KR20030012611A - Wafer vacuum chuck of semiconductor cmp equipment - Google Patents

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KR20030012611A
KR20030012611A KR1020010046731A KR20010046731A KR20030012611A KR 20030012611 A KR20030012611 A KR 20030012611A KR 1020010046731 A KR1020010046731 A KR 1020010046731A KR 20010046731 A KR20010046731 A KR 20010046731A KR 20030012611 A KR20030012611 A KR 20030012611A
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이강준
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP(Chemical Mechanical Polishing) equipment is provided to prevent damage of a wafer in a wafer absorption process. CONSTITUTION: An arm(10a) is provided with at least one independent vacuum path(14a). A vacuum groove(12a) is formed on a desired portion of the top surface of the arm(10a) so that the groove(12a) is communicated with the vacuum path(14a) with a designated width and depth. At least one supporting protrude(16a) is formed on the bottom of the vacuum groove(12a) to be extended to the top surface of the arm(10a). A coating layer(18a) is deposited on the end portion of the arm(10a) including the supporting protrude(16a) such that the layer is in contact with the bottom surface of the wafer.

Description

반도체 ＣＭＰ설비의 웨이퍼 진공척{wafer vacuum chuck of semiconductor CMP equipment}Wafer vacuum chuck of semiconductor CMP equipment

본 발명은 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐리어와 CMP 공정 위치 사이로 웨이퍼를 이송토록 하는데 사용되는 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP facility, and more particularly, to a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP facility used to transfer a wafer between a carrier and a CMP process location.

일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하는 일련의 과정을 통해 이루어진다.In general, a semiconductor device is a series of processes that selectively and repeatedly perform a process such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, metal deposition on a wafer.

이렇게 반도체장치로 제작되기까지의 웨이퍼는 캐리어에 복수개 수용된 상태로 각 공정간을 이동하게 되고, 또 각 반도체장치 제조설비 내에서 구비된 로봇수단에 의해 캐리어에서 인출되어 공정 위치로 이송되고, 또 공정을 마친 웨이퍼는 다시 로봇수단에 의해 다시 캐리어로 이송되는 과정을 거치게 된다.As described above, the wafers made up to the semiconductor device are moved between the respective processes in the state of being accommodated in the carrier, and are removed from the carriers and transferred to the process position by robot means provided in each semiconductor device manufacturing facility. The finished wafer is again transferred to the carrier by the robot means.

이러한 관계에 있어서, 반도체 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 설비에서 로딩 위치되는 캐리어와 공정 수행 위치 사이로 웨이퍼를 이송시키도록 하는 과정 중 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 진공척에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.In this regard, the wafer vacuum chuck for fixing the wafer during the process of transferring the wafer between the carrier and the process execution position to be loaded in the semiconductor CMP (chemical chemical polishing) facility will be described with reference to the accompanying drawings. do.

종래의 웨이퍼 진공척의 구성은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 소정 길이를 갖는 장방형의 판 형상으로 내부에 적어도 하나 이상의 진공통로(V)가 형성된 아암(B)이 있고, 이 아암(B)의 일측 단부 부위는 로봇수단(도면의 단순화를 위하여 생략함)에 연결 고정된다.The structure of the conventional wafer vacuum chuck has an arm B in which at least one vacuum passage V is formed in a rectangular plate shape having a predetermined length, as shown in FIGS. 1 to 3. One end portion of B) is connected and fixed to the robot means (omitted for simplicity of the drawing).

또한, 상술한 아암(B)의 상대측 단부 부위는, 위치되는 웨이퍼(W)의 저면에 대향하여 밀착 가능하도록 소정의 평탄면을 이루고, 이 부위의 표면으로부터 소정 넓이와 깊이로 상술한 진공통로(V)와 상호 연통하는 진공홈(G)이 형성되며, 이 진공홈(G) 주연의 웨이퍼(W)와의 접촉에 대응하는 부위는 웨이퍼(W)와의 밀착 정도를 향상시키도록 함과 동시에 그 접촉에 따른 흠집의 발생을 방지토록 하기 위하여 테프론 재질의 코팅층(F)이 증착된 구성을 이룬다.In addition, the above-described end portion of the arm B forms a predetermined flat surface to be in close contact with the bottom surface of the wafer W to be positioned, and the above-described vacuum passage (with a predetermined width and depth from the surface of this portion) A vacuum groove (G) communicating with V) is formed, and a portion corresponding to the contact with the wafer (W) around the vacuum groove (G) improves the degree of close contact with the wafer (W) and simultaneously contacts the wafer (W). In order to prevent the occurrence of scratches according to the Teflon coating layer (F) is formed a configuration.

이러한 구성의 동작 관계를 살펴보면, 웨이퍼 진공척은 로봇수단의 구동에 따라 캐리어(도면의 단순화를 위하여 생략함) 또는 공정 수행 위치의 웨이퍼(W의 저면에 대향하여 근접 위치되고, 이어 웨이퍼(W)가 대향하는 코팅층(F)의 표면에 밀착되게 놓임에 대응하여 상술한 진공통로(V)를 통해 소정의 진공압이 진공홈(G)으로 유도 제공됨으로써 웨이퍼(W)는 웨이퍼 진공척에 흡착 고정되게 된다.Looking at the operation relationship of such a configuration, the wafer vacuum chuck is placed in proximity to the bottom surface of the wafer (the wafer W) at the carrier (omitted for the sake of simplicity of the drawing) or the process performing position according to the driving of the robot means, and then the wafer W Is provided in close contact with the surface of the coating layer (F) facing a predetermined vacuum pressure through the above-described vacuum passage (V) is provided to the vacuum groove (G), so that the wafer (W) is adsorbed and fixed to the wafer vacuum chuck Will be.

그러나, 상술한 진공홈(G)의 넓이는 웨이퍼(W)에 대한 진공압의 전달 부위를 넓게 하기 위하여 소정 크기로 넓게 형성되며, 이러한 진공홈(G)에 대응하는 웨이퍼(W)의 부위는 유도 제공되는 진공압에 의해, 도 1에 P로 표시된 부위와 같이 소정 깊이로 함몰되게 변형되는 형상을 이루게 된다.However, the above-mentioned width of the vacuum groove G is formed wide in a predetermined size so as to widen the transfer portion of the vacuum pressure with respect to the wafer W, and the portion of the wafer W corresponding to the vacuum groove G is The induction-provided vacuum pressure results in a shape that deforms to be recessed to a predetermined depth, such as the portion indicated by P in FIG. 1.

이에 따라 진공홈(G) 부위에서의 웨이퍼(W)는 심한 스트레스를 받게 되며, 특히 얇은 두께의 티솝(TSOP: Thin Small Out-line Package) 웨이퍼(W)의 경우 그 정도가 심할 뿐 아니라 티솝 웨이퍼(W)의 가장자리 부위는 상대적으로 정상 위치로부터 들뜬 상태로 있게되어 캐리어에 다시 수용토록 하는 과정에서 캐리어의 선단부와 충돌 및 그에 따른 손상이나 파손이 발생되는 등의 문제를 유발하게 된다.Accordingly, the wafer (W) in the vacuum groove (G) region is subject to severe stress, especially in the case of a thin small out-line package (TSOP) wafer (W) is not only severe but also a teat wafer The edge portion of (W) remains in a relatively excited state from the normal position and causes problems such as collision with the leading end of the carrier and the resulting damage or damage in the process of being accommodated in the carrier again.

또한, 진공홈(G) 부위에 대응하는 웨이퍼(W) 부위는 그 진공압에 의해 휘어짐에 의해 그 상면에 형성된 공정층이 손상 또는 파손되는 경우가 발생되고, 또 그렇게 변형된 상태로 유지될 경우 웨이퍼(W) 상면에 대한 공정 균일도가 저하되어 제조되는 반도체장치의 품질 저하 및 공정 불량으로 인한 제조수율의 저하를 초래하게 된다.In the case where the wafer W corresponding to the vacuum groove G portion is bent by the vacuum pressure, the process layer formed on the upper surface thereof is damaged or broken, and when the wafer W portion is maintained in such a deformed state. Process uniformity with respect to the upper surface of the wafer W is reduced, resulting in a decrease in manufacturing yield due to deterioration in quality of the semiconductor device to be manufactured and process failure.

본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 캐리어와 공정 수행 위치로 웨이퍼를 이송토록 하기 위해 웨이퍼를 흡착 고정함에 있어서, 웨이퍼의 변형이나 손상됨을 방지하도록 하여 그에 따른 공정의 균일도 향상과 공정 불량 방지 및 제조되는 반도체장치의 품질과 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척을 제공함에 있다.An object of the present invention is to solve the problems according to the prior art described above, in the process of adsorbing and fixing the wafer to transfer the wafer to the carrier and the process performing position, to prevent the deformation or damage of the wafer to thereby process The present invention provides a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP facility for improving the uniformity, preventing process defects, and improving the quality and yield of manufactured semiconductor devices.

