KR20030006544A - Gas supply system in semiconductor - Google Patents
Gas supply system in semiconductor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030006544A KR20030006544A KR1020010042357A KR20010042357A KR20030006544A KR 20030006544 A KR20030006544 A KR 20030006544A KR 1020010042357 A KR1020010042357 A KR 1020010042357A KR 20010042357 A KR20010042357 A KR 20010042357A KR 20030006544 A KR20030006544 A KR 20030006544A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resistance
- gas
- gas supply
- supply line
- measured
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 가스공급 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor gas supply system.
일반적으로 가스 공급 시스템이라 함은, 공정 가스가 저장되어 있는 가스 저장 탱크로부터 웨이퍼 표면 가공 공정이 진행되는 공정 챔버에 공정 가스를 전달하는 시스템을 나타낸다.In general, the gas supply system refers to a system for delivering a process gas from a gas storage tank in which a process gas is stored to a process chamber in which a wafer surface processing process is performed.
이러한 가스 공급 시스템을 도 1을 통하여 설명하면, 가스 저장 탱크(10)와 공정 챔버(12) 사이에는 가스를 전달하기 위한 가스 공급 라인(14)이 연결된다. 가스 공급 라인(14)내에는 가스 공급 라인(14)내의 가스의 압력을 조절하는 레귤레이터(regulator:16) 및 가스 공급 라인(14)내의 불순물을 필터링하기 위한 필터(filter:18)가 설치된다.Referring to FIG. 1, a gas supply line 14 for delivering a gas is connected between the gas storage tank 10 and the process chamber 12. In the gas supply line 14, a regulator 16 for adjusting the pressure of the gas in the gas supply line 14 and a filter 18 for filtering impurities in the gas supply line 14 are provided.
이러한 가스 공급 시스템은 가스 저장 탱크(10)내의 가스를 가스 공급 라인(14)을 통하여 공정 챔버(12)내에 공급하게 되며, 가스 공급 라인(14)내의 압력 및 불순물들은 레귤레이터(16) 및 필터(18)를 통하여 각각 조절된다.The gas supply system supplies gas in the gas storage tank 10 to the process chamber 12 through the gas supply line 14, and the pressure and impurities in the gas supply line 14 may be regulated by the regulator 16 and the filter ( 18) respectively.
그러나, 알려진 바와 같이 대부분의 공정 챔버(12)는 옥내에 형성되고 가스 저장 탱크(10)는 옥외에 형성되므로, 가스 공급 라인(14)의 길이가 상당히 길어진다. 이로 인하여, 가스 공급 라인(14)에 리크가 발생될 위험이 높고, 공급 라인(14)에 리크가 발생되면, 리크가 발생된 부분으로 불순물이 흡입되어져서 가스의 불순물 농도가 높아지게 된다.However, as is known, most process chambers 12 are indoors and gas storage tanks 10 are formed outdoors, resulting in significantly longer lengths of gas supply lines 14. For this reason, there is a high risk that leakage will occur in the gas supply line 14, and if leakage occurs in the supply line 14, impurities will be sucked into the leaked portion and the impurity concentration of the gas will increase.
그러나, 현재의 가스 공급 시스템은 리크 발생 여부를 체크하는 장치가 구비되어 있지 않으므로, 필터(18)만으로 가스 공급 라인(14)내의 불순물들을 조절하여야 했다.However, the current gas supply system is not equipped with a device for checking whether a leak has occurred, so that the impurities in the gas supply line 14 need to be controlled by the filter 18 alone.
