KR20020095371A - Bake oven for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A bake oven for fabricating a semiconductor device is provided to prevent a bake defect according to the position of a settled bake plate, by settling a wafer transferred to the bake plate in a particular area of the bake plate whenever the wafer is transferred. CONSTITUTION: The upper surface of the bake plate(20) is inclined by a predetermined angle. A wafer transfer pin(22) is protruded or sunken from the surface of the bake plate, buried in the bake plate. A stopper(26) is installed in a predetermined portion of the downward surface of the bake plate. A cover(28) completely covers the bake plate.

Description

반도체소자 제조용 베이크 오븐{Bake oven for manufacturing semiconductor device}Bake oven for manufacturing semiconductor device

본 발명은 반도체소자 제조용 베이크 오븐에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 베이크 플레이트의 일정지점에 모든 웨이퍼가 안착될 수 있도록 하는 반도체소자 제조용 베이크 오븐에 관한 것이다.The present invention relates to a baking oven for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a baking oven for manufacturing a semiconductor device to allow all the wafers to be seated at a predetermined point of the baking plate.

최근에, 반도체소자가 64MDRAM, 256MDRAM 및 1GDRAM으로 고집적화되어 칩(Chip) 단위면적이 작아지고, 회로선폭(Critical dimension)이 축소됨에 따라 웨이퍼 상에 패턴(Pattern)을 구현하는 포토리소그라피(Photolithography)공정의 중요성이 대두되고 있다.Recently, as semiconductor devices have been highly integrated into 64MDRAM, 256MDRAM, and 1GDRAM, a chip unit area is reduced, and a circuit dimension is reduced, a photolithography process for implementing a pattern on a wafer. The importance of is emerging.

일반적으로, 상기 포토리소그라피공정은 일련의 반도체 제조공정이 선행된 웨이퍼를 프리-베이킹(Pre-baking)한 후 포토레지스트(Photoresist)를 코팅(Coating)한다. 다음으로, 상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 소프트-베이킹(Soft-baking)한 후 노광공정을 통해서 레티클(Reticle)의 패턴을 포토레지스트에 전사시킨다. 이어서, 상기 노광된 웨이퍼를 PEB-베이킹(Post-Exposure Baking)한 후 현상액을 이용하여 현상하여 웨이퍼 상에 실질적인 패턴을 형성하고 하드-베이킹(Hard-baking)하는 공정이다.In general, the photolithography process coats a photoresist after pre-baking a wafer preceded by a series of semiconductor manufacturing processes. Next, the photoresist-coated wafer is soft-baked and then the reticle pattern is transferred to the photoresist through an exposure process. Subsequently, the exposed wafer is subjected to post-exposure baking and then developed using a developer to form a substantial pattern on the wafer and hard-baking.

전술한 바와 같은 포토리소그라피공정의 베이킹공정은 베이크 오븐 내부에서 진행된다.The baking process of the photolithography process as described above is performed in the baking oven.

종래의 반도체소자 제조용 베이크 오븐은, 도1a 및 도1b에 도시된 바와 같이 히터(Heater) 등의 가열수단에 의해서 표면에 안착된 웨이퍼(2)를 소정온도로 가열하는 베이크 플레이트(Bake plate : 10)와 베이크 플레이트(10) 상부에 설치되어 상하이동에 의해서 베이크 플레이트(10)를 개폐하는 커버(Cover : 18)를 구비한다.In the conventional baking oven for semiconductor devices, as shown in FIGS. 1A and 1B, a baking plate 10 for heating a wafer 2 seated on a surface by a heating means such as a heater to a predetermined temperature is provided. And a cover (Cover: 18) installed on the baking plate 10 to open and close the baking plate 10 by Shanghaidong.

그리고, 베이크 플레이트(10) 소정부에는 베이크 플레이트(10) 내부에 매설되어 피스톤 등에 의해서 상하이동하여 베이크 플레이트(10) 표면으로 돌출 및 함몰되는 복수의 웨이퍼 이송핀(12)이 설치되어 있다.A predetermined portion of the bake plate 10 is provided with a plurality of wafer transfer pins 12 that are embedded in the bake plate 10, move by the piston or the like, protrude to the surface of the bake plate 10, and are recessed.

