KR200233843Y1 - Additional Annealing Prevention Device - Google Patents
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Abstract
본고안은 추가어닐(Anneal) 방지장치에 관한 것으로서, 특히 퍼니스(Furnace)의 파이로(PYRO) 장비 조작판넬상의 실수로 인한 이상동작을 방지하기 위한 추가어닐 방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to an additional annealing prevention device, and more particularly, to an additional annealing prevention device for preventing an abnormal operation caused by a mistake on a Furnace's PYRO equipment operation panel.
이를 위한 본 고안의 추가어닐 방지장치의 프로세서/더미/모니터 웨이퍼를 선택할 수 있는 다수개의 스위치, 차지 및 디스차지와, 상기 스위치의 제어에 따라 동작하는 다수개의 카운터 IC부 및 BCD 코드 IC, 상기 다수개의 BCD 코드 IC의 제어에 따라 릴레이가 동작하는 다수개의 릴레이 구동부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다To this end, a plurality of switches, charges and discharges capable of selecting a processor / dummy / monitor wafer of the present annealing prevention apparatus of the present invention, a plurality of counter IC units and BCD code ICs operating under the control of the switches, the plurality of switches It characterized in that it comprises a plurality of relay driver for operating the relay in accordance with the control of the BCD code IC
Description
제 1 도는 종래에 따른 조작판넬 회로도1 is a conventional operation panel circuit diagram
제 2 도는 본 고안에 따른 조작판넬 회로도2 is a circuit diagram of the operation panel according to the present invention
제 3 도는 본 고안에 따른 스위치의 세회로도3 is a three-circuit diagram of a switch according to the present invention
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
20 : 조작 판넬부 21 : 프로세서 스위치20: operation panel portion 21: processor switch
22 : 더미 스위치 23 : 모니터 스위치22: dummy switch 23: monitor switch
24 : 차지 25 : 디스 차지24: Charge 25: Discharge
26,27,28 : 제 1, 제 2 및 제 3 카운터 IC부26,27,28: 1st, 2nd and 3rd counter IC unit
29,30,31 : 제 1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC29,30,31: first, second and third BCD code IC
32,33,34 : 제 1, 제 2 및 제 3 릴레이 구동부32, 33, 34: first, second and third relay drive unit
본 고안은 추가어닐(Anneal) 방지장치에 관한 것으로서, 특히 퍼니스(Furnace)의 파이로(PYRO) 장비 조작판넬상의 실수로 인한 이상동작을 방지하기 위한 추가어닐 방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to an additional annealing prevention device, and more particularly, to an additional annealing prevention device for preventing an abnormal operation due to a mistake on a PYRO equipment operation panel of a furnace.
제 1 도는 종래에 따른 추가어닐 방지장치 회로도로서, 웨이퍼를 선택할 수 있는 프로세서(Process) 스위치(10)와, 더미(Dummy) 스위치(11)와, 모니터(Monitor) 스위치(12)와, 차지(Charge) 버턴(13)과, 디스차지(Discharge) 버턴(14)으로 구성된다.FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional annealing prevention device, which includes a processor switch 10, a dummy switch 11, a monitor switch 12, and a charge selectable wafer. Charge button 13 and a discharge button (14).
상기와 같이 구성된 종래에 따른 추가어닐 방지 시스템의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the conventional annealing prevention system configured as described above are as follows.
장치의 로더부에 카셋트를 올려 놓고 웨이퍼의 종류를 선택한 후, 차지패턴을 1회 눌렀을 때 준비동작을 하고, 다시 버턴을 누르면 선택된 웨이퍼의 스테이지(Stage)로 운반하게 되며, 상기 스테이지를 완전히 채울때까지 반복한다.After placing the cassette on the loader part of the device, selecting the wafer type, the preparatory operation is performed when the charge pattern is pressed once, and when the button is pressed again, it is transported to the stage of the selected wafer, and when the stage is completely filled Repeat until.
