KR200283879Y1

KR200283879Y1 - Exhaust system of chemical vapor deposition apparatus

Info

Publication number: KR200283879Y1
Application number: KR2020020013583U
Authority: KR
Inventors: 김석봉
Original assignee: 아남반도체 주식회사
Priority date: 2002-05-03
Filing date: 2002-05-03
Publication date: 2002-07-27

Abstract

화학기상증착 장비의 배기 시스템에 관한 것으로, 그 목적은 화학기상증착 장비의 배기관 내벽에 파우더가 퇴적되는 것을 최소화하는 데 있다. 이를 위해 본 고안에서는 배기관의 외벽에 히팅 밴드를 감도록 설치하고, 히팅 밴드의 온도를 조절하는 온도 조절기를 설치하여 히팅 밴드를 90~110℃의 일정한 온도로 유지함으로써, 배기관을 통과하는 가스 입자를 서로 분리시켜 배기관의 내벽에 퇴적되는 현상을 감소시킨다.The present invention relates to an exhaust system of chemical vapor deposition equipment, and an object thereof is to minimize powder deposition on an inner wall of an exhaust pipe of chemical vapor deposition equipment. To this end, the present invention is installed to wrap the heating band on the outer wall of the exhaust pipe, and by installing a temperature controller for controlling the temperature of the heating band to maintain the heating band at a constant temperature of 90 ~ 110 ℃, to prevent the gas particles passing through the exhaust pipe Separation from each other reduces the deposition on the inner wall of the exhaust pipe.

Description

Exhaust system of chemical vapor deposition apparatus

본 고안은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 화학기상증착(CVD : chemical vapor deposition) 장비의 배기 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an exhaust system of chemical vapor deposition (CVD) equipment.

반도체 제조 과정 중에서 화학기상증착 장비는 각종 막 형성 공정에서 광범위하게 사용된다.Chemical vapor deposition equipment is widely used in various film forming processes during semiconductor manufacturing.

화학기상증착 장비의 챔버 내에서 화학반응이 완결된 후에는, 미반응된 나머지 잔류 가스가 부산물로 남아서 배기된다. 그러나 이 때 배기되는 가스는 유해물질이기 때문에 환경보호를 위해서는 스크러버(scrubber)를 통과하면서 파우더 및 독성 성분을 여과시킨 후 대기로 내보내도록 되어 있다.After the chemical reaction is completed in the chamber of the chemical vapor deposition equipment, the remaining unreacted residual gas remains as a by-product and is exhausted. However, since the exhaust gas is a hazardous substance, to protect the environment, the powder and the toxic components are filtered through the scrubber and sent out to the atmosphere.

챔버와 스크러버는 배기관으로 연결되어 있으며, 부산물인 잔류가스는 챔버로부터 나와 배기관을 통과하여 스크러버로 이동한다.The chamber and the scrubber are connected to the exhaust pipe, and the by-product residual gas leaves the chamber and passes through the exhaust pipe to the scrubber.

그러나 장시간 사용하다보면 배기관의 내벽에 파우더가 점차 퇴적되어 배기관 내의 흐름이 원활하게 이루어지지 않아서 스크러버에서 부산물인 잔류 가스를 완전하게 처리하지 못하게 되는 문제점이 있었다.However, when used for a long time, there is a problem that the powder is gradually deposited on the inner wall of the exhaust pipe so that the flow in the exhaust pipe is not made smoothly and thus the scrubber cannot completely process residual gas as a by-product.

이는 챠(char) 기록계를 이용하여 챔버의 압력과 스크러버 전단에서의 압력을 점검한 결과 스크러버 전단에서 압력이 균일하게 유지되지 못하고 유동성을 보이거나 급격하게 변화하는 등 불안정함을 발견하는 것으로부터 알 수 있었으며, 이러한 문제점을 해결하기 위해 스크러버 자체 내의 볼(ball) 밸브를 개선하고, 아울러 블로우(blow) 모터 및 모터 전환기를 개선하였다. 이 결과로 챔버와 스크러버 사이의 압력 유동이 상당부분 안정화되었다.This can be seen from the fact that the char recorder is used to check the pressure of the chamber and the pressure at the front of the scrubber, and find that the pressure is not uniform at the front of the scrubber and shows instability such as fluidity or rapid change. In order to solve this problem, the ball valve in the scrubber itself has been improved, as well as the blow motor and the motor changer. As a result, much of the pressure flow between the chamber and the scrubber was stabilized.

그러나 여전히 배기관의 내벽에 파우더가 퇴적되는 현상은 발생하기 때문에 장시간 사용하다보면 챔버와 스크러버 사이의 압력 불안정이 여전히 문제가 되고 있으며 이와 같이 압력이 불안정한 현상은 스크러버 고장의 원인으로 작용하기도 하는 문제점이 있다.However, since the powder deposit on the inner wall of the exhaust pipe still occurs, the pressure instability between the chamber and the scrubber is still a problem when used for a long time, and this unstable pressure may cause a problem of the scrubber failure. .

본 고안은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 화학기상증착 장비의 배기관 내벽에 파우더가 퇴적되는 것을 최소화하는 데 있다.The present invention is to solve the problems described above, the purpose is to minimize the deposition of powder on the inner wall of the exhaust pipe of the chemical vapor deposition equipment.

도 1은 본 고안에 따른 화학기상증착 장비의 배기 시스템을 도시한 상면도이다.1 is a top view showing the exhaust system of the chemical vapor deposition equipment according to the present invention.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안에서는 배기관의 외벽에 히팅 밴드를 감도록 설치하고, 히팅 밴드의 온도를 조절하는 온도 조절기를 설치하여 히팅 밴드를 90~110℃의 일정한 온도로 유지하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the object as described above, the present invention is installed to wind the heating band on the outer wall of the exhaust pipe, by installing a temperature controller for controlling the temperature of the heating band to maintain the heating band at a constant temperature of 90 ~ 110 ℃ It is characterized by.

이하, 본 고안에 따른 화학기상증착 장비의 배기 시스템에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the exhaust system of the chemical vapor deposition equipment according to the present invention will be described in detail.

일반적으로, 화학기상증착 장비의 챔버(1) 내로 주입기를 통해 가스와 케미컬(chemical)을 주입하여 웨이퍼의 표면 위로 도포하면 화학반응이 일어나 웨이퍼 표면에 원하는 막이 형성되고, 미반응된 나머지 잔류 가스는 배기밸브를 지나 배기관(2)을 통과하다가 스크러버(3)로 이동된다.In general, when gas and chemical are injected through the injector into the chamber 1 of the chemical vapor deposition apparatus and applied onto the surface of the wafer, a chemical reaction occurs to form a desired film on the surface of the wafer. After passing through the exhaust valve, the exhaust pipe (2) is moved to the scrubber (3).

스크러버(3)에서는 파우더 또는 독성 물질을 여과시키고, 여과작용이 끝난 잔류 가스를 수지(resin)에 먼저 응집시켰다가 배출하므로 대기 밖으로는 정화된 공기만 내보내게 된다.In the scrubber (3), the powder or toxic substances are filtered, and the residual gas after filtration is first agglomerated in the resin and then discharged, so only the purified air is discharged out of the atmosphere.

본 고안에서는 챔버(1)와 스크러버(3)를 연결하는 배기관(2)의 외벽에 히팅 밴드(4)를 설치하는데, 히팅 밴드의 일 예로 발열 저항체인 히팅 코일을 배기관의 외벽에 감도록 설치한다.In the present invention, the heating band 4 is installed on the outer wall of the exhaust pipe 2 connecting the chamber 1 and the scrubber 3. An example of the heating band is a heating coil which is a heating resistor installed on the outer wall of the exhaust pipe. .

또한 히팅 코일의 온도를 적절한 범위 내에서 일정하게 유지하기 위해 온도 조절기를 설치한다. 이 때 히팅 코일의 온도는 대략 90~110℃ 정도로 유지하는 것이 바람직하다. 그리고 히팅 코일의 온도를 직접적으로 읽을 수 있도록 온도 게이지를 설치하면 더욱 좋다.In addition, a thermostat is installed to keep the temperature of the heating coil constant within an appropriate range. At this time, the temperature of the heating coil is preferably maintained at about 90 ~ 110 ℃. It is even better to install a temperature gauge to read the temperature of the heating coil directly.

일반적으로 배기관은 서스(SUS) 재질로 되어 있는데 배기관의 외벽에 히팅 밴드를 설치하고 온도를 90~100℃ 정도로 일정하게 유지하여 배기관을 가열하면 원래 정전기를 가지고 있는 가스 입자가 서로 분리되어 배기관의 내벽에 퇴적되는 현상이 감소되는 것이다.In general, the exhaust pipe is made of sus material. When the heating pipe is heated by installing a heating band on the outer wall of the exhaust pipe and maintaining a constant temperature of about 90 to 100 ° C., the gas particles originally having static electricity are separated from each other and the inner wall of the exhaust pipe is separated. This phenomenon is reduced.

상기한 바와 같이 본 고안에 따른 화학기상증착 장비의 배기 시스템에서는 배기관의 외벽에 히팅 밴드를 설치하고 온도 조절기를 설치하여 히팅 밴드를 90~110℃ 정도의 온도로 일정하게 유지하기 때문에, 배기관의 내부를 통과하는 가스 입자가 서로 분리되어 배기관의 내벽에 퇴적되는 현상이 감소하며, 화학기상증착 공정 진행시 챔버와 스크러버에서의 압력이 안정화되는 효과가 있다.As described above, in the exhaust system of the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, the heating band is installed on the outer wall of the exhaust pipe and the temperature controller is installed to maintain the heating band at a temperature of about 90 to 110 ° C. The gas particles passing through are separated from each other and deposited on the inner wall of the exhaust pipe is reduced, and the pressure in the chamber and the scrubber is stabilized during the chemical vapor deposition process.

따라서, 스크러버의 수명이 연장되는 효과가 있다.Therefore, there is an effect of extending the life of the scrubber.

Claims

Chemical vapor deposition equipment comprising a chemical vapor deposition chamber, one end of the exhaust pipe connected to the chamber, the scrubber connected to the other end of the exhaust pipe, the exhaust gas from the chamber through the exhaust pipe is introduced into the scrubber during the chemical vapor deposition process In the exhaust system of,

A heating band installed to wind the outer wall of the exhaust pipe, and

Exhaust system of chemical vapor deposition equipment comprising a temperature controller for controlling the temperature of the heating band.

The exhaust system of claim 1 further comprising a temperature gauge for reading the temperature of the heating band.

The exhaust system of a chemical vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the temperature controller maintains the temperature of the heating band at 90 to 110 ° C.