도 1은 종래의 반도체 CMP 설비의 진공척에 의한 웨이퍼의 변형 및 그에 따른 손상 관계를 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 부분 절취 단면도이다.FIG. 1 is a partial cutaway cross-sectional view schematically illustrating a deformation of a wafer by a vacuum chuck of a conventional semiconductor CMP facility and a related damage relationship.

도 2는 도 1에 도시된 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 평면도이다.FIG. 2 is a partial cutaway plan view schematically illustrating the configuration of the vacuum chuck illustrated in FIG. 1.

도 3은 종래의 반도체 CMP 설비의 진공척 구성 중 양면에 웨이퍼를 흡착하도록 하는 구성의 일 측면을 개략적으로 나타낸 부분 절취 평면도이다.FIG. 3 is a partial cutaway plan view schematically illustrating one side of a configuration for adsorbing wafers on both sides of a vacuum chuck configuration of a conventional semiconductor CMP facility. FIG.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 평면도이다.4 is a partial cutaway plan view schematically illustrating a configuration of a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 평면도이다.5 is a partial cutaway plan view schematically illustrating a configuration of a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 구성의 Ⅵ-Ⅵ 선을 기준하여 웨이퍼 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 단면도이다.FIG. 6 is a partial cutaway cross-sectional view schematically illustrating a configuration of a wafer vacuum chuck based on the VI-VI line of the configuration illustrated in FIG. 5.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10a, 10b: 아암 12a, 12b: 진공홈10a, 10b: arm 12a, 12b: vacuum groove

14a, 14b: 진공통로16a, 16b: 지지돌기14a, 14b: vacuum passage 16a, 16b: support protrusion

18a, 18b: 코팅층18a, 18b: coating layer

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 구성은, 내부에 독립하는 적어도하나 이상의 진공통로가 형성된 아암과; 웨이퍼의 저면에 대향하여 평탄도를 이루는 상기 아암의 상면 소정 부위에 상기 진공통로와 연통하게 소정 폭과 깊이를 이루도록 형성되는 진공홈과; 상기 진공홈의 바닥 부위로부터 상기 아암의 상면 높이까지 평탄면을 이루며 적어도 하나 이상 연장 돌출되는 지지돌기와; 상기 지지돌기를 포함한 상기 아암의 단부 부위에 웨이퍼의 저면에 접촉 대향하도록 소정 두께로 증착되는 코팅층;을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, there is provided an arm having at least one vacuum passage formed therein; A vacuum groove formed on a predetermined portion of the upper surface of the arm that is flat to face the bottom surface of the wafer so as to have a predetermined width and depth in communication with the vacuum passage; A support protrusion extending from the bottom portion of the vacuum groove to an upper surface height of the arm and extending at least one; And a coating layer deposited to a predetermined thickness so as to contact the bottom surface of the wafer at an end portion of the arm including the support protrusion.

또한, 상기 지지돌기는 상기 지지홈의 측벽으로부터 연장된 형상으로 적어도 두 개 이상 형성될 경우 각각의 배치가 상호 엇갈린 형상을 이루도록 형성됨을 특징으로 하고, 상기 코팅층의 재질로는 우레탄수지 또는 실리콘 러버를 사용함이 바람직하다.In addition, the at least two support protrusions may be formed to form mutually staggered shapes when at least two or more are formed in a shape extending from the sidewall of the support groove, and the coating layer may be made of urethane resin or silicone rubber. It is preferable to use.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 평면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 평면도이며, 도 6은 도 5에 도시된 구성의 Ⅵ-Ⅵ 선을 기준하여 웨이퍼 진공척의 구성을 개략적으로 나타낸 부분 절취 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 동일한 부호를 부여하고, 그에 따른 상세한 설명은 생략하기로 한다.4 is a partial cutaway plan view schematically illustrating a configuration of a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP facility according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 schematically illustrates a configuration of a wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP facility according to another embodiment of the present invention. 6 is a partial cutaway plan view schematically illustrating a structure of a wafer vacuum chuck based on the VI-VI line of the configuration shown in FIG. 5, and the same reference numerals are given to the same parts as in the related art. Detailed description will be omitted.

본 발명에 따른 반도체 CMP설비의 웨이퍼 진공척 구성은, 도 4에 도시된 바와 같이, 소정 폭과 두께 및 길이를 갖는 장방형의 아암(10a, 10b)을 이루고, 이아암(10a, 10b)의 일측 단부 부위는 로봇수단(도면의 단순화를 위하여 생략함)과 통상의 방법으로 연결 고정된다.The wafer vacuum chuck configuration of the semiconductor CMP apparatus according to the present invention, as shown in Figure 4, forms a rectangular arm (10a, 10b) having a predetermined width, thickness and length, one side of the arm (10a, 10b) The end portion is connected and fixed in a conventional manner with the robotic means (omitted for the sake of simplicity of the drawing).

