KR20030021385A - Method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속유도측면결정화 또는 금속유도결정화에 의한 폴리실리콘 박막트랜지스터 어레이 제조시 메탈 리메인(Metal Remain)으로 인한 소자내 또는 소자간 쇼트를 방지할 수 있는 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device. In particular, when fabricating a polysilicon thin film transistor array by metal induced side crystallization or metal induced crystallization, it is possible to prevent short circuits in and between devices due to metal retain. The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device.
액정표시장치에 있어서, 고해상도와 빠른 동작을 위하여 비정질 실리콘 보다는 결정질 실리콘 박막트랜지스터를 사용하는데, 이를 위한 제조기술로는 금속유도결정화 및 금속유도측면결정화 기술 등이 있다.In a liquid crystal display device, a crystalline silicon thin film transistor is used rather than amorphous silicon for high resolution and fast operation. The manufacturing techniques for this include metal induced crystallization and metal induced side crystallization.
금속유도결정화(MIC:Metal Induced Crystalization) 기술이란 특정한 금속층을 비정질 실리콘층상에 형성한 후 열처리하여 비정질 실리콘층을 결정화하는 것으로, 저온에서도 결정화가 가능하고 고가의 장비가 필요없다는 장점이 있다.Metal induced crystallization (MIC) technology is to form a specific metal layer on the amorphous silicon layer and heat treatment to crystallize the amorphous silicon layer, there is an advantage that can be crystallized at low temperature and does not require expensive equipment.
금속유도측면결정화(MILC:Metal Induced Lateral Crystalization) 기술이란, 비정질 실리콘의 결정화가 측면방향으로 진행하여 이루어지는 것으로 약 400℃의 저온에서도 결정화가 이루어질 수 있다는 장점이 있다.Metal induced lateral crystallization (MILC) technology is a crystallization of amorphous silicon proceeds in the lateral direction has the advantage that the crystallization can be performed at a low temperature of about 400 ℃.
최근에는 측면결정화의 진행속도를 인가된 전계의 극성에 따라 한 방향으로 가속화시키는 전계촉진측면결정화(FALC:Field Aided Lateral Crystalization) 기술이 연구중에 있다.Recently, field accelerated lateral crystallization (FALC) has been studied to accelerate the rate of lateral crystallization in one direction depending on the polarity of the applied electric field.
이와 같은 결정화 기술을 채용한 종래 기술에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)상에 활성층(12), 게이트 산화막(14) 및 게이트(18)를 마스크 공정을 통하여 순차로 형성한다.In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the related art employing such crystallization technology, as shown in FIG. 1, the active layer 12, the gate oxide layer 14, and the gate 18 are masked on the substrate 10. Formed sequentially through the process.
이어, 스퍼터링 또는 메탈 솔루션 스핀 코팅법 등에 의해 금속, 예를 들어,Ni 또는 Pd 등을 도포한 다음, 관상로 등에서 금속유도결정화 및 금속유도측면결정화를 진행한다.Subsequently, a metal, for example, Ni or Pd or the like is applied by sputtering or a metal solution spin coating method, and then metal induced crystallization and metal induced side crystallization are performed in a tubular furnace or the like.
그런다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 오옴 콘택(Ohmic Cnotact), 보호막, 소오스/드레인 및 ITO 전극을 형성하여 액정표시장치를 완성한다.Then, although not shown, an ohmic contact, a protective film, a source / drain, and an ITO electrode are formed to complete the liquid crystal display.
그러나, 종래 기술에 따른 액정표시장치의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the prior art has the following problems.
종래 기술에 있어서는, Ni 또는 Pd 등의 금속을 수 내지 수십 Å의 초박막을 도포하기 때문에 기판 전체의 박막 두께 제어가 사실상 불가능하여 비균일성(Non-Uniformity)이 발생하게 된다. 이로 인해, 소자내 또는 소자와 소자간 반응하지 않은 Ni 또는 Pd 등의 메탈 리메인(Metal Remain), 특히 메탈 실리사이드 상(Metal Silicide Phase)을 유발하여 소자간 쇼트가 발생한다는 문제점이 있다.In the prior art, since a thin film of Ni or Pd is applied to an ultra thin film of several to several tens of micrometers, control of the thin film thickness of the entire substrate is virtually impossible, resulting in non-uniformity. Accordingly, there is a problem in that a short between devices occurs due to a metal remain, such as Ni or Pd, which does not react with each other or between devices, in particular a metal silicide phase.
또한, 반응하지 않은 금속을 제거하기 위하여 금속 식각 공정이 추가적으로 필요하지만 이 공정에서도 반응하지 않은 금속을 제거하기가 쉽지 않고, 식각에 의해 이미 패터닝된 동일 금속 계열의 게이트에 어택을 주게 되어 어레이 특성이 저하된다는 문제점이 있다.In addition, an additional metal etching process is required to remove the unreacted metals, but it is not easy to remove the unreacted metals in this process as well, and the gate characteristics of the same metal pattern patterned by etching are attacked. There is a problem of deterioration.
이에, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 소자내 또는 소자간 메탈 리메인이 존재하지 않는 금속유도측면결정화 폴리실리콘 박막트랜지스터를 채용한 액정표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device employing a metal-induced side-crystallized polysilicon thin film transistor in which there is no in-device or inter-device metal domain. To provide a manufacturing method.
도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the prior art.
도 2a 내지 2e는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.2A through 2E are cross-sectional views illustrating processes for manufacturing a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
도 3a 내지 3f는 본 발명의 실시예 2에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.3A to 3F are cross-sectional views of processes for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.
도 4a 내지 4e는 본 발명의 실시예 3에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.4A to 4E are cross-sectional views of processes for describing a method of manufacturing a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
200: 기판210,210a: 결정화 금속층200: substrate 210, 210a: crystallized metal layer
220: 블로킹 산화막230a: 비정질 활성층220: blocking oxide film 230a: amorphous active layer
230b: 결정질 활성층240: 게이트 산화막230b: crystalline active layer 240: gate oxide film
250: 게이트250: gate
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예 1에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 기판상에 결정화 금속층을 형성하는 단계; 상기 결정화 금속층상에 블로킹 산화막을 증착한 다음, 상기 증착된 블로킹 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 블로킹 산화막을 포함하도록 상기 결정화 금속층상에 비정질 활성층을 증착한 다음, 상기 증착된 활성층과 함께 상기 결정화 금속층을 제거하는 단계; 상기 패터닝된 활성층을 결정화하는 단계; 및 상기 활성층상에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method including: forming a crystallized metal layer on a substrate; Depositing a blocking oxide film on the crystallized metal layer, and then patterning the deposited blocking oxide film; Depositing an amorphous active layer on the crystallized metal layer to include the blocking oxide layer, and then removing the crystallized metal layer together with the deposited active layer; Crystallizing the patterned active layer; And forming a gate oxide film and a gate on the active layer.
또한, 본 발명의 실시예 2에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 기판상에 결정화 금속층을 형성하는 단계; 상기 결정화 금속층상에 블로킹 산화막을 증착한 다음, 상기 증착된 블로킹 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 블로킹 산화막을 포함하도록 상기 결정화 금속층상에 비정질 활성층을 증착하는 단계; 상기 증착된 활성층을 결정화하는 단계; 상기 결정화된 활성층과 함께 상기 결정화 금속층을 제거하는 단계; 및 상기 활성층상에 게이트 산화막 및 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, forming a crystallized metal layer on the substrate; Depositing a blocking oxide film on the crystallized metal layer, and then patterning the deposited blocking oxide film; Depositing an amorphous active layer on the crystallized metal layer to include the blocking oxide film; Crystallizing the deposited active layer; Removing the crystallized metal layer together with the crystallized active layer; And forming a gate oxide film and a gate on the active layer.
또한, 본 발명의 실시예 3에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 기판상에 비정질 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층상에 게이트 산화막과 게이트를 증착한 다음 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 게이트 산화막과 게이트를 포함하여 상기 활성층상에 결정화 금속층을 형성하는 단계; 상기 활성층과 함께 상기 결정화 금속층을 동시에 제거하거나, 또는 상기 활성층을 패터닝한 후 상기 결정화 금속층을 제거하는 단계; 및 상기 패터닝된 활성층을 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention may include forming an amorphous active layer on a substrate; Depositing and patterning a gate oxide film and a gate on the active layer; Forming a crystallized metal layer on the active layer including the patterned gate oxide layer and a gate; Simultaneously removing the crystallized metal layer together with the active layer, or removing the crystallized metal layer after patterning the active layer; And crystallizing the patterned active layer.
이하, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 2e는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이고, 도 3a 내지 3f는 본 발명의 실시예 2에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이고, 도 4a 내지 4e는 본 발명의 실시예 3에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a manufacturing method of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIGS. 3A to 3F illustrate a manufacturing method of a liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention. 4A through 4E are cross-sectional views illustrating a manufacturing method of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예 1에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저 기판(200)상에 결정화 금속층(210)을 0.1 내지 100Å, 바람직하게는 1 내지 50Å 두께로 증착한다. 이때, 상기 결정화 금속층(210)은 니켈(Ni) 또는 팔라듐(Pd) 으로 형성한다.In the method of manufacturing the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2A, first, the crystallized metal layer 210 is deposited on the substrate 200 to a thickness of 0.1 to 100 kPa, preferably 1 to 50 kPa. do. In this case, the crystallized metal layer 210 is formed of nickel (Ni) or palladium (Pd).
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 결정화 금속층(210) 전면상에 산화막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화막층을 일정형태로 패터닝하여 블로킹 산화막(220:Blocking Oxide)을 형성한다. 상기 블로킹 산화막(220)은 후술하는 비정질 활성층(230a)에 대한 금속유도결정화(MIC)와 금속유도측면결정화(MILC)에 의한 결정화를 구별하기 위함이다.Subsequently, as illustrated in FIG. 2B, an oxide layer is deposited on the entire surface of the crystallized metal layer 210, and then the deposited oxide layer is patterned to form a blocking oxide layer 220. The blocking oxide film 220 is for distinguishing the crystallization caused by metal induced crystallization (MIC) and metal induced side crystallization (MILC) of the amorphous active layer 230a which will be described later.
그런 다음, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 블로킹 산화막(220)을 포함하도록 상기 결정화 금속층(210)상에 비정질 반도체층, 예를 들어, 비정질 실리콘층을증착한 다음, 상기 증착된 비정질 실리콘층을 일정형태로 패터닝하여 비정질 활성층(230a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2C, an amorphous semiconductor layer, for example, an amorphous silicon layer is deposited on the crystallized metal layer 210 to include the blocking oxide layer 220, and then the deposited amorphous silicon layer. Is patterned to form an amorphous active layer 230a.
이때, 상기 비정질 활성층(230a) 형성을 위한 패터닝과 병행하여 상기 기판(200)상에 잔류된 결정질 금속층(210)을 제거하여, 상기 비정질 활성층(230a)내에만 패터닝된 결정질 금속층(230b)이 존재하도록 한다.At this time, the crystalline metal layer 210 remaining on the substrate 200 is removed in parallel with the patterning for forming the amorphous active layer 230a, so that the crystalline metal layer 230b patterned only exists in the amorphous active layer 230a. Do it.
이어서, 상기 패터닝된 활성층(230a)을 열처리하여 결정화시킨다. 이때, 상기 결정화 열처리 온도는 결정화 시간에 따라 유동적이지만 대략 300 내지 700℃, 바람직하게는 400 내지 600℃이다.Subsequently, the patterned active layer 230a is heat treated to crystallize. At this time, the crystallization heat treatment temperature is fluid depending on the crystallization time but is approximately 300 to 700 ° C, preferably 400 to 600 ° C.
그런다음, 상기 비정질의 패터닝된 활성층(230a)은 상기 블로킹 산화막(220)을 경계로 금속유도결정화(상향 화살표) 및 금속유도측면결정화(측면방향 화살표)가 이루어진다.Then, the amorphous patterned active layer 230a is subjected to metal induction crystallization (up arrow) and metal induction side crystallization (lateral arrow) at the boundary of the blocking oxide film 220.
그 결과, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 기판(200)상에는 결정화된 활성층(230b)이 형성된다. 이어서, 상기 활성층(230b)상에 게이트 산화막(240) 및 게이트(250)를 형성한다.As a result, as shown in FIG. 2E, the crystallized active layer 230b is formed on the substrate 200. Subsequently, a gate oxide layer 240 and a gate 250 are formed on the active layer 230b.
이어, 도면에는 도시하지 않았지만, 오옴 콘택(Ohmic Contact)과 보호막을 비롯하여 소오스/드레인 및 화소전극을 순차로 형성하여 액정표시장치를 완성한다.Subsequently, although not shown in the drawing, a liquid crystal display is completed by sequentially forming source / drain and pixel electrodes including an ohmic contact and a protective film.
또한, 본 발명의 실시예 2에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이, 먼저 기판(300상에 결정화 금속층(310)을 1 내지 100Å, 바람직하게는 1 내지 50Å 두께로 증착한다. 이때, 상기 결정화 금속층(310)은 니켈(Ni) 또는 팔라듐(Pd) 으로 형성한다.In addition, in the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. In this case, the crystallized metal layer 310 is formed of nickel (Ni) or palladium (Pd).
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 결정화 금속층(310) 전면상에 산화막을 증착한 다음, 상기 증착된 산화막층을 일정형태로 패터닝하여 블로킹 산화막(320)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3B, an oxide film is deposited on the entire surface of the crystallized metal layer 310, and then the deposited oxide layer is patterned to form a blocking oxide film 320.
그런 다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 블로킹 산화막(320)을 포함하도록 상기 결정화 금속층(310)상에 비정질 반도체, 예를 들어, 비정질 실리콘으로 비정질 활성층(330a)을 증착한다.Next, as shown in FIG. 3C, an amorphous active layer 330a is deposited on the crystallized metal layer 310 with an amorphous semiconductor, for example, amorphous silicon, to include the blocking oxide layer 320.
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 비정질 활성층(330a)을 열처리하여 결정화시킨다. 이때, 상기 결정화 열처리 온도는 결정화 시간에 따라 유동적이지만 대략 300 내지 700℃, 바람직하게는 400 내지 600℃이다. 이때, 상기 비정질 활성층(330a)은 상기 블로킹 산화막(320)을 경계로 금속유도결정화(상향 화살표) 및 금속유도측면결정화(측면방향 화살표)가 이루어진다.Subsequently, as shown in FIG. 3D, the amorphous active layer 330a is thermally crystallized. At this time, the crystallization heat treatment temperature is fluid depending on the crystallization time but is approximately 300 to 700 ° C, preferably 400 to 600 ° C. In this case, the amorphous active layer 330a has a metal induction crystallization (up arrow) and a metal induction side crystallization (lateral arrow) at the boundary of the blocking oxide film 320.
그 다음, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 활성층(330a)을 패터닝하고 이와 병행하여 상기 기판(300)상에 잔류된 결정화 금속층(310)을 제거한다. 그 결과, 상기 기판(300)상에는 패터닝된 결정화 금속층(310a) 및 블로킹 산화막(320)을 포함한 패터닝되고 결정화된 활성층(330b)이 형성된다.Next, as shown in FIG. 3E, the active layer 330a is patterned and the crystallized metal layer 310 remaining on the substrate 300 is removed in parallel. As a result, the patterned crystallized active layer 330b including the patterned crystallized metal layer 310a and the blocking oxide layer 320 is formed on the substrate 300.
이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 결정화된 활성층(330b)상에 증착 및 패터닝 공정을 통하여 게이트 산화막(340) 및 게이트(350)를 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3F, the gate oxide layer 340 and the gate 350 are formed on the crystallized active layer 330b through a deposition and patterning process.
이어, 도면에는 도시하지 않았지만, 오옴 콘택(Ohmic Contact)과 보호막을 비롯하여 소오스/드레인 및 화소전극을 순차로 형성하여 액정표시장치를 완성한다.Subsequently, although not shown in the drawing, a liquid crystal display is completed by sequentially forming source / drain and pixel electrodes including an ohmic contact and a protective film.
또한, 본 발명의 실시예 3에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 도 4a에 도시된 바와 같이, 먼저 기판(400)상에 비정질 반도체, 예를 들어, 비정질 실리콘으로 비정질 활성층(430a)을 형성한다.In addition, in the method of manufacturing the liquid crystal display according to the third exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4A, first, an amorphous active layer 430a is formed of an amorphous semiconductor, for example, amorphous silicon, on a substrate 400. do.
