가 이루어진다.In the case of the substrate 3 for large-area display, the substrate 3 is gradually moved while adjusting the speed by using the conveyor system 4 so that the crystallization site is in the full range of the substrate 3. Crystallization takes place.
이상에서 설명한 바와 같은 자기장 및 자외선을 이용한 저온 폴리 실리콘 박막 제조장치 및 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.The low temperature polysilicon thin film manufacturing apparatus and manufacturing method using the magnetic field and ultraviolet light as described above has the following effects.
저온에서 짧은 시간에 비정질 실리콘을 결정화시킬 수 있는 장점이 있고, 이를 이용한 장치 구성이 간단하여 제품의 제조 단가를 낮추는 효과가 있다.There is an advantage that can be crystallized amorphous silicon in a short time at a low temperature, there is an effect of lowering the manufacturing cost of the product by the simple device configuration using the same.
또한 컨베이어 시스템을 이용하여 대면적 디스플레이 제품에도 적용이 가능하도록 장치의 설계가 가능한 방법일 뿐만 아니라 금속을 첨가시키지 않더라도 결정화가 가능하므로 금속오염을 방지하여 제품의 질 및 특성을 높이고, 폴리 실리콘이 적용되는 전분야(TFT-LCD, 액티브 매트릭스 OLED 등)에 적용이 가능하고, 특히 이러한 디스플레이 제품이 고해상도 및 집적화에 기여한다.In addition, the system can be designed to be applied to large-area display products by using a conveyor system, and crystallization is possible without adding metal, thereby improving the quality and characteristics of products by preventing metal contamination, and applying polysilicon. It can be applied to all fields (TFT-LCD, active matrix OLED, etc.), and in particular, such display products contribute to high resolution and integration.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010082571A KR20030052562A (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Device and Method for Fabricating poly silicom thin film using magnetic field and ultraviolet rays |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010082571A KR20030052562A (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Device and Method for Fabricating poly silicom thin film using magnetic field and ultraviolet rays |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030052562A true KR20030052562A (en) | 2003-06-27 |
Family
ID=29577321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010082571A KR20030052562A (en) | 2001-12-21 | 2001-12-21 | Device and Method for Fabricating poly silicom thin film using magnetic field and ultraviolet rays |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030052562A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100502336B1 (en) * | 2002-11-28 | 2005-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Crystallization method for silicone film |
-
2001
- 2001-12-21 KR KR1020010082571A patent/KR20030052562A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100502336B1 (en) * | 2002-11-28 | 2005-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Crystallization method for silicone film |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |