KR20030009039A - Memory with Call Out Function - Google Patents

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KR20030009039A
KR20030009039A KR1020017013981A KR20017013981A KR20030009039A KR 20030009039 A KR20030009039 A KR 20030009039A KR 1020017013981 A KR1020017013981 A KR 1020017013981A KR 20017013981 A KR20017013981 A KR 20017013981A KR 20030009039 A KR20030009039 A KR 20030009039A
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data
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storage
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KR1020017013981A
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빌라렛이베스에매뉴얼
프로코페츠세뮤얼
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멤콜 엘엘씨
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C15/00Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores

Abstract

본 발명은 각각의 기억장치 셀에 제공되는 비트 마스크 회로를 갖는 기억장치 셀의 배열로 구성되는 기억장치 시스템에 관한것으로서, 상기 기억장치 시스템은 또한 어드레스 버스 라인의 세트, 데이타 버스 라인의 세트, 오리진 버스 라인의 세트, 및 제어 라인의 세트를 갖는 버스 회로로 구성되어있고, 각각의 기억장치 셀은 상기 라인의 세트의 각각에 연결되어있다. 제어라인은 세개의 조작 모드중 하나에서 시스템의 조작을 선택적으로 가능하게 한다. 또한 제어라인은 검색조작에 사용되는 예정된 세트의 관계중의 하나를 선택하기 위한 수단을 포함하고 있다. 첫번째 조작모드에서, 시스템은 상기 데이타 버스에 적용된 데이타를 상기 어드레스 버스에 적용된 데이타에 의하여 형성된 위치를 갖는 기억장치 셀에 저장한다.The present invention relates to a storage system consisting of an array of storage cells having a bit mask circuit provided in each storage cell, said storage system further comprising a set of address bus lines, a set of data bus lines, an origin. And a bus circuit having a set of bus lines, and a set of control lines, each memory cell being connected to each of the set of lines. The control line selectively enables operation of the system in one of three modes of operation. The control line also includes a means for selecting one of a predetermined set of relationships to be used for the search operation. In the first mode of operation, the system stores the data applied to the data bus in a storage cell having a location formed by the data applied to the address bus.

두번째 조작모드에서, 어드레스 버스에 의하여 형성된 위치를 갖는 기억장치 셀은 상기 셀에 저장된 데이타를 데이타 버스에 설정한다. 세번째 조작모드에서, 검색된 데이타는 어드레스 버스에 적용되고 이것은 매칭 데이타를 갖는 각각의 기억장치 셀이 상기 기억장치 셀의 어드레스를 나타내는 값을 데이타 버스에 적용하는 방식에 의하여 검색되며, 상기 기억장치 셀은 검색된 데이타와 부합하는 데이타를 갖는 다른 기억장치 셀에 의하여 어드레스 버스에 적용된 어드레스 바이트와 미리 선택된 관계를 검증하고, 그 후에 상기 셀의 비트는 특정 기억장치 셀의 위치가 애정된 방향에서 매칭 데이타를 갖는 모든 셀 중에서 오리진 버스에 설정된 데이타에 가장가까운 경우에만 셀 어드레스 데이타 버스에 나타나도록 상기 비트 마스크회로에 의하여 마스크 된다.In the second mode of operation, the storage cell having a position formed by the address bus sets the data stored in the cell on the data bus. In the third mode of operation, the retrieved data is applied to the address bus, which is retrieved by the manner in which each storage cell having matching data applies a value representing the address of the storage cell to the data bus, the storage cell being Verify a preselected relationship with an address byte applied to the address bus by another storage cell having data that matches the retrieved data, after which bits of the cell have matching data in the direction in which the location of the particular storage cell is affected It is masked by the bit mask circuit so that it appears on the cell address data bus only if it is closest to the data set on the origin bus among all the cells.

Description

콜 아웃 기능을 갖는 기억장치 {Memory with Call Out Function}Memory with Call Out Function

컴퓨터 시스템에서, 중앙처리장치(CPU)는 일반적으로 기억장치에 연결되어 있다. CPU 조작 프로그램에 의하여 수행될 루틴 조작의 하나는 특정 데이타가 저장되는 기억장치 셀을 검색하기 위하여 기억장소의 예정된 부분을 스캐닝하는 것이다. 검색된 데이터의 위치는 미리 알려져 있지 않기 때문에 스캐닝 조작은 CPU가 기억장치의 전체부분을 스캔하게 하고, 각각의 셀에 주소 지정하고, 상기 셀에서데이타를 판독하고 이것을 검색 데이타와 비교하는 장시간의 공정이다.In computer systems, a central processing unit (CPU) is generally connected to a storage device. One routine operation to be performed by the CPU operation program is to scan a predetermined portion of the storage location to retrieve a storage cell in which specific data is stored. Since the location of the retrieved data is not known in advance, a scanning operation is a long process that allows the CPU to scan the entire portion of the storage, address each cell, read the data from the cell and compare it with the retrieved data. .

공지 기술은 이름, 연령 및 이름이 알파벳 순서로 배열되어 있는 다른 개개인의 데이타의 광범위한 리스트를 저장하는 기억장치를 갖는 컴퓨터 시스템의 일예에 의하여 증명될 수도 있다. 연령이 20인 모든사람의 리스트가 요구되는 경우, 컴퓨터 시스템은 전체 기억장치를 스캔하게 되고, 리스트상의 사람의 각각의 연령을 판독하고, 연령이 20인 경우에 개개의 이름을 새로운 리스트에 기록한다. 10만 사람의 리스트를 위하여는 프로그램은 10만 조작을 수행할 필요가 있게 된다.The known technology may be demonstrated by an example of a computer system having a storage device that stores an extensive list of data of other individuals whose names, ages and names are arranged in alphabetical order. If a list of all ages of 20 is required, the computer system scans the entire storage, reads each age of each person on the list, and records each name in a new list if the age is 20. . For a list of 100,000 people, the program would need to perform 100,000 operations.

따라서, 기억장치 시스템 데이타의 각각을 스캐닝함이 없이 기억장치 시스템에 데이타를 위치시키는 새로운 시간 절약 공정을 설계할 필요가 있다. 그와 같은 공정은 개인용 컴퓨터, 인터넷 서어버, 컴퓨터 생산 방법, 데이타 처리 및 컴퓨터시스템을 이용하는 다른 기술을 포함하는 많은 분야에서 효율을 향상시키는 거의 일반적인 응용을 갖게 된다.Thus, there is a need to design a new time saving process for placing data in the storage system without scanning each of the storage system data. Such processes have almost common applications that improve efficiency in many areas, including personal computers, Internet servers, computer production methods, data processing, and other technologies using computer systems.

공지 기술에서 내용 주소화 기억장치(CAM)를 사용하는 것은 공지되어 있다. 그러나 현존하는 CAM장치는 통상적인 기억장치와 다르며, 현존하는 CAM장치는 특별히 적합된 인터페이스 회로(미국 특허 제4805093호)의 사용을 요한다. 또한 종래 기술은 시스템이 통상적인 판독/기록 조작 및 CAM 데이타 탐색을 수행하는 것이 가능하도록 하기 위하여 개개의 장치가 요구된다는 결점이 있다. 따라서, 데이타 버스와 어드레스 버스를 경유하여 중앙처리장치에 연결될 수 있으며 따라서 대부분의 통상적인 컴퓨터 시스템에 사용될 수 있는 CAM장치를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 이와는 달리 표준 및 콜 아웃 모드로 조작될 수 있는 장치를 갖는 것이 바람직하다.It is known to use content addressable storage (CAM) in the known art. However, existing CAM devices differ from conventional storage devices, and existing CAM devices require the use of specially adapted interface circuits (US Pat. No. 4,850,593). The prior art also has the drawback that individual devices are required to enable the system to perform conventional read / write operations and CAM data searching. Thus, it is desirable to have a CAM device that can be connected to the central processing unit via a data bus and an address bus and thus can be used in most conventional computer systems. It would also be desirable to have a device that could otherwise be operated in standard and call out modes.

몇몇 공지의 CAM 시스템에서 통상적으로 반응시간은 검색되는 기억장치의 크기에 따라 증가하는데, 그 이유는 각각의 셀이 차례로 지나가는 신호에 의하여 셀들이 연결되거나 (미국 특허 제4805093호) 또는 검색 기능이 스캐닝 기구에 의하여 수행된다 (미국 특허 제 5502832호)는 것이다. 다른 공지 시스템에서, 매치 신호는 셀을 통하여 전파되어 차례로 셀의 각각을 지나가므로, 매칭 셀이 오리진(Origin)으로부터 멀리 있는 경우, 반응시간은 모든 셀에서 일어나는 약간의 전파지연으로 인하여 길어지게 된다.In some known CAM systems, the response time typically increases with the size of the memory being searched for, because the cells are connected by a signal passing each cell in turn (US Pat. No. 4,850,593) or the scanning function is scanned. (US Pat. No. 5,502,832). In other known systems, the match signal propagates through the cells and passes through each of the cells in turn, so that when the match cell is far from the origin, the response time is long due to some propagation delay occurring in all cells.

공지 기술의 몇몇 CAM에서, 저장될 데이타의 어드레스는 구체화 되어 있지 않다. 상기 장치는 장치 논리에 의하여 결정된 어드레스에 데이타를 저장하며, 데이터의 검색은 컨텐트 어드레싱에 의해서만 달성될 수도 있다. 따라서, 데이타 저장이 어드레스 버스에 셀의 어드레스를 명기하고 저장될 데이타를 데이타 버스에 제공함으로서 수행되는 기억장치를 갖는 것이 바람직하며, 데이타는 통상적인 기억장치에서와 동일한 방식으로 저장 및 검색될 수 있으며, 콜 아웃 검색 모드가 추가적인 기능으로서 제공된다.In some CAMs of the known art, the address of the data to be stored is not specified. The device stores data at an address determined by the device logic, and retrieval of the data may be accomplished only by content addressing. Therefore, it is desirable to have a storage device in which data storage is performed by specifying an address of a cell on an address bus and providing data to the data bus to be stored, and the data can be stored and retrieved in the same manner as in a conventional storage device. A callout search mode is provided as an additional feature.

미국 특허 제5568416호에 기술되어 있는 다른 공지 장치에 있어서, CAM은 다수의 기억장치 셀을 포함하고 있고, 각각의 셀에서 매치 출력라인이 제공되고, 모든 셀로 부터 모든 매치 출력라인은 최고의 우선순위 매칭 셀의 어드레스를 발생시키는 우선순위 암호기에 연결되어 있다. 이와 같은 형식의 공지 기술에 있어서, 우선순위 암호기는 셀의 각각에 대하여 하나씩 다수의 입력을 포함할 필요가 있다.따라서, 다수의 게이트와 넓은 표면은 우선순위 암호기에 대해 셀의 각각으로부터 매칭 라인의 루팅을 고려하도록 요구되므로, 이들 CAM의 용량이 매우 제한된다.In another known apparatus described in US Pat. No. 5,554,616, the CAM includes a plurality of storage cells, each of which is provided with a match output line, and all match output lines from all cells match the highest priority. It is connected to a priority encryptor that generates an address for the cell. In a known technique of this type, the priority encryptor needs to include a number of inputs, one for each of the cells. Thus, a number of gates and a large surface may require the matching of lines from each of the cells to the priority encryptor. Since the routing is required to be considered, the capacity of these CAMs is very limited.

따라서, 전체적인 회로를 통하여 조작되지 않는 콜 아웃 기억장치를 갖는 것이 바람직하며, 이 경우 "콜 아웃(Call Out)" 기능이 셀의 각각에 따로 따로 부가되어 있다. 각각의 셀이 어드레스 버스, 데이타 버스 및 오리진 버스에 독립하여 연결되어 있는 평행 조직을 갖는 그와 같은 기억장치에 있어서, 반응시간은 기억장치의 크기에 좌우되지 않을 뿐만 아니라 "콜 아웃" 기능을 이용하는데 필요한 검색데이타의 위치 및 논리 게이트의 수에 좌우되지 않는다. 이와 같은 형식의 장치는 대형 기억장치가 저렴한 비용으로 실행될 수도 있고 또 평행한 구조의 몇몇 "콜 아웃" 장치로 인하여 대형 기억장치를 실행하는데 사용될 수도 있다는 이점이 있다.Therefore, it is desirable to have a call out storage device that is not operated through the entire circuit, in which case a "Call Out" function is added to each of the cells separately. In such a memory having parallel organization in which each cell is connected independently to the address bus, data bus and origin bus, the response time is not only dependent on the size of the memory but also utilizes the "call out" function. It does not depend on the position of the search data and the number of logic gates required to do so. This type of device has the advantage that large storage may be implemented at low cost and may also be used to implement large storage due to some "call out" devices of parallel structure.

본 발명은 컴퓨터 검색 시스템 같은 전자 검색 시스템의 조작 속도를 증가시키는 방법 및 컴퓨터, 전자 시스템, 인터넷 서어버에 유익한 기억장치의 구현에 사용되는 증가된 속도 기억장치 및 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a method of increasing the speed of operation of an electronic search system, such as a computer search system, and to increased speed storage and circuitry used in the implementation of storage devices beneficial to computers, electronic systems, and Internet servers.

본 발명의 장치 및 방법은 기억장치에 이미 저장된 일정한 데이타의 위치를 검색하는 수단을 제공하면서 기억장치에서 모든 데이타를 스캔하는 필요성을 제거하여 주는 시스템의 검색순서를 크게 향상시켜준다. 기억장치의 많은 셀이 요구에 응답할 수도 있다는 사실에도 불구하고 본 발명의 회로에 포함되는 새로운 논리 소자로 인하여 단지 하나의 어드레스만이 나타난다. 따라서 검색된 데이타를 포함하는 하나의 기억장치를 검색하는데 요구되는 시간은 단일 기억장치 주기에 맞게 감소된다.The apparatus and method of the present invention greatly enhances the search order of the system, which provides a means of retrieving the location of certain data already stored in the storage device while eliminating the need to scan all data in the storage device. Despite the fact that many cells of the memory may respond to the request, only one address appears due to the new logic elements included in the circuit of the present invention. Thus, the time required to retrieve one storage containing the retrieved data is reduced for a single storage cycle.

도1은 본 발명에 따른 콜 아웃 기억장치의 개략적인 구조를 나타낸 것이고, 도2는 콜 아웃 기억장치 셀에 대한 개략적인 블록선도이며, 도3은 셀 어드레스의 설정된 비트에 대한 비트 마스크 회로를 나타낸 것이며, 도4는 "우선순위 마스크" 회로를 나타낸것이고, 도5는 "우선순위 마스크" 회로의 일예를 나타낸 것이며, 도6은 오리진 보다 열등한 어드레스를 갖는 셀을 선택 하는데 사용되는 "레인지(Range)" 회로를 나타낸 것이고, 도7은 비교기에 입력을 선택하는데 사용될 수있는 논리장치의 일예를 나타낸 것이다.Fig. 1 shows a schematic structure of a call out memory according to the present invention, Fig. 2 is a schematic block diagram of a call out memory cell, and Fig. 3 shows a bit mask circuit for a set bit of a cell address. 4 shows an "priority mask" circuit, FIG. 5 shows an example of a "priority mask" circuit, and FIG. 6 shows a "range" used to select a cell having an address inferior to the origin. 7 shows an example of a logic device that can be used to select an input to a comparator.

본 발명을 컴퓨터 검색 시스템 같은 전자 검색 시스템의 조작속도를 증가시키는 방법 및 컴퓨터, 전자 시스템, 인터넷 서어버에 유익한 기억장치의 구현에 사용되는 증가된 속도 기억장치 및 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a method for increasing the operation speed of an electronic search system such as a computer search system and to an increased speed memory and circuit for use in the implementation of a storage device beneficial to a computer, an electronic system and an internet server.

본 발명의 장치 및 방법은 기억장치에 이미 저장된 주어진 데이타의 위치를 검색하는 수단을 제공하면서 기억장치에서 모든 데이타를 스캔하는 필요성을 제거하여 주는 시스템의 검색순서를 크게 향상시켜준다. 기억장치의 많은 셀이 요구에 응답할 수도 있다는 사실에도 불구하고 본 발명의 회로에 포함되는 새로운 논리소자로 인하여 단지 하나의 어드레스만이 나타난다. 따라서 검색된 데이타를 포함하는 하나의 기억장치를 검색하는데 요구되는 시간은 단일 기억장치 주기에 맞게 감소된다.The apparatus and method of the present invention greatly enhances the search order of the system, providing a means of retrieving the location of a given data already stored in the storage device while eliminating the need to scan all data in the storage device. Despite the fact that many cells of the memory may respond to the request, only one address appears due to the new logic included in the circuit of the present invention. Thus, the time required to retrieve one storage containing the retrieved data is reduced for a single storage cycle.

부가적인 기억장치 셀의 라인의 세트가 검색을 위한 "오리진(Origin)"을 형성하는데 사용되고, 나타난 매칭 데이타를 갖는 셀의 어드레스는 미리 정의된 방향에서 "오리진" 어드레스에 가장 가까운 어드레스이며, 검색은 모든 매칭 데이타가 위치 결정될 때까지 상기 방향에서 반복될 수 있다.A set of lines of additional storage cells is used to form an "origin" for retrieval, and the address of the cell with the matching data indicated is the address closest to the "origin" address in the predefined direction, and the retrieval is It can be repeated in this direction until all matching data is located.

기억장치는 새로운 기억장치 셀의 배열을 포함하며, 상기 셀 각각은 오리진 및 기타 매칭 셀에 대한 셀의 위치에 따라 검색 데이타의 출력을 선택적으로 억제하는 마스킹 회로를 포함하고 있다.The storage device includes an array of new storage cells, each of which includes a masking circuit that selectively suppresses the output of the search data in accordance with the cell's position relative to the origin and other matching cells.

기억장치는 각각의 셀이 어드레스 버스, 데이타 버스 및 오리진 버스로 구성되는 버스 시스템에 독립적으로 연결되어 있는 평행한 조직을 갖고 있다. 데이타 저장은 어드레스 버스에 셀의 어드레스를 명기한 다음 저장될 데이타를 데이타 버스에 보내므로서 행하여 지며, 데이타는 통상적인 기억장치에서와 같은 방식으로 저장 및 검색될 수 있고, 콜 아웃 검색 모드가 추가적인 기능으로서 제공된다.The memory device has a parallel structure in which each cell is independently connected to a bus system consisting of an address bus, a data bus and an origin bus. Data storage is done by specifying the address of the cell on the address bus and then sending the data to be stored on the data bus, where the data can be stored and retrieved in the same manner as in conventional storage, and a callout search mode is added. It is provided as a function.

공지 기술의 상기 실시예와 비교하기 위하여, 5천명만이 연령이 20세인 만명에 대한 데이타를 저장하는 기억장치를 예시한다. 본 발명의 기억장치는 먼저 예정된 방향에서 리스트의 최상측 항목의 어드레스에 오리진 어드레스를 설정하도록 프로그램한다. 그 다음 시스템은 콜 아웃 모드로 조작되게 되고, 데이타(연령 : 20)가 어드레스 버스에 설정되게 된다. 그 다음 콜 아웃 기억장치는 예정된 방향에서 리스트의 가장 윗쪽에 있는 연령20세인 사람의 어드레스를 데이타 버스에 설정하게 된다. 그 다음 프로세서는 상기 어드레스에서 데이타를 표준 모드로 판독하여 이를새로운 리스트에 기록하게 된다. 그 다음 프로세서는 먼저 검색된 이름의 어드레스에 오리진을 설정하고 콜 아웃 모드에서 검색을 반복하게 된다. 이 절차를 오천번 반복한 후 검색된 데이타(연령 : 20)의 완전한 리스트를 얻게 된다. 공지 기술의 방법은 동일한 결과에 도달하기 위하여 10만번의 조작을 요하게 되는데, 이는 본 발명이 공지 기술에 비하여 검색 방법이 20배 빠르다는 것을 보여주는 것이다.In comparison with the above-described embodiment of the known art, only 50 people illustrate a storage device that stores data for 10,000 people who are 20 years old. The storage device of the present invention first programs to set the origin address at the address of the top item of the list in the predetermined direction. The system is then operated in call out mode and data (age 20) is set on the address bus. The callout storage then sets the address on the data bus for the 20-year-old person at the top of the list in the intended direction. The processor then reads the data from the address in standard mode and writes it to a new list. The processor then first sets the origin to the address of the retrieved name and repeats the search in callout mode. After repeating this procedure five thousand times, you get a complete list of the retrieved data (age: 20). The known technique requires 100,000 operations to reach the same result, which shows that the present invention is 20 times faster than the known technique.

본 발명의 중요한 이점은 장치가 두개의 다른 모드로 조각할 수 있다는 것으로서, 첫번째 모드(표준)에서 기능은 일반적인 기억장치의 기능과 유사하고, 두번째 모드(콜 아웃)에서 장치는 콜 아웃 기능을 실행한다.An important advantage of the present invention is that the device can be sculpted in two different modes, in which the function in the first mode (standard) is similar to that of normal storage, and in the second mode (call out) the device executes the call out function. do.

본 발명의 다른 이점은 장치 구조가 일반적으로 사용되는 컴퓨터 장치와 양립성이 있으며, 상이한 형태의 표준 기억장치와 함께 또는 이 대신에 사용될 수 있다는 점이다.Another advantage of the present invention is that the device structure is compatible with commonly used computer devices, and can be used with or instead of different types of standard storage devices.

본 발명의 또 다른 이점은 "콜 아웃" 기능을 실행하는데 필요한 논리 게이트의 수가 기억장치의 크기와 선형적으로만 증가하므로 대형 기억장치가 저렴한 비용으로 실행될 수 있다는 점이다.Another advantage of the present invention is that large memory can be implemented at low cost since the number of logic gates required to perform the "call out" function increases only linearly with the size of the memory.

본 발명의 목적은 컴퓨터 시스템과 같은 통상적인 전자 시스템에 적용될 수 있는 신규 기억장치에서 실행되는 결합된 콜 아웃 기억장치 및 통상적인 기억 방법을 제공함으로서 현존하는 기억장치 시스템의 결정을 극복하는데 있다.It is an object of the present invention to overcome the determination of existing storage systems by providing a combined call out storage and conventional storage method implemented in novel storage devices that can be applied to conventional electronic systems such as computer systems.

본 발명의 기억장치는 새로운 기억장치 셀의 배열을 포함하며, 각각의 기억장치 셀은 표준형태의 저장 대역 및 소위 "콜 아웃" 기능을 실행하는 새로운 회로를 포함하고 있다. 기억장치는 두가지 다른 모드, 즉 "표준" 모드 및 "콜 아웃" 모드로 조작될 수 있다. 바람직한 실시예에 의하면, 장치의 조작 모드는 전용 연결선에 의하여 결정된다. 그러나, 콜 아웃 모드는 공지된 바와 같은 다른 인터페이스에 의하여 시작될 수도 있음은 물론이다.The storage device of the present invention includes an array of new storage cells, each of which includes a new type of storage band and a new circuit that implements a so-called " call out " function. The storage device can be operated in two different modes, a "standard" mode and a "call out" mode. According to a preferred embodiment, the mode of operation of the device is determined by a dedicated connection line. However, of course, the call out mode may be started by another interface as known.

기억장치에 있어서, 다수의 데이타 라인이 기억장치 셀의 각각에 평행하게 제공되어 연결되어 있으며, 이들 데이타 라인은 검색 어드레스의 "오리진"을 설정하기 위한 수단이다. 제 1 의 실시예에 있어서, 이들 데이타 라인은 하나의 특별한 기억장치 셀에 의하여 "오리진" 어드레스를 나타내는 일정한 상태로 내부에서 설정된다. 제 2 의 실시예에 있어서, 외부장치는 이들 데이타 라인의 상태를 설정하는데 사용된다.In a storage device, a plurality of data lines are provided and connected in parallel to each of the storage cells, and these data lines are means for setting the "origin" of the search address. In the first embodiment, these data lines are set internally in a constant state representing an "origin" address by one special memory cell. In the second embodiment, an external device is used to set the state of these data lines.

각각의 셀은 통상적으로 사용되는 기억장치로 부터 공지된 방식으로 데이타를 저장 및 검색 할 수 있다. 데이타는 CPU 같은 프로세서에 또는 프로세서로 부터 데이타를 전달하는 데이타 라인(데이타 버스)에 의하여 저장되거나 검색된다. 다른 세트의 라인(어드레스 버스)이 판독 또는 기록조작을 위해 특별한 기억장치 셀에 데이타를 보내는데 사용되며, 일반적으로 다수의 제어라인이 판독 또는 기록의 동작을 수행하는데 또한 사용된다. 데이타 버스, 어드레스 버스 및 제어라인의 집합은 일반적으로 시스템 버스라고 칭하여 진다. 시스템 버스는 추가적으로 출력 라인을 포함할수도 있다.Each cell can store and retrieve data in a manner known from commonly used storage devices. Data is stored or retrieved by a data line (data bus) that carries data to or from a processor such as a CPU. Other sets of lines (address buses) are used to send data to special storage cells for read or write operations, and in general multiple control lines are also used to perform the operations of read or write. The collection of data buses, address buses and control lines is generally referred to as a system bus. The system bus may additionally contain output lines.

본 발명의 방법 및 시스템에 있어서, 제어 라인과 같은 콜 아웃 모드로 기억장치를 설치하기 위한 수단이 제공된다. "콜 아웃"모드에서, 어드레스 및 데이타의 역할이 거꾸로 된다. 프로세서는 "어드레스 버스"에 페치될 데이타를 또는 "어드레스 버스"가 "데이타 버스"보다 소형 크기를 갖는 경우 그의 일부를 설정한다. 각가의 셀에서, 어드레스 버스에 적용된 어드레스 데이타를 기억장치 셀에 저장된 어드레스 데이타와 비교하는 공통회로가 셀에 저장된 데이타를 어드레스 버스 데이타와 비교하기 위하여 현재 사용되고 있다. 이는 셀 어드레스를 비교기에 입력하기위한 셀 데이타로 대체 시키는 전자 모듈을 첨가시키므로서 이루어 진다. 이 문맥에서 매치는 공지된 바와같은 어떠한 논리적 조합과 같거나 크거나 또는 적은 것과 같은 어떠한 예정된 관계와 관련이 있다.In the method and system of the present invention, means are provided for installing the storage device in a callout mode such as a control line. In the "call out" mode, the role of address and data is reversed. The processor sets the data to be fetched to the "address bus" or part of it if the "address bus" has a smaller size than the "data bus". In each cell, a common circuit for comparing the address data applied to the address bus with the address data stored in the storage cell is currently used to compare the data stored in the cell with the address bus data. This is done by adding an electronic module that replaces the cell address with cell data for input into the comparator. In this context a match is associated with any predetermined relationship, such as equal, greater or less than any logical combination as known.

몇몇 셀은 매칭 데이타를 포함할수도 있으나 하나의 셀의 어드레스 만이 데이타 버스에 설정되어야만 한다.Some cells may contain matching data, but only one cell's address must be set on the data bus.

따라서, 새로운 회로는 몇몇 라인에 데이타를 마스크 하는데 사용되며, 데이타 버스에 출현하는 데이타는 검색된 데이타를 함유하는 기억장치 셀 중의 단지하나의 어드레스를 나타낸다. 마스킹 회로가 각각의 기억장치 셀에 각각 첨가되어 평행한 기억장치 구조로 된다는 것이 본 발명의 독특한 특징이다.Thus, a new circuit is used to mask data on several lines, and the data appearing on the data bus represents only one address of the storage cell containing the retrieved data. It is a unique feature of the present invention that a masking circuit is added to each of the storage cells to form a parallel storage structure.

마스크 회로는 입력으로서 데이타 버스를 수신한다. 하나의 바람직한 실시예에 의하면, 내부 출력버스가 중간 버퍼로서 사용된다. 기억장치 셀이 어드레스 버스에 나타난 것과 부합하는 데이타를 함유하는 경우, 이 셀의 어드레스는 우선순위 마스크 회로에 논리적으로 조합되어 데이타 버스에서 출력이 된다. 각각 매칭 데이타를 함유하는 몇개의 셀은 우선순위 마스크에 그들의 어드레스를 적용할수도 있다. 그러나, 데이타 버스에 대한 얻어진 데이타 출력은 "오리진" 라인에 설정된 "오리진" 어드레스에 대해 사전설정된 방향에서 가장 가까운 어드레스값을 갖는 셀의 어드레스를 나타내게 된다.The mask circuit receives a data bus as an input. According to one preferred embodiment, an internal output bus is used as the intermediate buffer. If the storage cell contains data that matches that shown on the address bus, the address of this cell is logically combined in the priority mask circuit to be output on the data bus. Several cells, each containing matching data, may apply their address to the priority mask. However, the resulting data output for the data bus will represent the address of the cell with the closest address value in the predetermined direction for the " origin " address set on the " origin " line.

본 발명은 셀 어드레스가 데이타 버스에 대해 출력인 실시예에 대하여 기술하였지만, 부가적인 라인 세트같은 기타수단이 동일한 목적을 위해 사용될수도 있다는 것을 알 수 있다. 특히 출력버스는 중간 버퍼로서 사용될수도 있다. 그와같은 출력 버스는 컴퓨터 시스템과 접속하는 모듈을 달성하는 실제적이고 유용한 방법임은 물론이다.Although the present invention has been described with respect to embodiments in which the cell address is output to the data bus, it will be appreciated that other means, such as additional line sets, may be used for the same purpose. In particular, the output bus may be used as an intermediate buffer. Such an output bus is, of course, a practical and useful way of achieving a module that interfaces with a computer system.

본 발명의 장치 및 방법의 이점은 기억장치에 저장된 하나의 특별한 단어를 검색하는데 요구되는 시간이 표준모드에서 데이타를 기록/검색 하는데 요구되는 시간과 동일하게 될 수 있고, 반면에 표준 컴퓨터 시스템에서, 일정한 데이타가 저장된 기억장치 어드레스의 검색은 일정한 데이타가 검색될때 까지 CPU가 기억장치의 전체부분을 스캔하여야 하기 때문에 조작이 오래걸린다는 점이다.An advantage of the apparatus and method of the present invention is that the time required for retrieving one particular word stored in the storage device can be equal to the time required for recording / retrieving data in standard mode, whereas in a standard computer system, Retrieval of a storage address where constant data is stored is a long operation since the CPU must scan the entire portion of the storage device until constant data is retrieved.

본 발명의 다른이점은 기억장치가 현존하는 표준 컴퓨터 시스템에 사용될수 있고, 또 통상 사용되는 기억장치를 유리하게 대치시킬수 있다는 점이다.Another advantage of the present invention is that the storage device can be used in existing standard computer systems, and can advantageously replace the commonly used storage device.

본 발명의 방법의 다른 이점에 의하면, 특정 데이타를 검색하는데 요하는 시간은 데이타 위치에 좌우되지 않을 뿐만아니라 기억장치에 포함되어 있는 셀의 수에 좌우되지 않는다.According to another advantage of the method of the present invention, the time required to retrieve specific data is not only dependent on the data location but also on the number of cells contained in the storage.

본 발명의 또한 다른 이점은 본 발명의 기억장치의 평행한 구조 때문에 몇몇 장치가 기억장치의 용량을 확대하도록 모듈방식으로 첨가될 수 있다는 점이다. 본 발명의 장치의 확장성 및 상기 평행한 구조로 인하여 다수의 장치가 컴퓨터 시스템의 크기 요건에 따라 컴퓨터 시스템에 설치될 수 있다.Yet another advantage of the present invention is that some devices can be added in a modular fashion to expand the capacity of the storage device because of the parallel structure of the storage device of the present invention. Due to the scalability and the parallel structure of the device of the present invention, a number of devices can be installed in the computer system according to the size requirements of the computer system.

또한 본 발명의 장치의 평행한 구조로 인하여, "콜 아웃" 기억장치를 실행하는데 필요한 논리 게이트의 수는 기억장치의 크기에 직접 비례한다. CAM 기억장치같은 몇몇 공지 시스템에 있어서, 게이트의 수는 기억장치 크기의 증가에 따라 상당히 높은 비율로 증가한다. 그 결과 본 발명의 장치는 시간과 공간 절약은 물론 상당한 비용절감도 가능하다.In addition, due to the parallel structure of the device of the present invention, the number of logic gates required to execute the " call out " storage device is directly proportional to the size of the storage device. In some known systems, such as CAM storage, the number of gates increases at a fairly high rate with increasing storage size. As a result, the device of the present invention can save considerable time and space as well as considerable cost.

본 발명의 다른 이점에 의하면, 컴퓨터 시스템은 그의 모든 운전중인 기억장치가 콜 아웃 기억장치로 설계될수도 있다. 적당한 소프트웨어와 결합된 그와같은 시스템은 컴퓨터의 전체 성능을 굉장히 향상시킬 수 있다.According to another advantage of the present invention, a computer system may be designed such that all of its operating memory is a call out memory. Such a system, combined with appropriate software, can greatly improve the overall performance of a computer.

본 발명의 기억장치에 포함되는 회로의 논리적 기능은 본 기술분야에 공지된 상이하지만 대등한 방식으로 실행 될 수도 있다.The logical functions of the circuits included in the memory of the present invention may be implemented in different but equivalent ways known in the art.

본 발명을 본 발명의 기억장치의 바람직한 실시예에 대하여 기술한다. 여기에서 검색방향은 오리진으로 부터 하향방향으로서 정의되고, 검색하고자 하는 기억장치 셀은 오리진 보다 적은 어드레스 값을 갖는 것이다. 그러나 본 발명은 대형; 동일 또는 소형; 동일 또는 대형과 같은 오리진과 기억장치 셀 사이의 기타 관계를 명확히 함으로서 실행될 수 있음은 물론이다.The present invention will be described with reference to a preferred embodiment of the storage device of the present invention. Here, the search direction is defined as a downward direction from the origin, and the storage cell to be searched has an address value smaller than that of the origin. However, the present invention is large; Equal or small; Of course, this can be done by clarifying other relationships between the origin and storage cells, such as the same or larger.

도1은 본 발명의 콜 아웃 기억장치의 바람직한 실시예의 개략적인 구조를 나타낸것으로서, 도1에 표시된 바와 같이, 콜 아웃 기억장치는 기억장치 셀의 배열로 구성되어 있다. 각각의 기억장치 셀은 시스템 버스에, 즉 어드레스 버스, 데이타 버스 및 제어 라인에 연결되어 있다. 또한 각각의 기억장치 셀은 다수의 오리진 라인에 연결되어 있으며, 상기 오리진 라인은 소위말하는 "오리진" 어드레스를 형성한다. 이들 라인은 장치내부에, 또는 외부 시스템에 연결될 수 있고, 그들의 논리상태는 검색기능을 위해 "오리진"을 형성한다. 바람직한 실시예에 의하면, 콜 아웃 기억장치가 검색모드에서 조작되는 경우, "오리진" 어드레스 보다 적은 어드레스 값을 갖는 기억장치 셀 만이 검색되게 된다. 도1에서 CO로 표시된 다른 라인은 버스 제어기로 부터 나오고, "콜 아웃" 모드에서 기억장치를 설정하는데 사용된다.Fig. 1 shows a schematic structure of a preferred embodiment of the call out storage device of the present invention. As shown in Fig. 1, the call out storage device is composed of an array of storage cells. Each storage cell is connected to a system bus, i.e., an address bus, a data bus and a control line. Each memory cell is also connected to a plurality of origin lines, which form a so-called " origin " address. These lines can be connected within the device or to an external system, and their logic states form the "origin" for the search function. According to a preferred embodiment, when the call-out storage is operated in the search mode, only storage cells having an address value smaller than the "origin" address are searched. Another line, labeled CO in FIG. 1, exits the bus controller and is used to set up storage in the " call out " mode.

바람직한 실시예에서, 시스템 버스는 다음의 구성요소로 구성되어 있다. 즉 다수(Z)의 데이타 라인으로 구성되는 "데이타 버스" 및 다수(A)의 어드레스 라인으로 구성되는 "어드레스 버스"로 구성 되어있다.In a preferred embodiment, the system bus consists of the following components. That is, it consists of a "data bus" composed of a plurality of data lines and an "address bus" composed of a plurality of address lines.

다수의 "제어 라인"으로 구성되는 버스 제어기가 버스 동기화를 위해 본 발명의 기억장치에 제공되어 있다. 유사한 제어 라인이 외부 기억장치 및 장치와 통신하도록 통상적인 컴퓨터 시스템에 적용되는 것은 공지되어있다.A bus controller consisting of a plurality of "control lines" is provided in the storage of the present invention for bus synchronization. It is known to apply similar control lines to conventional computer systems to communicate with external storage and devices.

본 발명의 구성에서, 바람직한 실시예에 포함되는 다음의 제어 라인 만이 언급된다. 즉 판독 또는 기록조작을 선택하기 위하여 사용되는 "판독/기억 라인", "콜아웃" 모드를 선택하기 위하여 사용되는 "CO" 라인, 및 버스 시스템에 대하여 알려져 있는 바와 같은 여러가지 기능을 수행하는 기타 제어 라인이 언급된다.In the configuration of the present invention, only the following control lines included in the preferred embodiment are mentioned. That is, the "read / memory line" used to select the read or write operation, the "CO" line used to select the "callout" mode, and other controls that perform various functions as known to the bus system. Line is mentioned.

각각의 기억장치 셀은 기억장치 부분에 다수(Z)의 비트를 저장할 수 있다.Each memory cell can store a number (Z) of bits in the memory portion.

각각의 기억장치 셀은, "CO"제어 라인을 입력으로 수신한다. 이 제어 라인은 셀이 표준 기억장치 모드("표준 모드")에서 조작될 것인가 또는 새로운 모드("콜 아웃 모드")에서 조작될 것인가를 결정한다.Each storage cell receives as input an " CO " control line. This control line determines whether the cell is operated in standard storage mode ("standard mode") or in a new mode ("call out mode").

CO라인이 활동하고 있지 않을 경우, 장치는 표준 기억장치 배열로서 기능을 한다. CO라인이 활동하고 있는 경우, 장치는 새로운 "콜 아웃"모드에서 기능을 한다.If the CO line is not active, the device functions as a standard storage array. If the CO line is active, the device functions in the new "call out" mode.

바람직한 실시예에 의하면, 콜 아웃 기억장치는 중앙처리장치(CPU)와 공동으로 사용되도록 되어 있다. 그러나 본 발명의 콜 아웃 기억장치는 CPU를 포함하지 않는 전자 시스템에 사용되어야 한다는데 직면하게 된다. 콜 아웃 모드에서 콜 아웃 기억장치와 통신하도록 하기 위하여, CPU는 먼저 CO신호를 활성화 하여야만 한다. 이는 시스템 버스(소위 "칩 선택")에 연결된 상이한 장치를 선택하기 위하여 전자 시스템에 통상 사용되는 여러 방식으로 이루어 질 수 있다.According to a preferred embodiment, the call out memory is intended to be used jointly with a central processing unit (CPU). However, the call out storage of the present invention is faced with the need to be used in electronic systems that do not include a CPU. In order to communicate with callout storage in callout mode, the CPU must first activate the CO signal. This can be done in many ways commonly used in electronic systems to select different devices connected to the system bus (so-called "chip selection").

첫번째 바람직한 실시예에서, CO라인은 특정 어드레스 라인의 수준의 논리조합에 의하여 활성화 된다. 이 방법은 몇몇 어드레스 라인 어드레싱 다양한 장치에 전념될 수 있도록 사용되는 기억장치의 크기가 어드레스 라인의 수에 의하여 형성되는 주소지정 가능한 공간보다 작은 경우에 가능해 진다. 본 발명의 기억장치에서, 이들 여분의 라인은 콜 아웃 모드에서 기억장치에 어드레스 하는데 사용될 수도 있다. 환언하면, 도1에서 어드레스 라인의 소수(CS)는 기억장치의 콜 아웃 기능을 "칩 선택"하는데 사용되게 된다. 이들 소수 라인은 콜 아웃 기억장치에 데이타를 제공하는데 사용될수 없기 때문에, "콜 아웃"모드에서 검색될 수 있는 데이타 단어의 최대폭은 A-CS까지 감소되게 된다. 어드레스 버스의 크기가 데이타 버스의 크기를 초과하는 경우, 데이타 버스의 크기에 의하여 결정되는 바와 같은 검색 데이타의 크기에 전혀 제한이 가해지지 않음은 물론이다. 이방법은 어드레스 라인의 수가 검색 하고자 하는 데이타의 크기보다 큰 경우 시스템에 유리함은 물론이다.In a first preferred embodiment, the CO line is activated by a logical combination of levels of specific address lines. This method is possible when the size of the memory used to be dedicated to several address line addressing various devices is smaller than the addressable space formed by the number of address lines. In the storage of the present invention, these extra lines may be used to address the storage in the call out mode. In other words, the decimal number CS of the address lines in Fig. 1 is used to " chip select " the call out function of the storage device. Since these fractional lines cannot be used to provide data to the callout memory, the maximum width of the data words that can be retrieved in "callout" mode is reduced to A-CS. Of course, if the size of the address bus exceeds the size of the data bus, no limitation is placed on the size of the search data as determined by the size of the data bus. This method is advantageous to the system when the number of address lines is larger than the size of data to be searched.

두번째 바람직한 실시예에서, 논리회로는 전용 어드레스에 대한 판독 또는 기록이 CO라인을 설정하도록 버스 제어기에서 실행된다. 이 실시예에서 버스 제어기 회로는 상기 어드레스에 기록/판독을 검출하고, CO라인을 설정하고, 다음 버스 주기 동안 CO라인을 활동상태로 유지시킨다. CO라인 제어기능이 버스 제어기를 사용하는 것은 컴퓨터 시스템에서 일반적인 기술이다. 이 실시예에서, 검색하고자 하는 데이타의 폭은 콜 아웃 기능을 활성화시킬 필요로 인하여 감소되지 않지만 콜 아웃 주기는 첫번째 바람직한 실시예의 단일 주기 대신에 두개의 버스 주기를 필요로 하게 된다.In a second preferred embodiment, a logic circuit is executed in the bus controller such that a read or write to a dedicated address sets up a CO line. In this embodiment the bus controller circuit detects a write / read at the address, sets up the CO line, and keeps the CO line active for the next bus period. The use of a bus controller with CO line control is a common technique in computer systems. In this embodiment, the width of the data to be retrieved is not reduced due to the need to activate the call out function, but the call out period requires two bus periods instead of a single period of the first preferred embodiment.

본 발명에 따라, 현존하는 형태의 기억장치 셀이라면 검색하고자 하는 데이타를 본 발명의 기억장치 배열에 의하여 저장하는데 사용될 수 있으며, 신규 콜 아웃 기능은 후술하는 회로의 기억장치 셀에 첨가함으로서 가능해 진다.According to the present invention, any existing storage cell can be used to store the data to be retrieved by the storage arrangement of the present invention, and a new call out function is made possible by adding to the storage cell of the circuit described later.

도2는 바람직한 실시예에 따라 본 발명의 콜 아웃 기억장치 셀을 위한 회로의 개략적인 블록선도로서, 이 경우 "데이타 저장 회로"는 데이타를 저장하는데 사용되는 회로이다. 그와 같은 회로는 기억장치에서 통상적인 용도를 갖는다.Fig. 2 is a schematic block diagram of a circuit for a call out memory cell of the present invention according to a preferred embodiment, in which case " data storage circuit " is a circuit used for storing data. Such circuits have a typical use in storage devices.

도2의 "어드레스/컨텐트 선택기"는 바람직한 실시예에 따른 본 발명의 콜 아웃 기억장치 셀을 위한 회로의 개략적인 블록선도로서, 이 경우 "데이타 저장 회로"는 데이타를 저장하는데 사용되는 회로이며, 그와 같은 회로는 기억장치에서 통상적인 용도를 갖고 있다.2 is a schematic block diagram of a circuit for a callout memory cell of the present invention according to a preferred embodiment, in which case a "data storage circuit" is a circuit used for storing data, and " address / content selector " Such circuits have common uses in storage devices.

도2의 "어드레스/컨텐트 선택기" 블록은 본 발명에 따라 기억장치 회로에 첨가되는 특수 구성요소를 나타낸다. 도2에 도시된 바와 같이, 이 논리 모듈은 CO라인을 입력으로 수신한다. 어드레스/컨텐트 선택기 모듈은 두 세트의 입력(기억장치 셀 어드레스 및 저장된 데이타) 중의 하나를 비교기 입력에 선택적으로 연결하기 위한 스위칭 기능을 제공하여 준다. CO라인이 표준 기억장치 모드 상태에 있는 경우, 셀 어드레스는 비교기에 적용되고, CO라인이 "콜 아웃" 기억장치 모드에 있는 경우, 비교기에 적용되는 것은 저장된 데이타 이다.The " address / content selector " block of Fig. 2 represents special components added to the memory circuit in accordance with the present invention. As shown in Figure 2, this logic module receives as input CO lines. The address / content selector module provides a switching function for selectively connecting one of two sets of inputs (storage cell address and stored data) to the comparator input. When the CO line is in standard storage mode state, the cell address is applied to the comparator, and when the CO line is in "call out" storage mode, it is stored data that is applied to the comparator.

도2의 "비교기" 블록은 어드레스 버스에 적용된 어드레스 데이타를 특정 셀 어드레스와 비교하기 위하여 기억장치 셀에 통상적으로 사용되는 회로를 나타낸 것이다. 바람직한 실시예에서, 비교기는 양쪽 데이타의 동일함을 단순히 점검한다. 그러나, 다른 실시예에서는, 비교기는 예정된 세트로 부터 선택되는 다른 관계를 점검할 수 있다. 그와 같은 관계의 예로는 그레이터 댄(Greater Than), 스몰러 댄(Smaller Then), 세임 사인(Same Sign) 등이 있다. 일련의 예정된 관계로 부터관련된 관계를 선택하기 위하여 소수의 전용 제어 라인이 사용될 수도 있다. 양쪽 어드레스 데이타 및 셀 어드레스가 매칭하는 것으로 검색(즉 형성된 관계를 입증)되는 경우, 셀 선택 라인은 활성화 되고, 셀에 저장된 데이타는 판독 또는 기록 조작을 위해 출력 버스에 연결된다. 콜 아웃 모드에서, 동일한 비교기가 사용되지만, "콜 아웃" 모드에서, 이것은 기억장치 셀에 저장된 데이타와 비교되는 어드레스 버스의 데이타이다.The " comparator " block in Fig. 2 shows a circuit commonly used in storage cells to compare address data applied to an address bus with a particular cell address. In a preferred embodiment, the comparator simply checks for equality of both data. However, in other embodiments, the comparator may check other relationships selected from the predetermined set. Examples of such relationships include Greater Than, Smaller Then and Same Sign. A few dedicated control lines may be used to select related relationships from a series of predetermined relationships. If both address data and cell address are found to match (i.e. verify the formed relationship), the cell select line is activated and the data stored in the cell is connected to the output bus for read or write operations. In the call out mode, the same comparator is used, but in the "call out" mode, this is the data of the address bus that is compared with the data stored in the storage cell.

콜 아웃 기능과 표준 기억장치 기능을 수행하기 위하여 상이한 비교기가 사용될 수 있음을 물론이다.Of course, different comparators may be used to perform the call out function and the standard storage function.

비교기 회로는 그의 입력에 따라 "셀 선택"을 활성화 시키며, 이들 입력은 일측에서는 어드레스 버스 라인이고 타측에서는 어드레스/컨텐트 선택기의 출력이다. "셀 선택"은 두가지 경우에 활성화 된다.The comparator circuit activates "cell selection" according to its input, which is the address bus line on one side and the output of the address / content selector on the other side. "Cell Select" is activated in two cases.

첫번째 경우 CO라인은 "표준" 모드에 있고 셀의 어드레스는 어드레스 버스에 적용된 데이타와 부합된다.In the first case the CO line is in "standard" mode and the cell's address matches the data applied to the address bus.

두번째 경우 CO라인은 "콜 아웃" 모드에 있고 기억장치 셀의 내측의 저장된 데이타는 어드레스 버스에 적용된 데이타와 부합된다.In the second case the CO line is in "call out" mode and the stored data inside of the storage cell matches the data applied to the address bus.

또한 도2와 관련하여, 콜 아웃 가능의 실행을 가능토록 하기 위하여 "비트 마스크" 회로가 셀 회로에 첨가되어 있다. 도2에 도시된 바와 같이, "비트 마스크 회로"는 데이타 버스와 인터페이스로 접속시키기 위한 논리회로, "우선순위 마스크" 회로 및 "레인지" 회로로 구성되어 있다.Also with reference to Fig. 2, a "bit mask" circuit has been added to the cell circuit to enable the execution of callouts. As shown in Fig. 2, the "bit mask circuit" is composed of a logic circuit, an "priority mask" circuit, and a "range" circuit for connecting to the data bus.

본 발명의 방법에 의하면, 셀 데이타가 어드레스 버스에 적용된 데이타와 매칭함으로 인하여, CO라인이 활동하고 "셀 선택"이 또한 활동하는 경우, 셀 어드레스의 설정된 비트는 "비트 마스크" 회로에 연결되어 마스크 된다. 도2에 도시된 바와 같이, "비트 마스크" 회로는 "레인지" 회로 및 "우선순위 마스크" 회로를 포함하고 있다. 첫번째 단계에서 레인지 회로는 셀 어드레스를 "오리진" 어드레스와 비교하고 셀 어드레스가 "오리진" 어드레스 보다 작은 경우에만 신호[R(N)]간 우선순위 마스크에 보내어 진다.According to the method of the present invention, when the CO line is active and "cell selection" is also active because the cell data matches the data applied to the address bus, the set bit of the cell address is connected to the "bit mask" circuit to mask do. As shown in Fig. 2, the "bit mask" circuit includes a "range" circuit and a "priority mask" circuit. In the first step, the range circuit compares the cell address with the " origin " address and is sent to the priority mask between signals R (N) only if the cell address is smaller than the " origin " address.

그 다음 "우선순위 마스크" 회로는 검색된 데이타를 저장하고 "오리진" 어드레스 보다 작은 셀 어드레스의 요건을 수행하는 모든 기억장치 셀의 설정된 모든 비트가 "데이타 버스"의 대응하는 비트를 설정하도록 "OR"기능에 결합되는 방식에 의하여 데이타 버스에 출력된 비트를 선택한다. "우선순위 마스크" 회로에 의하여 선택된 비트만이 "데이타 버스"까지 통과 한다. "비트 마스크" 회로의 전체적인 기능은 데이타 버스에 검출된 높은 어드레스 출력을 변경시키는 비트 출력을 마스크하는 것이다. 데이타 버스에 나타난 얻어진 데이타는 최상의 어드레스를 가지지만 오리진 보다는 작으며 또 어드레스 버스에 적용되는 데이타에 부합되는 데이타를 함유하는 셀의 어드레스와 같게된다.The " priority mask " circuit then stores " OR " such that all set bits of all storage cells that store the retrieved data and fulfill the requirement of cell addresses smaller than the " origin " address set the corresponding bits of the " data bus ". The bits that are output to the data bus are selected by way of coupling to the function. Only bits selected by the "Priority Mask" circuit pass through to the "Data Bus". The overall function of the "bit mask" circuit is to mask the bit output which alters the high address output detected on the data bus. The data obtained on the data bus is the same as the address of the cell having the best address but smaller than the origin and containing the data corresponding to the data applied to the address bus.

상기 절차는 하향식 검색에 관한 것임은 물론이다. 시스템이 상향식 검색을 하도록 형성되는 경우, 선택된 어드레스는 오리진 보다 큰 가장 작은 어드레스일 것이다.It goes without saying that the above procedure relates to a top-down search. If the system is configured to do a bottom-up search, the selected address will be the smallest address that is larger than the origin.

도3은 "비트 마스크" 기능의 실행을 나타낸 것으로서, N가 셀 어드레스를 나타내는 수를 지정하는 경우, N의 이진 식은 다음과 같이 나타낼 수 있다.Fig. 3 shows the execution of the "bit mask" function. When N designates a number representing a cell address, the binary expression of N can be expressed as follows.

상기 식중, u(N,k)는 어드레스 값의 설정된 비트이고 K는 N-1의 설정된 비트의 수이다.Where u (N, k) is the set bit of the address value and K is the set number of bits of N-1.

예컨대, 셀 어드레스 37은 이진식 100101를 갖는다.For example, cell address 37 has a binary 100101.

따라서, 다음과 같은 관계가 성립된다.Therefore, the following relationship is established.

K = 3 ; 비트 0, 2 및 5 설정K = 3; Bit 0, 2, and 5 setting

u(37,0) = 0 ; 위치 0에서 제1의 설정된 비트u (37,0) = 0; First set bit at position 0

u(37,1) = 2 ; 위치2에서 제2의 설정된 비트u (37,1) = 2; Second set bit at position 2

u(37,2) = 5 ; 위치5에서 제3의 설정된 비트u (37,2) = 5; Third set bit at position 5

도3과 관련하여, 어드레스 N을 갖는 셀의 설정된 비트를 위한 비트 마스크 회로가 도시되어 있으며, 이 경우 "검색 어드레스의 오리진"은 셀의 레인지 회로, 지정된 "오리진 어드레스 라인"에 대하여 각각의 기억장치 셀에서 평행하게 연결된 다수의 라인에 의하여 설정된다. 오리진 어드레스 라인의 논리수준은 "오리진" 어드레스를 나타낸다. 이들라인은 예컨대 외부 장치에 의하여 설정될 수 있다. 바람직한 실시예에 의하면, "검색의 오리진" 라인은 하나의 전용 기억장치 셀에 기록된 데이타에 연결될 수도 있다.3, there is shown a bit mask circuit for the set bits of the cell with address N, in which case the "origin of the search address" is the respective memory for the range circuit of the cell, the designated "origin address line". It is set by a number of lines connected in parallel in the cell. The logic level of the origin address line represents the "origin" address. These lines may for example be set by an external device. According to a preferred embodiment, the "origin of search" line may be connected to data written to one dedicated storage cell.

도3의 "레인지 회로"는 "오리진"을 셀 어드레스 N과 비교한다. 셀 어드레스가 오리진 어드레스보다 작은경우, 신호 R(N)은 우선순위 마스크에 출력된다. 비교회로의 실시예가 도6에 도시되어 있다. 본 기술분야에 숙련된 자이면 알수 있는 바와 같이 공지기술의 비교회로는 레인지 회로의 비교 기능을 수행하기 위하여 사용될 수도 있다.The "range circuit" in Fig. 3 compares the "origin" with the cell address N. If the cell address is smaller than the origin address, the signal R (N) is output to the priority mask. An embodiment of the comparison circuit is shown in FIG. As will be appreciated by those skilled in the art, a comparison circuit of the prior art may be used to perform the comparison function of the range circuit.

또한 도3과 관련하여, "우선순위 마스크" 회로는 비트 마스크 회로에 포함되며, 상기 우선순위 마스크 회로는 K 출력 라인 P[N, u(k)]을 갖고 있다. 우선순위 마스크 회로는 도4와 관련하여 이후 상세히 기술한다. 우선순위 마스크 회로의 기능은 셀 어드레스의 비트가 데이타 버스[ B1]에 출력되게 하는것을 결정하는 것이다. 결정은 데이타 버스 자체 및 셀 어드레스의 현재 생태의 논리 조합에 의하여 이루어진다. 이 회로 기능은 데이타 버스와 기억장치 셀 회로 사이의 피드백 시스템으로서 기술될 수 있다. 데이타 버스의 상태는 데이타 버스에 영향을 미치는 라인 P[N, u(N,k)]에 피드백 출력을 설정하는 우선순위 마스크에 의하여 검지된다.3, a "priority mask" circuit is included in the bit mask circuit, which has a K output line P [N, u (k)]. The priority mask circuit is described in detail later with respect to FIG. The function of the priority mask circuit is to determine which bits of the cell address are to be output to the data bus [B 1 ]. The decision is made by the logical combination of the data bus itself and the current ecology of the cell address. This circuit function can be described as a feedback system between the data bus and the memory cell circuit. The state of the data bus is detected by a priority mask that sets the feedback output on the line P [N, u (N, k)] affecting the data bus.

상기 피드백 방법은 높은 어드레스에서 다른 셀이 데이타 버스에 어드레스 데이타를 출력하고 있는가를, 그리고 최고 어드레스에서 셀이 데이타 버스에 그의 어드레스를 출력하는 유일한 것이 되도록 그 자신의 비트를 마스크 하는가를 특정 기억장치 셀 회로가 검지 하도록 한다.The feedback method determines whether another cell is outputting address data on the data bus at a high address, and at its highest address whether it masks its own bit so that it is the only one that outputs its address on the data bus. Should be detected.

상기는 하향 검색에 관한 것이며, 시스템이 상향 검색을 하도록 형성되는 경우 데이타 버스에 놓이게 되는 최하 어드레스 임은 물론이다.The above relates to downlink search, which is of course the lowest address to be placed on the data bus if the system is configured to uplink search.

우선순위 마스크 회로의 조작을 기술하면 다음과 같다.The operation of the priority mask circuit is described as follows.

검색된 데이타는 어드레스 버스에 나타내지고 오리진 어드레스가 설정된다. 각각의 기억장치 셀을 위하여 "셀 선택", R(N) 및 CO 라인의 AND 논리적 조합이 실행되어 권능부여 신호"E"를 "우선순위 마스크"에 출력한다. 따라서 "우선순위 마스크"는 다음 조건중의 하나가 만족되지 않는 경우 모든 P[N, u(N, k)]를 제로 논리상태로 재설정하게 된다.The retrieved data is displayed on the address bus and the origin address is set. For each memory cell an AND logical combination of " cell selection ", R (N) and CO line is executed to output the empowering signal " E " to the " priority mask. &Quot; Thus, the "priority mask" resets all P [N, u (N, k)] to zero logic if one of the following conditions is not met.

- 셀 어드레스가 오리진 어드레스 보다 높거나 같다.The cell address is higher than or equal to the origin address.

- 셀에 저장된 데이타가 어드레스 버스에 나타난 데이타와 같다.The data stored in the cell is the same as the data shown on the address bus.

- 장치가 "콜 아웃" 모드에 있지 않다.-The device is not in "call out" mode.

비트 u(N, k) 세트를 갖는 모든 기억장치 셀(M)로 부터 모든 P[M, u(N, k)]라인은 OR 논리회로에 입력되고, 상기 회로의 출력은 비트 u(N, k)로서 데이타 버스에 설정된다. M은 비트 u(N, k) 세트를 갖는 장치의 모든 셀의 어드레스를 나타내는 총칭이다.All P [M, u (N, k)] lines from all storage cells M having a set of bits u (N, k) are input to an OR logic circuit, and the output of the circuit is a bit u (N, k). k) is set on the data bus. M is a generic term representing the addresses of all cells of a device having a set of bits u (N, k).

콜 아웃 주기의 초기에, 데이타 버스 라인은 비활성(논리 0) 초기 상태에 있다. 예컨대 부논리를 사용하는 경우, 모든 라인은 저항기에 의하여 시스템 동력 공급의 플러스에 "풀업"된다. 첫번째 단계에서, 우선순위 마스크는 이들 모든 라인을 비활성으로 검지하여 P[N, u(N, k)]를 출력한다. 이 첫번째 단계에서, 많은 다른 셀은 OR 회로에 의하여 데이타 버스 라인을 또한 설정한다. 그 다음 데이타 버스의 이러한 새로운 상태는 우선순위 마스크의 법칙에 따라, 셀 우선순위 마스크 회로의 각각에 의하여 검지되게 되고, P[N, u(N, k)] 라인의 약간은 비활성화 되게 된다. 마지막으로, 검색된 데이타를 저장하는 최고 셀의 어드레스에 설정되지 않는 비트P[N, u(N, k)]는 재설정되게 되고, 데이타 버스는 상기 최고 셀 어드레스에 설정되게 된다. 이 방법은 비동기식이며, 라인을 그들의 정상값으로 안정화 시키는데 요하는 시간은 회로의 전자 부품의 상승 시간과 동일한 정도를 갖는다. 그 결과, 하나의 데이타를 검색하는데 필요한 시간은 표준 판독 또는 기록 주기와 동일한 정도를 갖는다.At the beginning of the call out period, the data bus line is in an inactive (logical 0) initial state. When using negative logic, for example, all lines are "pulled up" to the plus of the system power supply by a resistor. In the first step, the priority mask detects all these lines as inactive and outputs P [N, u (N, k)]. In this first step, many other cells also establish data bus lines by OR circuits. This new state of the data bus is then detected by each of the cell priority mask circuits, in accordance with the law of the priority mask, and some of the P [N, u (N, k)] lines are deactivated. Finally, the bits P [N, u (N, k)] that are not set to the address of the highest cell storing the retrieved data are reset and the data bus is set to the highest cell address. This method is asynchronous, and the time required to stabilize the lines to their normal values is about the same as the rise time of the electronic components of the circuit. As a result, the time required to retrieve one data has the same degree as a standard read or write cycle.