또한, 상술한 아암(10a, 10b)의 상대측 단부 부위는, 도 4에 도시된 바와 같이, 동일한 폭을 유지하는 형상으로 연장된 형상, 또는 도 5에 도시된 바와 같이, 그 넓이가 외측으로 보다 확장 형성된 형상을 이루며, 웨이퍼(W)의 저면에 대향하여 밀착 가능하도록 소정의 평탄도를 이루고 있다.In addition, the relative end portions of the arms 10a and 10b described above are extended in a shape maintaining the same width as shown in FIG. 4, or as shown in FIG. It has an expanded shape, and has a predetermined flatness to be in close contact with the bottom surface of the wafer (W).

그리고, 아암(10a, 10b)의 내부에는, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상술한 로봇수단과 연결되는 부위로부터 연장되어 상대측의 평탄도를 이루는 부위의 그 내측까지 이르는 적어도 하나 이상의 진공통로(14a, 14b)가 형성된다.At least one vacuum inside the arms 10a and 10b extends from the portion connected to the robot means described above to the inner side of the portion forming the flatness of the opponent side, as shown in FIGS. 4 to 6. Passages 14a and 14b are formed.

또한, 소정의 평탄도를 갖는 표면의 중심 부위 소정 영역 부위에는 상술한 진공통로(14a, 14b)와 연통하게 그 표면으로부터 소정 깊이와 넓이로 함몰된 형상을 이루는 진공홈(12a, 12b)이 형성되고, 이 진공홈(12a, 12b)의 바닥 부위에는 아암(10a, 10b)의 평탄한 표면과 동일한 높이의 두께를 이루며 소정 폭과 길이 및 형상을 갖는 지지돌기(16a, 16b)가 적어도 하나 이상 연장 돌출된다.Further, in the central region predetermined region portion of the surface having a predetermined flatness, vacuum grooves 12a and 12b are formed in a shape recessed in a predetermined depth and width from the surface in communication with the vacuum passages 14a and 14b described above. At least one support protrusion 16a, 16b having a width, a length, and a shape having the same height as the flat surfaces of the arms 10a, 10b extends to the bottom portion of the vacuum grooves 12a, 12b. It protrudes.

여기서, 상술한 지지돌기(16a, 16b)는 적어도 두 개 이상 형성될 경우 각각의 배치는 상술한 진공홈(12a, 12b)의 측벽으로부터 연장된 형상으로 각각이 상호 소정 간격을 두고 엇갈리는 형상을 이루게 되고, 이들 지지돌기(16a, 16b)의 표면 부위와 진공홈(12a, 12b) 주연의 아암(10a, 10b) 표면 부위에는 웨이퍼(W)의 저면에 접촉 대향함에 있어서 웨이퍼(W)의 손상을 방지토록 유연한 재질의 코팅층(18a, 18b)이 증착된 형상으로 구비된다.Here, when at least two of the above-described support protrusions 16a and 16b are formed, the respective arrangements extend from the sidewalls of the vacuum grooves 12a and 12b as described above, so that each of the support protrusions 16a and 16b are alternately spaced apart from each other by a predetermined interval. On the surface portions of these support protrusions 16a and 16b and the surface portions of the arms 10a and 10b around the vacuum grooves 12a and 12b, the wafer W is damaged in contact with the bottom surface of the wafer W. To prevent the coating layer (18a, 18b) of a flexible material is provided in a deposited shape.

그리고, 상술한 코팅층(18a, 18b)의 지질로는 우레탄수지 또는 실리콘러버 등의 합성수지 재질로 구성함이 바람직하다.In addition, the lipid of the coating layers 18a and 18b described above is preferably made of synthetic resin such as urethane resin or silicone rubber.

