KR20030038047A - Semiconductor manufacturing apparatus for semiconductor wafer back grinding - Google Patents

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KR20030038047A KR1020010069457A KR20010069457A KR20030038047A KR 20030038047 A KR20030038047 A KR 20030038047A KR 1020010069457 A KR1020010069457 A KR 1020010069457A KR 20010069457 A KR20010069457 A KR 20010069457A KR 20030038047 A KR20030038047 A KR 20030038047A
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박확근
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor device manufacturing apparatus for a back grinding process is provided to be capable of easily replacing a grinding plate at a grinding body by using a magnetic connection member. CONSTITUTION: A plurality of grinding pedestals(51) are installed on a substrate support table(50) for loading a semiconductor substrate. A grinding assembly(40) is installed at the upper portion of the substrate support table(50), wherein the grinding assembly(40) is provided with a grinding plate(43) for grinding the rear surface of the semiconductor substrate and a grinding body(41) having a revolving member for rotating the grinding plate(43). A magnetic connection member is located between the grinding plate(43) and the grinding body(41) for connecting between the grinding plate and body. Preferably, the magnetic connection member includes the first magnetic substance installed at the grinding plate(43) and the second magnetic substance installed at the grinding body(41).

Description

백그라인딩 공정용 반도체 제조장치{Semiconductor manufacturing apparatus for semiconductor wafer back grinding}Semiconductor manufacturing apparatus for semiconductor wafer back grinding}

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 특히 백그라인딩(Backside lapping) 공정용 반도체 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus for a backside lapping process.

백그라인딩 공정은 반도체 기판에 소자형성 공정이 모두 완료된 후, 패키지 공정(Packaging)에 들어가기 이전에 패키지에 실장하기 용이하게 반도체 기판의 후면(wafer backside)을 패키지에 실장할 수 있을 정도로 얇은 두께로 연마하는 공정이다. 이러한 백그라인딩(Back grinding) 공정은, 반도체 기판의 전면에 테이프를 부착하는 테이핑 공정(Taping)과, 반도체 기판의 후면을 연마하는 그라인딩 공정(wafer back grinding)과, 전면에 부착된 테이프를 제거하는 테이프 제거(Tape Removing) 공정의 세 공정으로 구성된다. 이 중에서 그라인딩 공정에 사용되는 반도체 제조장치는 반도체 기판을 안정되게 지지하는 지지체와, 반도체 기판의 하부면을 연마할 수 있도록 반도체 기판의 상부에 마련된 연마 어셈블리(grinding assembly)를 포함하고 있다. 연마 어셈블리는 반도체 기판과 대응하여 소정 거리 이격되어 상부에 설치된 연마본체와, 연마본체(grinder mount)의 하부에 설치되어 반도체 기판의 하부면과 접촉하여 그라인딩할 수 있는 판상의 연마판과, 상기 연마판을 회전시킬 수 있도록 연마 본체에 장치된 회동부재를 포함한다.The backgrinding process is polished to a thickness thin enough to mount the back side of the semiconductor substrate to the package so that it can be easily mounted on the package after the device forming process is completed on the semiconductor substrate before the packaging process. It is a process to do it. Such a back grinding process includes a taping process for attaching a tape to a front surface of a semiconductor substrate, a grinding process for polishing a back surface of a semiconductor substrate, and a tape attached to a front surface of a semiconductor substrate. It consists of three processes, the tape removing process. The semiconductor manufacturing apparatus used in the grinding process includes a support for stably supporting the semiconductor substrate, and a grinding assembly provided on the upper portion of the semiconductor substrate so as to polish the lower surface of the semiconductor substrate. The polishing assembly may include a polishing body provided at an upper portion spaced apart from the semiconductor substrate by a predetermined distance, a plate-shaped polishing plate provided at a lower portion of the grinder mount to be in contact with the lower surface of the semiconductor substrate, and the polishing And a rotating member mounted to the polishing body to rotate the plate.

도 5는 종래의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치의 연마 어셈블리를 나탄낸 단면도이다. 이를 참조하면, 연마 본체(141)와 연마판(143) 사이를 결합하기 위해서 연마본체(141)에는 연마본체(141)를 관통하여 볼트공(1412)이 형성되고, 이 볼트공(1412)과 대응하여 연마판(143)의 상부 판 면에는 소정 깊이로 함몰되어 형성된 너트공(1413)이 형성되어 있다. 그리하여, 볼트부재(1411)를 이용하여 연마본체(141)의 볼트공(1412)을 통과시켜 연마판(143)의 너트공(1413)과 결합될 수 있도록 구성되어 있다.5 is a cross-sectional view illustrating a polishing assembly of a semiconductor manufacturing apparatus for a conventional backgrinding process. Referring to this, in order to bond between the polishing body 141 and the polishing plate 143, a bolt hole 1412 is formed in the polishing body 141 through the polishing body 141, and the bolt hole 1412 and Correspondingly, a nut hole 1413 is formed in the upper plate surface of the polishing plate 143 to be recessed to a predetermined depth. Thus, the bolt member 1411 is used to pass through the bolt hole 1412 of the abrasive body 141 to be coupled to the nut hole 1413 of the abrasive plate 143.

그런데, 이러한 종래의 연마 어셈블리(140)는 연마판(143)을 연마본체(141)에 장착할 때마다 연마판(143)을 연마본체(141)의 하부 면과 정렬한 후 볼트부재(1411)를 이용하여 너트공(1413)과 체결해야하므로, 정비를 하는 담당자마다 볼트1부재(1411)를 조이는 정도가 각각 달라서 연마판(143)의 수평 레벨링(leveling)을 맞추기가 결코 용이하지 않다. 따라서, 장비의 정기 정비나 비정기 정비시에 연마판 교체할 때 정비시간이 많이 들고 작업내용도 어렵기 때문에, 장비유지에 드는 시간과 경비가 많이 소비되는 단점이 있다.However, in the conventional polishing assembly 140, the bolt member 1411 is aligned with the lower surface of the polishing body 141 whenever the polishing plate 143 is mounted on the polishing body 141. Since it is necessary to fasten with the nut hole 1413 by using, since the degree of tightening the bolt 1 member 1411 is different for each person in charge of maintenance, it is never easy to match the horizontal leveling (leveling) of the abrasive plate 143. Therefore, when the polishing plate is replaced during regular maintenance or irregular maintenance of the equipment, the maintenance time is high and the contents of the work are difficult.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 기판의 백그라인딩공정용 반도체 제조장치의 연마판을 연마본체에 용이하게 착탈할 수 있도록 구성함으로써, 장비의 정기적인 정비가 용이하고 이에 소요되는 시간과 경비를 절감할 수 있는 백그라인딩 반도체 제조장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to configure the polishing plate of the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the semiconductor substrate to be easily detached from the polishing body, so that the regular maintenance of the equipment is easy and the time and cost required It is to provide a backgrinding semiconductor manufacturing apparatus that can reduce the.

도 1은 본 발명에 의한 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치의 평면 개략도이다.1 is a schematic plan view of a semiconductor manufacturing apparatus for a backgrinding process according to the present invention.

도 2는 본 발명에 의한 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus for a backgrinding process according to the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 의한 백그라인딩 공정용 반도체 장치에서 연마 어셈블리의 연마판과 연마본체가 분리된 상태와 결합된 상태를 나타낸 단면도들이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a state in which a polishing plate and a polishing body of a polishing assembly are separated from each other in a semiconductor device for a backgrinding process according to the present invention.

도 4a 내지 도4b는 연마판과 연마본체가 결합할 때와 분리될 때의 자장의 형성을 나타낸 개략 단면도들이다.4A to 4B are schematic cross-sectional views showing the formation of a magnetic field when the abrasive plate and the abrasive body are bonded to and separated from each other.

도 5는 종래의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치의 연마 어셈블리를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a polishing assembly of a semiconductor manufacturing apparatus for a conventional backgrinding process.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치는, 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 적어도 하나의 연마대를 가진 기판 지지대와, 기판 지지대의 상부에 설치되고 일측에는 반도체 기판과 대면하여 반도체 기판의 후면을 연마하도록 배치된 연마판이 장착되고 타측에는 연마판을 회전시키는 회동부재를 수용하고 있는 연마본체를 갖는 연마 어셈블리와, 연마판과 연마본체 사이에 마련되어 자성에 의해서 상호 체결될 수 있도록 배치된 자성 체결부재를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the present invention, a substrate support having at least one polishing table on which the semiconductor substrate can be placed, and is installed on the substrate support, and on one side thereof, A polishing assembly having a polishing body mounted to face the back surface of the semiconductor substrate, the polishing body having a rotating member for rotating the polishing plate on the other side thereof, and provided between the polishing plate and the polishing body to be mutually fastened by magnetism. It includes a magnetic fastening member arranged to be.