또한, 베이크 플레이트(10) 다른 소정부에는 베이크 플레이트(10) 표면에 안착된 웨이퍼(2)가 베이크 플레이트(10) 표면과 직접 접촉하는 것을 방지하기 위한 복수의 스페이서(Spacer : 14)가 설치되어 있다.In addition, a plurality of spacers 14 are provided at other predetermined portions of the bake plate 10 to prevent the wafer 2 seated on the bake plate 10 surface from directly contacting the bake plate 10 surface. have.

또한, 베이크 플레이트(10) 표면에는 도2에 도시된 바와 같이 베이크 플레이트(10) 표면에 안착된 웨이퍼(2)가 소정영역 내부에 수납되도록 하기 위한 복수의 세라믹볼(Ceramic bal : 16)이 설치되어 있다.In addition, a plurality of ceramic bales 16 are installed on the surface of the baking plate 10 to allow the wafer 2 seated on the surface of the baking plate 10 to be stored in a predetermined region. It is.

여기서, 복수의 세라믹볼(16)은 웨이퍼(2)를 수납할 수 있도록 소정간격 이격되어 원형상으로 배열 설치되고, 웨이퍼 이송핀(12)에 의해서 이송되는 웨이퍼(2)가 용이하게 안착할 수 있도록 베이크 플레이트(10) 표면에 안착되는 웨이퍼(2)의 가장자리 외측으로 약간의 여유거리를 두고 설치되어 있다.Here, the plurality of ceramic balls 16 are arranged in a circular shape spaced apart by a predetermined interval to accommodate the wafer 2, the wafer 2 to be transported by the wafer transfer pin 12 can be easily seated. It is provided with a slight clearance outside the edge of the wafer 2 seated on the surface of the baking plate 10 so that it may be.

그리고, 종래의 반도체소자 제조용 베이크 오븐은 세라믹볼(16)을 대신하여 역시 웨이퍼(2)를 수납할 수 있도록 웨이퍼(2) 형상의 세라믹가이드(도시되지 않음)를 설치할 수도 있다.In addition, in the conventional baking oven for manufacturing a semiconductor device, a ceramic guide (not shown) in the shape of a wafer 2 may be provided to accommodate the wafer 2 in place of the ceramic ball 16.

따라서, 로봇아암 등의 웨이퍼 이송장치가 베이크 오븐 내부로 웨이퍼(2)를 이송시키면, 웨이퍼 이송핀(12)은 베이크 플레이트(10) 상부로 상승 돌출하여 로봇아암 등의 웨이퍼 이송장치로부터 웨이퍼(2)를 인계받아 하강하여 베이크 플레이트(10) 내부로 함몰된다.Therefore, when a wafer transfer device such as a robot arm transfers the wafer 2 into the baking oven, the wafer transfer pin 12 rises and protrudes above the bake plate 10 so that the wafer 2 is transferred from a wafer transfer device such as a robot arm. ) Is taken down and descended into the baking plate 10.

이어서, 웨이퍼 이송핀(12)의 하강에 의해서 웨이퍼(2)는 소정간격 이격 설치된 스페이서(14)를 사이에 두고 베이크 플레이트(10) 상에 안착된다.Subsequently, by lowering the wafer transfer pin 12, the wafer 2 is seated on the bake plate 10 with the spacers 14 provided at predetermined intervals therebetween.

특히, 웨이퍼 이송핀(12)에 의해서 베이크 플레이트(10) 상에 안착된 웨이퍼(2)는 복수의 세라믹볼(16)에 의해서 베이크 플레이트(10) 소정부에서 이탈되는 것이 방지된다.In particular, the wafer 2 seated on the bake plate 10 by the wafer transfer pin 12 is prevented from being separated from the predetermined portion of the bake plate 10 by the plurality of ceramic balls 16.

마지막으로, 커버가 하강하여 베이크 플레이트(10)를 완전커버링한 후, 베이크 플레이트(10)는 히터 등의 가열장치에 의해서 가열됨으로써 웨이퍼(2)에 대한 베이크 공정이 진행된다.Finally, after the cover is lowered to completely cover the bake plate 10, the bake plate 10 is heated by a heating device such as a heater to perform a bake process on the wafer 2.

이후, 전술한 바와 같은 동작원리에 의해서 후속 웨이퍼(2)가 로봇아암 등의 웨이퍼 이송장치에 의해서 베이크 오븐 내부에 투입되어 베이크 공정이 진행된다.Subsequently, according to the operation principle as described above, the subsequent wafer 2 is introduced into the baking oven by a wafer transfer device such as a robot arm, and the baking process is performed.

그러나, 종래의 반도체소자 제조용 베이크 오븐은 웨이퍼 이송핀이 베이크 플레이트 내부에 완전 함몰되는 순간에 베이크 오븐 내부에 발생하는 공기 와류와 웨이퍼의 낙하에 따른 물리력 등의 원인에 의해서 웨이퍼가 복수의 세라믹볼과 웨이퍼 가장자리 사이의 여유거리 내에서 슬라이딩(Sliding)됨으로써 웨이퍼의 안착위치가 정확하게 조절되지 않았다.However, in the conventional baking oven for semiconductor device manufacturing, a wafer is formed by a plurality of ceramic balls due to air vortices generated inside the baking oven at the moment when the wafer transfer pin is completely recessed inside the baking plate and physical force due to the falling of the wafer. The seating position of the wafer was not accurately adjusted by sliding within the clearance between the wafer edges.

따라서, 특정 웨이퍼가 베이크 플레이트 표면과 접촉하는 영역과 후속되는 다른 특정 웨이퍼가 베이크 플레이트 표면과 접촉하는 영역이 서로 상이함으로써 웨이퍼별 베이크 플레이트의 온도가 균일하지 않아 특정 웨이퍼에 대해서는 베이크 불량이 발생하는 문제점이 있었다. 특히, 최근에 반도체 웨이퍼의 직경이 8인치(Inch)이상으로 대구경화되어 웨이퍼의 하중과 웨이퍼와 베이크 플레이트의 접촉면적 등이 증가함에 따라 웨이퍼의 슬라이딩 현상은 더욱 심하게 발생하고 있다.Therefore, a region in which a specific wafer contacts the bake plate surface and a subsequent specific wafer in contact with the bake plate surface are different from each other, so that the temperature of the bake plate for each wafer is not uniform, resulting in a bake failure for a particular wafer. There was this. In particular, as the diameter of the semiconductor wafer is largely increased to 8 inches or more in recent years, the sliding phenomenon of the wafer is more severe as the load of the wafer and the contact area between the wafer and the baking plate increase.

또한, 세라믹볼과 세라믹가이드는 고가의 세라믹재질로 형성됨으로써 부품단가가 높고, 재질특성에 의해서 충격이나 비틀림 등에 의해서 쉽게 파손되는 문제점이 있었다.In addition, since the ceramic ball and the ceramic guide are formed of an expensive ceramic material, the unit cost is high, and there is a problem that the ceramic ball and the ceramic guide are easily damaged due to impact or torsion due to material characteristics.

본 발명의 목적은, 웨이퍼 이송핀에 의해서 베이크 플레이트에 이송된 웨이퍼가 매번 베이킹 플레이트의 특정 소정영역에 안착되도록 하여 모든 웨이퍼에 대해서 동일온도 조건에서 베이크 공정이 진행될 수 있도록 하는 반도체소자 제조용 베이크 오븐을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a baking oven for manufacturing a semiconductor device in which a wafer transferred to a baking plate by a wafer transfer pin is seated in a specific predetermined area of a baking plate every time so that the baking process can be performed at the same temperature conditions for all wafers. To provide.

본 발명의 다른 목적은, 세라믹볼 또는 세라믹가이드를 대신하여 금속 또는 테플론 재질 등의 내열성 재질의 스톱퍼를 설치함으로써 세라믹볼 또는 세라믹가이드의 재질특성에 의해서 부품단가가 높아지고, 충격이나 비틀림 등에 의해서 쉽게 파손되는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 제조용 베이크 오븐을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a stopper made of a heat-resistant material such as metal or Teflon in place of the ceramic ball or ceramic guide to increase the unit cost due to the material characteristics of the ceramic ball or ceramic guide, easily damaged by impact or torsion It is to provide a baking oven for manufacturing a semiconductor device that can be prevented.

도1a 및 도1b는 종래의 반도체소자 제조용 베이크 오븐을 설명하기 위한 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a conventional baking oven for manufacturing a semiconductor device.

도2는 도1에 도시된 베이크 플레이트의 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of the baking plate shown in FIG.

도3a 및 도3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 베이크 오븐을 설명하기 위한 단면도이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a baking oven for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도4는 도3에 도시된 베이크 플레이트의 평면도이다.4 is a plan view of the baking plate shown in FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

2, 4 : 웨이퍼 10, 20 : 베이크 플레이트2, 4: wafer 10, 20: baking plate

12, 22 : 웨이퍼 이송핀 14, 24 : 스페이서12, 22: wafer transfer pin 14, 24: spacer

16 : 세라믹볼 18, 28 : 커버16: ceramic ball 18, 28: cover

26 : 스톱퍼26: stopper

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 베이크 오븐은, 상부 표면이 소정각도 경사진 베이크 플레이트, 상기 베이크 플레이트에 매설되어 상하이동에 의해서 상기 베이크 플레이트 표면에서 돌출 및 함몰되는 웨이퍼 이송핀, 상기 베이크 플레이트의 하향 경사면 소정부에 설치된 스톱퍼 및 상기 베이크 플레이트를 완전 커버링하는 커버를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The baking oven for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is a baking plate, the upper surface is inclined at a predetermined angle, the wafer transfer pin is embedded in the baking plate protrudes and recessed from the surface of the baking plate by Shanghaidong, And a stopper provided at a predetermined downward inclined surface of the bake plate and a cover completely covering the bake plate.

여기서, 상기 스톱퍼는 베이크 오븐의 고온에 견딜 수 있도록 내열성 재질로 제작함이 바람직하다.Here, the stopper is preferably made of a heat resistant material to withstand the high temperature of the baking oven.

그리고, 상기 스톱퍼의 내면은 상기 베이크 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 가장자리를 감싸안을 수 있도록 상기 웨이퍼의 가장자리와 동일한 형상으로 제작하여 상기 베이크 플레이트에 안착되는 웨이퍼가 소정위치에 항상 정지하도록 함이 바람직하다.In addition, the inner surface of the stopper may be manufactured in the same shape as the edge of the wafer so as to surround the edge of the wafer seated on the bake plate so that the wafer seated on the bake plate always stops at a predetermined position.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3a 및 도3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조용 베이크 오븐을 설명하기 위한 단면도이고, 도4는 도3에 도시된 베이크 플레이트의 평면도이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a baking oven for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the bake plate shown in FIG.

본 발명에 따른 반도체소자 제조용 베이크 오븐은, 도3a 및 도3b에 도시된 바와 같이 히터 등의 가열수단(도시되지 않음)에 의해서 표면 온도가 조절되고, 상부 표면이 소정각도 경사진 베이크 플레이트(20)를 구비한다.In the baking oven for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, as shown in FIGS. 3A and 3B, a baking plate 20 having a surface temperature controlled by a heating means (not shown) such as a heater and having an upper surface inclined at a predetermined angle. ).

여기서, 베이크 플레이트(20)의 경사각도는 0.01°이상 90°이하로 형성할 수 있고, 경사각도의 방향은 특정 방향으로 한정되지 않고 어느 방향으로든 형성이 가능하다.Here, the inclination angle of the baking plate 20 may be formed to be 0.01 ° or more and 90 ° or less, the direction of the inclination angle is not limited to a specific direction can be formed in any direction.

그리고, 상기 베이크 플레이트(20) 내부에는 피스톤 등의 구동수단에 의해서 상하이동함으로써 베이크 플레이트(20) 내/외부로 돌출/함몰되는 복수의 웨이퍼 이송핀(22)이 설치되어 있다.In addition, a plurality of wafer transfer pins 22 are provided inside the bake plate 20 to protrude / recess into / out of the bake plate 20 by being moved by a driving means such as a piston.

