KR20030000411A - Tft-lcd repair method using nd:yag laser - Google Patents

Tft-lcd repair method using nd:yag laser Download PDF

Info

Publication number
KR20030000411A
KR20030000411A KR1020010036180A KR20010036180A KR20030000411A KR 20030000411 A KR20030000411 A KR 20030000411A KR 1020010036180 A KR1020010036180 A KR 1020010036180A KR 20010036180 A KR20010036180 A KR 20010036180A KR 20030000411 A KR20030000411 A KR 20030000411A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
defect
laser beam
tft
oxide
yag laser
Prior art date
Application number
KR1020010036180A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박진용
Original Assignee
주식회사 에셀텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에셀텍 filed Critical 주식회사 에셀텍
Priority to KR1020010036180A priority Critical patent/KR20030000411A/en
Publication of KR20030000411A publication Critical patent/KR20030000411A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method for repairing a TFT-LCD by an ND:YAG laser is provided to easily repair the defect by directly radiating laser beam to a data open defect to deposit a metal and obtain the high defect repair effect by the direct repair work for the defect portion. CONSTITUTION: A method for repairing a TFT-LCD by an ND:YAG laser includes the steps of removing an insulating layer(50) by radiating laser beam directly to a defect portion and a thin film base(70) located at a lower part of a pattern(60), if the pattern deposited on a glass(40) has the defect, producing an oxide by forming a plasma on a thin film base layer by the laser beam radiation, and correcting the defect by producing a deposition film by depositing the oxide onto the defect portion.

Description

엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법{TFT-LCD Repair Method using Nd:YAG Laser}TFT-LCD Repair Method using Nd: YAG Laser}

본 발명은 엔디 야그 레이저(Nd:YAG Laser)를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 티에프티-엘씨디의 수리공정을 단순화하면서도 손쉽게 엘씨디 수리가 가능하며, 결함수정 효과가 증대되도록 한 티에프티-엘씨디 수리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a TFT-LC repair method using an Nd: YAG laser, and more particularly, to simplify the repair process of a TFT-CD, it is possible to repair the CD easily, and the defect correction effect is increased. It is related to the TFT-CD repair method.

잘 아는 바와 같이, 최근에는 티에프티-엘씨디(이하 "TFT-LCD"라 함) 패널의 대면적화가 급속히 진행되고 있고 TFT소자수가 막대하게 많아지게 된 결과, TFT-LCD의 결함발생이 억제되지 않고 있는 실정이다. 특히, 고가의 대형기판에 발생하는 결함을 수정하여 재료비율을 향상시키고 최종적으로 손익에 큰 영향을 주기때문에 패널 제작에 LCD 수리기술이 요구된다.As is well known, as a result of the rapid increase in the size of TFT-LCD panels (hereinafter referred to as "TFT-LCD") panels and the large number of TFT elements, the occurrence of defects in TFT-LCDs is not suppressed. There is a situation. In particular, LCD repair technology is required for panel production because defects occurring on expensive large-sized boards are corrected to improve the material ratio and ultimately affect the profit and loss.

TFT-LCD 패널의 결함수정가공에 레이저가 많이 적용되고 있지만, 대표적인 2가지 기술에 대하여 언급하면 다음과 같다.Lasers have been applied to defect-fixing processing of TFT-LCD panels, but the two representative technologies are as follows.

첫째는 주로 TFT-LCD 패널의 브릿지 제거나 TFT를 끊어 내는 것에 주로 이용을 하고, 전극단락이라는 치명적인 결함이 발생할 경우, 신호선을 다른 부분의 신호선에 레이저빔을 조사하여 수리선과 연결을 시키는 방법이고, 두번째 방법인 레이저 CVD방법은 챔버를 제작하여 챔버안에서 레이저 빔과 금속가스를 사용하여 전극단락 부분에 직접적으로 금속층을 증착시켜 결함을 수정하는 방법이다.Firstly, it is mainly used to remove the bridge of TFT-LCD panel or to disconnect the TFT, and when a fatal defect such as an electrode short occurs, the signal line is connected to the repair line by irradiating a laser beam to the signal line of another part. The second method, the laser CVD method, is a method of fabricating a chamber and using a laser beam and a metal gas to deposit a metal layer directly on an electrode short circuit to correct defects.

