KR20030048525A - A contactless switch using suppressor diode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 억제형 다이오드를 이용한 근접 스위치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 근접스위치의 전원 입력단에 억제형 다이오드를 접속하여 고속 노이즈(high speed noise)의 침투로부터 근접스위치 및 주변기기를 보호하는 억제형 다이오드를 이용한 근접 스위치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a proximity switch using a suppression diode, and more particularly, a suppression type which protects a proximity switch and a peripheral device from infiltration of high speed noise by connecting a suppression diode to a power input terminal of the proximity switch. The present invention relates to a proximity switch using a diode.
통상적으로, 직류출력형 근접스위치는 전파정류 전원이 사용되고, NPN, PNP형 근접스위치에 공급되는 전원의 리플 함유율은 최대 10% 이하로써, 이 허용치를 넘었을 경우에는 근접스위치의 수명이 단축되므로 안정된 전원이 공급되야 한다.Generally, full-wave rectified power is used for DC output type proximity switch, and the ripple content of power supplied to NPN and PNP type proximity switches is 10% or less at maximum. Power must be supplied.
또한, 라인 노이즈(line noise)로부터 근접스위치의 주회로부와 주변기기를 보호하기 위하여 전원의 입력단에 INR 다이오드를 접속하여 사용하였다. 그러나, 상기 INR 다이오드는 고속 노이즈의 침투로 인하여 파손되는 근접스위치 및 주변기기를 보호할 수 없다는 문제점이 있었다.In addition, in order to protect the main circuit part and the peripheral device of the proximity switch from the line noise, an INR diode was connected to the input terminal of the power supply. However, there is a problem in that the INR diode cannot protect the proximity switch and the peripheral device which are damaged due to the penetration of high speed noise.
본 발명은 상기한 종래의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 근접스위치의 전원 입력단에 억제형 다이오드를 접속함으로써, 고속 노이즈의 침투로부터 근접스위치 및 주변기기를 보호하는 억제형 다이오드를 이용한 근접 스위치를 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned general problems, and an object thereof is to connect a suppression diode to a power input terminal of a proximity switch, thereby providing a proximity switch using a suppression diode that protects a proximity switch and a peripheral device from high-speed noise infiltration. Is to provide.
도 1a는 본 발명의 일실시예에 따른 억제형 다이오드를 이용한 NPN형 근접 스위치의 출력회로도.1A is an output circuit diagram of an NPN type proximity switch using a suppression diode according to an embodiment of the present invention.
도 1b는 본 발명의 일실시예에 따른 억제형 다이오드를 이용한 PNP형 근접 스위치의 출력회로도.Figure 1b is an output circuit diagram of a PNP type proximity switch using a suppression diode according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 설명><Description of main parts of drawing>
10a,10b: 근접스위치 주회로부 20a 20b: 주회로부 보호다이오드10a, 10b: proximity switch main circuit part 20a 20b: main circuit part protection diode
30a,30b: 제너 다이오드 40a,40b: 역전압 차단다이오드30a, 30b: Zener diode 40a, 40b: reverse voltage blocking diode
50a,50b: 억제형 다이오드 60a,60b: 직류전원 공급부50a, 50b: suppression diode 60a, 60b: DC power supply
70a,70b: 출력단자부70a, 70b: output terminal section
상기 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 억제형 다이오드를 이용한 근접 스위치의 특징은,Features of a proximity switch using a suppression diode according to the present invention for achieving the above technical problem,
근접스위치 주회로부와, 상기 근접스위치 주회로부로 전원을 공급하는 직류전원 공급부와, 상기 직류전원 공급부로부터 공급되는 전원을 일정하게 유지하는 제너 다이오드와, 상기 제너 다이오드의 역방향에 접속되어 역전압에 의한 고전류를 차단하는 역전압 차단다이오드와, 상기 역전압을 차단하여 상기 근접스위치 주회로부를 보호하는 주회로부 보호다이오드 및 상기 근접스위치 주회로부로부터 감지된 신호를 주변기기로 출력하는 출력단자부로 구성된 근접 스위치에 있어서, 상기 직류전원 공급부의 라인을 통하여 침투하는 고속의 노이즈를 제한하는 억제형 다이오드가 상기 직류전원 공급부의 입력단에 병렬로 접속된다.A proximity switch main circuit section, a DC power supply section for supplying power to the proximity switch main circuit section, a zener diode for constantly maintaining the power supplied from the DC power supply section, and a reverse voltage connected to a reverse direction of the zener diode. A proximity switch comprising a reverse voltage blocking diode for blocking a high current, a main circuit protection diode for protecting the proximity switch main circuit by blocking the reverse voltage, and an output terminal part for outputting a signal sensed from the proximity switch main circuit to a peripheral device. In this case, a suppression diode for limiting high speed noise penetrating through the line of the DC power supply is connected in parallel to the input terminal of the DC power supply.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a는 본 발명의 일실시예에 따른 억제형 다이오드를 이용한 NPN형 근접 스위치의 출력회로도이다.1A is an output circuit diagram of an NPN type proximity switch using a suppression diode according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명은 크게 근접스위치 주회로부(10a)와, 주회로부 보호다이오드(20a)와, 제너 다이오드(30a)와, 역전압 차단다이오드(40a)와, 억제형 다이오드(50a)와, 직류전원 공급부(60a) 및 출력단자부(70a)로 구성된다.As shown, the present invention is largely divided into a proximity switch main circuit section 10a, a main circuit section protection diode 20a, a zener diode 30a, a reverse voltage blocking diode 40a, a suppression diode 50a, And a DC power supply unit 60a and an output terminal unit 70a.