여기서, 연마판은 원형 판 상으로 형성되어 있고, 원주 외각을 따라서 가장자리 영역에 복수의 연마돌기가 형성되어 있다. 이 연마돌기는 다이아몬드 입자들을 포함하고 있어 실리콘 재질의 반도체 기판을 연마하는 데 효과적이다.Here, the abrasive plate is formed in a circular plate shape, and a plurality of abrasive protrusions are formed in the edge region along the outer circumference of the cylinder. The abrasive projections contain diamond particles and are effective for polishing silicon semiconductor substrates.

그리고, 연마 본체와 연마판은 성호 접촉부분이 요철 결합되도록 형성되어 있어, 상호 정합 결합이 용이하도록 하였다. 즉, 연마본체는 철형의 결합부가 형성되어 있고, 연마판에는 요형의 수용부가 형성되어 있어 상호 요철 결합되도록 하였다.In addition, the polishing body and the polishing plate are formed such that the sex contact portions are unevenly coupled, so that the mating coupling is easy. That is, the abrasive body has an iron-shaped coupling portion formed, and the abrasive plate is formed with a concave-shaped receiving portion to mutually uneven coupling.

자성 체결부재는, 연마판에 설치된 일극의 자성을 갖는 제1자성체가 마련되어 있고, 연마본체에는 타극의 자성을 갖는 제2자성체가 설치되어 있어 자성에 의한 결합이 이루어지도록 하였다. 제1자성체와 제2자성체 중 어느 하나는 자성재료로 형성된 자성 패드를 포함하고 있고, 상자성체로 이루어진 영구자석으로 형성되어 있다. 한편, 연마판이나 연마본체 전체가 패드 형식이 아닌 제1자성체로 형성될 수도 있다. 여기서는 연마판에 자성패드가 부착되어 있는 것이 제조단가를 감소시킬 수 있어 바람직하다.The magnetic fastening member is provided with a first magnetic body having a magnet of one pole provided on the polishing plate, and a second magnetic body having a magnet of the other pole is provided in the polishing body so that the magnetic coupling can be performed. One of the first magnetic body and the second magnetic body includes a magnetic pad formed of a magnetic material, and is formed of a permanent magnet made of a paramagnetic body. On the other hand, the polishing plate or the entire polishing body may be formed of a first magnetic body rather than a pad type. In this case, it is preferable that the magnetic pad is attached to the polishing plate to reduce the manufacturing cost.

그리고, 연마본체의 제2자성체는 임의로 자장을 발생시킬 수 있는 자성 발생장치인데, 전자석으로 구성되어 있고 임의로 자장 방향을 조절할 수 있는 자장 조절장치를 포함한다. 이 때, 자장 조절장치는 직류전류의 방향을 조절하여 자장의 방향을 변환시키는 직류 자장변환기가 포함되어 있다, 그리하여, 연마판과 연마본체를 결합시킬 때는 상호 반대의 자극을 가질 수 있도록 조절하고, 분리시킬 때는 연마판의 자극과 동일한 자극이 형성되도록 연마본체의 자성을 조절할 수 있다.The second magnetic body of the polishing body is a magnetic generator capable of generating a magnetic field arbitrarily, and includes a magnetic field adjusting device composed of an electromagnet and capable of arbitrarily adjusting the direction of the magnetic field. At this time, the magnetic field regulating device includes a direct current magnetic field converter for changing the direction of the magnetic field by adjusting the direction of the direct current, so that when the bonding plate and the polishing body are combined, they are adjusted to have opposite magnetic poles, When separating, it is possible to adjust the magnetism of the polishing body so that the same magnetic pole as that of the abrasive plate is formed.