도4와 관련하여 "우선순위 마스크" 회로가 상세히 도시되어 있다. "우선순위 마스크" 회로는 하기 조건이 만족되는 경우 비트 P[N, u(N, k)]를 출력한다.The "Priority Mask" circuit is shown in detail in connection with FIG. The "priority mask" circuit outputs bits P [N, u (N, k)] when the following conditions are met.

최고 비트 세트를 위하여 : u(N, K)For highest bit set: u (N, K)

a) "셀 선택" 및 "R(N)" 신호가 활성중인 경우.a) "Cell Select" and "R (N)" signals are active.

b) u(N, K) 보다 높은 데이타 버스의 모든 비트가 설정되지 않은 경우 AND.b) AND if all bits of the data bus higher than u (N, K) are not set.

높은 비트가 없는 경우, 즉 최고 비트가 비트 Z인 경우, 이 비트는 "E" 신호에 의하여 직접 설정된다.If there is no high bit, i.e. the highest bit is bit Z, this bit is set directly by the "E" signal.

다른 비트 세트를 위하여 : u(N, k), k < KFor another bit set: u (N, k), k <K

a) 최고 비트 u(N, k + 1)가 설정된다.a) The most significant bit u (N, k + 1) is set.

b) 현재 비트 u(N, k)와 높은 비트 u(N, k + 1) 사이의 내부 버스 B[u(N, k)]의 모든 비트가 설정되지 않은 경우 AND.b) AND if all bits of internal bus B [u (N, k)] between current bit u (N, k) and high bit u (N, k + 1) are not set.

이는 높은 어드레스를 갖는 다른 셀이 현재의 셀에 설정되지 않은 비트에서 데이타 버스에 그의 어드레스를 출력한 경우, 현재의 셀 어드레스의 비트 k 및 낮은 비트가 출력되지 않게 한다. 마지막으로 최고 매칭 기억장치에 설정된 비트만이 출력되게 된다.This prevents the bit k and the low bit of the current cell address from being output when another cell with a high address outputs its address on the data bus in bits not set in the current cell. Finally, only the bits set in the best matching memory are output.

상기는 하향 검색에 대하여 기술되어 있으며, 시스템이 상향 검색을 수행하도록 형성되는 경우 이는 데이타 버스에 출력하게 될 최하 매칭 기억장치 임을 물론이다.The above is described with respect to the downlink search, which is of course the lowest matching memory that will be output to the data bus if the system is configured to perform an uplink search.

세개의 출력 P[N, 1] : P[N, 3] : 및 P[N, 7]를 생성하는 세개의 세트 비트 u(0) = 1 : u(1) = 3 : u(2) = 7를 갖는 셀 어드레스 N = 10001010 에 대한 우선순위 마스크 회로 조작의 특정예가 도5에 도시되어 있다. 이 특정예에서 E는 보다 높은 비트가 존재하지 않기 때문에 사용된다.Three set bits u (0) = 1: u (1) = 3: u (2) = to generate three outputs P [N, 1]: P [N, 3]: and P [N, 7] A specific example of the priority mask circuit operation for the cell address N = 10001010 with 7 is shown in FIG. In this particular example, E is used because there is no higher bit.

"표준" 모드 (CO 라인 비활성)에서 사용되는 경우, 콜 아웃 기억장치의 기능은 통상적으로 사용되는 기억장치의 기능과 정확히 유사하다. 어드레스 데이타는 어드레스 버스에 적용되고, 제어 라인은 판독 또는 기록조작을 형성하도록 설정되며, 데이타가 데이타 버스를 통하여 기억장치 셀로부터 또는 기억장치 셀에 이동된다. 어드레스된 셀은 비교기에 의하여 선택된다. 어드레스/컨텐트 선택기는 "CO" 라인을 검지하여 셀 어드레스를 비교기에 출력한다. 어드레스가 어드레스 버스에 어드레스 데이타 세트를 부합시키도록 검색되는 경우, 셀 선택 라인이 설정된다. 판독/기록 라인이 "기록" 상태에 있는 경우, 기억장치 데이타 기억장치 회로는 데이타를 데이타 버스에 출력한다. 판독/기록 라인이 "판독" 상태에 있는 경우, 기억장치 데이타 기록장치 회로는 데이타 버스로 부터 데이타를 저장한다. 표준 모드에서 조작되는 동안 비트 마스크 회로는 CO 라인의 비활성 상태에 의하여 비활성 상태로 설정된다.When used in the "standard" mode (CO line inactive), the function of the call out memory is exactly the same as that of the memory normally used. The address data is applied to the address bus, the control line is set to form a read or write operation, and the data is moved from or to the storage cell through the data bus. The addressed cell is selected by the comparator. The address / content selector detects the "CO" line and outputs the cell address to the comparator. When the address is retrieved to match the address data set on the address bus, a cell select line is set. When the read / write line is in the " write " state, the storage data storage circuit outputs data to the data bus. When the read / write line is in the "read" state, the storage data writer circuit stores data from the data bus. While operating in the standard mode, the bit mask circuit is set to inactive by the inactive state of the CO line.

"콜 아웃" 모드(CO 라인 활성)에서 조작되는 경우, 검색될 데이타 값은 어드레스 버스에 배치되고, 판독/기록 라인은 "판독" 상태로 설정된다. 그 다음 어드레스/컨텐트 선택기는 저장된 데이타를 비교기 입력에 적용한다. 매치가 있는 경우, 셀 선택 라인이 설정된다. 비트 마스크 회로는 CO 라인에 의하여 활성 상태로 설정되지만, 데이타 기억장치 회로는 어떠한 버스 라인도 설정하지 않도록 비활성화 된다. 이러한 상태에서, 비트 마스크만이 데이타를 데이타 버스에 적용한다.When operated in the "call out" mode (CO line active), the data value to be retrieved is placed on the address bus and the read / write line is set to the "read" state. The address / content selector then applies the stored data to the comparator input. If there is a match, the cell select line is set. The bit mask circuit is set active by the CO line, but the data storage circuit is deactivated so as not to set any bus lines. In this state, only the bit mask applies data to the data bus.

셀 선택 신호는 오리진 어드레스 라인에 미리 설정된 오리진 어드레스 데이타와 함께 비트 마스크 회로에 입력된다. 비트 마스크 회로는 각각의 비트를 마스크하므로 데이타 버스에 적용되는 얻어진 데이타는 오리진에 가장 가깝지만 작은 어드레스의 데이타이다. 하나 이상의 셀로 부터 어드레스의 개개의 비트는 셀 어드레스가 오리진에 가장 가까운 것이 아닌 경우에도 데이타 버스에 출력될 수도 있다. 그러나, 데이타 버스에 대해 얻어진 데이타는 가장 가까운 어드레스의 데이타이다.The cell select signal is input to the bit mask circuit together with the origin address data preset in the origin address line. The bit mask circuit masks each bit so that the obtained data applied to the data bus is the data of the smallest address closest to the origin. Individual bits of an address from one or more cells may be output to the data bus even if the cell address is not closest to the origin. However, the data obtained for the data bus is the data of the nearest address.

주기는 검색된 데이타를 함유하는 셀의 모든 어드레스가 최고로 부터 최저까지 차례로 버스에 나타내질 때까지 오리진의 어드레스로서 지금 사용되고 있는 최고 어드레스에 대하여 반복될 수 있다. 검색의 지속은 N가 요구된 데이타를 함유하는 셀의 수인 경우 N 판독 및 기록 주기의 지속과 같다.The cycle may be repeated for the highest address currently being used as the address of the origin until all addresses of the cells containing the retrieved data are represented on the bus in order from highest to lowest. The duration of the search is equal to the duration of the N read and write cycles if N is the number of cells containing the required data.

상기는 하향 검색에 대해 기술되어 있고, 시스템이 상향 검색을 수행하도록 형성되는 경우 데이타 버스에 대해 얻어진 데이타는 단일 주기후 오리진에 가장 가까운 최고 어드레스가 되는 반면에 몇 번 반복된 검색후 데이타는 최하로 부터 최고까지 차례로 버스에 나타나게 될것임은 물론이다.The above is described for downlink search, where the data obtained for the data bus will be the highest address closest to the origin after a single period, whereas the data after several repetitions will be lowest if the system is configured to perform uplink search. Of course you will be shown on the bus from top to top.

본 발명은 전자 검색 시스템의 조작 속도를 증가시키는 방법 및 컴퓨터, 전자 시스템, 기억장치의 구현에 사용되는 증가된 속도 기억장치 및 회로에 관한것으로서, 본 발명의 장치 및 방법은 기억장치에 이미 저장된 일정한 데이타의 위치를 검색하는 수단을 제공하면서 기억장치에서 모든 데이타를 스캔하는 필요성을 제거하여 주는 시스템의 검색순서를 크게 향상시켜준다.The present invention relates to a method for increasing the operating speed of an electronic retrieval system and to an increased speed memory and circuit for use in the implementation of a computer, an electronic system, a storage device, the apparatus and method of the present invention being a constant stored in the storage device. It greatly improves the retrieval order of the system, providing a means of retrieving the location of the data while eliminating the need to scan all the data from storage.

Claims (9)

각각 비트 마스크 회로를 갖는 기억장치 셀의 배열; 어드레스 버스 라인의 세트, 데이타 버스 라인의 세트, 오리진 버스 라인의 세트 및 제어라인이 세트를 갖는 버스 회로로 구성되며, 각각의 기억장치 셀은 상기라인의 세트의 각각에 연결되고, 상기 제어라인은 세개의 조작 모드중의 하나에 시스템을 놓는 수단 및 검색 조작에 사용되는 예정된 세트의 관계중의 하나를 선택하는 수단을 포함하는 기억장치 시스템에 있어서, 첫번째 조작 모드에서 시스템은 상기 어드레스 버스에 적용된 데이타에 의하여 형성된 위치를 갖는 기억장치 셀에 상기 데이타 버스에 적용된 데이타를 저장하고, 두번째 조작모드에서 어드레스 버스에 의하여 형성된 위치를 갖는 기억장치 셀은 상기셀에 저장된 데이타를 데이타 버스에 설정하고, 세번째 조작모드에서 검색된 데이타가 어드레스 버스에 적용되고 이는 매칭 데이타를 갖는 각각의 기억장치 셀이 상기 기억장치 셀의 어드레스를 나타내는 값을 데이타 버스에 적용하는 방식에 의하여 검색되고, 상기 기억장치 셀은 검색된 데이타와 부합되는 데이타를 갖는 다른 기억장치 셀에 의하여 어드레스 버스에 적용된 어드레스 바이트와 미리 선택된 관계를 검증하고, 그후에 상기 셀의 비트는 특정 기억장치 셀의 위치가 예정된 방향에서 매칭 데이타를 갖는 모든 셀 중에서 오리진 버스에 설정된 데이타에 가장 가까운 경우에만 셀 어드레스가 데이타 버스에 나타나도록 상기 비트 마스크 회로에 의하여 마스크됨을 특징으로 하는 기억장치 시스템.An array of storage cells each having a bit mask circuit; A set of address bus lines, a set of data bus lines, a set of origin bus lines, and a control circuit having a set of bus circuits, each memory cell connected to each of the sets of lines, and the control lines A storage system comprising means for placing a system in one of three modes of operation and a means for selecting one of a predetermined set of relationships used for a search operation, wherein in the first mode of operation the system is configured to apply data to said address bus. Storing the data applied to the data bus in a storage cell having a position formed by the memory cell; in the second operation mode, the storage cell having a position formed by the address bus sets the data stored in the cell to the data bus; In the mode, the data retrieved is applied to the address bus and this is the matching data. Each storage cell having a memory cell is retrieved by applying a value representing the address of the storage cell to a data bus, and the storage cell is stored by an address bus by another storage cell having data matching the retrieved data. Verify the pre-selected relationship with the address byte applied to the cell, and then the bit of the cell is closest to the data bus only if the location of the particular storage cell is closest to the data set on the origin bus among all cells with matching data in the predetermined direction. And is masked by said bit mask circuitry so as to appear in. 어드레스 버스 라인의 세트, 데이타 버스 라인의 세트, 오리진 버스 라인의 세트 및 제어라인의 세트에 연결되는 기억장치 셀에 있어서, 상기 기억장치 셀은 비교기, 어드레스/컨텐트 선택기 및 비트 마스크 회로를 갖는 기억장치 회로로 구성되고, 상기 기억장치 셀의 조작 모드는 셀 비교기가 첫번째 모드에서 셀 어드레스와 비교하기 위한 어드레스를 수신하거나 또는 두번째 모드에서 저장된 데이타와 비교하기 위한 검색된 데이타를 수신 할수 있도록 제어라인에 의하여 선택되며, 상기 두번째 모드에서 매칭하는 셀 데이타가 검색되는 경우 상기 비트 마스크 회로는 셀 어드레스를 예정된 오리진 어드레스 및 다른 매칭 셀의 어드레스 비트와 논리적으로 조합하여 셀 어드레스가 일정한 방향에서 상기 오리진 어드레스에 가장 가까운 경우에만 데이타 버스에 나타내지는것을 특징으로 하는 기억장치 셀.A storage cell connected to a set of address bus lines, a set of data bus lines, a set of origin bus lines, and a set of control lines, the memory cells having a comparator, an address / content selector, and a bit mask circuit. And a mode of operation of the storage cell is selected by the control line such that the cell comparator can receive an address for comparing with the cell address in the first mode or retrieved data for comparison with data stored in the second mode. When a matching cell data is found in the second mode, the bit mask circuit logically combines a cell address with a predetermined origin address and address bits of another matching cell, and the cell address is closest to the origin address in a predetermined direction. Only day Memory cells, characterized in that indicate the bus. 데이타 버스를 갖는 기억장치에서 모든 기억장치 셀을 스캐닝 함이 없이 상기 기억장치에 평행하게 연결된 기억장치 셀의 어드레스의 검색을 가능하게 하는 "레인지" 회로 및 "우선순위 마스크" 회로로 구성되는 비트 마스크 회로에 있어서, 상기 레인지 회로는 예정된 방향에서 오리진 어드레스를 초과하는 경우에 셀 어드레스를 마스크하고 셀 데이타가 검색된 데이타와 매칭하고 있는것이 검색된 경우에도 불구하고 셀 어드레스가 데이타 버스에 설정되는 것을 방지하고, 상기 우선순위 마스크 회로는 상기 셀의 어드레스를 포함하여 기억장치 데이타 버스에 나타난 모든 셀의 어드레스를 논리적으로 조합하여 상기 셀의 어드레스가 상기 예정된 방향에서 상기 오리진 어드레스에 가장 가까운 경우에만 기억장치 데이타 버스에 나타내 지는것을 특징으로 하는 비트 마스크 회로.Bit mask consisting of a "range" circuit and a "priority mask" circuit that enables the retrieval of addresses of storage cells connected in parallel to the storage device without scanning all storage cells in a storage device having a data bus. In the circuit, the range circuit masks the cell address when the origin address is exceeded in a predetermined direction, and prevents the cell address from being set on the data bus, even when it is found that the cell data matches the retrieved data, The priority mask circuit logically combines the addresses of all cells appearing in the storage data bus, including the address of the cells, so that the address of the cells is stored in the storage data bus only when the addresses are closest to the origin address in the predetermined direction. Features to be indicated Bit mask circuit that. 검색된 데이타를 어드레스 버스에 설정하고, 셀 비교기를 데이타 비교 모드에 설정하고, 검색을 위해 오리진 어드레스를 설정 함으로서 기억장치에 기억장치 셀의 각각을 스캐닝 함이 없이 검색된 데이타를 함유하는 기억장치 셀을 위치지정하는 방법에 있어서,By placing the retrieved data on the address bus, by setting the cell comparator in data compare mode, and by setting the origin address for retrieval, the storage cell containing the retrieved data is located in the storage without scanning each of the storage cells. In the designation method, (a) 비교기는 검색된 데이타를 셀에 저장된 데이타와 비교하고 ;(a) the comparator compares the retrieved data with the data stored in the cell; (b) 셀 데이타가 매칭하고 있는것으로 검색되는 경우 레인지 회로는 오리진 어드레스와 예정된 관계에 있는 조건을 실행하지 않는 경우 셀 어드레스를 마스크하고 ;(b) if the cell data is found to match, the range circuit masks the cell address if it does not execute a condition that is in a predetermined relationship with the origin address; (c) 셀 어드레스가 오리진 어드레스와 예정된 관계에 있는 조건을 실행하는 경우 상기 셀 어드레스는 데이타 버스에 설정되고 ;(c) when executing a condition in which the cell address is in a predetermined relationship with the origin address, the cell address is set in the data bus; (d) 우선순위 마스크 회로는 상기 조건을 실행하는 다수의 기억장치 셀의 출력으로부터 데이타 버스에 생기는 데이타를 피드백 입력으로 수신하고 ;(d) the priority mask circuit receives, as a feedback input, data generated on the data bus from the outputs of the plurality of storage cells executing the condition; (e) 셀 어드레스는 매칭 데이타를 가지며 상기 조건을 실행하는 다른 기억장치 셀의 어드레스 비트와 우선순위 마스크 회로에 논리적으로 조합되어 오리진 어드레스에 가장 가까운 셀의 어드레스만이 데이타 버스에 나타내지고 다른 모든 어드레스는 상기 우선순위 마스크 회로에 의하여 마스크 되는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 검색된 데이타를 함유하는 기억장치 셀을 위치지정하는 방법.(e) The cell address has matching data and is logically combined with the address bits and priority mask circuits of other storage cells which execute the above conditions so that only the address of the cell closest to the origin address is represented on the data bus and all other addresses. And a step of masking by said priority mask circuit. 제4항에 있어서, 상기 예정된 관계는 셀 어드레스가 예정된 방향에서 오리진 어드레스보다 낮아야 됨을 특징으로 하는 검색된 데이타를 포함하는 기억장치 셀을 위치지정하는 방법.5. The method of claim 4, wherein said predetermined relationship is that a cell address must be lower than an origin address in a predetermined direction. 제4항에 있어서, 상기 예정된 관계는 셀 어드레스가 예정된 방향에서 오리진 어드레스 보다 낮거나 또는 오리진 어드레스와 동일하여야 함을 특징으로 하는 검색된 데이타를 함유하는 기억장치 셀을 위치지정하는 방법.5. The method of claim 4, wherein the predetermined relationship is that the cell address must be lower than or equal to the origin address in the predetermined direction. 제4항에 있어서, 단계(a - d)는 요구 데이타를 함유하는 모든 셀이 검색될때까지 오리진 어드레스로서 데이타 버스 세트에 나타난 마지막 셀의 어드레스로 반복됨을 특징으로 하는 검색된 데이타를 함유하는 기억장치 셀을 위치지정하는 방법.5. The storage cell of claim 4, wherein steps (a-d) are repeated with the address of the last cell indicated in the data bus set as the origin address until all cells containing the requested data have been retrieved. How to position the. 첨부도면과 관련하여 기술된 바와같은 기억장치.Memory as described in connection with the accompanying drawings. 첨부도면가 관련하여 기술된 바와같은 검색된 데이타를 매칭하는 기억장치 셀을 위치지정 하는 방법.A method of locating a storage cell that matches the retrieved data as described in relation to the accompanying drawings.
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