KR200240059Y1 - Temperature regulating device in heat treatment device of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체장치의 열처리장치에서의 온도조절장치에 관한 것으로, 히터가 공급하는 열에 의하여 웨이퍼에 열처리작업을 진행하는 열처리장치의 온도조절장치에 있어서, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지판에 상기 웨이퍼의 배면을 지지하는 대수개의 웨이퍼 지지핀과, 상기 다수개의 웨이퍼 지지핀 각각에 열전대선이 설치되어 상기 열전대선들이 상기 웨이퍼의 배면에 직접 접촉하여 웨이퍼의 온도를 측정하도록 상기 열전대선들과 연결되는 직접열전대와, 상기 직접열전대가 측정한 웨이퍼의 온도를 읽고 그 값에 따라 히터의 가열조건을 조절하여 열처리온도를 조절하는 중앙처리장치를 포함하는 구조를 제공하며, 웨이퍼에 직접 닿아 웨이퍼의 온도를 측정하는 직접열전대를 다수개 설치하여 열처리 작업 중의 웨이퍼의 온도를 비교적 정확하게 측정할 수 있어서 열처리 작업 중의 열처리조절이 가능하다.The present invention relates to a temperature control device in a heat treatment apparatus of a semiconductor device, the temperature control apparatus of the heat treatment apparatus for performing a heat treatment operation on the wafer by the heat supplied by the heater, the back surface of the wafer on the wafer support plate for supporting the wafer A plurality of wafer support pins and a thermocouple wire are provided on each of the plurality of wafer support pins so that the thermocouple wires are in direct contact with the back surface of the wafer and connected to the thermocouple wires to measure the temperature of the wafer. And a central processing unit that reads the temperature of the wafer measured by the direct thermocouple and adjusts the heating conditions of the heater according to the value thereof, and provides a structure including a central processing unit for adjusting the heat treatment temperature. Installation of multiple direct thermocouples makes the wafer temperature relatively accurate during heat treatment In it it can be measured it is possible to control the heat treatment in the heat treatment operations.
Description
본 고안은 반도체장치의 열처리장치에서의 온도조절장치에 관한 것으로 특히, 고온에서 각각의 막의 격자 손상을 회복하기 위한 공정인 산화 어닐등에 사용되는 급속열처리장치에서의 온도조절장치에 관한 것이다.The present invention relates to a temperature control apparatus in a heat treatment apparatus of a semiconductor device, and more particularly, to a temperature control apparatus in a rapid heat treatment apparatus used for annealing annealing or the like, which is a process for recovering lattice damage of each film at a high temperature.
도 1은 종래 기술에 따른 열처리장치의 단면구조를 개략적으로 나타낸 것이다.Figure 1 schematically shows the cross-sectional structure of the heat treatment apparatus according to the prior art.
좌우상하 석영내벽(11)으로 둘러싸여 형성된 소정의 공간이 열처리를 위한 작업공간을 제공하고 있으며, 상부 및 하부의 석영내벽(11) 외부에는 열공급원인 히터(12-1)가 설치되어 있다. 그리고, 램프(12-1) 및 석영내벽(11)을 반응장치틀(100)이 덮어서 외형을 유지하고 있다. 또한, 열처리 작업공간에 열처리 작업을 위하여 사용되는 가스를 인입하고 방출하는 가스인입관(18) 및 가스배출관(19)이 연결되어 있다.A predetermined space formed by the left and right upper and lower quartz inner walls 11 provides a work space for heat treatment, and a heater 12-1 serving as a heat source is installed outside the upper and lower quartz inner walls 11. The reactor frame 100 covers the lamp 12-1 and the quartz inner wall 11 to maintain an appearance. In addition, the gas inlet pipe 18 and the gas discharge pipe 19 for introducing and discharging the gas used for the heat treatment work in the heat treatment workspace is connected.
석영내벽(11)이 형성하는 공간의 하부에는 웨이퍼(10)를 지지하기 위한 웨이퍼 지지판(16)이 있고, 웨이퍼 지지판(16)에는 웨이퍼(10)의 배면에서 웨이퍼를 직접 지지하기 위한 웨이퍼 지지핀(15)이 설치되어 있다. 그리고, 웨이퍼(10)의 배면을 직접 닿게 하도록 위치하여 웨이퍼(10)의 온도를 측정하는 직접열전대(17)가 설치되어 있다. 또한, 반응장치틀(100)의 일부에는 웨이퍼의 배면 반사를 통하여 웨이퍼(10)의 온도를 측정하는 웨이퍼 감지 고온측정기(13)가 설치되어 있고, 석영내벽을 포함하는 열처리장치에서의 석영튜브의 온도를 측정하는 튜브측정기(14)가 설치되어 있다.In the lower portion of the space formed by the quartz inner wall 11, there is a wafer support plate 16 for supporting the wafer 10, and the wafer support plate 16 is a wafer support pin for directly supporting the wafer from the back surface of the wafer 10. (15) is provided. Then, a direct thermocouple 17 is provided to position the back surface of the wafer 10 so as to directly contact the wafer 10 and to measure the temperature of the wafer 10. In addition, a part of the reaction apparatus frame 100 is provided with a wafer sensing pyrometer 13 which measures the temperature of the wafer 10 through the back reflection of the wafer, and the quartz tube in the heat treatment apparatus including the quartz inner wall. The tube measuring device 14 which measures a temperature is provided.
종래 기술에 따른 열처리장치는 웨이퍼를 한 장씩 하여 열처리를 진행하는 매엽식 장비이다. 열처리 초기에 웨이퍼(10)가 열처리장치의 작업공간내에 위치하게 되고 히터(12-1)를 발열시키게 되는데, 그에 따라 석영내벽(11)의 온도가 올라가고, 석영내벽(11)이 형성하고 있는 작업공간이 승온됨으로써, 작업공간 내의 웨이퍼(10)를 승온시키는 방식으로 웨이퍼의 열처리작업을 진행한다.The heat treatment apparatus according to the prior art is a sheet type equipment for performing a heat treatment by one wafer. At the beginning of the heat treatment, the wafer 10 is located in the work space of the heat treatment apparatus and generates the heater 12-1. Accordingly, the temperature of the quartz inner wall 11 rises and the quartz inner wall 11 is formed. As the space is heated, the wafer heat treatment is performed in such a manner that the wafer 10 in the workspace is heated.
이 때, 작업 공간은 소정의 작업에 알맞도록 소정의 온도를 유지하도록 한다.At this time, the work space is to maintain a predetermined temperature to fit the predetermined work.
열처리장치의 하단의 웨이퍼 초고온 측정기(13)로 웨이퍼의 온도를 읽은 후, 그 데이터를 외부에 보내어 외부장치로 열처리장치의 온도를 제어한다. 이 때, 웨이퍼 감지 초고온 측정기(13)은 히터(11)를 통하여 공급된 열을 웨이퍼(10)가 반사한 경우의 반사열을 이용하여 웨이퍼(10)의 온도를 읽는다.After reading the temperature of the wafer with the wafer ultra-high temperature measuring device 13 at the bottom of the heat treatment apparatus, the data is sent to the outside to control the temperature of the heat treatment apparatus with an external device. At this time, the wafer sensing ultra-high temperature measuring device 13 reads the temperature of the wafer 10 using the reflected heat when the wafer 10 reflects the heat supplied through the heater 11.
혹은, 웨이퍼(10)의 배면에 닿게 되는 직접열전대(17)가 웨이퍼의 온도를 읽은 후, 그 데이터를 외부에 보내어 외부장치로 열처리장치의 온도를 제어한다.Alternatively, after reading the temperature of the wafer, the direct thermocouple 17 coming into contact with the back surface of the wafer 10 sends the data to the outside to control the temperature of the heat treatment apparatus by an external device.
그러나 종래 기술에 따른 열처리장치는 웨이퍼 감지 초고온 열측정기가 웨이퍼 온도를 정확히 측정할 수 없다는 단점을 가지고 있다. 웨이퍼 감지 초고온열측정기에 의하여 웨이퍼의 온도를 측정할 경우에는 이 시스템이 열방출 다양성 즉, 웨이퍼의 배면 막질 혹은, 웨이퍼 배면 거칠기에 따라서 웨이퍼의 반사열이 달라지므로 웨이퍼의 반사열을 통하여 측정되는 웨이퍼의 온도가 달라지기 때문이다. 또한, 직접열전대에 의하여 웨이퍼의 온도를 즉정할 경우에는 웨이퍼에 직접 닿아 웨이퍼의 온도를 비교적 정확하게 측정할 수 있지만, 웨이퍼의 가장자리 한곳에만 장착되어 측정하기 때문에 웨이퍼의 전체 온도를 정확하게 측정할 수 없기 때문이다.However, the heat treatment apparatus according to the prior art has a disadvantage that the wafer sensing ultra-high temperature thermometer cannot accurately measure the wafer temperature. When the wafer temperature is measured by a wafer-sensing ultra-high temperature thermometer, the system reflects the heat of the wafer depending on the heat release diversity, that is, the film quality of the wafer or the roughness of the wafer. Is different. In addition, when the temperature of the wafer is immediately measured by the direct thermocouple, the temperature of the wafer can be measured relatively accurately by directly contacting the wafer. to be.
본 고안은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 웨이퍼에 직접 닿아 웨이퍼의 온도를 측정하는 직접열전대를 다수개 설치하여 웨이퍼 전면의 온도를 비교적 정확하게 측정하여 열처리장치의 온도를 조절하는 반도체장치에서의 열처리장치의 온도조절장치를 제공하고자 한다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art, a semiconductor device that adjusts the temperature of the heat treatment apparatus by measuring a temperature of the front surface of the wafer relatively accurately by installing a plurality of direct thermocouples that directly contact the wafer to measure the temperature of the wafer To provide a temperature control device of the heat treatment apparatus in.
또한, 본 고안은 열처리작업을 진행하기 전에 웨이퍼의 배면 특성을 감지하는 웨이퍼 배면특성 감지수단을 더 구비하고, 웨이퍼 배면특성 감지수단이 측정한 데이터에 의하여 가열조건을 조절하는 열처리장치의 온도조절장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention further comprises a wafer back characteristic detection means for detecting the back characteristics of the wafer before the heat treatment operation, the temperature control device of the heat treatment apparatus for adjusting the heating conditions according to the data measured by the wafer back characteristic detection means To provide.
이를 위한 본 고안은 히터가 공급하는 열에 의하여 웨이퍼에 열처리작업을 진행하는 열처리장치의 온도조절장치에 있어서, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지판에 상기 웨이퍼의 배면을 지지하는 대수개의 웨이퍼 지지핀과, 상기 다수개의 웨이퍼 지지핀 각각에 열전대선이 설치되어 상기 열전대선들이 상기 웨이퍼의 배면에 직접 접촉하여 웨이퍼의 온도를 측정하도록 상기 열전대선들과 연결되는 직접열전대와, 상기 직접열전대가 측정한 웨이퍼의 온도를 읽고 그 값에 따라 히터의 가열조건을 조절하여 열처리온도를 조절하는 중앙처리장치를 포함한다.The present invention for this purpose in the temperature control device of the heat treatment apparatus for performing a heat treatment operation on the wafer by the heat supplied by the heater, a plurality of wafer support pins for supporting the back of the wafer on the wafer support plate for supporting the wafer, and the plurality of Thermocouple wires are provided on each of the wafer support pins so that the thermocouple wires directly contact the rear surface of the wafer to measure the temperature of the wafer, and the direct thermocouples connected to the thermocouple wires and the temperature of the wafer measured by the direct thermocouple. Read and control the heating conditions of the heater according to the value includes a central processing unit for controlling the heat treatment temperature.
본 고안에 따른 열처리장치의 온도조절장치는 상기 열처리작업을 진행하기 전에 상기 웨이퍼의 배면 특성을 감지하는 웨이퍼배면특성 감지수단을 더 구비하고, 상기 웨이퍼 배면특성 감지수단이 측정한 데이터를 상기 중앙처리장치가 읽고 그 값에 따라 히터의 가열조건을 조절하는 것을 특징으로 할 수 있다.The temperature control device of the heat treatment apparatus according to the present invention further includes a wafer back property detection means for sensing the back property of the wafer before the heat treatment is performed, and the central processing of the data measured by the wafer back property detection means. The device may be characterized by reading and adjusting the heating conditions of the heater according to the value.
도 1은 종래 기술에 따른 열처리 장치의 개략적인 구조1 is a schematic structure of a heat treatment apparatus according to the prior art
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 반도체장치의 열처리 장치의 개략적인 구조2 is a schematic structure of a heat treatment apparatus of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention
도 3은 도 2의 열처리 장치에서 웨이퍼 지지핀과 직접열전대의 개략적인 구조3 is a schematic structure of a wafer support pin and a direct thermocouple in the heat treatment apparatus of FIG.
도 4는 본 고안의 실시예에 따른 열처리 장치에서의 웨이퍼 플랫존의 개략적인 구조4 is a schematic structure of a wafer flat zone in a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention
*도면의 주요부분에 대한 간략한 부호의 설명** Description of abbreviated symbols on the main parts of the drawings *
21. 석영내벽. 22. 히터.21. Quartz inner wall. 22. Heater.
23. 웨이퍼 지지핀. 24. 웨이퍼 지지판.23. Wafer support pin. 24. Wafer support plate.
25. 열전대선. 26. 직접열전대.25. Thermocouple wires. 26. Direct thermocouple.
27. 가스인입관. 28. 가스배출관.27. Gas inlet pipe. 28. Gas discharge line.
31. 진공홀. 33. 웨이퍼 정렬기.31. Vacuum hole. 33. Wafer Aligner.
30-1, 30-2, 30-3, 30-4, 30-5. 웨이퍼 배면특성 감지 센서.30-1, 30-2, 30-3, 30-4, 30-5. Wafer backside detection sensor.
이하, 하기에서 제시된 본 고안의 실시예와 첨부된 도면을 참조하여 본 고안 을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the embodiments of the present invention presented below and the accompanying drawings.
도 2는 본 고안에 따른 열처리장치의 단면구조를 개략적으로 나타낸 것이다.Figure 2 schematically shows the cross-sectional structure of the heat treatment apparatus according to the present invention.
좌우상하 석영내벽(21)으로 둘러싸여 형성된 소정의 공간이 열처리를 위한 작업공간을 제공하고 있으며, 상부 및 하부의 석영내벽(21) 외부에는 열공급원인 히터(22)가 설치되어 있다. 그리고, 히터(22) 및 석영내벽(21)을 반응장치틀(200)이 덮어서 외형을 유지하고 있다. 또한, 열처리 작업공간에 열처리 작업에 사용되는 가스 예를 들어 산소 혹은 질소를 인입하고 방출하는 가스인입관(27) 및 가스배출관(28)이 연결되어 있다.A predetermined space formed by the left and right upper and lower quartz inner walls 21 provides a work space for heat treatment, and a heater 22 serving as a heat source is installed outside the upper and lower quartz inner walls 21. The reactor frame 200 covers the heater 22 and the quartz inner wall 21 to maintain an external appearance. In addition, a gas inlet pipe 27 and a gas discharge pipe 28 for introducing and discharging a gas, for example, oxygen or nitrogen, used for the heat treatment work are connected to the heat treatment workspace.
석영내벽(21)이 형성하는 공간의 하부에는 웨이퍼(20)를 지지하기 위한 웨이퍼 지지판(24)이 있고, 웨이퍼 지지판(24)에는 웨이퍼(20)의 배면에서 웨이퍼를 직접 지지하는 웨이퍼 지지핀(23)이 세 개이상 설치되어 있다. 웨이퍼 지지판(24)과 웨이퍼 지지핀(23)은 모두 석영을 재질로하여 형성된 것이다. 이 때, 각각의 웨이퍼 지지핀(23)은 내부에 직접열전대(Direct thermocouple control)(26)와 연결되는 열전대선(23)이 박혀 있다. 따라서, 직접열전대(26)가 직접 웨이퍼(20)의 배면을 접촉함으로써, 웨이퍼(20)의 온도를 측정할 수 있도록 구성되어 있다.The lower portion of the space formed by the quartz inner wall 21 has a wafer support plate 24 for supporting the wafer 20, and the wafer support plate 24 has a wafer support pin for directly supporting the wafer from the back surface of the wafer 20 ( 23) three or more are installed. The wafer support plate 24 and the wafer support pins 23 are both made of quartz. At this time, each wafer support pin 23 is embedded therein a thermocouple wire 23 connected to a direct thermocouple control 26. Therefore, the direct thermocouple 26 is comprised so that the temperature of the wafer 20 can be measured by directly contacting the back surface of the wafer 20.
미설명 도면부호 (29)는 석영내벽을 포함하는 열처리장치에서의 석영튜브의 온도를 측정하는 튜브측정기가 설치되어 있다.Unexplained reference numeral 29 is provided with a tube measuring device for measuring the temperature of the quartz tube in the heat treatment apparatus including the quartz inner wall.
열처리장치는 웨이퍼를 한 장씩 하여 열처리를 진행하는 매엽식 장비이다.The heat treatment apparatus is a single sheet type equipment that performs heat treatment on a wafer basis.
웨이퍼(20)가 열처리장치의 작업공간 내에 위치하게 되고, 히터(22)가 구동하여 발열하게 되면, 열처리장치의 석영내벽(21)의 온도가 상승되고 그에 따라 작업공간의 온도도 상승하게 되어 웨이퍼(20)를 승온시키는 방식에 의하여 웨이퍼의 열처리작업을 진행한다.When the wafer 20 is positioned in the work space of the heat treatment apparatus, and the heater 22 is driven to generate heat, the temperature of the quartz inner wall 21 of the heat treatment apparatus is increased, thereby increasing the temperature of the work space. The wafer is heat-treated by the method of raising the temperature of 20.
이 때, 반응장치의 내부공간은 소정의 작업에 알맞도록 소정의 온도를 유지하도록 한다. 이와 같은 열처리장치의 온도조절장치는 웨이퍼(20)의 배면에 닿게 되는 직접열전대선(25)을 통하여 직접열전대(26)가 웨이퍼(20)의 온도를 측정한 후, 그 데이터를 외부장치 즉, 중앙처리장치가 읽어서 그 값에 따라 히터의 가열조건을 조절함으로써 열처리장치의 작업공간의 온도를 조절한다.At this time, the internal space of the reaction apparatus is to maintain a predetermined temperature to fit a predetermined operation. The temperature control device of such a heat treatment apparatus is a direct thermocouple 26 measuring the temperature of the wafer 20 through the direct thermocouple wire 25 which is in contact with the back surface of the wafer 20, the data is stored in an external device, that is, The central processing unit reads and adjusts the heating conditions of the heater according to the value to control the temperature of the working space of the heat treatment unit.
이 때, 언급한 바와 같이, 웨이퍼(20)에 직접 닿는 열전대선(23)의 수를 다수개오 하여 웨이퍼의 배면 온도를 측정하는 것이 웨이퍼 전면의 온도를 비교적 정확하게 측정하는 방법이 된다.At this time, as mentioned above, measuring the back temperature of the wafer using a plurality of thermocouple wires 23 directly contacting the wafer 20 is a method of measuring the temperature of the front surface of the wafer relatively accurately.
도 3은 도 2에 보인 열처리장치에서 온도조절장치의 일부로 사용되는 웨이퍼 지지핀과 열전대선의 구조를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining the structure of the wafer support pin and the thermocouple wire used as part of the temperature control device in the heat treatment apparatus shown in FIG.
직접열전대(26)에 연결되는 열전대선(23)은 석영으로 형성된 웨이퍼 지지핀() 내부를 가공하여 그 내부에 형성되되, 웨이퍼 지지핀(23)의 상단부분에 그 일부가 노출되도록 설치된다. 따라서, 웨이퍼 지지핀(23)이 웨이퍼를 지지하고 있는 동안에 열전대선(23)이 웨이퍼의 배면에 직접 접촉하게 되고, 열전대선(23)에 연결된 직접 열전대(26)가 웨이퍼의 온도를 읽게 되는 것이다.The thermocouple wire 23 connected to the direct thermocouple 26 is formed inside the wafer support pin () formed of quartz, and is disposed to expose a part of the wafer support pin 23. Therefore, while the wafer support pin 23 supports the wafer, the thermocouple wire 23 directly contacts the back surface of the wafer, and the direct thermocouple 26 connected to the thermocouple wire 23 reads the temperature of the wafer. .
이 때, 웨이퍼의 뒷면 거칠기 혹은 막질에 따라 온도를 측정하는 것이 민감해질 수 있으므로, 웨이퍼가 열처리장치로 인입되기 전에 웨이퍼 정렬장치에서 레이저센서에 의하여 반사율과 거칠기를 측정하여 웨이퍼의 배면 거칠기와 막질특성을 알아내어 이 데이터를 중앙처리장치에 전달함으로써, 중앙처리장치에 의한 열처리장치의 온도조절에 감안할 수 있도록 하면 열처리장치를 비교적 온도제어를 가능하게 할 수 있다.At this time, it may be sensitive to measure the temperature according to the back surface roughness or film quality of the wafer, so that the reflectivity and roughness of the wafer alignment device are measured by a laser sensor in the wafer alignment device before the wafer is introduced into the heat treatment apparatus. By finding this information and transmitting this data to the central processing unit, it is possible to control the temperature of the thermal processing unit relatively if the temperature control of the thermal processing unit by the central processing unit is considered.
도 4는 웨이퍼의 배면 특성을 측정하는 센서를 설치시킨 웨이퍼 정렬기의 구조를 개략적으로 나타낸 것이다.4 schematically shows the structure of a wafer aligner equipped with a sensor for measuring backside characteristics of the wafer.
웨이퍼를 모아놓은 카셋트를 투입구에 올려놓으면, 웨이퍼 운송기구가 웨이퍼(20)를 웨이퍼 정렬기(33)로 옮기고, 웨이퍼 정렬기(33)에 설치된 다수개의 레이저센서(30-1)(30-2)(30-3)(30-4)(30-5)가 웨이퍼(20)의 반사율과 배면거칠기를 측정한다. 미설명 도면부호 (31)은 진공시스템에 의하여 웨이퍼(20)를 지지하는 진공홀(31)을 나타낸다. 이 때, 레이저 센서는 하나 이상으로 설치하여 웨이퍼의 다수 부분을 막질 상태를 측저할 수 있다.When the cassette collecting the wafer is placed in the inlet, the wafer transport mechanism moves the wafer 20 to the wafer aligner 33, and a plurality of laser sensors 30-1 and 30-2 installed on the wafer aligner 33. 30-3, 30-4, and 30-5 measure the reflectivity and back roughness of the wafer 20. Unexplained reference numeral 31 denotes a vacuum hole 31 supporting the wafer 20 by a vacuum system. In this case, one or more laser sensors may be installed to measure a state in which a plurality of portions of the wafer are to be filmed.
레이저 센서(30-1)(30-2)(30-3)(30-4)(30-5)는 웨이퍼 배면의 중앙부, 상단부, 하단부, 좌측부 및 우측부를 설치되어 이 부분의 반사율과 배면거칠기등을 측정할 수 있도록 웨이퍼 정렬기(33)에 설치할 수 있다. 레이저 센서는 웨이퍼 배면의 특성을 감지하는 반도체장치의 일반 계측기로 사용된 것을 사용할 수 있다.The laser sensors 30-1, 30-2, 30-3, 30-4, and 30-5 are provided with a center portion, an upper portion, a lower portion, a left portion and a right portion of the back surface of the wafer, and reflectivity and back roughness of the portion are provided. It can be installed in the wafer aligner 33 to measure the back and the like. The laser sensor can be used as a general measuring device of the semiconductor device for detecting the characteristics of the wafer back.
웨이퍼 정렬기(20)의 레이저 센서가 측정한 웨이퍼 배면의 특성 데이터는 중앙처리장치에 보내지고 이는 막질 특성에 따라 최적의 가열을 할 수 있도록 중앙처리장치에서 계산이 된다. 그리고, 중앙처리장치는 웨이퍼 정렬기(33)의 레이저 센서에 의해 읽은 웨이퍼 배면 특성 데이터에 의하여 열처리장치의 가열조건을 최적의 상태로 설정해준다. 이후에 웨이퍼가 열처리장치 내부로 옮겨져서 웨이퍼 지지핀(23)에 놓이면 열처리장치의 열처리작업이 진행된다. 열처리작업이 진행되는 동안에 웨이퍼(20)에 직접 접촉하는 직접열전대(26)는 웨이퍼가 실제로 받고 있는 온도를 읽어내고 이를 중앙처리장치에 보내어 열처지장치의 가열온도를 조절한다.Characteristic data of the back surface of the wafer measured by the laser sensor of the wafer aligner 20 is sent to the central processing unit, which is calculated by the central processing unit to achieve optimal heating according to the film quality characteristics. Then, the central processing unit sets the heating condition of the heat treatment apparatus to the optimum state based on the wafer back property data read by the laser sensor of the wafer aligner 33. After that, when the wafer is moved into the heat treatment apparatus and placed on the wafer support pin 23, the heat treatment operation of the heat treatment apparatus is performed. The direct thermocouple 26, which is in direct contact with the wafer 20 during the heat treatment operation, reads the temperature the wafer is actually receiving and sends it to the central processing unit to adjust the heating temperature of the thermal treatment apparatus.
본 고안은 제시된 실시예 뿐만이 아니라, 첨부된 특허청구범위 및 언급한 상술부분을 통하여 다양한 실시예로 구현될 수 있으며, 동업자에 의하여 다양한 방식으로 적용될 수 있다.The present invention can be implemented in various embodiments through the appended claims and the above-mentioned details as well as the presented embodiments, and can be applied in various ways by a business partner.
본 고안은 웨이퍼에 직접 닿아 웨이퍼의 온도를 측정하는 직접열전대를 다수개 설치하여 열처리 작업 중의 웨이퍼의 온도를 비교적 정확하게 측정할 수 있어서 열처리 작업 중의 열처리조절이 가능하다.According to the present invention, a plurality of direct thermocouples which directly contact a wafer to measure the temperature of the wafer can be installed to relatively accurately measure the temperature of the wafer during the heat treatment operation, and thus the heat treatment can be controlled during the heat treatment operation.
또한, 본 고안은 열처리작업을 진행하기 전에 웨이퍼의 배면 특성에 따른 최적의 가열조건을 설정함으로써, 종래 기술에 비하여 웨이퍼의 배면특성에 따른 가열장치의 온도조절이 훨씬 용이하다.In addition, the present invention by setting the optimum heating conditions according to the back characteristics of the wafer before the heat treatment operation, it is much easier to control the temperature of the heating apparatus according to the back characteristics of the wafer than the prior art.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980028581U KR200240059Y1 (en) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | Temperature regulating device in heat treatment device of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980028581U KR200240059Y1 (en) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | Temperature regulating device in heat treatment device of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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