이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 비정질 활성층(430a)상에 증착 및 패터닝 공정을 통하여 게이트 산화막(440) 및 게이트(450)를 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4B, the gate oxide layer 440 and the gate 450 are formed on the amorphous active layer 430a through a deposition and patterning process.
그런 다음, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝된 게이트 산화막(440) 및 게이트(450)를 포함하여 상기 활성층(430a)상에 결정화 금속층(410a)을 증착한다. 이때, 상기 결정화 금속층(410a)은 니켈(Ni) 또는 팔라듐(Pd)으로 형성한다.Next, as shown in FIG. 4C, a crystallized metal layer 410a is deposited on the active layer 430a including the patterned gate oxide layer 440 and the gate 450. In this case, the crystallized metal layer 410a is formed of nickel (Ni) or palladium (Pd).
이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 활성층(430a)을 일정한 형태로 패터닝한다. 또한, 상기 활성층(430a) 패터닝 공정과 동시 또는 이시에 상기 결정화 극속층(410a)을 선택적으로 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 4D, the active layer 430a is patterned in a predetermined form. In addition, the crystallization flux layer 410a may be selectively removed at the same or the same time as the active layer 430a patterning process.
이때, 상기 활성층(430a)을 패터닝하는 단계와 이와 동시 또는 이시에 상기 결정화 금속층(410a)을 제거하는 단계는, 불산, 질산, 염산, 초산 또는 이의 조합을 이용한 습식식각을 사용하거나, 또는 SF6, CF4, CH2F2, CCl4, Cl2또는 이의 조합을 이용한 건식식각을 사용한다.In this case, the patterning of the active layer 430a and the removal of the crystallized metal layer 410a at the same time or at the same time may include wet etching using hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, acetic acid, or a combination thereof, or SF 6. Dry etching with, CF 4 , CH 2 F 2 , CCl 4 , Cl 2 or a combination thereof is used.
그 결과, 상기 기판(400)상에는 패터닝되고 비정질인 활성층(430b) 상에 게이트 산화막(440)과 게이트(450)가 형성되어 있고, 또한 상기 활성층(430b) 상면의 양 측면상에는 선택적으로 제거되고 남은 결정화 금속층(410b)이 형성된 타워(Tower) 형태를 이룬다.As a result, the gate oxide film 440 and the gate 450 are formed on the patterned and amorphous active layer 430b on the substrate 400, and are selectively removed on both sides of the top surface of the active layer 430b. The crystallized metal layer 410b has a tower shape.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 패터닝되고 비정질인 활성층(430b)을 열처리 공정을 통하여 금속유도결정화 및 금속유도측면결정화 기술로 결정화한다.Subsequently, as shown in FIG. 4E, the patterned amorphous active layer 430b is crystallized by metal induction crystallization and metal induction side crystallization through a heat treatment process.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 오옴 콘택(Ohmic Contact)과 보호막을 비롯하여 소오스/드레인 및 화소전극을 순차로 형성하여 액정표시장치를 완성한다.Next, although not shown in the drawing, a liquid crystal display is completed by sequentially forming source / drain and pixel electrodes including an ohmic contact and a protective film.
본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.Various embodiments can be easily implemented as well as self-explanatory to those skilled in the art without departing from the principles and spirit of the present invention. Accordingly, the claims appended hereto are not limited to those already described above, and the following claims are intended to cover all of the novel and patented matters inherent in the invention, and are also common in the art to which the invention pertains. Includes all features that are processed evenly by the knowledgeable.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention has the following effects.
본 발명에 있어서는, 높은 전계효과 이동도와 고해상도를 가지는 저온공정 다결정질 박막트랜지스터를 제조할 수 있으며, 기존의 금속유도결정화 또는 금속유도측면결정화 기술상의 문제점인 메탈리메인으로 인한 소자내 또는 소자간 쇼트를 방지할 수 있어 제조수율을 향상시키는 효과가 있다.In the present invention, it is possible to manufacture a low-temperature process polycrystalline thin film transistor having high field effect mobility and high resolution, and in-device or inter-device short circuit due to metallime which is a problem in the existing metal induction crystallization or metal induction side crystallization technology. It can prevent the effect of improving the manufacturing yield.
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