위 두가지 수리방법에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above two repair methods will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첫번째 수리방법은 도 1 내지 도 3에 잘 나타나 있는바, 먼저 첨부된 예시도면 도 1은 패널(10)에서 데이타가 오픈된 상태를 개략적으로 도시한 것이으로, 데이타패드(11)와, 게이트선(12)이 구비되어 있고, 정상적인 데이타선(13)과 비정상적인 데이타선(14) 및 수리선(15)이 도시되어 있다. 상기 비정상적인 데이타선(14)의 일부에 결함부(14a)가 발생한 모습이 나타나 있다.The first repair method is well illustrated in FIGS. 1 to 3. First of all, the accompanying drawings of FIG. 1 schematically show a state in which data is opened in the panel 10. The data pad 11 and the gate line are shown in FIG. 12 is provided, and a normal data line 13, an abnormal data line 14, and a repair line 15 are shown. The defective portion 14a is shown in a part of the abnormal data line 14.

도 2는 데이터가 오픈된 선과 수리선이 교차하는 위치에 레이저빔을 조사하여 데이터가 오픈된 선을 연결하여 신호의 입력이 가능하도록 한 것을 나타낸 것이다. 즉, 포인트(P1)(P2)가 레이저 빔이 맞는 부분을 나타낸다.FIG. 2 shows that the input of a signal is possible by connecting a line where the data is open by irradiating a laser beam at a position where the line where the data is open and the repair line intersect. In other words, the points P1 and P2 indicate the portions where the laser beams fit.

또한, 도 3은 도 2의 일부를 확대하여 도시한 단면도로서, 수리선(15), 절연층(20), 데이타선(14)이 도시되어 있고, 레이저빔에 의해 수리한 결과 수리선(15)이 녹아서 수리선(15)과 데이타선(14)이 연결되어 연결부(16)가 형성된 모습이 나타나 있다. 이때에는 절연층(17)이 중간에 형성되어 있어 이 절연층(17)을 레이저빔을 통해 통과하여 수리작업을 하는 것이다.3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG. 2, wherein the repair line 15, the insulating layer 20, and the data line 14 are shown, and the repair line 15 is repaired by the laser beam. ) Is melted, and the repair line 15 and the data line 14 are connected to each other to form a connection 16. At this time, the insulating layer 17 is formed in the middle, and the insulating layer 17 passes through the laser beam for repair work.

이러한 방식의 수리방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.This method of repair had the following problems.

첫째, 입력신호선과 데이터 오픈이 발생한 선이 정확히 교차하는 부분에 레이저 빔이 조사되어야 한다. 따라서, 상기 데이터 오픈이 발생한 선과 수리선이 미세하기 때문에 정확히 일치하는 부분에 레이저 빔을 조사하는 것은 매우 어렵다.First, the laser beam should be irradiated to the portion where the input signal line and the data open line cross exactly. Therefore, since the line where the data open has occurred and the repair line are minute, it is very difficult to irradiate the laser beam to the exact coincident part.

둘째, 입력신호선과 데이터 오픈이 발생한 선을 연결하기 위해서는 2회의 가공공정이 필요하다. 왜냐하면, 결함이 생성된 부분을 제외한 부분에 입력신호를 가하기 위해 포인트(P1)(P2)에 각각 레이저빔을 조사하여 결함이 생성된 부분 이외의 부분에 입력신호가 전달될 수 있도록 수리하기때문에 2회공정이 요구되는 것이다.Second, two machining processes are required to connect the input signal line and the line where data open occurs. Because the laser beam is irradiated to the points P1 and P2 to apply the input signal to the portions except the portion where the defect is generated, so that the input signal can be transmitted to the portions other than the portion where the defect is generated. Recovery process is required.

