KR200205160Y1

KR200205160Y1 - 반도체제조용열확산로의관연결구조

Info

Publication number: KR200205160Y1
Application number: KR2019980000782U
Authority: KR
Inventors: 정태호
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1998-01-23
Filing date: 1998-01-23
Publication date: 2001-04-02
Also published as: KR19990034445U

Abstract

본 고안은 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조에 관한 것으로, 종래에는 내부가 고온의 상태로 유지되면서 내부에 안착된 웨이퍼상에 가스가 유입되어 산화막을 성장시키거나 불순물 확산 등의 원하는 공정이 이루어지는 쿼츠튜브의 일측에 형성된 가스가 유입되는 유입노즐과 내부에서 반응 후 남은 가스 및 부산물이 배기되는 배기노즐에 쿼츠노즐이 끼워져 결합된 구조로 되어 있어, 쿼츠튜브의 고온이 전달되면 결합부분에 틈새가 발생되어 외부 공기의 유입 정량의 가스의 유입이 방해되어 웨이퍼상에 형성되는 막이 원하는 두께로 형성되지 않을 뿐만 아니라 막이 불균일하게 형성되어 불량을 유발시키는 문제점이 있었는 바, 본 고안은 쿼츠노즐을 나사결합시켜 연결하여 열에 의해 틈새가 발생되는 것을 방지함으로써 외부 공기가 쿼츠튜브내로 유입되거나 쿼츠튜브내로 유입되는 가스가 외부로 유출되는 것을 방지함으로 인하여 막의 두께를 균일하게 형성시켜 웨이퍼의 불량을 최소화하고 품질을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

Description

반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조{STRUCTURE FOR CONNECTING QUARTZ NOZZLE OF FURNACE}

본 고안은 반도체 제조용 열확산로에 관한 것으로, 특히 열확산로를 이루는 쿼츠튜브에서 발생되는 고온의 열에 의해서 쿼츠튜브에 연결되는 관의 틈새 발생을 방지하여 가스의 유입,유출을 방지할 수 있도록 한 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조공정에서 웨이퍼에 산화막 성장, 불순물 확산, 열처리 등의 공정을 진행하게 되며, 이와 같은 공정은 소정의 내부 체적을 갖는 열확산로에서 이루어지게 된다.

상기 반도체 제조용 열확산로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 소정의 내부 공간을 갖도록 형성됨과 아울러 그 내부가 고온의 상태를 유지할 수 있도록 형성되어 웨이퍼의 산화막 성장 및 불순물 확산 등의 공정이 이루어지는 쿼츠튜브(10)의 일측에 반응가스가 유입되는 유입노즐(11)이 형성되고, 상기 쿼츠튜브(10)의 타측에 내부에서 반응 후 남은 가스 및 부산물이 배기되는 배기노즐(12)이 형성되어 있다. 그리고 상기 유입노즐(11)과 배기노즐(12)에는 쿼츠튜브(10)내로 반응 가스의 유입을 안내하는 유입 테프론관(20)과 쿼츠튜브(10)에서 반응 후 남은 가스 및 부산물을 외부로 배기시키도록 안내하는 배기 테프론관(30)이 각각 연결된다.

그리고 유입노즐(11)과 유입 테프론관(20)사이에는 쿼츠튜브(10)에서 발생되는 고온의 열이 유입 테프론관(20)에 전달되어 파손되는 것을 방지하기 위하여 소정의 길이를 갖는 쿼츠노즐(40)이 삽입되며, 또한 배기노즐(12)과 배기 테프론관(30)사이에도 쿼츠노즐(40)이 삽입되어 있다.

한편, 상기 쿼츠튜브(10)의 일측에 형성된 유입노즐(11)과 반응 가스의 유입을 안내하는 유입 테프론관(20)사이에 연결되는 쿼츠노즐(40)의 연결구조는, 도 2에 도시한 바와 같이, 유입노즐(11)의 직경보다 작은 관으로 형성된 쿼츠노즐(40)이 끼워져 삽입된 구조로 이루어져 있다. 그리고 상기 배기노즐(12)과 이에 연결되는 쿼츠노즐(40)의 결합구조 또한 배기노즐(12)에 쿼츠노즐(40)이 끼워져 삽입된 구조로 이루어져 있다.

그러나 상기한 바와 같은 종래 쿼츠튜브의 관 연결구조는 웨이퍼들을 쿼츠튜브(10)내에 안착시킨 다음 내부를 고온의 상태로 유지시키면서 유입 테프론관(20)을 통해 반응 가스를 쿼츠튜브(10)내로 적정량 유입시켜 웨이퍼상에 산화막을 성장시키거나 불순물 확산 등의 원하는 공정을 수행하는 과정에서 쿼츠튜브(10)의 고온에 의해 유입노즐(11)과 배기노즐(12)에 각각 끼워진 쿼츠노즐(40)사이가 느슨해져 외부 공기의 유입 또는 정량의 반응 가스의 유입이 방해되어 웨이퍼상에 형성되는 막이 원하는 두께로 형성되지 않을 뿐만 아니라 막이 불균일하게 형성되어 불량을 유발시키는 문제점이 있었다.

따라서, 본 고안의 목적은 쿼츠튜브에서 발생되는 고온의 열에 의해서 쿼츠튜브에 연결되는 관의 틈새 발생을 방지하여 가스의 유입,유출을 방지할 수 있도록 한 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조를 개략적으로 도시한 정면도,

도 2는 종래 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조를 부분 확대하여 도시한 단면도,

도 3은 본 고안의 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조를 개략적으로 도시한 정면도,

도 4는 종래 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조를 부분 확대하여 도시한 단면도.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

10 ; 쿼츠튜브 11 ; 유입노즐

11a ; 암나사산부 12 ; 배기노즐

12a ; 암나사산부 20 ; 유입 테프론관

30 ; 배기 테프론관 40 ; 쿼츠노즐

40a ; 수나사산부

상기한 바와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 열확산로를 이루는 쿼츠튜브의 일측에 반응가스가 유입되는 유입노즐이 형성되고 타측에 내부에서 반응 후 남은 가스 및 부산물이 배기되는 배출노즐이 형성되며, 상기 유입노즐과 배출노즐에 유입 테프론관과 배기 테프론관을 연결하는 쿼츠노즐이 결합된 열확산로의 관 연결구조에 있어서; 상기 유입노즐과 배기노즐에 각각 연결되는 쿼츠노즐은 나사결합되어 연결됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조가 제공된다.

상기 유입노즐과 배기노즐에는 일측에는 암나사산부가 형성되고 상기 쿼츠노즐의 일측에는 수나사산부가 형성되어 상기 쿼츠노즐의 수나사산부가 상기 암나사산부에 결합되어 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조가 제공된다.

이하, 본 고안의 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.

본 고안의 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조는, 도 3에 도시한 바와 같이, 열확산로를 이루는 쿼츠튜브(10)의 일측에 반응가스가 유입되는 유입노즐(11)이 형성되고 타측에 내부에서 반응 후 남은 가스 및 부산물이 배기되는 배기노즐(12)이 형성되며, 상기 유입노즐(11)과 배기노즐(12)에 유입 테프론관(20)과 배기 테프론관(30)을 연결하는 쿼츠노즐(40)이 각각 결합되며 그 유입노즐(11)과 쿼츠노즐(40)은 나사 결합에 의해 결합되고 상기 배기노즐(12)과 쿼츠노즐(40)도 나사 결합에 의해 결합된다.

상기 유입노즐(11)과 쿼츠노즐(40) 그리고 배기노즐(12)과 쿼츠노즐(40)이 나사 결합되는 구조를 보다 상세하게 설명하면, 상기 유입노즐(11)과 배기노즐(12)의 각 단부에, 도 4에 도시한 바와 같이, 일정한 내경을 가지며 그 내경의 내주벽에 일정 크기를 갖는 나사산들이 소정의 영역을 갖도록 형성되어 이루어진 암나사산부(11a,12a)가 각각 형성되고 상기 쿼츠노즐(40)의 일측 단부에 일정한 외경을 가지며 그 외경의 외주벽에 일정한 크기를 갖는 나사산들이 소정의 영역으로 형성되어 이루어진 수나사산부(40a)가 형성되어 상기 쿼츠노즐(40)의 수나사산부(40a)가 상기 유입노즐의 암나사산부(11a)와 배기노즐의 암나사산부(12a)에 각각 형합됨에 의해 유입노즐(11)과 배기노즐(12)에 각각 쿼츠노즐(40)이 연결된다.

또한 다른 변형예로서, 유입노즐(11)과 배기노즐(12)의 직경보다 쿼츠노즐(40)의 직경이 크게 하여 유입노즐(11)과 배기노즐(12)의 일측 단부 외주면에 소정의 길이로 수나사산부가 각각 형성되고 쿼츠노즐(40)의 일측 단부 내주면에 소정의 길이로 암나사산부가 형성되어 쿼츠노즐(40)의 암나사산부를 유입노즐(11)과 배기노즐(12)의 수나사산부에 각각 결합하여 유입노즐(11)과 배기노즐(12)에 쿼츠노즐(40)을 각각 연결한다.

상기 유입노즐(11)에 연결된 쿼츠노즐(40)의 타측 단부에는 반응 가스가 쿼츠튜브(10)내로 유입되도록 외부 가스유입을 안내하는 유입 테프론관(20)이 연결되고, 배기노즐(12)에 연결된 쿼츠노즐(40)의 타측단부에는 내부에서 반응 후 남은 가스 및 부산물이 외부로 배기되도록 안내하는 배기 테프론관(30)이 연결된다.

이하, 본 고안의 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.

본 고안의 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조는 웨이퍼들을 쿼츠튜브(10)내에 안착시킨 다음 내부를 고온의 상태로 유지시키면서 유입 테프론관(20)을 통해 반응 가스를 쿼츠튜브(10)내로 적정량 유입시켜 웨이퍼상에 산화막을 성장시키거나 불순물 확산 등의 원하는 공정을 수행하는 과정에서 쿼츠튜브(10)의 열이 쿼츠노즐(40)에 전달되어도 쿼츠튜브(10)가 유입노즐(11)과 배기노즐(12)에 각각 나사 결합되어 있어 틈새 발생이 방지됨으로써 외부 공기가 쿼츠튜브(10)내로 유입되거나 쿼츠튜브(10)내로 유입되는 반응 가스가 외부로 유출되는 것을 방지하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조는 쿼츠튜브에 연결되는 쿼츠노즐의 연결부위에 쿼츠튜브의 열에 의해 틈새가 발생되는 것을 방지하게 되어, 외부 공기가 쿼츠튜브내로 유입되거나 쿼츠튜브내로 유입되는 반응 가스가 외부로 유출되는 것을 방지하게 됨으로써 웨이퍼상에 형성되는 막의 두께를 원하는 두께로 형성시키게 될 뿐만 아니라 막의 두께를 균일하게 형성시키게 되어 웨이퍼의 불량을 최소화하고 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims

열확산로를 이루는 쿼츠튜브의 일측에 반응가스가 유입되는 유입노즐이 형성되고 타측에 내부에서 반응 후 남은 가스 및 부산물이 배기되는 배출노즐이 형성되며, 상기 유입노즐과 배출노즐에 유입 테프론관과 배기 테프론관을 연결하는 쿼츠노즐이 결합된 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조에 있어서; 상기 유입노즐과 배기노즐의 각 단부에 내경이 일정함과 아울러 그 내경의 내주벽에 형성되는 나사산들의 높이가 일정한 암나사산부를 각각 형성하고 그 유입노즐과 배기노즐에 각각 결합되는 쿼츠노즐의 단부에 외경이 일정함과 아울러 그 외경의 외주벽에 형성되는 나사산들의 높이가 일정한 수나사산부를 형성하여 유입노즐의 암나사산부 및 배기노즐의 암나사산부에 쿼츠노즐의 수나사산부가 각각 형합되도록 결합한 것을 특징으로 반도체 제조용 열확산로의 관 연결구조.