상기 스테이지(Stage)가 완전히 채워지면 이재기가 스테이지의 웨이퍼를 엘리베이터로 운반하게 되고, 운반이 완료되면 이재기는 홈 포지션(Home Position)으로 이동하게 되고, 엘리베이터는 튜브(Tube)속으로 이동하고, 이동이 완료되면 어닐(Anneal)이 진행된다.When the stage is completely filled, the transfer machine carries the wafer of the stage to the elevator. When the transfer is completed, the transfer machine moves to the home position, and the elevator moves into the tube. When is completed, Anneal (Anneal) proceeds.
상기 어닐이 완료되면 엘리베이터가 다시 이동하고, 상기 이재기는 엘리베이터의 웨이퍼를 다시 스테이지로 운반하게 된다.When the annealing is completed, the elevator moves again, and the transfer machine carries the wafer of the elevator back to the stage.
상기 스테이지에서 엘리베이터로 운반하여 공정진행을 완료하고 다시 스테이지로 운반할때까지의 순서(Sequence)는 자동으로 동작이 되며, 로더에서 스테이지로 운반하는 기능은 작업자가 5개의 보턴을 누름 동작으로 실행시킨다The sequence from the stage to the elevator to complete the process and back to the stage is automatically operated, the function of transporting from the loader to the stage is executed by the operator pressing five buttons.
그러나, 어닐이 완료되고 튜브에서 엘리베이터가 내려오는 사이퀸스에서 로더부의 5개의 보턴중 어느 하나가 눌러졌을때 CPU상의 데이타 충동이 발생됨으로 웨이퍼가 손상되는 문제점이 있다.However, when annealing is completed and one of the five buttons of the loader part is pressed in a sequence in which the elevator descends from the tube, there is a problem in that the wafer is damaged due to data impulse on the CPU.
본 고안은 상기한 종래에 따른 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안에 따른 목적은 카운터 IC 및 BCD 코드 IC를 구비하여 작업자 실수 및 기타 다른 상황으로 인해 버턴이 눌러졌을때 일정시간이 경과되면 자동으로 리셋(Reset)되고, 튜브에서 공정이 완료되었을 때에는 오픈보턴이 초기화가 되어, 데이타(Data) 충돌로 인한 시이퀸스(Sequence) 정지상태를 미연에 예방할 수 있는 추가어닐 방지장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the problems according to the prior art, the purpose according to the present invention is provided with a counter IC and BCD code IC automatically when a certain time elapses when the button is pressed due to a worker mistake and other situations When the reset is completed and the process is completed in the tube, the open button is initialized to provide an additional annealing prevention device that can prevent a sequence stop state due to a data collision in advance.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 추가어닐 방지장치의 특징은 프로세서/더미/모니터 웨이퍼를 선택할 수 있는 다수개의 스위치, 차지 및 디스차지와, 상기 스위치의 제어에 따라 동작하는 다수개의 카운터 IC부 및 BCD 코드 IC와, 상기 다수개의 BCD 코드 IC의 제어에 따라 릴레이가 동작하는 다수개의 릴레이 구동부를 포함하여 이루어진 점에 있다.Features of the additional annealing prevention apparatus according to the present invention for achieving the above object is a plurality of switches, charge and discharge that can select the processor / dummy / monitor wafer, and a plurality of counters operating under the control of the switch An IC unit and a BCD code IC and a plurality of relay driving units for operating a relay under control of the plurality of BCD code ICs are provided.
이하, 본 고안에 따른 추가어닐 방지장치의 바람직한 일실시예를 첨부한 도명을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the additional annealing prevention apparatus according to the present invention.
제 2 도는 본 고안에 따른 추가어닐 방장지차의 회로도로서, 전원전압(12V)을 인가 받는 프로세서 스위치(21), 더미 스위치(22), 모니터 스위치(23), 차지 버턴(24) 및 디스차지 버턴(25)으로 구성된 조작 판넬부(20)와, 상기 차지 버턴(24)의 제어에 의해 입력신호를 받아들이는 제 1, 제 2 및 제 3 카운터 IC부(26)(27)(28)와, 상기 제 1 및 제 2 및 제 3 커운터(26)(27)(28)에서 출력되는 다수개의 신호를 입력받아 하나의 출력신호를 출력하는 제 1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC(29)(30)(31)와, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC(29)(30)(31)에서 출력된 신호를 받아들여 릴레이를 구동하는 릴레이 구동부(32)(33)(34)로 구성된다.2 is a circuit diagram of a further annealing vehicle according to the present invention, the processor switch 21, the dummy switch 22, the monitor switch 23, the charge button 24 and the discharge button to receive the power supply voltage (12V) An operation panel portion (20) composed of (25), first, second and third counter IC portions (26) (27) (28) for receiving an input signal by the control of the charge button (24); First, second and third BCD code ICs 29 which receive a plurality of signals output from the first, second and third counters 26, 27 and 28 and output one output signal. (30) (31) and relay drivers (32) (33) (34) for receiving a signal output from the first, second and third BCD code ICs (29) (30) (31) to drive a relay. It is composed of
상기 제 1, 제 2 및 제 3 카운터 IC부(26)(27)(28)는 전원전압(12V)을 2,3 번으로 입력받는 제 1, 제 2, 제 3 카운터 IC(26a)(27a)(28a)와, 싱기 제 1, 제 2 및 제 3카운터 IC(26a)(27a)(28a)의 각각 14번에 연결되는 7414 NAND 게이트와, 상기 7414 NAND 게이트 각각에 연결되어 있는 그리고 저항(R8)(R9),상기 저항(R4)/(R6)/(R8)과 LED4/LED5/LED6의 각 중점에 연결된 콘덴서(C1)/(C2)/(C3)로 구성된다.The first, second, and third counter IC units 26, 27, and 28 are first, second, and third counter ICs 26a, 27a that receive the power supply voltage 12V at the second and third times. 28a, a 7414 NAND gate connected to 14 each of the first, second, and third counter ICs 26a, 27a, 28a, and a resistor connected to each of the 7414 NAND gates. R8), R9, and the resistors R4 / R6 / R8 and capacitors C1 / C2 / C3 connected to the midpoints of LED4 / LED5 / LED6.
상기 제 1, 제 2 및 제 3 릴레이 구동부(32)(33)(34)는 트랜지스터(Q1)(Q2)(Q3)와, 상기 트랜지스터(Q1)(Q2)(Q3)의 베이스에 연결되는 저항(R10) 및 저항(R11) 그리고 저항(R12)와, 상기 트랜지스터(Q1)(Q2)(Q3)의 드레인 단자에 연결된 릴레이(L1)/(L2)/(L3), LED7/LED8/LED9, 저항(R13)/(R14)/(R15)로 구성된다.The first, second, and third relay drivers 32, 33, and 34 are transistors Q1, Q2, and Q3, and resistors connected to the bases of the transistors Q1, Q2, and Q3. (R10) and resistor (R11) and resistor (R12), relays (L1) / (L2) / (L3), LED7 / LED8 / LED9, which are connected to the drain terminals of the transistors Q1, Q2, and Q3. It consists of resistors R13 / R14 / R15.
상기와 같이 구성된 본 고안에 따른 추가어닐 방지장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the additional annealing prevention apparatus according to the present invention configured as described above are as follows.
장치의 로더부에 카셋트를 올려 놓고 웨이퍼의 종류를 선택한 후, 프로세서, 더미, 모니터에 들어오는 전원전압(12V)이 입력되며 차지버튼을 1회 눌렀을때, 제 1, 제 2 및 제3 카운터 IC부(26)(27)(28)로 전원전압(12V)을 입력받아 각각의 7414 NAND 게이트를 거치면서 정확한 구형파로 만든후 7490 IC(26a)(27a)(28a)로 입력된다.After placing the cassette on the loader part of the device and selecting the wafer type, the power supply voltage (12V) input to the processor, dummy, and monitor is input, and when the charge button is pressed once, the first, second, and third counter IC parts The power supply voltage (12V) is input to the (26), (27), and (28) to make the correct square wave through each 7414 NAND gate and then input to the 7490 IC (26a) (27a) (28a).
상기 7490 IC(26a)(27a)(28a)의 출력단자 12, 8, 9, 11은 제 1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC(29)(30)(31)의 14, 14, 13, 12 단자로 입력된다.The output terminals 12, 8, 9, and 11 of the 7490 ICs 26a, 27a, and 28a are 14, 14, 13, of the first, second, and third BCD code ICs 29, 30, 31; It is input to 12 terminals.
상기 제1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC(29)(30)(31)에 입력된 신호는 상기 제 1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC(29)(30)(31)의 단자 11번에 로우가 출력된다.Signals input to the first, second and third BCD code ICs 29, 30 and 31 are connected to terminals 11 of the first, second and third BCD code ICs 29, 30 and 31. Low is output at once.
한편, 제 1, 제 2 및 제 3 릴레이 구동부(32)(33)(34)의 트랜지스터(Q1)(Q2)(Q3)가 항상 턴온 되어 있다가 상기 제 1, 제 2 및 제 3 BCD 코드 IC(29)(30)(31)의 11번 단자가 로우로 떨어지면, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 릴레이 구동부(32)(33)(34)의 트랜지스터(Q1)(Q2)(Q3)가 턴 오프 되고, 릴레이(L1)/(L2)/(L3)도 오프된다.On the other hand, the transistors Q1, Q2 and Q3 of the first, second and third relay drivers 32, 33 and 34 are always turned on before the first, second and third BCD code ICs. When terminals 11 of (29) (30) and (31) fall low, the transistors (Q1) (Q2) (Q3) of the first, second, and third relay drivers (32), (33), (34) It is turned off and the relays L1 / L2 / L3 are also turned off.
따라서, 상기 릴레이(L1)/(L2)/(L3)의 접점이 닫히기 때문에 더미 스위치(22)를 눌러 준다.Therefore, the contact of the relays L1 / L2 / L3 is closed, so the dummy switch 22 is pressed.
상기 더미 스위치(22)의 세부동작의 제 3 도에서 살펴보면, 상기 더미 스위치(22)가 눌러진 상태에서 1~2초 경과되면 470㎌에 차지가 되면 트랜지스터(Q4)의 바이서스 전압이 공급되어 릴레이(L4)가 턴 온 된다.Referring to FIG. 3 of the detailed operation of the dummy switch 22, when the dummy switch 22 is pressed for 1 to 2 seconds, the charge voltage of the transistor Q4 is supplied when it is charged to 470 ㎌. Relay L4 is turned on.
상기 릴레이(L4)의 접점이 오픈되어 상기 제 1, 제 2 및 제 3 카운터 IC(26a)(27a)(28a)의 2, 3번 단자에 로우가 되어 다시 처음상태로 리셋된다.The contact of the relay L4 is opened to become low at terminals 2 and 3 of the first, second and third counter ICs 26a, 27a and 28a, and are reset to the initial state.
또한, 상기 더미 스위치(22)를 눌러주면 조작 판넬상의 모든 버턴이 초기화 되어 공정이 완료되었을때 데이터 충돌이 발생하지 않고 정상 시이퀸스로 동작하게 되고, 나머지 스위치(21)(23)의 동작도 동일하게 진행된다.In addition, when the dummy switch 22 is pressed, all buttons on the operation panel are initialized to operate in the normal sequence without data collision when the process is completed, and the operation of the remaining switches 21 and 23 is also the same. Proceeds.
상술한 바와 같이 본 고안에 따른 추가어닐 방지장치는 퍼니스의 파이로 장비조작 판넬상의 실수로 인한 이상동작을 방지하는 이점이 있다.As described above, the additional annealing prevention device according to the present invention has an advantage of preventing abnormal operation due to a mistake on the pyro equipment operation panel of the furnace.
Claims (3)
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---|---|---|---|
KR2019950053596U KR200233843Y1 (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Additional Annealing Prevention Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019950053596U KR200233843Y1 (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Additional Annealing Prevention Device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970046755U KR970046755U (en) | 1997-07-31 |
KR200233843Y1 true KR200233843Y1 (en) | 2001-11-30 |
Family
ID=60875040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019950053596U KR200233843Y1 (en) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | Additional Annealing Prevention Device |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR200233843Y1 (en) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR2019950053596U patent/KR200233843Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970046755U (en) | 1997-07-31 |
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