셋째, 결함이 생긴부분은 신호선 연결이 되지 않아 그에 해당하는 화소부는 수리가 불가능해지는 것이다. 이것은 결함이 발생한 경우, 그 결함이 발생한 위치에 해당되는 소자들은 신호를 받을 수 없다. 그러나, 위와 같은 종래의 수리방법으로 수리하는 경우에는 결함위치에 놓인 소자만이 신호가 전가되지 않기때문에, 이에 해당하는 하나의 화소부만이 수리되지 않고, 이를 제외한 나머지 부분은 신호가 전달되어 수리가 되는 것이다. 만일, 결함부분을 수리하지 않을 경우에는 결함부분이 모든 소자들에게 입력신호가 전달되지 않아 그 라인 전체가 불량이 되는 것이다.Third, the defective part is not connected to the signal line, so that the corresponding pixel part cannot be repaired. This means that in the event of a fault, devices corresponding to the location of the fault cannot receive a signal. However, in the case of repairing by the conventional repair method as described above, since only the element placed in the defective position does not carry a signal, only one pixel portion corresponding thereto is not repaired, and the rest of the rest is transmitted by the signal. To be. If the defective part is not repaired, the defective part does not transmit the input signal to all devices, and the entire line becomes defective.

한편, 종래의 다른 방식의 수리방법을 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the conventional repair method of another method is as follows.

도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 가공분위기가 조성된 챔버안에서 레이저빔과 증기[W(CO)6]를 이용하여 결함부위에 금속층을 증착시키는 방법이다.As shown in Figures 4a to 4c, a method of depositing a metal layer on the defect site using a laser beam and steam [W (CO) 6 ] in the chamber in which the working atmosphere is formed.

먼저 예시도면 도 4a를 보면, 글라스기판(20)상에 게이트선(21)이 형성되고, 이 게이트선(21)에 다시 보호 절연막(22)이 갖추어져 있다. 이 상태에서 먼저, 절연막(22)을 레이저빔(30)으로 제거하여 도 4b에 도시된 바와 같이, 배선(23)표면을 노출시킨다, 그런 다음에 증기(24)를 노출부에 증착시킨다. 그런 다음에 정상적인 배선과 결함이 있는 배선을 연결하기 위해 도 4c에 도시된 바와 같이, 새로운 배선(25)을 증착방법으로 생성하여 서로 연결시키는 단계를 거치는 것이다.First, referring to FIG. 4A, a gate line 21 is formed on a glass substrate 20, and a protective insulating layer 22 is again provided on the gate line 21. In this state, first, the insulating film 22 is removed by the laser beam 30 to expose the surface of the wiring 23, as shown in Fig. 4B, and then vapor 24 is deposited on the exposed portion. Then, in order to connect the normal wiring and the defective wiring, as shown in FIG. 4C, a new wiring 25 is formed by a deposition method and connected to each other.

그러나, 위와 같은 종래의 증착방식은 다음과 같은 점에서 문제점이 있었다.However, the conventional deposition method as described above has a problem in the following points.

첫째, 레이저 가공공정은 가공분위기를 조성하기 위해 고가의 챔버를 제작하여야 하는 부담이 있었다. 이 챔버는 대기압 상태에서 진공상태의 가공분위기를 조성해야 하고, 고온고압의 증기를 사용하기 때문에 이를 견딜 수 있도록 제조하는데 소요되는 비용이 그만큼 상승되어 고가의 장비가 되는 것이다.First, the laser processing process has a burden of manufacturing an expensive chamber to create a working atmosphere. The chamber has to create a processing atmosphere in a vacuum at atmospheric pressure, and because the use of high-temperature, high-pressure steam, the cost of manufacturing to withstand it is increased so that it becomes expensive equipment.

둘째, 진공챔버안의 미세증기와 레이저빔이 반응을 일으켜 증착층을 생성하기게 되는데, 레이저빔이 미세한 증기에 닿아 반응을 일으켜 일정시간이 지나야만 일정량의 증착층이 생성된다. 이러한 미세증기를 이용하여 증착층이 생성되므로 증착되는 시간이 길어지제 된다. 이에 증착되는 층이 비교적 적게되고, 증착량을 증가시키기 위해서는 가공시간이 길어지게 된다. 또한, 사용되는 증기[W(CO)6]는 인체에 유해한 것이기때문에 사용에 주의를 해야한다.Second, the micro vapor in the vacuum chamber and the laser beam reacts to produce a deposition layer. The laser beam touches the fine vapor and reacts to produce a deposition amount only after a certain time. Since the deposition layer is generated by using the fine steam, the deposition time becomes longer. As a result, the layer deposited is relatively small, and the processing time becomes long to increase the deposition amount. In addition, the vapor [W (CO) 6 ] used is harmful to the human body, so use with caution.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, Nd:YAG 레이저가 글라스 기판을 투과하는 성질을 이용하여 금속박판과Nd:YAG 레이저로 결손된 부분의 결함에 직접 금속 산화층을 증착시켜 결함부분이 손쉽게 수정되므로 인해 불량을 제거함과 동시에 품질향상과 수리비용을 절감할 수 있도록 한 Nd:YAG 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법을 제공함에 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, the metal oxide layer directly on the defects of the metal plate and the defect of the Nd: YAG laser by using the property of the Nd: YAG laser penetrates the glass substrate. It is an object of the present invention to provide a TFT-LCD repair method using Nd: YAG laser, which allows the defects to be easily fixed by depositing the defects, thereby improving quality and reducing repair costs.

도 1은 일반적인 데이터 오픈이 발생한 엘씨디 패널의 개략도1 is a schematic diagram of an LCD panel in which a general data open occurs

도 2는 데이터 오픈이 발생한 엘씨디 패널을 수리한 모습을 나타낸 도면2 is a view illustrating a repair of an LCD panel in which data open occurs.

도 3은 도 2에서 레이저빔에 의해 수리선이 녹아서 수리선과 데이터선이 연결된 모습을 확대한 단면도3 is an enlarged cross-sectional view of a repair line melted by a laser beam in FIG. 2 and connected to the repair line and the data line;

도 4는 종래의 다른 수리방법을 도시한 도면으로서, 도 4a는 절연막 제거모습을 설명하는 도면4 is a view showing another conventional repair method, Figure 4a is a view explaining the removal of the insulating film

도 4b는 텅스텐을 증착하는 단계를 나타낸 도면4b shows a step of depositing tungsten

도 4c는 배선증착 및 연결상태를 나타낸 도면Figure 4c is a view showing the wire deposition and connection state

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 수리방법을 단계별로 나타낸 도면5a to 5c are views showing step by step the repair method according to the invention

* 도면의 주요부분에 대한 부호설명 ** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings *

40 : 글라스40: glass

50 : 절연층50: insulation layer

60 : 패턴60: pattern

70 : 박막베이스70: thin film base

80 : 레이저빔(Nd:YAG Laser beam)80: Nd: YAG Laser beam

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 글라스에 증착된 패턴에 결함이 발생한 경우, 박막베이스와 레이저를 통해 직접 결함부위에 레이저빔을 조사하여 절연층을 제거하는 단계와, 이 레이저빔 조사단계에 의해 박막베이스층에 플라즈마가 형성되어 산화물이 생성되는 단계와, 이 발생된 산화물이 결함부에 증착되어 결함부위의 결함을 수정하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of removing a dielectric layer by directly irradiating a laser beam to a defect portion through a thin film base and a laser when a defect occurs in a pattern deposited on glass, and the laser beam irradiation step. Plasma is formed on the thin film base layer to form an oxide, and the generated oxide is deposited on the defect portion to correct the defect at the defect portion.

상기 박막베이스는 크롬, 알루미늄으로 되어 있고, 레이저빔은 Nd:YAG레이저로 발생된 빔이다.The thin film base is made of chromium and aluminum, and the laser beam is a beam generated by an Nd: YAG laser.

상기 조사되는 레이저빔은 출력과 펄스수를 조절하여 산화물의 생성량을 미세하게 조절할 수 있어 결손부위의 산화물 증착정도도 조절가능한 것을 특징으로 한다.The irradiated laser beam can finely control the amount of oxide produced by controlling the output and the number of pulses, so that the degree of oxide deposition on the defective portion can be adjusted.

