KR200229875Y1 - 폐기가스 정화장치의 가스유도장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 폐기가스 정화장치의 가스유도장치에 관한 것으로, 폐기가스 정화장치 내에는 상기 폐기가스를 원할히 유입시키기 위한 부압이 형성되어 있지 않아 유입구 부위에서 폐기가스의 와류에 의한 슬러지가 형성될 뿐만아니라, 폐기가스에 포함된 분진이 역류되어 폐기가스 정화장치의 입구측에 슬러지가 퇴적되면서 결과적으로는 정화장치가 손상되는 문제점이 있었다.

이에 본 고안은 예시도면 도 1 에서와 같이 폐기가스 정화장치의 유입구측에 강한 흡입력을 부여하여 이 흡입력이 폐기가스를 급속하게 정화장치로 유입시키게 한 것으로, 가스유입구 내에 오목한 환형의 1,2차 벤튜리부(14)(16)를 형성하고, 이 벤튜리부(14)(16)의 외측에 고압가스실(18)을 갖추게 하여서 곡면을 이루는 가스분출홈(20)을 통해 고압의 질소가스를 분출시킴과 더불어, 벤튜리부의 도입부에 확장된 공간을 형성하여 가스분출과 함께 이 공간이 부압실(22)이 되게함으로써 폐기가스가 원할히 정화장치내로 유입되도록 한 것이다.

따라서, 폐기가스에 함유된 분진물질 역시 원할하게 정화장치 내로 유입되므로, 분진물질에 의한 유입구의 손상이 방지되도록 한 것이다.

Description

폐기가스 정화장치의 가스유도장치

본 고안은 폐기가스 정화장치의 가스유도장치에 관한 것으로, 폐기가스 정화장치의 유입구측에 강한 흡입력을 부여하여 이 흡입력이 폐기가스를 급속하게 정화장치로 유입시키게 하여 분진물질에 의한 유입구의 손상을 방지하도록 한 폐기가스 정화장치의 가스유도장치에 관한 것이다.

제품의 생산 중에 폐기가스가 배출되는 공정들, 반도체 제작공정을 예로 들면, 웨이퍼 처리공정에서는 챔버내의 웨이퍼에 다종의 반응가스를 공급 화학반응시켜 웨이퍼 상면에 산화막 처리를 한다.

이때, 챔버내에서는 웨이퍼의 산화막 성장에 관여하면서 유독가스, 수분, 잔류가스와 분진형태의 산화규소 등의 잔류물질이 형성된다.

특히, 반도체 제조공정에서는 다종의 반응가스를 사용하게 되는데, 상기 가스들은 대개가 독성이 매우 강해서 인체에 치명적이고, 또한 다른 가스나 공기와 혼합되면 화학반응을 일으켜서 폭발할 수도 있어 사용된 폐기가스들은 정화처리공정을 통해 정화한 후 무해한 가스로 배출되도록 하고 있다.

정화처리공정에는 건식방식과 습식방식이 있으며, 건식방식은 제올라이트(Zeolite)와 버닝(Burning)에 의한 방식이며, 습식방식은 물과 세정액을 분사하여 유독가스를 중화시키고 분진물질 등의 잔류물질을 침전시켜 정화시키는 방식인데, 습식방식의 경우에는 물과 세정액이 분사되고, 이때의 폐기가스에는 제조공정내에서 흡수된 다량의 열을 함유하고 있으므로, 폐기가스는 상당량의 수분이 포함되어 있다.

상술된 바와 같이 반도체 제작공정에서는 폐기가스의 생성이 불가결하여 이것의 처리를 위한 정화처리장치가 필수적이며, 정화처리장치중 습식처리 방식인 경우에는 물과 세정액을 폐기가스에 분사시켜 유독가스와 잔류물질을 처리하고 있다.

그러나, 이러한 습식처리방식의 정화처리장치인 경우에는 처리된 배기가스에 다량의 수분이 포함되어 있고, 이러한 수분과 폐기가스에 포함된 분진이 역류될 경우 폐기가스 정화장치의 입구측에 슬러지가 형성되어 입구가 폐쇄되는 문제점이 있었다.

더우기, 이러한 폐기가스 정화장치의 입구에는 폐기가스가 분진 등의 잔류물질을 함유하고 있는 관계로 폐기가스의 역류를 방지하는 체크밸브 등도 설치하지 못하였던 것이다.

또한, 폐기가스 정화장치 내에는 상기 폐기가스를 원할히 유입시키기 위한 부압이 형성되어 있지 않아 유입구 부위에서 폐기가스의 와류에 의한 슬러지가 형성될 뿐만아니라, 일반적으로 폐기가스의 송압파이프의 직경이 폐기가스 정화장치 입구보다 크기 때문에, 입구에 페기가스의 분진이 늘러붙는 경우가 생겼던 것이며, 이는 곧 정화장치의 손상을 의미하는 것이다.

이에 본 고안은 상기 문제점들을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 페기가스 정화장치의 흡입라인 상에 인체에 무해한 질소계의 고압가스로 폐기가스의 원할한 유입을 유도하고 폐기가스의 역류를 방지한 폐기가스 정화장치의 가스유도장치를 제공함에 그 목적이 있다.

이를 위한 본 고안은 폐기가스 정화장치의 흡입구측에 강한 흡입력을 부여하여 이 흡입력이 폐기가스를 급속하게 정화장치로 유입시키게 한 것으로, 가스유입구 내에 오목한 환형의 1,2차 벤튜리부를 형성하고, 이 벤튜리부의 외측에서 고압의 질소가스를 분출시킴과 더불어, 벤튜리부의 도입부에 확장된 공간을 형성하여 가스분출과 함께 이 공간이 부압실이 되게함으로써 폐기가스가 원할히 정화장치내로 유입되도록 한 것이다.

따라서, 폐기가스에 함유된 분진물질 역시 원할하게 정화장치 내로 유입되므로, 분진물질에 의한 유입구의 손상이 방지되는 것이다.

도 1 은 본 고안에 따른 가스유도장치를 나타낸 단면설명도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

10 - 송압파이프, 12 - 유입구,

14 - 1차 벤튜리부, 16 - 2차 벤튜리부,

18 - 고압가스실, 20 - 가스 분출홈,

22 - 부압실.

이하 첨부된 예시도면과 함께 본 고안의 구성과 작용을 설명하면 다음과 같다.

본 고안은 폐기가스의 송압파이프(10)와 동일직경으로 유입구(12)를 마련하고, 이 유입구(12) 외측에서 부터 내측으로 오목하게 환형의 곡면을 이루는 1차 벤튜리부(14)와 이 1차 벤튜리부(14)와 연속적으로 연결되는 2차 벤튜리부(16)를 형성시킴과 더불어, 1차 벤튜리부(14)의 외측에는 고압가스실(18)을 갖추게 하고, 이 고압가스실(18)에서 1차 벤튜리부(14)측 방향의 곡면을 이루는 가스분출홈(20)을 갖추게 하여 고압가스가 정화장치내로 흐르도록 하며, 상기 1차 벤튜리부(14)와 상기 유입구(12) 내측 경계에는 유입구(12)의 직경보다 확장된 공간을 형성하여 부압실(22)을 형성시킨 폐기가스 정화장치의 가스유도장치 이다.

예시도면 도 1 은 본 고안에 따른 폐기가스 정화장치의 가스유도장치를 나타낸 단면 설명도로서, 폐기가스 정화장치의 흡입구측에 강한 흡입력을 부여하여 이 흡입력이 폐기가스를 급속하게 정화장치로 유입시키게 하여 폐기가스에 함유된 분진에 의해 정화장치의 유입구 부위가 손상되는 것을 방지하였다.

이를 위한 본 고안은 먼저, 반도체 제작공정과 이 반도체 제작공정에서 방출되는 폐기가스가 정화장치 사이에 설치되는 폐기가스의 송압파이프(10)를 통해 유입되는데, 이때, 송압파이프(10)의 직경과 동일한 직경의 유입구(12)를 마련하여 직경 차에 의한 가스도입부분의 슬러지 발생현상을 방지하였다.

즉, 상술된 바와 같이 일반적으로 송압파이프(10)의 출구 보다 폐기가스 정화장치로의 유입구가 직경이 적은 경우가 많은데, 이 경우 폐기가스에 함유된 분진물질이 유입구의 외주부위에 흡착되어 슬러지가 생성되었던 것이다.

따라서, 본 고안은 유입구(12)를 송압파이프(10)의 출구와 동일한 직경으로 하여 정화장치로의 폐기가스의 원할한 유입을 유도하고, 상기 벤튜리부(14)(16)와 이 벤튜리부(14)(16)에 분출되는 고압가스의 유도로 폐기가스가 급속히 정화장치로 유입되도록 한 것이다.

벤튜리부는 1,2차 벤튜리부(14)(16)로 연속적으로 배열되어 폐기가스의 빠른 흐름을 유도하고, 1차 벤튜리부(14)의 외측에는 고압가스실(18)이 마련되어 있다.

고압가스실(18)은 오목한 환형의 1차 벤튜리부(14)를 둘러싸는 환형의 공간이며, 여기에 외부로 부터 고압가스가 도입되어 1차 벤튜리부(14)로 방출된다.

이때 사용되는 고압가스는 질소계열의 인체에 무해한 가스이며, 이는 반도체 공정에 사용된 후의 폐기가스와 반응하지 않는 가스로, 상기 질소가스가 본 고안의 가스유입구에 사용되는 가스로 한정되는 것은 아니며 인체에 무해한 다른 가스도 사용이 가능하다.

또한, 반도체 공정 외에 이러한 본 고안의 가스유입기가 사용될 경우 그 공정에 적합한 다른 고압가스가 사용될 수 있음은 당연하다.

이러한 고압가스가 방출되어 1차 벤튜리부(14)의 곡면을 따라 급속히 정화장치 내로 유입되게 하기 위해, 상기 1차 벤튜리부(14)의 입구측에는 고압가스실()과 연통되는 곡면을 이루는 가스분출홈(20)이 형성되어 있다.

가스분출홈(20)은 1차 벤튜리부(14)의 곡면과 자연스럽게 이어지는 곡면으로 형성되어 있어 고압가스실(18)에서 분출된 질소가스의 방향은 자연스럽게 1차 벤튜리부(14)를 따라 유입되어 도면의 화살표와 같이 흐르게 되어 에어커튼을 형성하게 된다.

상기 고압가스실(18)에서 분출된 질소가스에 의한 에어커튼으로 인해 흡입된 폐기가스에 혼합되어 있는 분진들이 역류를 방지할 수 있게 되는 것이다.

한편, 상기 1차 벤튜리부(14)와 유입구(12)의 내측 경계에는 유입구(12)의 직경보다 확장된 공간부을 형성하여 유입구(12)에서 도입되는 폐기가스의 압력이 감소되도록 하였으며, 뒤이어 벤튜리부를 따라 급속히 유입되는 고압가스에 의해 1차 벤튜리부(14)와 공간부가 이루는 공간이 부압실(22)이 되도록 한 것이다.

따라서, 이러한 부압실(22)은 정화장치로의 폐기가스 유입을 위한 일종의 진공펌프의 역할을 담당하게 됨과 더불어, 1차 벤튜리부(14)에서 방출되는 고압의 질소가스에 의해 내부에 형성되는 에어커튼으로 인해 벤튜리부를 통과한 분진을 포함한 폐기가스는 역류하지 못하게 되며, 이는 가스식 체크밸브의 역할도 하게 되는 것이다.

상술된 바와 같이 본 고안은 폐기가스 정화장치의 흡입구에 강한 흡입력을 부여하기 위하여 가스유입구 내에 오목한 환형의 1,2차 벤튜리부(14)(16)를 형성하고, 이 벤튜리부(14)(16)의 외측에서 고압의 질소가스를 분출시킴과 더불어, 벤튜리부의 도입부에 확장된 공간을 형성하여 가스분출과 함께 이 공간이 부압실(22)이 되게함으로써 폐기가스가 원할히 정화장치내로 유입되도록 함으로서, 폐기가스에 함유된 분진물질 역시 원할하게 정화장치 내로 유입되므로, 분진물질에 의한 유입구의 손상이 방지되는 효과가 있는 것이다.

Claims (1)

1. 폐기가스의 송압파이프(10)와 동일직경으로 유입구(12)를 마련하고, 이 유입구(12) 외측에서 부터 내측으로 오목하게 환형의 곡면을 이루는 1차 벤튜리부(14)와 이 1차 벤튜리부(14)와 연속적으로 연결되는 2차 벤튜리부(16)를 형성시킴과 더불어, 1차 벤튜리부(14)의 외측에는 고압가스실(18)을 갖추게 하고, 이 고압가스실(18)에서 1차 벤튜리부(14)측 방향의 곡면을 이루는 가스분출홈(20)을 갖추게 하여 고압가스가 정화장치내로 흐르도록 하며, 상기 1차 벤튜리부(14)와 상기 유입구(12) 내측 경계에는 유입구(12)의 직경보다 확장된 공간을 형성하여 부압실(22)을 형성시킨 폐기가스 정화장치의 가스유도장치.