상기 직류전원 공급부(60a)는 DC 12~24[V]의 안정된 전원을 근접스위치에 공급한다.The DC power supply unit 60a supplies stable power of DC 12 to 24 [V] to the proximity switch.
상기 억제형 다이오드(50a)는 상기 직류전원 공급부(60a)의 입력단에 접속되어 고속으로 침투하는 노이즈에 극히 빠른 동작(수[㎳] 이내)으로 반응하여 스파크성 고전압(MAX 3000[V]/㎳)을 제한함으로써, 고속 노이즈로부터 상기 근접스위치 주회로부(10a)와 주변기기를 보호한다.The suppression diode 50a is connected to an input terminal of the DC power supply 60a and reacts to noise that penetrates at a high speed in an extremely fast operation (within a few seconds) and sparks high voltage (MAX 3000 [V] / kV). ), The proximity switch main circuit section 10a and peripheral devices are protected from high speed noise.
상기 제너 다이오드(30a)는 일정 전압을 유지하여 NPN 트랜지스터를 보호하고, 상기 역전압 차단다이오드(40a)는 상기 제너 다이오드(30a)에 역전압이 걸리는 경우, 이로 인하여 발생되는 고전류를 차단하여 상기 제너 다이오드(30a)를 보호한다.The zener diode 30a maintains a constant voltage to protect the NPN transistor, and the reverse voltage blocking diode 40a blocks the high current generated by the reverse current when the reverse voltage is applied to the zener diode 30a. The diode 30a is protected.
상기 주회로부 보호다이오드(20a)는 역전압으로부터 상기 근접스위치 주회로부(10a)를 보호하고, 상기 출력단자부(70a)는 상기 근접스위치 주회로부(10a)로부터 감지된 신호를 주변기기로 출력한다.The main circuit protection diode 20a protects the proximity switch main circuit portion 10a from a reverse voltage, and the output terminal portion 70a outputs a signal sensed by the proximity switch main circuit portion 10a to a peripheral device.
도 1b는 본 발명의 일실시예에 따른 억제형 다이오드를 이용한 PNP형 근접 스위치의 출력회로도이다.1B is an output circuit diagram of a PNP type proximity switch using a suppression diode according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명은 크게 근접스위치 주회로부(10b)와, 주회로부 보호다이오드(20b)와, 제너 다이오드(30b)와, 역전압 차단다이오드(40b)와, 억제형 다이오드(50b)와, 직류전원 공급부(60b) 및 출력단자부(70b)로 구성된다.As shown, the present invention is largely divided into a proximity switch main circuit portion 10b, a main circuit protection diode 20b, a zener diode 30b, a reverse voltage blocking diode 40b, and a suppression diode 50b. And a DC power supply 60b and an output terminal 70b.
상기 직류전원 공급부(60b)는 DC 12~24[V]의 안정된 전원을 근접스위치에 공급한다.The DC power supply unit 60b supplies a stable power of DC 12 ~ 24 [V] to the proximity switch.
상기 억제형 다이오드(50b)는 상기 직류전원 공급부(60b)의 입력단에 접속되어 고속으로 침투하는 노이즈에 극히 빠른 동작(수[ps] 이내)으로 반응하여 스파크성 고전압을 제한함으로써, 고속 노이즈로부터 상기 근접스위치 주회로부(10b)와 주변기기를 보호한다.The suppression diode 50b is connected to an input terminal of the DC power supply 60b to react with noise that penetrates at high speed in an extremely fast operation (within [ps]) to limit sparking high voltage, thereby preventing the The proximity switch protects the main circuit portion 10b and peripherals.