상기 산화물은 크롬, 알루미늄 산화물이다. 또한, 상기 박막베이스와 패턴간에는 일정한 간격을 유지하도록 한다.The oxide is chromium, aluminum oxide. In addition, a constant distance is maintained between the thin film base and the pattern.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 수리방법을 단계별로 설명하기 위해 도시한 도면이다. 이 도면들에 의거 본 발명의 수리방법을 단계별로 설명하면 다음과 같다.5a to 5c are diagrams for explaining step by step the repair method according to the invention. Referring to the repair method of the present invention step by step based on these drawings as follows.

도 5a에 의거 기본구조를 살펴보면, 글라스(40)를 기준으로 아랫방향으로 절연층(50)이 형성되고, 이 절연층(50)의 하부에 패턴(60)이 증착되어 있고, 그 하단에 박막베이스(70)가 구비되어 있다.Referring to the basic structure of FIG. 5A, an insulating layer 50 is formed downward from the glass 40, and a pattern 60 is deposited below the insulating layer 50, and a thin film is formed at the bottom thereof. The base 70 is provided.

글라스(40)에 증착된 패턴(60)에 결함이 발생한 경우 패턴(60)의 하부에 위치하고 있는 박막베이스(70)와 레이저를 통해 직접 결함부위에 레이저빔(80)을 조사하여 절연층을 제거하는 단계(S1)와, 이 레이저빔(80)의 조사단계에 의해 박막베이스층(70)에 플라즈마가 형성되어 산화물이 생성되는 단계(S2)와, 이 발생된 산화물이 결함부에 증착되어 증착막(90)이 생성되면서 결함부위의 결함을 수정하는 단계(S3)를 포함하여 이루어져 있다.If a defect occurs in the pattern 60 deposited on the glass 40, the insulating layer is removed by irradiating the laser beam 80 directly to the defect site through a thin film base 70 positioned under the pattern 60 and a laser. In step S1, the plasma is formed on the thin film base layer 70 by the irradiation step of the laser beam 80, and an oxide is generated (S2). 90 is generated to include the step (S3) of correcting the defect in the defect portion.

상기 박막베이스(70)는 크롬, 알루미늄으로 되어 있고, 레이저빔(80)은 Nd:YAG레이저로 생성되는 빔이다. Nd:YAG레이저장비에 대해서는 공지의 기술인바, 상세한 설명은 생략한다.The thin film base 70 is made of chromium and aluminum, and the laser beam 80 is a beam generated by an Nd: YAG laser. Nd: YAG laser equipment is a well-known technology, and detailed description thereof will be omitted.

상기 조사되는 레이저빔(80)은 출력과 펄스수를 조절하여 산화물의 생성량을 미세하게 조절할 수 있어 결손부위의 산화물 증착정도도 조절가능하다.The irradiated laser beam 80 can finely control the amount of oxide produced by controlling the output and the number of pulses, so that the degree of oxide deposition on the defective portion can also be adjusted.

상기 산화물은 크롬, 알루미늄 산화물이다.The oxide is chromium, aluminum oxide.

상기 박막베이스(70)와 패턴(60)사이의 간격과의 관계는 실험상으로는 간격이 좁을수록 증착되는 거리가 짧기때문에 비교적 많은 산화물이 패턴(60)에 증착되고, 반면에 거리가 길어질수록 증착되는 양이 적어진다. 만일 패턴(60)과 크롬, 알루미늄의 박막베이스(70)를 서로 접촉시키면 플라즈마의 영향으로 인해 패턴(60)에 흡집이 생성되므로 패턴(60)과 크롬,알루미늄 박막베이스(70)간에 일정한 거리를 유지해야 한다.The relationship between the gap between the thin film base 70 and the pattern 60 is relatively small, and the oxide is deposited on the pattern 60 because the distance is shorter. The amount is less. If the pattern 60 and the thin film base 70 of chromium and aluminum are brought into contact with each other, an absorption is generated in the pattern 60 due to the influence of the plasma, so that a certain distance between the pattern 60 and the chromium and aluminum thin film base 70 is maintained. It must be maintained.

본 발명은 Nd:YAG 레이저를 이용하였지만, 이것은 Nd:YAG 레이저기에서 발생한 레이저빔이 LCD의 글라스판을 투과하는 성질을 이용한 것으로, 이 레이저장비외에 LCD글라스판을 투과할 수 있는 빔을 생성하는 모든 장치가 사용가능하다.In the present invention, the Nd: YAG laser is used, but the laser beam generated by the Nd: YAG laser machine is used to transmit the glass plate of the LCD. All devices are available.

이와 같이 본 발명은 TFT-LCD의 데이터 오픈 결함에 직접 레이저 빔을 조사하여 금속을 증착시키기때문에 수리공정이 간단하고 손쉽게 수리가 가능하고, 결함부위에 직접 수정작업을 하기때문에 기존의 LCD 수리방법보다 결함수정효과가 우수하며, 다른 수리공정에 비하여 인체에 무해하고, 제조비용의 절감과 생산공정의 효율성이 증대되는 등의 효과가 있다.As described above, the present invention is simple and easy to repair because the laser beam is directly deposited on the data open defect of the TFT-LCD and the metal is deposited. The defect correction effect is excellent, compared to other repair process is harmless to the human body, there is the effect of reducing the manufacturing cost and the efficiency of the production process is increased.

Claims (5)

티에프티-엘씨디의 패턴 결함을 수리하는 방법에 있어서,In the method of repairing the pattern defect of TF-LC, 글라스에 증착된 패턴에 결함이 발생한 경우 패턴의 하부에 위치하고 있는 박막베이스와 레이저를 통해 직접 결함부위에 레이저빔을 조사하여 절연층을 제거하는 단계(S1)와,When a defect occurs in the pattern deposited on the glass to remove the insulating layer by directly irradiating a laser beam to the defect portion through a thin film base and a laser located at the bottom of the pattern (S1), 이 레이저빔의 조사단계에 의해 박막베이스층에 플라즈마가 형성되어 산화물이 생성되는 단계(S2)와,Plasma is formed in the thin film base layer by the step of irradiating the laser beam to generate an oxide (S2); 이 발생된 산화물이 결함부에 증착되어 증착막이 생성되면서 결함부위의 결함을 수정하는 단계(S3)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법.The generated oxide is deposited on the defect portion to generate a deposited film, and the step of correcting the defects in the defect site (TF) using a YT Yag laser, characterized in that the TFT-LCD repair method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저빔은 Nd:YAG레이저로 발생된 빔인 것을 특징으로 하는 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법.And the laser beam is a beam generated by an Nd: YAG laser. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 조사되는 레이저빔은 출력과 펄스수를 조절하여 산화물의 생성량을 미세하게 조절하므로써 결손부위의 산화물 증착정도가 조절가능한 것을 특징으로 하는 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법.The irradiated laser beam is a TFT-LC repair method using an end Yag laser, characterized in that the oxide deposition degree of the defective portion can be controlled by finely adjusting the amount of oxide produced by controlling the output and the number of pulses. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 생성되는 산화물은 크롬, 알루미늄 산화물인 것을 특징으로 하는 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법.The produced oxide is TF, TDI-CD repair method using an DY Yag laser, characterized in that the aluminum oxide. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막베이스와 패턴사이는 일정한 간격이 유지되도록 한 것을 특징으로 하는 엔디 야그 레이저를 이용한 티에프티-엘씨디 수리방법.The TFT-PCD repair method using an end YAG laser, characterized in that a constant distance is maintained between the thin film base and the pattern.
KR1020010036180A 2001-06-25 2001-06-25 Tft-lcd repair method using nd:yag laser KR20030000411A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036180A KR20030000411A (en) 2001-06-25 2001-06-25 Tft-lcd repair method using nd:yag laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010036180A KR20030000411A (en) 2001-06-25 2001-06-25 Tft-lcd repair method using nd:yag laser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030000411A true KR20030000411A (en) 2003-01-06

Family

ID=27710878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010036180A KR20030000411A (en) 2001-06-25 2001-06-25 Tft-lcd repair method using nd:yag laser