또한, 베이크 플레이트(20)의 하향 경사면 소정부에는 금속 및 테플론(Teflon) 등의 내열성 재질로 형성된 스톱퍼(Stopper : 26)가 설치되어 있다. 여기서, 상기 스톱퍼(26)의 내면은 도4에 도시된 바와 같이 베이크 플레이트(20)에 안착되는 웨이퍼(4)의 가장자리를 감싸안을 수 있도록 웨이퍼(4)의 가장자리와 동일한 형상으로 제작되고, 상기 스톱퍼(26)는 서로 소정간격 이격되어 복수개로 분할 형성되어 있다.In addition, a stopper 26 formed of a heat resistant material such as metal and Teflon is provided at a predetermined downward inclined surface of the bake plate 20. Here, the inner surface of the stopper 26 is manufactured in the same shape as the edge of the wafer 4 so as to surround the edge of the wafer 4 seated on the bake plate 20, as shown in FIG. The stoppers 26 are divided into a plurality of parts spaced apart from each other by a predetermined interval.

그리고, 베이크 플레이트(20) 상면부에는 웨이퍼 이송핀(22)에 의해서 안착되는 웨이퍼(4)와 베이크 플레이트(20) 표면이 직접 접촉하는 것을 방지하도록 복수의 스페이서(24)가 소정간격 이격 설치되어 있다.In addition, a plurality of spacers 24 are disposed on the upper surface of the baking plate 20 so as to prevent direct contact between the wafer 4 seated by the wafer transfer pin 22 and the surface of the baking plate 20. have.

또한, 베이크 플레이트(20)의 상부에는 베이크 플레이트(20)를 완전 커버링할 수 있는 커버(28)가 설치되어 있다.In addition, a cover 28 capable of completely covering the bake plate 20 is provided at the top of the bake plate 20.

따라서, 로봇아암 등의 웨이퍼 이송장치가 베이크 오븐 내부로 웨이퍼(4)를 이송시키면, 복수의 웨이퍼 이송핀(22)은 피스톤 등의 구동수단에 의해서 베이크 플레이트(20) 내부에서 상승 돌출하여 로봇아암 등의 웨이퍼 이송장치에 고정된 웨이퍼(4)의 뒷면을 지지하게 된다.Therefore, when a wafer transfer device such as a robot arm transfers the wafer 4 into the baking oven, the plurality of wafer transfer pins 22 are raised and protruded inside the bake plate 20 by a driving means such as a piston, and thus the robot arm. The back side of the wafer 4 fixed to the wafer transfer apparatus, etc. is supported.

다음으로, 로보아암 등의 웨이퍼 이송장치가 웨이퍼(4)를 복수의 웨이퍼 이송핀(22)에 인계한 후, 베이크 오븐 외부로 방출된다.Next, a wafer transfer device such as a robot arm takes over the wafer 4 to the plurality of wafer transfer pins 22 and is then discharged out of the baking oven.

이어서, 웨이퍼(4)를 인계받은 웨이퍼 이송핀(22)이 피스톤 등의 구동수단에 의해서 하강하여 베이크 플레이트(20) 내부로 함몰되면, 웨이퍼 이송핀(22)에 의해서 지지되던 웨이퍼(4)는 스페이서(24)를 사이에 두고 베이크 플레이트(20) 상에안착된다.Subsequently, when the wafer transfer pin 22 taking over the wafer 4 is lowered by a driving means such as a piston and recessed into the bake plate 20, the wafer 4 supported by the wafer transfer pin 22 is It is seated on the bake plate 20 with the spacer 24 therebetween.

이때, 베이크 플레이트(20)의 상부 표면이 경사져 있으므로 웨이퍼(4)는 베이크 플레이트(20)의 경사면을 따라 소정거리 미끄러진 후, 스톱퍼(26)의 내면과 접촉하며 베이크 플레이트(20) 특정영역에 정지하게 된다.At this time, since the upper surface of the bake plate 20 is inclined, the wafer 4 slides a predetermined distance along the inclined surface of the bake plate 20, and then comes into contact with the inner surface of the stopper 26 and is placed in a specific area of the bake plate 20. Will stop.

여기서, 본 발명에 따른 베이크 오븐의 소정각도 경사진 베이크 플레이트(20)의 상면과 스톱퍼(26)에 의해서 후속 웨이퍼 또한 선행된 웨이퍼(4)와 동일한 위치의 베이크 플레이트(20) 특정영역에 정지하게 된다.Here, the stopper 26 and the top surface of the inclined bake plate 20 of the baking oven according to the present invention allow the subsequent wafer to stop at a specific area of the bake plate 20 at the same position as the preceding wafer 4. do.