이러한 구성에 의하면, 상술한 진공통로(14a, 14b)와 진공홈(12a, 12b)을 통해 전달되는 진공압에 대응하여 진공홈(12a, 12b) 상의 웨이퍼(W)가 진공압에 빨려 들어가듯 함몰되게 변형되는 것을 진공홈(12a, 12b) 상에 돌출 형성된 지지돌기(16a, 16b)가 받쳐 지지하게 됨으로써 그 부위에서의 웨이퍼(W)에 가해지는 진공압의 힘으로부터 작용하는 스트레스와 웨이퍼(W)의 변형을 방지하게 되고, 얇은 두께의 티솝 웨이퍼(W)의 경우에 있어서도 상술한 지지돌기(16a, 16b)의 개수와 상호간의 간격을 조밀하게 형성함으로써 충분한 진공압의 전달과 더불어 웨이퍼(W)의 변형이나 손상을 방지하게 된다.According to this configuration, the wafer W on the vacuum grooves 12a and 12b is sucked into the vacuum pressure in response to the vacuum pressures transmitted through the vacuum passages 14a and 14b and the vacuum grooves 12a and 12b described above. Since the support protrusions 16a and 16b protruding on the vacuum grooves 12a and 12b are supported by the recessed deformation, the stress and the wafer acting from the force of the vacuum pressure applied to the wafer W at the site ( W) is prevented from being deformed, and even in the case of a thin-thickness wafer W, the number of support protrusions 16a and 16b described above and the spacing of the support densities are densely formed to provide sufficient vacuum pressure transfer and the wafer ( W) to prevent deformation or damage.

이를 통해 로봇수단의 구동에 따른 웨이퍼(W)의 이송 과정에서 정상적으로 캐리어(도면의 단순화를 위하여 생략함) 또는 공정 수행 위치에서의 충돌 또는 공정의 불균일 등의 문제 발생을 억제하게 되고, 더불어 웨이퍼(W) 표면상의 공정층 손상 또는 파손이 방지되며, 이를 통해 이후의 공정 균일도가 높아지게 되어 제조되는 반도체장치의 품질과 제조수율이 향상되게 된다.In this way, during the transfer of the wafer W according to the driving of the robot means, problems such as a carrier (omitted for the sake of simplicity of the drawing) or a process execution position or a problem such as nonuniformity of the process are suppressed and the wafer ( W) Damage or breakage of the process layer on the surface is prevented, thereby increasing process uniformity thereafter, thereby improving quality and manufacturing yield of the semiconductor device to be manufactured.

따라서, 본 발명에 의하면, 캐리어와 공정 수행 위치로 웨이퍼를 이송토록 하기 위해 웨이퍼를 흡착 고정함에 있어서, 진공압에 대응하여 웨이퍼의 변형이나 손상됨이 방지되고, 그에 따른 공정의 균일도 향상과 공정 불량 방지 및 제조되는반도체장치의 품질과 수율이 향상되는 효과가 있게 된다.Therefore, according to the present invention, in adsorbing and fixing a wafer to transfer the wafer to a carrier and a process performing position, deformation or damage of the wafer is prevented in response to vacuum pressure, thereby improving process uniformity and preventing process defects. And it is effective to improve the quality and yield of the semiconductor device to be manufactured.

본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.

Claims (4)

내부에 독립하는 적어도 하나 이상의 진공통로가 형성된 아암과;An arm having at least one independent vacuum passage formed therein; 웨이퍼의 저면에 대향하여 평탄도를 이루는 상기 아암의 상면 소정 부위에 상기 진공통로와 연통하게 소정 폭과 깊이를 이루도록 형성되는 진공홈과;A vacuum groove formed on a predetermined portion of the upper surface of the arm that is flat to face the bottom surface of the wafer so as to have a predetermined width and depth in communication with the vacuum passage; 상기 진공홈의 바닥 부위로부터 상기 아암의 상면 높이까지 평탄면을 이루며 적어도 하나 이상 연장 돌출되는 지지돌기와;A support protrusion extending from the bottom portion of the vacuum groove to an upper surface height of the arm and extending at least one; 상기 지지돌기를 포함한 상기 아암의 단부 부위에 웨이퍼의 저면에 접촉 대향하도록 소정 두께로 증착되는 코팅층;A coating layer deposited on the end portion of the arm including the support protrusion in contact with a bottom surface of the wafer to have a predetermined thickness; 을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척.Wafer vacuum chuck of a semiconductor CMP facility, characterized in that comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지돌기는 상기 지지홈의 측벽으로부터 연장된 형상으로 적어도 두 개 이상 형성될 경우 각각의 배치가 상호 엇갈린 형상을 이루도록 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척.The support projection is a wafer vacuum chuck of the semiconductor CMP installation, characterized in that when at least two or more formed in a shape extending from the side wall of the support groove to form a mutually staggered shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코팅층의 재질은 우레탄수지임을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척.The material of the coating layer is a wafer vacuum chuck of the semiconductor CMP facility, characterized in that the urethane resin. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 코팅층의 재질은 실리콘러버임을 특징으로 하는 상기 반도체 CMP 설비의 웨이퍼 진공척.The material of the coating layer is a wafer vacuum chuck of the semiconductor CMP facility, characterized in that the silicon rubber.
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