상기 제너 다이오드(30b)는 일정 전압을 유지하여 PNP 트랜지스터를 보호하고, 상기 역전압 차단다이오드(40b)는 상기 제너 다이오드(30b)에 역전압이 걸리는 경우, 이로 인하여 발생되는 고전류를 차단하여 상기 제너 다이오드(30b)를 보호한다.The zener diode 30b maintains a constant voltage to protect the PNP transistor, and the reverse voltage blocking diode 40b blocks the high current generated by the reverse voltage when the zener diode 30b receives a reverse voltage. The diode 30b is protected.
상기 주회로부 보호다이오드(20b)는 역전압으로부터 상기 근접스위치 주회로부(10b)를 보호하고, 상기 출력단자부(70b)는 상기 근접스위치 주회로부(10b)로부터 감지된 신호를 주변기기로 출력한다.The main circuit protection diode 20b protects the proximity switch main circuit portion 10b from a reverse voltage, and the output terminal portion 70b outputs a signal sensed by the proximity switch main circuit portion 10b to a peripheral device.
상기와 같이 구성된 본 발명의 억제형 다이오드를 이용한 NPN형 근접 스위치의 작용을 설명한다.The operation of the NPN type proximity switch using the suppression diode of the present invention configured as described above will be described.
먼저, 직류전원 공급부(60a)로부터 DC 12~24[V]의 안정된 전원이 근접스위치 주회로부(10a)에 공급되어 근접스위치가 검출물체를 검출하게 되면 이에 의한 검출신호가 출력단자부(70a)를 통하여 주변기기로 출력된다.First, when a stable power source of DC 12 to 24 [V] is supplied from the DC power supply unit 60a to the proximity switch main circuit unit 10a, and the proximity switch detects the detection object, the detection signal generated by the proximity switch detects the output terminal unit 70a. Is output to the peripheral device.
여기서, 상기 직류전원 공급부(60a)의 전원 입력단을 통하여 고속의 노이즈가 침투되는 경우, 억제형 다이오드(50a)가 극히 빠른 동작으로 반응하여 스파크성 고전압을 제한함으로써 고속의 노이즈로부터 근접스위치 주회로부(10a)와 함께 주변기기를 보호하게 된다.Here, when high speed noise penetrates through the power input terminal of the DC power supply unit 60a, the suppression diode 50a reacts in an extremely fast operation to limit the sparking high voltage, thereby preventing the proximity switch main circuit unit ( And 10a) to protect peripherals.
그리고, 상기 직류전원 공급부(60a)의 극성이 바뀐 상태로 전원이 공급되는 경우, 제너 다이오드(30a)에 걸리는 역전압에 의한 고전류는 역전압 차단다이오드(40a)에 의해 차단되어 제너 다이오드(30a)가 보호되고, 근접스위치 주회로부(10a)는 주회로부 보호다이오드(20a)에 의해 역전압으로부터 보호된다.When the power is supplied with the polarity of the DC power supply unit 60a changed, the high current caused by the reverse voltage applied to the zener diode 30a is cut off by the reverse voltage blocking diode 40a so that the zener diode 30a is turned on. Is protected, and the proximity switch main circuit portion 10a is protected from reverse voltage by the main circuit portion protection diode 20a.
또한, 억제형 다이오드를 이용한 PNP형 근접 스위치의 작용은 상기 억제형 다이오드를 이용한 NPN형 근접 스위치의 작용과 동일하다.In addition, the action of the PNP type proximity switch using the suppression diode is Operation of NPN Type Proximity Switch Using Suppression Diode same.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been illustrated and described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention is not limited to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention as claimed in the claims. Various modifications may be made by those skilled in the art, and such modifications are intended to fall within the scope of the appended claims.
이상에서 설명한 바와 같이, 근접스위치의 전원 입력단에 억제형 다이오드를 접속함으로써, 고속 노이즈의 침투로부터 근접스위치 및 주변기기를 보호하는 효과가 있다.As described above, by connecting the suppression diode to the power input terminal of the proximity switch, there is an effect of protecting the proximity switch and the peripheral device from the penetration of high-speed noise.
Claims (1)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020010078442A KR20030048525A (en) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | A contactless switch using suppressor diode |
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| KR1020010078442A KR20030048525A (en) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | A contactless switch using suppressor diode |
Publications (1)
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| KR20030048525A true KR20030048525A (en) | 2003-06-25 |
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| KR1020010078442A KR20030048525A (en) | 2001-12-12 | 2001-12-12 | A contactless switch using suppressor diode |
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2001
- 2001-12-12 KR KR1020010078442A patent/KR20030048525A/en not_active Application Discontinuation
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