또한, 스톱퍼(26)의 내면은 웨이퍼(4) 가장자리와 동일한 형상으로 제작되어 있으므로 웨이퍼에 가해지는 충격없이 용이하게 베이크 플레이트(20) 상에 정지시킬 수 있으며, 스톱퍼(26)가 저가의 금속 또는 테플론 등의 내열성 재질로 제작되어 있으므로 부품단가를 낮출 수 있으며, 충격이나 비틀림 등에 의해서 쉽게 파손되지 않는다.In addition, since the inner surface of the stopper 26 is manufactured in the same shape as the edge of the wafer 4, the stopper 26 can be easily stopped on the bake plate 20 without impact on the wafer, and the stopper 26 is made of a low-cost metal or Since it is made of heat-resistant material such as Teflon, the unit cost can be lowered and it is not easily damaged by impact or torsion.

마지막으로, 커버(28)가 하강하여 베이크 플레이트(20)를 완전 커버링하게 되고, 이후에 베이크 플레이트(20)는 히터 등의 가열수단에 의해서 가열됨으로써 베이크 플레이트(20)의 열은 스페이서(24)를 사이에 두고 베이크 플레이트(20) 상에 안착된 웨이퍼(4)에 전달되어 베이크 공정이 진행된다.Finally, the cover 28 is lowered to completely cover the bake plate 20. After that, the bake plate 20 is heated by a heating means such as a heater so that the heat of the bake plate 20 is separated from the spacer 24. Is transferred to the wafer 4 seated on the bake plate 20 with the gap therebetween, and the bake process is performed.

본 발명에 의하면, 웨이퍼 이송핀에 의해서 베이크 플레이트에 이송된 웨이퍼가 웨이퍼 이송시 매번 베이킹 플레이트의 특정영역에 안착되므로 베이킹 플레이트의 안착위치 변화에 따라 베이크 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가있다.According to the present invention, since the wafer transferred to the bake plate by the wafer transfer pin is seated in a specific area of the baking plate every time the wafer is transferred, there is an effect of preventing the occurrence of a bake defect according to the change of the seating position of the baking plate. .

그리고, 세라믹볼 또는 세라믹가이드를 대신하여 내열성으로 저가인 금속 또는 테플론 등의 내열성 재질의 스톱퍼를 설치함으로써 부품단가를 낮출 수 있고, 충격이나 비틀림 등에 의해서 부품이 쉽게 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, by replacing the ceramic ball or the ceramic guide with a heat-resistant stopper made of a low-temperature metal or Teflon, it is possible to lower the cost of parts and to prevent the parts from being easily damaged by impact or twisting. have.

이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

Claims (3)

상부 표면이 소정각도 경사진 베이크 플레이트(Bake plate);Bake plate in which the top surface is inclined at an angle; 상기 베이크 플레이트에 매설되어 상하이동에 의해서 상기 베이크 플레이트 표면에서 돌출 및 함몰되는 웨이퍼 이송핀;A wafer transfer pin embedded in the bake plate, protruding and recessed from the bake plate surface by shanghai copper; 상기 베이크 플레이트의 하향 경사면 소정부에 설치된 스톱퍼(Stopper); 및A stopper installed on a predetermined portion of the downward inclined surface of the baking plate; And 상기 베이크 플레이트를 완전 커버링하는 커버(Cover);A cover for completely covering the bake plate; 를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이크 오븐.Bake oven for manufacturing a semiconductor device, characterized in that provided with. 제 1 항에 있어서, 상기 스톱퍼는 내열성 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이크 오븐.The baking oven of claim 1, wherein the stopper is made of a heat resistant material. 제 1 항에 있어서, 상기 스톱퍼의 내면은 상기 베이크 플레이트에 안착되는 웨이퍼의 가장자리를 감싸안을 수 있도록 상기 웨이퍼의 가장자리와 동일한 형상으로 제작된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이크 오븐.The baking oven of claim 1, wherein an inner surface of the stopper is formed in the same shape as the edge of the wafer so as to surround the edge of the wafer seated on the baking plate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9496159B2 (en) 2007-11-30 2016-11-15 Novellus Systems, Inc. Wafer position correction with a dual, side-by-side wafer transfer robot
US11581214B2 (en) 2018-11-05 2023-02-14 Lam Research Corporation Enhanced automatic wafer centering system and techniques for same

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