아울러, 필터(18) 역시 장기간 사용하게 되면, 그 수명이 다하게 되므로, 필터(18)가 제 기능을 수행하지 못하게 된다. 이러한 경우, 불순물을 제어하지 못하게 되므로, 가스 공급 라인내의 오염도가 매우 높아지게 되어, 공정 가스의 순도가 매우 저하된다. 더불어, 가스 공급 시스템내에는 리크 발생 여부 또는 오염도 증가 여부를 공정자에게 알려주는 별도의 시스템이 없으므로, 공정자가 이를 감지하지 못하게 되어, 공정 진행상 어려움이 따른다.In addition, when the filter 18 is also used for a long time, its life is over, so that the filter 18 may not function properly. In this case, since impurities are not controlled, the degree of contamination in the gas supply line becomes very high, and the purity of the process gas is very low. In addition, since there is no separate system for notifying the operator of the occurrence of leakage or the degree of contamination in the gas supply system, the operator cannot detect this, and thus, the process progress is difficult.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 공정자가 공정중 가스 공급 라인내의 가스의 불순물 농도를 모니터링하여, 공정을 원활하게 진행할 수 있는 반도체 가스 공급 시스템을 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor gas supply system in which a processor can smoothly proceed the process by monitoring the impurity concentration of the gas in the gas supply line during the process.
도 1은 종래의 반도체 가스 공급 시스템을 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor gas supply system.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 가스 공급 시스템을 개략적으로 나타낸 블록도이다.2 is a block diagram schematically showing a semiconductor gas supply system according to Embodiment 1 of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 가스 공급 시스템의 제어 유닛을 개략적으로 나타낸 블록도이다.3 is a block diagram schematically showing a control unit of the semiconductor gas supply system according to the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 가스 공급 시스템을 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram showing a semiconductor gas supply system according to a second embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
20 : 가스 저장 탱크 30 : 감지부20 gas storage tank 30 detection unit
30a : 저항 감지 센서 30b,50 : 제어 유닛30a: resistance detection sensor 30b, 50: control unit
30b-1 : 온도 조절부 30b-2 : 압력 조절부30b-1: temperature controller 30b-2: pressure controller
30b-3 : 비교부 30c, 60 : 경고부30b-3: comparison unit 30c, 60: warning unit
본 발명의 목적과 더불어 그의 다른 목적 및 신규한 특징은, 본 명세서의 기재 및 첨부 도면에 의하여 명료해질것이다.Other objects and novel features thereof, together with the objects of the present invention, will be apparent from the description and the accompanying drawings.
상기한 본 발명의 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 가스 공급 시스템은, 가스 저장 탱크에 수용된 가스를 가스 공급 라인을 통하여 공정 챔버에 수송하는 가스 공급 시스템으로서, 상기 가스 공급 라인내에 형성되며, 현재 가스 공급라인내에 흐르는 가스와 상기 가스 저장 탱크내에 수용되어 있는 가스의 기준 저항을 비교하여 가스 공급 라인내에 리크 또는 불순물이 제대로 여과되는지의 여부를 판별한 후, 이를 공정자에게 알리는 감지부가 설치된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem to be achieved, the semiconductor gas supply system of the present invention is a gas supply system for transporting a gas contained in a gas storage tank to a process chamber through a gas supply line, which is formed in the gas supply line. In addition, by comparing the current resistance of the gas flowing in the gas supply line with the reference resistance of the gas contained in the gas storage tank to determine whether the leak or impurities in the gas supply line is properly filtered, the detection unit for notifying the operator Characterized in that installed.
여기서, 감지부는, 상기 가스 공급 라인의 저항을 측정하는 저항 감지 센서와, 상기 저항 감지 센서로부터 측정된 저항과, 상기 가스 저장 탱크에 저장되어 있는 가스의 기준 저항치를 비교, 판단하는 제어 유닛과, 상기 제어 유닛으로부터 측정된 저항이 기준 저항치의 오차 범위를 벗어낫을 경우, 이를 공정자에게 알리는 경고부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Here, the detection unit, the resistance detection sensor for measuring the resistance of the gas supply line, the resistance measured from the resistance detection sensor, the control unit for comparing and determining the reference resistance value of the gas stored in the gas storage tank, When the resistance measured from the control unit is out of the error range of the reference resistance value, it characterized in that it comprises a warning to inform the operator.
한편, 제어 유닛은, 상기 저항 감지 센서로부터 측정된 저항을, 미리 측정된 기준 저항이 측정될 때의 온도 및 압력 조건으로 환산하는 온도 및 압력 조절부와, 상기 온도 및 압력 조절부로부터 기준 저항이 측정될 때의 조건으로 환산된 저항과, 미리 측정된 기준 저항을 비교하는 비교부를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the control unit, the temperature and pressure control unit for converting the resistance measured from the resistance sensor to the temperature and pressure conditions when the previously measured reference resistance is measured, and the reference resistance from the temperature and pressure control unit It characterized in that it comprises a comparison unit for comparing the resistance converted to the conditions when measured, and the reference resistance measured in advance.
또한, 경고부는 알람일 수 있다.In addition, the warning unit may be an alarm.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 가스 저장 탱크에 수용된 가스를 가스 공급 라인을 통하여 공정 챔버에 수송하는 가스 공급 시스템으로서, 상기 가스 공급 라인내에 설치되며, 가스 공급 라인내를 흐르는 가스의 저항을 측정하는 저항 감지 센서와, 상기 가스 저장 탱크내에 설치되며, 저항 감지 센서로부터 측정된 저항과 해당 가스에 대한 기준 저항치를 비교, 판단하는 제어 유닛과, 상기 가스 저장 탱크내에 설치되며, 제어 유닛으로부터 측정된 저항이 기준 저항의 오차 범위를 벗어났을 때 이를 공정자에게 알리는 경고부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, according to another embodiment of the present invention, a gas supply system for transporting the gas contained in the gas storage tank to the process chamber through a gas supply line, which is installed in the gas supply line, the resistance of the gas flowing in the gas supply line A resistance sensing sensor for measuring a pressure, a control unit installed in the gas storage tank, and comparing and determining a resistance measured from the resistance sensing sensor with a reference resistance value for the gas, and installed in the gas storage tank, It characterized in that it comprises a warning to notify the operator when the measured resistance is out of the error range of the reference resistance.
본 발명에 의하면, 가스 저장 탱크와 공정 챔버를 연결하는 가스 공급 라인에 가스의 저항을 측정하는 저항 감지 센서를 설치하고, 가스 공급 라인 또는 가스 저장 탱크내에 저항 감지 센서로부터 얻어진 저항에 따라 리크 여부 및 필터 마모여부를 판정하는 제어 유닛과, 리크 또는 필터가 마모되었을 때 공정자에 이를 알리는 경고부를 설치한다.According to the present invention, a resistance sensor for measuring the resistance of the gas is installed in the gas supply line connecting the gas storage tank and the process chamber, and whether or not leak according to the resistance obtained from the resistance sensor in the gas supply line or gas storage tank; A control unit for determining filter wear and a warning unit for notifying the operator when the leak or filter are worn are installed.
이에따라, 저항 감지 센서로부터 얻어진 가스의 저항값이 기준치의 허용 오차에서 벗어나게 되면, 가스 공급 라인에 리크가 발생되어 불순물이 흡입되었거나 또는 필터가 마모되어 불순물이 흡입되었다 판정하고, 가스 공급 라인 및 필터를 점검한다.Accordingly, when the resistance value of the gas obtained from the resistance sensor is out of the tolerance of the reference value, it is determined that leakage occurs in the gas supply line and the impurities are sucked in or the filter is worn out so that the impurities are sucked in. Check it.
(실시예)(Example)
이하 첨부한 도면에 의거하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 하지만, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 반도체 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 어떤 층은 상기 다른 층 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제 3의 층이 개재되어질 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements. In addition, where a layer is described as being "on" another layer or semiconductor substrate, a layer may exist in direct contact with the other layer or semiconductor substrate, or a third layer therebetween. Can be done.
첨부한 도면 도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 가스 공급 시스템을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 가스 공급 시스템의 제어 유닛을 개략적으로 나타낸 블록도이다. 또한, 도 4는 본 발명의 실시예 2에따른 반도체 가스 공급 시스템을 나타낸 블록도이다.2 is a block diagram schematically showing a semiconductor gas supply system according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram schematically showing a control unit of the semiconductor gas supply system according to the present invention. 4 is a block diagram showing a semiconductor gas supply system according to Embodiment 2 of the present invention.
본 실시예에서는 저항이 불순물의 농도에 따라 변화되는 점에 착안하여, 각 가스별 저항치를 미리 측정한다음, 가스 공급 라인을 통하여 가스가 흐를 때 가스의 저항을 측정하여 불순물이 증가되었는지의 여부를 판단한다. 그후, 불순물 농도가 증가되었으면, 이를 공정자에게 신속히 알리므로써, 오염된 가스로 공정이 진행됨을 미연에 방지하도록 한다.In this embodiment, focusing on the fact that the resistance changes according to the concentration of impurities, the resistance value for each gas is measured in advance, and then the resistance of the gas is measured when the gas flows through the gas supply line to determine whether the impurities have increased. To judge. Then, if the impurity concentration is increased, it is notified quickly to the operator to prevent the process from proceeding with contaminated gas.
이러한 본 발명의 반도체 가스 공급 시스템에 대하여 도 2를 참조하여 보다 자세하게 설명하면, 소정의 가스가 저장되어 있는 가스 저장 탱크(20)와 웨이퍼 표면에 공정을 진행하기 위한 공정 챔버(22)는 가스 공급 라인(24)에 의하여 서로 연결되어 있다. 가스 저장 탱크(20)와 공정 챔버(22) 사이에는 종래와 마찬가지로 가스 공급 라인(24)내의 압력을 조절하는 레귤레이터(26)와, 가스 공급 라인(24) 내의 불순물들을 필터링하는 필터(28)가 구비된다.The semiconductor gas supply system of the present invention will be described in more detail with reference to FIG. 2. The gas storage tank 20 in which a predetermined gas is stored and the process chamber 22 for performing a process on the wafer surface are provided with a gas supply. The lines 24 are connected to each other. Between the gas storage tank 20 and the process chamber 22, a regulator 26 for regulating pressure in the gas supply line 24 and a filter 28 for filtering impurities in the gas supply line 24 are provided. It is provided.
여기서, 가스 저장 탱크(20)와 레귤레이터(26) 사이의 가스 공급 라인(24)에는 본 실시예에 따른 감지부(30)가 연결된다.Here, the sensing unit 30 according to the present embodiment is connected to the gas supply line 24 between the gas storage tank 20 and the regulator 26.
감지부(30)는 가스 공급 라인(24)에 가스가 흐를 때, 가스의 저항을 측정하는 저항 감지 센서(30a)와, 저항 감지 센서(30a)에서 측정된 저항치와 미리 측정된 해당 가스의 기준 저항치를 비교, 판단하는 제어 유닛(30b)과, 저항 감지 센서(30a)로부터 센싱된 저항치가 기준 저항치의 오차 범위를 벗어날 때 동작되는 경고부(30c)를 포함한다. 이때, 경고부(30c)는 알람일 수 있다.When the gas flows in the gas supply line 24, the detector 30 may include a resistance sensor 30a measuring the resistance of the gas, a resistance measured by the resistance sensor 30a, and a reference of the corresponding gas measured in advance. The control unit 30b for comparing and determining the resistance value and a warning unit 30c operated when the resistance value sensed from the resistance detection sensor 30a is out of an error range of the reference resistance value. At this time, the warning unit 30c may be an alarm.
아울러, 제어 유닛(30b)은 도 3에 도시된 바와 같이, 측정된 가스의 저항치를 미리 측정된 기준 저항치의 온도 및 압력 조건으로 환산시켜주는 온도 조절부(30b-1) 및 압력 조절부(30b-2)와, 온도 조절부(30b-1) 및 압력 조절부(30b-2)에 의하여 기준 저항치의 조건으로 환산된 측정된 저항치와 기준 저항치를 비교하는 비교부(30b-3)를 포함한다. 아울러, 제어 유닛(30b)에는 각 가스별로 기준 저항치가 저장되는 메모리부(도시되지 않음)가 구비되어 있다.In addition, as shown in FIG. 3, the control unit 30b includes a temperature controller 30b-1 and a pressure controller 30b for converting the measured resistance of the gas into temperature and pressure conditions of the previously measured reference resistance. -2) and a comparison unit (30b-3) for comparing the measured resistance value and the reference resistance value converted by the temperature controller (30b-1) and the pressure controller (30b-2) under the condition of the reference resistance value. . In addition, the control unit 30b is provided with a memory unit (not shown) in which the reference resistance value is stored for each gas.
이때, 제어 유닛(30b)내에 온도 조절부(30b-2) 및 압력 조절부(30b-3)를 설치하는 것은 다음과 같은 이유에서이다. 일반적으로, 가스는 흐르는 유체이므로, 체적, 주변 온도, 및 유속에 의하여 저항치가 변화된다. 그러므로, 일정한 저항을 얻어내기 어려우므로, 측정된 저항을 미리 측정된 기준 저항치와 조건이 동일하도록 온도 및 압력 조건을 환산시키기 위하여 온도 조절부(30b-2) 및 압력 조절부(30b-3)가 필요한 것이다.At this time, the temperature adjusting part 30b-2 and the pressure adjusting part 30b-3 are provided in the control unit 30b for the following reason. In general, since gas is a flowing fluid, the resistance value is changed by volume, ambient temperature, and flow rate. Therefore, since it is difficult to obtain a constant resistance, in order to convert the temperature and pressure conditions so that the measured resistance is equal to the reference resistance value measured in advance, the temperature controller 30b-2 and the pressure controller 30b-3 are It is necessary.
이러한 본 실시예의 가스 공급 시스템의 동작은 다음과 같다.The operation of the gas supply system of this embodiment is as follows.
먼저, 각 가스별로 일정한 온도 및 압력 조건에서 기준 저항을 측정하여, 제어 유닛(30b)의 메모리부에 저장한다.First, the reference resistance is measured under a constant temperature and pressure condition for each gas and stored in the memory unit of the control unit 30b.
다음, 가스 저장 탱크(20)로부터 공정 챔버(22)로 가스가 공급될 때, 감지부(30)의 저항 감지 센서(30a)는 흐르는 가스의 저항을 측정한다.Next, when gas is supplied from the gas storage tank 20 to the process chamber 22, the resistance sensor 30a of the detector 30 measures the resistance of the flowing gas.
이어서, 저항 감지 센서(30a)에 의하여 측정된 저항을, 온도 및 압력 조절부(30b-2,30b-2)에 의하여 기준 저항의 조건으로 환산한다음, 비교부(30b-1)에서 기준 저항과 측정된 저항을 비교한다.Subsequently, the resistance measured by the resistance detecting sensor 30a is converted into a condition of the reference resistance by the temperature and pressure adjusting units 30b-2 and 30b-2, and then the reference resistance is compared by the comparing unit 30b-1. And the measured resistance.
이때, 측정된 저항이 기준 저항의 오차 범위를 벗어나게 되면, 가스 공급 라인(24)의 소정 부분에 리크가 발생되었거나 또는 필터(28)가 마모된 것으로 판단하고, 경고부(30c)를 동작한다. 이를 보다 자세하게 설명하면, 알려진 바와 같이 가스의 저항은 불순물의 농도와 상관 관계를 가지므로, 가스내의 불순물 농도가 증대되면, 저항이 변화된다. 그러므로, 가스 공급 라인(24)에 리크가 발생되어서 불순물이 다량 흡입되었거나, 또는 필터(28)의 성능이 저하되어 불순물이 용이하게 필터링되지 않는 경우, 불순물 농도가 증대되어 저항이 변화되는 것이므로, 경고부(30c)를 동작시키는 것이다.At this time, when the measured resistance is out of the error range of the reference resistance, it is determined that a leak has occurred in a predetermined portion of the gas supply line 24 or the filter 28 is worn, and the warning unit 30c is operated. To explain this in more detail, as is known, the resistance of gas has a correlation with the concentration of impurities, and as the concentration of impurities in the gas increases, the resistance changes. Therefore, when leakage occurs in the gas supply line 24 and a large amount of impurities are sucked, or when the performance of the filter 28 is degraded and impurities are not easily filtered, the impurity concentration is increased and the resistance is changed. It is to operate the unit 30c.
이와같이 경고부(30c)가 동작되면, 공정자는 가스 공급 라인(24)에 리크가 발생되었거나, 또는 필터(28)가 마모되었음을 인식하고, 가스 공급 라인(24) 및 필터(28)를 점검한다.When the warning part 30c is operated in this manner, the operator recognizes that the gas supply line 24 has leaked or the filter 28 is worn, and checks the gas supply line 24 and the filter 28.
또한, 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 설명하기로 한다. 여기서, 가스 저장 탱크(20), 공정 챔버(22), 가스 공급 라인(24), 레귤레이터(26) 및 필터(28)는 상술한 실시예 1과 동일하고, 감지부의 구조만이 상이하다.In addition, with reference to Figure 3 will be described another embodiment of the present invention. Here, the gas storage tank 20, the process chamber 22, the gas supply line 24, the regulator 26, and the filter 28 are the same as those of the first embodiment described above, and only the structure of the sensing unit is different.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 가스 저장 탱크(20)와 레귤레이터(26) 사이의 가스 공급 라인(24)내에 저항 감지 센서(40)를 설치한다. 또한, 저항 감지 센서(40)로부터 가스의 저항을 측정한후, 이를 비교 판단하는 제어 유닛(50)과, 제어 유닛(50)으로부터, 리크 또는 필터의 성능이 저하되었다고 판단되었을 때 동작되는 경고부(60)는 가스 저장 탱크(20) 내부에 설치할 수도 있다. 여기서, 제어 유닛(50)은 상기한 도 3의 구성과 같다.That is, as shown in FIG. 3, the resistance sensor 40 is installed in the gas supply line 24 between the gas storage tank 20 and the regulator 26. In addition, a warning unit operated when the resistance of the gas is measured by the resistance detecting sensor 40, and then the control unit 50 compares and judges the resistance of the gas, and the control unit 50 determines that the performance of the leak or the filter is degraded. 60 may be installed inside the gas storage tank 20. Here, the control unit 50 is the same as the structure of FIG. 3 mentioned above.
이와같이, 가스 공급 라인(24)에는 저항 감지 센서(40)만을 설치하고, 제어유닛(50)과 경고부(60)는 가스 저장 탱크(20)내에 형성되어도 동일한 효과를 거둘 수 있다.In this way, only the resistance sensor 40 is installed in the gas supply line 24, and the control unit 50 and the warning unit 60 may have the same effect even if they are formed in the gas storage tank 20.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 가스 저장 탱크와 공정 챔버를 연결하는 가스 공급 라인에 가스의 저항을 측정하는 저항 감지 센서를 설치하고, 가스 공급 라인 또는 가스 저장 탱크내에 저항 감지 센서로부터 얻어진 저항에 따라 리크 여부 및 필터 마모 여부를 판정하는 제어 유닛과, 리크 또는 필터가 마모되었을 때 공정자에 이를 알리는 경고부를 설치한다.As described in detail above, according to the present invention, a resistance detection sensor for measuring the resistance of the gas is installed in the gas supply line connecting the gas storage tank and the process chamber, and from the resistance detection sensor in the gas supply line or the gas storage tank According to the resistance obtained, a control unit for determining whether or not to leak and filter wear is provided, and a warning unit for notifying the operator when the leak or filter is worn out.
이에따라, 저항 감지 센서로부터 얻어진 가스의 저항값이 기준치의 허용 오차에서 벗어나게 되면, 가스 공급 라인에 리크가 발생되어 불순물이 흡입되었거나 또는 필터가 마모되어 불순물이 흡입되었다 판정하고, 가스 공급 라인 및 필터를 점검한다.Accordingly, when the resistance value of the gas obtained from the resistance sensor is out of the tolerance of the reference value, it is determined that leakage occurs in the gas supply line and the impurities are sucked in or the filter is worn out so that the impurities are sucked in. Check it.
기타, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변경 실시할 수 있다.In addition, various changes can be made in the range which does not deviate from the summary of this invention.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010042357A KR20030006544A (en) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Gas supply system in semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010042357A KR20030006544A (en) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Gas supply system in semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030006544A true KR20030006544A (en) | 2003-01-23 |
Family
ID=27715008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010042357A KR20030006544A (en) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Gas supply system in semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030006544A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190022000A (en) * | 2017-08-25 | 2019-03-06 | 주식회사 인토 | Contamination monitoring apparatus for process gas line |
| KR20190053473A (en) * | 2017-11-10 | 2019-05-20 | 삼성전자주식회사 | System and method for suppying liquid chemical |
| WO2022076126A1 (en) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | Applied Materials, Inc. | In-situ method and apparatus for measuring fluid resistivity |
| WO2022216435A1 (en) * | 2021-04-05 | 2022-10-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for verification and re-use of process fluids |
-
2001
- 2001-07-13 KR KR1020010042357A patent/KR20030006544A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190022000A (en) * | 2017-08-25 | 2019-03-06 | 주식회사 인토 | Contamination monitoring apparatus for process gas line |
| KR20190053473A (en) * | 2017-11-10 | 2019-05-20 | 삼성전자주식회사 | System and method for suppying liquid chemical |
| WO2022076126A1 (en) * | 2020-10-09 | 2022-04-14 | Applied Materials, Inc. | In-situ method and apparatus for measuring fluid resistivity |
| US11555730B2 (en) | 2020-10-09 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | In-situ method and apparatus for measuring fluid resistivity |
| WO2022216435A1 (en) * | 2021-04-05 | 2022-10-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for verification and re-use of process fluids |
| US11609505B2 (en) | 2021-04-05 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for verification and re-use of process fluids |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5762684A (en) | Treating liquid supplying method and apparatus | |
| TWI652462B (en) | Valve body abnormality detecting device and method for detecting abnormal body thereof | |
| US11410861B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
| JPH0568818A (en) | Filter | |
| US6513542B1 (en) | Liquid supply or drain pipe equipped with a leakage detector | |
| US20050123414A1 (en) | Pumping apparatus | |
| KR20030006544A (en) | Gas supply system in semiconductor | |
| KR102133537B1 (en) | Error detect and control method for gas filling and exhausting system of pressure tank | |
| JP2009024577A (en) | Method for judging abnormality in degree of vacuum and device thereof | |
| JP3479034B2 (en) | Processing method of plasma etching apparatus | |
| CN116547840A (en) | Battery system | |
| KR101523227B1 (en) | System and method for checking refrigerant leakage of temperature control system for semiconductor manufacturing process facilities using an intermediation of gas | |
| CN112234011A (en) | Position detection device and position detection method | |
| KR200266364Y1 (en) | The real-time gas monitoring device of gas supply system | |
| KR100702793B1 (en) | Apparatus for supplying photo resist and method for testing the apparatus | |
| KR101985809B1 (en) | Leakage testing equipment for electrostatic chuck | |
| US11901197B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR100286339B1 (en) | Pumping pressure detector for semiconductor wafer depositor | |
| US20020064604A1 (en) | Capacitive sensor for detecting bubbles in SOG | |
| US6626050B1 (en) | Method for improving monitored range of flow sensor | |
| US20190376868A1 (en) | Detecting a fluid leak in a vacuum chamber | |
| TW202347424A (en) | Substrate processing apparatus and liquid leakage detection method | |
| KR20010077328A (en) | A semiconductor device fabrication apparatus having a function for sensing surface temperature of the semiconductor device | |
| KR20060075857A (en) | Piston drive monitoring device and thereof method in the diw rinse bath | |
| JPH11220853A (en) | Detecting method for leakage of hydrogen gas or secondary cooling water from hydrogen gas cooler for turbine generator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |