KR200252734Y1 - Feedback circuit - Google Patents
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Abstract
본 고안은 피드백회로에 관한것으로, 종래의 피드백회로는 잡음에 의해 그 출력이 변하는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 고안은 엔모스 트랜지스터 또는 피모스 트랜지스터의 소스측 신호가 인버터를 통해 반전되어 그 엔모스 트랜지스터 또는 피모스 트랜지스터의 게이트에 인가되는 피드백회로에 있어서, 소스에 전원전압을 인가받는 피모스 트랜지스터의 드레인 및 게이트를 상기 인버터의 출력측 접속점에 공통접속하여 구성된 것으로, 인버터의 변환영역을 증가시킴으로써 엔모스 트랜지스터 피모스 트랜지스터의 소스측 전압이 잡음에 의해 변화하는 경우에, 그 출력전압이 잡음에 영향을 적게 받아 안정성이 증가하는 효과가 있다.The present invention relates to a feedback circuit, and the conventional feedback circuit has a problem in that its output is changed by noise. In consideration of such a problem, the present invention provides a feedback circuit in which a source side signal of an NMOS transistor or a PMOS transistor is inverted through an inverter and applied to a gate of the NMOS transistor or PMOS transistor. The drain and gate of the PMOS transistor are commonly connected to the output side connection point of the inverter, and when the source side voltage of the NMOS transistor PMOS transistor is changed by noise by increasing the conversion region of the inverter, the output voltage is It is less susceptible to noise and increases stability.
Description
본 고안은 피드백회로에 관한 것으로, 특히 증폭도와 안정도를 증가시킨 인버터형 피드백회로에 관한 것이다.The present invention relates to a feedback circuit, and more particularly to an inverter type feedback circuit with increased amplification and stability.
종래의 피드백회로는 제1(a)도 및 제1(b)도에 도시된 바와같이, 엔모스 트랜지스터(NM) 또는 피모스 트랜지스터(PM)의 소스(S)측 신호가 인버터(I)를 통해 반전되어 그의 게이트(G)에 인가되게 구성된 것으로, 이와같이 구성된 피드백회로의 동작을 상세히 설명한다.In the conventional feedback circuit, as shown in FIGS. 1A and 1B, the signal of the source S side of the NMOS transistor NM or the PMOS transistor PM is applied to the inverter I. It is configured to be inverted through and applied to its gate G, and the operation of the feedback circuit configured as described above will be described in detail.
먼저, 제1(a)도에 도시된 엔모스 트랜지스터(NM)와 인버터(I)로 구성된 피드백회로도에서, 엔모스 트랜지스터(NM)의 소스(S)쪽의 전압이 고전위로 상승하고 있다고 가정하면, 상기 엔모스 트랜지스터(NM)의 소스(S)쪽 신호를 반전하는 인버터(I)에 의하여 그 엔모스 트랜지스터(NM)의 게이트(G)에 인가되는 전압은 저전위가 되어 그 엔모스 트랜지스터(NM)를 턴오프(turn off)시킨다. 이에 따라, 상기 엔모스 트랜지스터(NM)의 소스(S)측 전압은 저전위로 감소하게 된다. 상기와 같은 동작으로 엔모스 트랜지스터(NM)의 소스(S)측 전압이 저전위에 가까워 지면 인버터(I)를 통해 게이트(G)로 인가되는 전압은 고전위가 되어, 상기 오프 상태의 엔모스 트랜지스터(NM)를 턴온(turn on)시키게 된다. 이에 따라 엔모스 트랜지스터(NM)의 소스(S)측 전압은 다시 고전위로 증가하게 된다.First, in the feedback circuit diagram consisting of the NMOS transistor NM and the inverter I shown in FIG. 1A, it is assumed that the voltage at the source S side of the NMOS transistor NM is rising to high potential. The voltage applied to the gate G of the NMOS transistor NM by the inverter I which inverts the source S side signal of the NMOS transistor NM becomes a low potential so that the NMOS transistor ( NM) is turned off. Accordingly, the voltage of the source S side of the NMOS transistor NM decreases to a low potential. When the voltage of the source S side of the NMOS transistor NM approaches the low potential as described above, the voltage applied to the gate G through the inverter I becomes a high potential and the NMOS transistor in the off state. Turn on (NM). As a result, the voltage on the source S side of the NMOS transistor NM increases to a high potential again.
또한, 제1(b)도의 피드백회로도 상기 제1(a)도의 피드백회로와 유사하게 동작된다. 즉, 피모스트랜지스터(PM)의 소스(S)측 전압이 고전위로 상승한다고 가정하면, 인버터(I)를 통해 피모스 트랜지스터(PM)의 게이트(G)에 인가되는 전압은 저전위가 되어, 그 피모스 트랜지스터(PM)를 턴온시킴에 따라 소스(S)측 전압은 저전위로 하강한다. 이와같은 동작으로 소스(S)측 전압이 저전위에 가까워짐에 따라 인버터(I)를 통해 게이트(G)에 인가되는 전압은 고전위가 되어, 상기 도통상태의 피모스 트랜지스터(PM)를 턴오프시켜, 소스(S)측 전압은 다시 고전위로 증가하게 된다.Also, the feedback circuit of FIG. 1 (b) is operated similarly to the feedback circuit of FIG. 1 (a). That is, assuming that the voltage of the source S side of the PMOS transistor PM rises to high potential, the voltage applied to the gate G of the PMOS transistor PM through the inverter I becomes low potential. As the PMOS transistor PM is turned on, the voltage of the source S side drops to low potential. In this manner, as the source S side voltage approaches the low potential, the voltage applied to the gate G through the inverter I becomes high potential, thereby turning off the conducting PMOS transistor PM. The source S side voltage again increases to high potential.
상기와 같은 동작으로 엔모스 트랜지스터 및 피모스 트랜지스터의 게이트에 인가되는 인버터의 출력전압은 제3(a)도에 도시된바와 같이 임의의 일정한 바이어스(bias)를 갖게 된다.As described above, the output voltage of the inverter applied to the gates of the NMOS transistor and the PMOS transistor has an arbitrary constant bias as shown in FIG. 3 (a).
그러나, 상기와 같은 종래의 피드백회료는, 인버터의 변환영역이 좁기때문에 소스측의 전압 변화가 잡음(noise)에 의해 발생한 경우 인버터의 출력에 영향을 줌으로써, 정상적인 동작을 하지않는 문제점이 있었다.However, the conventional feedback circuit described above has a problem in that the inverter does not operate normally because the conversion area of the inverter is narrow, affecting the output of the inverter when the voltage change on the source side is caused by noise.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 고안은, 잡음에의해 소스측의 전압이 변화해도 정상적인 동작을 하는 피드백회로의 제공을 목적으로 한다.The present invention in view of the above problems is an object of the present invention to provide a feedback circuit that operates normally even when the voltage on the source side changes due to noise.
제1도는 종래 피드백회로도.1 is a conventional feedback circuit diagram.
제2도는 본 고안에 의한 피드백회로도.2 is a feedback circuit diagram according to the present invention.
제3도는 제1도와 제2도에 있어서, 인버터의 특성을 도시한 도.3 is a diagram showing characteristics of an inverter in FIGS. 1 and 2;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
NM1 : 엔모스 트랜지스터 PM1∼PM2 : 피모스 트랜지스터NM1: NMOS transistor PM1 to PM2: PMOS transistor
I1 : 인버터I1: Inverter
상기와 같은 본 고안의 목적은 인버터의 출력측에 그 인버터의 출력신호에 의해 도통제어를 받는 피모스 트랜지스터를 접속하여, 그 인버터의 변환영역을 넓게함으로써 달성되는 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The object of the present invention as described above is achieved by connecting a PMOS transistor subjected to conduction control by the output signal of the inverter to the output side of the inverter, thereby widening the conversion region of the inverter, which will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The explanation is as follows.
제2(a)도 및 제2(b)도는 본 고안에 의한 피드백회로도로서 이에 도시한 바와같이, 엔모스 트랜지스터(NM1) 또는 피모스 트랜지스터(PM1)의 소스(S1)측 신호가 인버터(I1)를 통해 반전되어 그 엔모스 트랜지스터(NM1) 또는 피모스 트랜지스터(PM1)의 게이트(G1)에 인가되는 피드백회로에 있어서, 소스(S2)에 전원전압(VCC)을 인가받는 피모스 트랜지스터(PM2)의 드레인(D2) 및 게이트(G2)를 상기 인버터(I1)의 출력측 접속점에 공통접속하여 구성한 것으로, 이와같이 구성된 본 고안에 의한 피드백회로의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.2 (a) and 2 (b) are feedback circuit diagrams according to the present invention, and as shown therein, the signal of the source S1 side of the NMOS transistor NM1 or PMOS transistor PM1 is the inverter I1. In the feedback circuit inverted through the NMOS transistor NM1 or the gate G1 of the PMOS transistor PM1, the PMOS transistor PM2 to which the power supply voltage VCC is applied to the source S2 is applied. The drain D2 and the gate G2 are commonly connected to the output side connection point of the inverter I1. The operation of the feedback circuit according to the present invention configured as described above will be described in detail as follows.
먼저, 제2(a)도에 도시된 엔모스 트랜지스터(NM1), 인버터(I1) 및 피모스 트랜지스터(PM2)로 구성된 피드백회로에서, 엔모스 트랜지스터(NM1)의 소스(S1)측의 전압이 저전위로 감소한다고 가정하면, 인버터(I1)를 통해 상기 엔모스 트랜지스터(NM1) 및 피모스 트랜지스터(PM2)의 게이트(G1),(G2)에 각각 인가되는 전압은 고전위로 인가되어 상기 엔모스 트랜지스터(NM1)를 턴온시키고, 피모스 트랜지스터(PM2)를 턴오프시킨다. 상기와 같은 동작으로 엔모스 트랜지스터(NM1)의 소스(S1)측 전압이 증가하여 고전위에 가까워지면, 인버터(I1)을 통하여 상기 엔모스 트랜지스터(NM1)의 게이트(G1) 및 피모스 트랜지스터(PM2)의 게이트(G2)에 인가되는 전압은 저전위가 된다. 이에따라, 엔모스 트랜지스터(NM1)는 턴오프되고 피모스 트랜지스터(PM2)는 턴온된다. 이때 상기 피모스 트랜지스터(PM2)의 소스(S2)에 인가된 전원전압(VCC)에 의해 인버터(I1)의 출력측으로 전류가 흘러 엔모스 트랜지스터(NM1)가 턴오프되는 시간을 지연시킨다. 즉, 엔모스 트랜지스터(NM1)의 소스(S1)측 전압이 증가하는 양에 비해 엔모스 트랜지스터(NM1)가 턴오프되는 시간이 지연되어, 결과적으로 인버터(I1)의 변환영역이 증가하게 된다.First, in the feedback circuit composed of the NMOS transistor NM1, the inverter I1, and the PMOS transistor PM2 shown in FIG. 2 (a), the voltage on the source S1 side of the NMOS transistor NM1 is Assuming that the potential is reduced to low potential, voltages applied to the gates G1 and G2 of the NMOS transistor NM1 and the PMOS transistor PM2 through the inverter I1 are applied at a high potential to the NMOS transistor. The NM1 is turned on and the PMOS transistor PM2 is turned off. When the voltage of the source S1 side of the NMOS transistor NM1 increases as the above operation approaches the high potential, the gate G1 and the PMOS transistor PM2 of the NMOS transistor NM1 are passed through the inverter I1. The voltage applied to the gate G2 of) becomes low potential. Accordingly, the NMOS transistor NM1 is turned off and the PMOS transistor PM2 is turned on. At this time, a current flows to the output side of the inverter I1 by the power supply voltage VCC applied to the source S2 of the PMOS transistor PM2, thereby delaying the time when the NMOS transistor NM1 is turned off. That is, the turn-off time of the NMOS transistor NM1 is delayed compared to the amount at which the voltage of the source S1 side of the NMOS transistor NM1 increases, resulting in an increase in the conversion region of the inverter I1.