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030000411A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7755380B2 (en) 2005-10-06 2010-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Repairing manufacturing defects in flat panel displays
US9468996B2 (en) 2013-01-03 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Method of repairing substrate
US9978592B2 (en) 2015-04-14 2018-05-22 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsi University Method for repairing oxide thin film and oxide thin-film device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351623A (en) * 1986-08-20 1988-03-04 Nec Corp Realtime manufacturing, analyzing and evaluating device for crystal
JPH01144092A (en) * 1987-11-30 1989-06-06 Nippon Micronics:Kk Prober for liquid crystal display panel
JPH06109919A (en) * 1992-09-29 1994-04-22 Ntn Corp Defect correcting method and defect correcting device for color filter for lcd
JPH09135064A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd Method and device of correcting wiring of electronic circuit board as well as tft substrate
JPH11231341A (en) * 1998-02-10 1999-08-27 Advanced Display Inc Liquid crystal display device
JP2001044132A (en) * 2000-01-01 2001-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of semiconductor device
US6238749B1 (en) * 1993-10-11 2001-05-29 U.S. Philips Corporation Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351623A (en) * 1986-08-20 1988-03-04 Nec Corp Realtime manufacturing, analyzing and evaluating device for crystal
JPH01144092A (en) * 1987-11-30 1989-06-06 Nippon Micronics:Kk Prober for liquid crystal display panel
JPH06109919A (en) * 1992-09-29 1994-04-22 Ntn Corp Defect correcting method and defect correcting device for color filter for lcd
US6238749B1 (en) * 1993-10-11 2001-05-29 U.S. Philips Corporation Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process
JPH09135064A (en) * 1995-11-10 1997-05-20 Hitachi Ltd Method and device of correcting wiring of electronic circuit board as well as tft substrate
JPH11231341A (en) * 1998-02-10 1999-08-27 Advanced Display Inc Liquid crystal display device
JP2001044132A (en) * 2000-01-01 2001-02-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7755380B2 (en) 2005-10-06 2010-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Repairing manufacturing defects in flat panel displays
US9468996B2 (en) 2013-01-03 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Method of repairing substrate
US9978592B2 (en) 2015-04-14 2018-05-22 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsi University Method for repairing oxide thin film and oxide thin-film device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7126232B2 (en) Defect repair apparatus for an electronic device
EP0199585B1 (en) Apparatus for depositing electrically conductive and/or electrically insulating material on a workpiece
KR100547500B1 (en) Laser CD device and laser CD method
CN101655640B (en) Thin film transistor array substrate and methods for manufacturing and repairing same
KR20030000411A (en) Tft-lcd repair method using nd:yag laser
JP4784372B2 (en) Wiring board manufacturing method, display device manufacturing method, and wiring board manufacturing apparatus
JP2000031013A5 (en)
JPS6220871A (en) Deposition device for metallic thin film
KR101034959B1 (en) Apparatus for repairing defect of metal line and method of repairing thereof
CN112599713A (en) High-resolution microdisplay defect repairing method
JPH09152568A (en) Method for correcting defect of liquid crystal display element and device therefor
JP3013158B2 (en) Pattern correction method
KR20100106748A (en) Apparatus for repairing defect pixel in flat display panel
JPH02312237A (en) Semiconductor device, correction of wiring thereof and wiring correcting device
JP3130310B2 (en) Pattern correction method and photomask manufacturing method
JP2009042680A (en) Tft substrate and method of manufacturing the same
KR20110013854A (en) Method of repairing defect of half permeation part of halftone mask using femto-second pulse laser
KR20130004539A (en) Lcd method using laser
JP3201159B2 (en) Method for manufacturing thin film transistor
CN117647912A (en) Photomask defect repairing method capable of preventing repairing damage
KR20030069954A (en) Repairing Method for Flat Panel Display Devices
JP2981990B2 (en) Pattern correction device
KR20040022882A (en) Method for repair of phase shift mask
KR20030069953A (en) Repairing Apparatus for Flat Panel Display Devices
KR20090016254A (en) Apparatus for forming thin metal film using laser and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application