이렇게 본 발명은 연마 어셈블리의 연마판과 연마본체 사이에 자성에 의한 체결수단을 마련함으로써, 연마판을 연마본체로부터 분리하거나 결합할 때 취급이 용이하고, 따라서, 부품 교환이나 장비 정비시에 시간이 적게 들어 장비 가동율과 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.Thus, the present invention provides a magnetic fastening means between the abrasive plate and the abrasive body of the polishing assembly, so that it is easy to handle when the abrasive plate is separated from or bonded to the abrasive body. This can greatly improve equipment utilization and productivity.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도 1은 본 발명에 따른 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치를 나타낸 개략적인 평면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치는 복수의 반도체 기판을 수용한 카세트(101)를 올릴 수 있는 로딩부(10)와, 반도체 기판(100)을 후면으로 반전시키는 기판 반전기(20)와, 반도체 기판(100)의 후면을 연마하기 위해 올려놓는 기판 지지대(50)와, 반도체 기판(100)의 후면을 연마하기 위해서 기판 지지대(50)의 상부에 마련된 연마 어셈블리(40)를 포함한다.1 is a schematic plan view of a semiconductor manufacturing apparatus for a backgrinding process according to the present invention. As illustrated, the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the present invention includes a loading unit 10 capable of raising a cassette 101 containing a plurality of semiconductor substrates, and a substrate half for inverting the semiconductor substrate 100 to the rear surface. The electric support 20, the substrate support 50 for placing the back surface of the semiconductor substrate 100, and the polishing assembly 40 provided on the substrate support 50 for polishing the back surface of the semiconductor substrate 100. ).

도 2는 본 발명의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치를 상세히 설명하기 위해서 연마 어셈블리의 연마본체와 연마판을 확대하여 나타낸 단면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of the polishing body and the polishing plate of the polishing assembly in order to explain the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the present invention in detail.

이를 참조하면, 기판 지지대(50)는 원형 판 상으로 형성되어 있고, 상부 판 면에 반도체 기판(100)을 올려놓을 수 있도록 원 판형으로 형성된 연마대(51)가 적어도 하나 형성되어 있다. 이러한 연마대(51)는 반도체 기판 하나를 올려놓을 수있을 넓이를 가지고 있으며, 연마대(51) 표면에는 적어도 일부에 고무재질의 합성수지로 형성된 환형의 지지부(511)가 형성되어 있다. 통상 이러한 연마대(511)는 복수개로 4개정도로 구성되어 있고, 연마 어셈블리(40)에 의해서 각 연마대(511)의 반도체 기판이 선택적으로 연마될 수 있도록 기판 지지대(50)가 회동하여 위치를 변환한다.Referring to this, the substrate support 50 is formed in a circular plate shape, and at least one polishing plate 51 formed in a circular plate shape is formed on the upper plate surface so that the semiconductor substrate 100 can be placed thereon. The polishing table 51 has an area to place one semiconductor substrate, and an annular support portion 511 formed of a synthetic resin of rubber material is formed on at least part of the surface of the polishing table 51. Typically, the polishing table 511 is composed of a plurality of about four, the substrate support 50 is rotated to position the polishing substrate 40 to selectively polish the semiconductor substrate of each polishing table 511. Convert.

도 3a 내지 도 3b는 연마 어셈블리의 연마판과 연마본체의 결합된 상태와 상호 분리된 상태를 나타낸 단면도이다.3A to 3B are cross-sectional views illustrating a state in which the polishing plate and the polishing body of the polishing assembly are separated from each other.

이들을 참조하면, 도시된 바와 같이, 연마 어셈블리(40)는 기판 지지대(50)의 일측 상부에 소정 거리 이격되어 설치되어 있고, 원기둥형의 연마본체(40)와, 이 연마 본체(40)의 일측 하부 면에는 설치된 연마판(43)과, 타측에 설치되어 연마판(43)을 회전시킬 수 있는 회전 구동 장치(미도시)를 포함한다. 이러한 연마판(43)은 반도체 기판의 형상과 마찬가지로 원형 판 상으로 형성되어 있고, 반도체 기판과 대면하는 연마판(43) 하부 면에는 복수의 연마돌기(431)가 판 면에 대해서 하향 돌출하여 형성되어 있다. 여기서, 연마돌기(431)는 분말형의 다이아몬드를 포함하고 있는 다이아몬드 휠(DIAMOND WHEEL)이다. 그리하여, 매우 단단한 재질로 구성된 반도체 기판 기지 실리콘을 용이하게 연마할 수 있다.Referring to these, as shown in the drawing, the polishing assembly 40 is installed on the upper side of one side of the substrate support 50 at a predetermined distance, and has a cylindrical polishing body 40 and one side of the polishing body 40. The lower surface includes an abrasive plate 43 provided, and a rotation drive device (not shown) installed on the other side to rotate the abrasive plate 43. The abrasive plate 43 is formed in a circular plate shape similarly to the shape of the semiconductor substrate, and a plurality of abrasive protrusions 431 protrude downward from the plate surface on the lower surface of the abrasive plate 43 facing the semiconductor substrate. It is. Here, the grinding protrusion 431 is a diamond wheel (DIAMOND WHEEL) containing a powder of diamond. Thus, the semiconductor substrate matrix silicon made of a very hard material can be easily polished.