또한, 제2(b)도에 도시된 피모스 트랜지스터(PM1),(PM2) 및 인버터(I1)로 구성된 피드백회로도 상기 제2(a)도의 피드백회로와 유사하게 동작된다. 즉, 피모스 트랜지스터(PM1)의 소스(S1)측의 전압이 저전위로 감소한다고 가정하면, 인버터(I1)를 통해 상기 피모스 트랜지스터(PM1),(PM2)의 게이트(G1),(G2)에 인가되는 전압은 고전위로 인가되어 상기 피모스 트랜지스터(PM1),(PM2)를 턴오프시킨다. 상기와 같은 동작으로 피모스 트랜지스터(PM1)의 소스측 전압이 증가하여 고전위에 가까워지면, 인버터(I1)을 통하여 상기 피모스 트랜지스터(NM1),(PM2)의 게이트(G1),(G2)에 인가되는 전압은 저전위가 된다. 이에따라, 피모스 트랜지스터(PM1),(PM2)는 턴온된다. 이때 상기 피모스 트랜지스터(PM2)의 소스(S2)에 인가된 전원전압(VCC)에 의해 인버터(I1)의 출력측으로 전류가 흘러 피모스 트랜지스터(PM1)가 턴온되는 시간을 지연시킨다. 즉, 피모스 트랜지스터(PM1)의 소스(S1)측 전압이 증가하는 양에 비해 그 피모스 트랜지스터(PM1)가 턴온되는 시간이 지연되어, 결과적으로 제3(b)도에 도시된 바와같이 인버터(I1)의 변환영역이 넓어지게 된다.Also, the feedback circuit composed of the PMOS transistors PM1, PM2 and inverter I1 shown in FIG. 2 (b) also operates similarly to the feedback circuit of FIG. 2 (a). That is, assuming that the voltage on the source S1 side of the PMOS transistor PM1 decreases to a low potential, the gates G1 and G2 of the PMOS transistors PM1 and PM2 through the inverter I1. The voltage applied to is applied at high potential to turn off the PMOS transistors PM1 and PM2. When the source-side voltage of the PMOS transistor PM1 increases to approach high potential by the above-described operation, the inverter I1 is connected to the gates G1 and G2 of the PMOS transistors NM1 and PM2 through the inverter I1. The voltage applied becomes low potential. As a result, the PMOS transistors PM1 and PM2 are turned on. At this time, a current flows to the output side of the inverter I1 by the power supply voltage VCC applied to the source S2 of the PMOS transistor PM2, thereby delaying the time that the PMOS transistor PM1 is turned on. That is, the time at which the PMOS transistor PM1 is turned on is delayed compared to the amount at which the voltage of the source S1 side of the PMOS transistor PM1 increases, resulting in an inverter as shown in FIG. 3 (b). The conversion area of (I1) becomes wider.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 피드백회로는 인버터의 출력측에 접속된 피모스 트랜지스터에 의해 그 인버터의 변환영역을 증가시킴으로써, 엔모스 트랜지스터 또는 피모스 트랜지스터의 소스측 전압이 잡음에 의해 변하는 경우에도 그 출력전압이 잡음에 영향을 적게 받아 안정성이 증가되는 효과가 있다.As described in detail above, the feedback circuit according to the present invention increases the conversion area of the inverter by the PMOS transistor connected to the output side of the inverter, whereby the source voltage of the NMOS transistor or PMOS transistor is changed by noise. Even though the output voltage is less affected by noise, stability is increased.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960035595U KR200252734Y1 (en) | 1996-10-26 | 1996-10-26 | Feedback circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960035595U KR200252734Y1 (en) | 1996-10-26 | 1996-10-26 | Feedback circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980022254U KR19980022254U (en) | 1998-07-15 |
KR200252734Y1 true KR200252734Y1 (en) | 2001-12-28 |
Family
ID=53980283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019960035595U KR200252734Y1 (en) | 1996-10-26 | 1996-10-26 | Feedback circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200252734Y1 (en) |
-
1996
- 1996-10-26 KR KR2019960035595U patent/KR200252734Y1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980022254U (en) | 1998-07-15 |
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