연마판(43)의 상부 면은 판 면으로부터 소정 깊이 함몰되어 있는 요형의 수용부(433)가 형성되어 있고, 수용부(433)의 판 면에는 자성을 띤 제1자성체(435)가 설치되어 있다. 이 제1자성체(435)는 자성재료로 형성된 자성 패드(435)로서 수용부(433)의 판 면상에 적어도 일부 영역을 점유하고서 부착되어 있으며, 이 자성 패드(435)는 영구자석으로 형성되어 있어 항상 판 면 부분이 N 또는 S극의 자성을 나타내고 있다. 한편, 연마판(43)은 몸체 전체가 자성재료로 형성될 수도 있다.The upper surface of the abrasive plate 43 is formed with a concave shape receiving portion 433 which is recessed a predetermined depth from the plate surface, the magnetic surface of the receiving portion 433 is provided with a magnetic first magnetic material 435 have. The first magnetic body 435 is a magnetic pad 435 formed of a magnetic material, and is attached to occupy at least a portion of the area on the plate surface of the receiving portion 433. The magnetic pad 435 is formed of a permanent magnet. The plate surface portion always shows the magnetism of the N or S pole. On the other hand, the abrasive plate 43 may be formed of a magnetic material as a whole body.

연마본체(41)는 기판 지지대(50)와 대응하는 면에는 연마판(43)의 수용부(433)에 결합될 수 있도록 판 면으로부터 소정 돌출된 결합부(411)가 형성되어 있다. 이 결합부(411)에는 제2자성체(413)가 형성되어 있다. 이 제2자성체(413)는 연마판(43)의 자극에 대응하여 결합부(411) 판 면에 적정한 자극을 형성할 수 있도록 자장발생장치(413)가 장착되어 있다. 여기서, 자장발생장치(413)는 전자석으로서 직류전압을 인가하면 연마본체(41)의 결합부(411) 판 면에 N극이나 S극이 형성된다. 그리고, 자장발생장치(413)에는 직류전류를 이용하여 자장의 방향을 전환할 수 있는 자장변환장치(미도시)가 포함되어 있어 임의로 제2자성체(413)의 자성을 변화시킬 수 있다. 그리하여 연마판(43)이 연마본체(41)에 부착되어 결합 및 분리되도록 할 수 있다.The polishing body 41 has a coupling portion 411 protruding from the plate surface so as to be coupled to the receiving portion 433 of the polishing plate 43 on the surface corresponding to the substrate support 50. The second magnetic body 413 is formed in the coupling portion 411. The second magnetic body 413 is equipped with a magnetic field generating device 413 so as to form an appropriate magnetic pole on the surface of the coupling portion 411 in response to the magnetic pole of the polishing plate 43. Here, when the magnetic field generating device 413 applies a DC voltage as an electromagnet, an N pole or an S pole is formed on the plate surface of the coupling portion 411 of the polishing body 41. In addition, the magnetic field generating device 413 includes a magnetic field converting device (not shown) that can change the direction of the magnetic field by using a DC current, and can change the magnetic properties of the second magnetic body 413 arbitrarily. Thus, the abrasive plate 43 may be attached to the abrasive body 41 to be coupled and separated.

도 4a 및 도 4b는 연마판과 연마본체의 결합 및 분리를 나타낸 개략 단면도 이다.4a and 4b are schematic cross-sectional views showing the bonding and separation of the abrasive plate and the abrasive body.

도 4a를 참조하면, 연마판(43)을 연마본체(41)의 결합부(411)에 결합시키고자 할 때는, 연마판(43)의 자성 패드(534)가 극성이 N극(또는 S극) 극으로 형성되어 있을 경우, 연마본체(41)의 결합부(411) 판 면의 자성을 상호 반대의 극인 S 극(또는 N극)으로 형성하여 연마판(43)의 수용부(433) 내에 연마본체(41)의 결합부(411)가 자성의 인력에 의하여 상호 부착되어 결합한다.Referring to FIG. 4A, when the polishing plate 43 is to be coupled to the coupling portion 411 of the polishing body 41, the magnetic pad 534 of the polishing plate 43 has an N pole (or S pole) of polarity. In the case of a pole, the magnetism of the plate surface of the coupling portion 411 of the abrasive body 41 is formed as the S pole (or N pole), which are opposite poles, so as to be inside the receiving portion 433 of the abrasive plate 43. Coupling portions 411 of the abrasive body 41 are bonded to each other by magnetic attraction.

이와는 반대로, 연마판(43)을 연마본체(41)의 결합부(411)로부터 분리하여분해하고자 한다면, 도 4b를 참조하면, 연마판(43)과 연마본체(41)가 결합된 상태에서 연마본체(41)의 극을 연마판(43)과 동일한 N극으로 형성하도록 자장발생장치(413)에 전장을 걸어주면, 자성의 상호 척력이 발생되어 연마판(43)이 연마본체(41)로부터 용이하게 분리될 수 있다.On the contrary, if the abrasive plate 43 is to be separated and disassembled from the coupling part 411 of the abrasive body 41, referring to FIG. 4B, the abrasive plate 43 and the abrasive body 41 are polished in a combined state. When the electric field is applied to the magnetic field generating device 413 so that the pole of the main body 41 is formed to the same N pole as the abrasive plate 43, magnetic mutual repulsion is generated and the abrasive plate 43 is removed from the abrasive body 41. Can be easily separated.

이상과 같은 구성을 가진 본 발명의 반도체 기판의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치는, 공정을 진행하면, 로딩부(10)에 올려진 카세트(101)로부터 반도체 기판을 기판 반전기(20)에 이동시킨다. 그러면, 기판 반전기(20)는 반도체 기판의 후면을 상부로 향하도록 뒤집고, 이를 기판 이송장치(30)가 기판 지지대(50)의 연마대(51)에 올려놓는다. 그런 다음, 기판 지지대(50)의 상부에 설치된 연마 어셈블리(40)가 기판 지지대(50)를 향하여 하양 이동하여 연마판(43)이 기판 지지대(50)의 연마대(511) 중 어느 하나의 반도체 기판과 접촉되도록 한다. 연마판(43)이 회전하면서 연마돌기(431)가 반도체 기판 후면의 실리콘을 연마하여 소정 두께까지 제거한다. 통상 수백 um 정도 남겨 놓고 모두 제거한다. 그런 다음, 반도체 기판을 기판 이송기(30)를 이용하여 로딩부(10)의 카세트(101)로 이동시킨다. 이와 같은 백그라인딩 공정이 장시간 반복되어 연마판(43)을 교환할 때가 되면, 연마본체(41)로부터 연마판(43)을 분리시킨다. 이때, 자장발생장치의 극성을 연마판(43)과 동일하게 발생시켜 자성의 척력에 의해서 연마판(43)을 연마본체(41)로부터 분리 제거한다. 그리고, 새로운 연마판(43)의 수용부(433)와 연마본체(41)의 결합부(411)에 정렬한 후, 자장발생장치의 자장을 연마판(43)과 다른 극성으로 발생시켜 흡인력으로 결합시킨다. 그러면, 교환작업이 완료된다.In the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the semiconductor substrate of the present invention having the above-described configuration, when the process proceeds, the semiconductor substrate is moved to the substrate inverter 20 from the cassette 101 mounted on the loading section 10. Let's do it. Then, the substrate inverter 20 flips the back side of the semiconductor substrate upward, and the substrate transfer device 30 puts it on the polishing table 51 of the substrate support 50. Then, the polishing assembly 40 installed above the substrate support 50 moves downward toward the substrate support 50 so that the polishing plate 43 is the semiconductor of any one of the polishing tables 511 of the substrate support 50. Make contact with the substrate. As the polishing plate 43 rotates, the polishing protrusion 431 polishes the silicon on the back surface of the semiconductor substrate to remove the predetermined thickness. Usually several hundred um is left out. Then, the semiconductor substrate is moved to the cassette 101 of the loading unit 10 using the substrate transfer device 30. When this backgrinding process is repeated for a long time and the time for replacing the polishing plate 43 is changed, the polishing plate 43 is separated from the polishing body 41. At this time, the polarity of the magnetic field generating device is generated in the same manner as the abrasive plate 43, and the abrasive plate 43 is separated and removed from the abrasive body 41 by magnetic repulsion. Then, after aligning with the receiving portion 433 of the new polishing plate 43 and the coupling portion 411 of the polishing body 41, the magnetic field of the magnetic field generating device is generated at a different polarity than that of the polishing plate 43 to obtain a suction force. Combine. Then, the replacement operation is completed.

이와 같이, 본 발명의 백그라인딩 공정용(Back grinding) 반도체 장치는, 연마판의 교환 시에 자장의 함을 이용하여 분리시키고 결합시킴으로써, 작업이 용이하여 교환시간이 단축되며 장치의 유지가 용이하고 비용이 적게 소요되는 장점이 있다.As described above, the back grinding semiconductor device of the present invention is separated and bonded by using a magnetic field box when the abrasive plate is replaced, so that the work is easy, the replacement time is shortened, and the device is easy to maintain. It has the advantage of being less expensive.

한편, 본 발명의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치는, 상술한 실시예와는 달리, 연마본체(도2의 41)에 제2자성체로서 자성재료로 형성된 자성 패드를 장착하고, 연마판(도2의 43)에 제1자성체로서 자장발생장치를 장착하여 구성할 수도 있다.On the other hand, the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the present invention, unlike the embodiment described above, is equipped with a magnetic pad formed of a magnetic material as a second magnetic body on the polishing body (41 in Fig. 2), and the polishing plate (Fig. 2). 43) may be constructed by mounting a magnetic field generating device as the first magnetic body.

그리고, 양측에 모두 영구자석으로 형성된 자성 패드를 장착하여, 일측의 자장 패드가 방향을 전환할 수 있도록 구성함으로써, 자기력에 의해서 연마본체(도2의 41)와 연마판(도2의 43)의 결합과 분리가 가능하도록 할 수도 있다.In addition, magnetic pads formed of permanent magnets are mounted on both sides, and the magnetic pads on one side are configured to switch directions, so that the magnetic body (41 in FIG. 2) and the polishing plate (43 in FIG. 2) are controlled by magnetic force. It can also be combined and separated.

또한, 연마판(도2의 43)에 형성된 자성패드(435)는, 본 실시예와 같이, 판 상의 패드 형태일 수도 있고, 그 밖에 막대형의 자석들이 복수 개가 배열된 막대자석 군으로 형성될 수도 있다. 그리고, 자성패드가 자석에 잘 이끌리는 철과 같은 천이금속에 속하는 자성 금속으로만 이루어진 금속 패드를 적용할 수도 있다.In addition, the magnetic pad 435 formed on the abrasive plate (43 in Fig. 2), as in this embodiment, may be in the form of a pad on the plate, in addition to the bar magnet group in which a plurality of bar-shaped magnets are arranged It may be. In addition, a metal pad made of only a magnetic metal belonging to a transition metal such as iron in which the magnetic pad is attracted to the magnet may be applied.

상술한 바와 같이 본 발명의 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치는, 연마본체와 연마판 사이에 자성을 이용하여 체결될 수 있도록 구성함으로써, 연마판과 연마본체의 장착과 이탈을 용이하게 할 수 있어 장비의 정기정비나 비정기 정비를 용이하게 할 수 있다.As described above, the semiconductor manufacturing apparatus for the backgrinding process of the present invention is configured to be fastened by using magnetism between the abrasive body and the abrasive plate, thereby facilitating mounting and detachment of the abrasive plate and the abrasive body. It can facilitate regular maintenance or irregular maintenance.

그리고, 연마판을 교환할 때 연마본체와의 착탈이 편리하여, 정비시 실수가 적고 장비 정비에 요하는 시간이 단축되어 장비의 가동율을 향상시킬 수 있다.In addition, when the abrasive plate is replaced, the attachment and detachment with the abrasive body is convenient, so that fewer errors are required during maintenance and the time required for equipment maintenance is shortened, thereby improving the operation rate of the equipment.

Claims (14)

반도체 기판을 올려놓을 수 있는 적어도 하나의 연마대를 가진 기판 지지대;A substrate support having at least one polishing table on which a semiconductor substrate can be placed; 상기 기판 지지대의 상부에 설치되고, 일측에는 상기 반도체 기판의 후면을 연마하는 연마판이 장착되고 타 측에는 상기 연마판을 회전시키는 회동부재를 수용하고 있는 연마본체를 갖는 연마 어셈블리;A polishing assembly installed on an upper portion of the substrate support, having an abrasive body on one side of which is mounted an abrasive plate for polishing the rear surface of the semiconductor substrate and on the other side accommodating a rotating member for rotating the abrasive plate; 상기 연마판과 상기 연마본체 사이에 각각 마련되어 자성에 의해서 상호 체결될 수 있도록 배치된 자성 체결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 백그라인딩(Back grinding) 공정용 반도체 제조장치.And a magnetic fastening member provided between the abrasive plate and the abrasive body, respectively, and disposed so as to be fastened to each other by magnetism. 제1항에 있어서, 상기 연마판은 원형 판 상으로 원주 외각을 따라서 가장자리 영역에 복수의 연마돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The apparatus of claim 1, wherein the polishing plate has a plurality of polishing protrusions formed in an edge region of the circular plate along a circumferential outer surface thereof. 제2항에 있어서, 상기 연마돌기는 다이아몬드 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The apparatus of claim 2, wherein the abrasive protrusion comprises diamond particles. 제1항에 있어서, 상기 연마 본체와 상기 연마판은 성호 접촉부분이 요철결합되어 있는 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.2. The semiconductor manufacturing apparatus for a backgrinding process according to claim 1, wherein the polishing body and the polishing plate have concave-convex contact portions. 제4항에 있어서, 상기 연마본체는 철형의 결합부가 상기 연마판에는 요형의 수용부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.5. The apparatus of claim 4, wherein the abrasive body has an iron-shaped coupling portion formed with a recessed portion in the abrasive plate. 제1항에 있어서, 상기 자성 체결부재는.The method of claim 1, wherein the magnetic fastening member. 상기 연마판에 설치된 일극의 자성을 갖는 제1자성체; 및A first magnetic body having a magnet of one pole provided on the polishing plate; And 상기 연마본체에 설치된 타극의 자성을 갖는 제2자성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.And a second magnetic body having magnetic properties of the other electrode provided in the polishing body. 제6항에 있어서, 상기 제1자성체와 상기 제2자성체 중 적어도 어느 하나는 자성재료로 형성된 자성 패드인 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The apparatus of claim 6, wherein at least one of the first magnetic body and the second magnetic body is a magnetic pad formed of a magnetic material. 제7항에 있어서, 상기 제1자성체는 자성 패드인 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The apparatus of claim 7, wherein the first magnetic material is a magnetic pad. 제8항에 있어서, 상기 자성 패드는 상자성체인 영구자석으로 형성된 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.10. The apparatus of claim 8, wherein the magnetic pad is formed of a permanent magnet which is paramagnetic. 제6항에 있어서, 상기 제1자성체와 상기 제2자성체 중 적어도 어느 하나는 자성발생장치인 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The apparatus of claim 6, wherein at least one of the first magnetic body and the second magnetic body is a magnetic generator. 제10항에 있어서, 상기 제2자성체는 임의로 자장을 발생시킬 수 있는 자성발생장치인 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치The apparatus of claim 10, wherein the second magnetic body is a magnetic generator capable of generating a magnetic field arbitrarily. 제11항에 있어서, 상기 자성발생장치는 전자석인 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.12. The semiconductor device according to claim 11, wherein the magnetic generator is an electromagnet. 제10항에 있어서, 상기 자성 발생장치는 자장 방향을 임의로 조절할 수 있는 자장변환장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The apparatus of claim 10, wherein the magnetic generator includes a magnetic field converter capable of arbitrarily adjusting a magnetic field direction. 제13항에 있어서, 상기 자장변환장치는 직류전류의 방향을 조절하여 자장의 방향을 변환시키는 직류 자장변환기인 것을 특징으로 하는 백그라인딩 공정용 반도체 제조장치.The semiconductor device according to claim 13, wherein the magnetic field converter is a DC magnetic field converter which converts the direction of the magnetic field by adjusting the direction of the DC current.
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KR20030052466A (en) * 2001-12-21 2003-06-27 주식회사 실트론 A grinding wheel for grinding silicon wafer
KR100574998B1 (en) * 2004-12-03 2006-05-02 삼성전자주식회사 Manufacturing apparatus of semiconductor device for semiconductor wafer back grinding and method of fastening grinding plate for back grinding

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