KR20020095192A - 디스플레이 디바이스 - Google Patents

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KR20020095192A
KR20020095192A KR1020027012533A KR20027012533A KR20020095192A KR 20020095192 A KR20020095192 A KR 20020095192A KR 1020027012533 A KR1020027012533 A KR 1020027012533A KR 20027012533 A KR20027012533 A KR 20027012533A KR 20020095192 A KR20020095192 A KR 20020095192A
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semiconductor
semiconductor device
recognizing
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KR1020027012533A
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헤르베르트 리프카
마르크티 욘손
프레디 로오제보옴
르네제이지 엘프린크
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

IC는 예컨대 버스 구조 안에 또는 열과 행의 교차 지점에서 캐리어에 부착된다. 분리된 결정은 복잡한 전자회로(메모리 안의 픽셀의 어드레스 + 식별정보)를 포함할 수 있다.

Description

디스플레이 디바이스{DISPLAY DEVICE}
XY매트릭스에 기반한 이러한 유형의 디스플레이 디바이스, 더 일반적으로 전자 디바이스에서의 일반적인 문제는, 픽셀 영역에 추가 전자소자의 제공이 개구(aperture)를 희생시킨다는 사실이다. 전자소자는 다결정 실리콘으로 기판상에 구현된다. 제조 공차 및 상호연결은 픽셀 영역의 전자소자를 단순 기능만을 가지도록 제한한다.
이를 위하여, 본 발명은 적어도 하나의 픽셀로 된 그룹들 및 각각의 픽셀 그룹과 연관된 적어도 하나의 반도체 디바이스(IC)가 제공되고, 위치를 인식하기 이한 수단 및 반도체 디바이스를 구동하기 위한 구동수단이 제공된 하나의 기판을 포함하는 디스플레이 디바이스를 제공한다.
IC는 이제 픽셀 영역에 구동 전자소자를 포함한다는 장점이 있다. 이것은 설계상에 큰 자유를 제공한다.
본 발명은, 픽셀 그룹들이 제공되는 기판과 적어도 각각의 픽셀 그룹들과 연관되는 하나의 반도체 디바이스를 포함하는 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
이러한 액티브 매트릭스 디스플레이 디바이스의 예는 TFT-LCD 또는 AM-LCD인데, 이들은 랩탑 컴퓨터나 오거나이저에서 사용되고 있으며, 뿐만아니라 GSM 전화기에서 점점 더 넓은 응용분야를 발견하고 있다. LCD 대신, 예컨대 (폴리머) LED 디스플레이 디바이스도 사용될 수 있다.
더 일반적으로, 본 발명은 스위칭 소자 그룹들이 제공된 적어도 하나의 기판과 각각의 스위칭 소자 그룹에 연관된 적어도 하나의 반도체 디바이스를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 디스플레이 디바이스의 가능한 실시예의 전기적 등가회로도.
도 2는 본 발명에 따른 디스플레이 디바이스의 다른 실시예의 전기적 등가회로도.
도 3은 본 발명에 따른 디스플레이 디바이스의 일부에 대한 도식적인 단면도.
도 4는 본 방법에 대한 흐름도.
도 5a, 도 5b 및 도 6은 도 1의 디스플레이 디바이스의 제조 중의 단계를 도식적으로 도시하는 개략도.
도 7 및 도 8은 디스플레이 디바이스의 제조 중의 디스플레이 디바이스의 기판 및 반도체 기판을 도식적으로 보여주는 개략도.
본 발명은 IC를 한정된 위치에 제공하는 것이 가능하다는 인식에 기초하고 있는데, 왜냐하면 표면 상에 전기적 연결 접점들을 구비하는 복수의 반도체 디바이스가 하나의 반도체 기판에 제공되며, 이 반도체 디바이스들은 반도체 기판의 표면 영역에서 상호 분리되며, 전기적 연결 접점들은 전기가 전도될 수 있도록 도체 패턴에 연결되고, 그후 반도체 디바이스들이 반도체 기판에서 분리되기 때문이다.
제공될 IC의 위치가 미리 알려져 있기 때문에, IC에는 미리 {IC 프로세싱(ROM 구조) 중에 또는 e-PROM 기법을 통해} 예컨대 어드레스 레지스터 또는 하나 이상의 데이터 레지스터가 제공될 수 있다. 어드레스는 특정 IC {및 연관된 픽셀 (그룹)}에 의해 인식되며 화상 정보가 저장되고, 그후 화상 정보는 추가될 수 있는 명령에 의존하여 픽셀에 공급된다.
특히, 그러나 배타적이지는 않게, 단결정 실리콘을 사용하면 종래의 매트릭스 구조, 예컨대 버스 구조와는 다른 유형의 디스플레이 디바이스 아키텍처를 허용하는 기능들을 구현할 수 있다. IC가 미리 제조되기 때문에, 종래의 폴리실리콘 기법에서보다 더욱 확장된 전자적 기능들이 구현될 수 있지만, 그렇다고 하더라도 본발명이 폴리실리콘 기법으로 특정 기능들을 구현하는 것을 배제하지는 않는다. 따라서, 본 특허(출원)의 맥락에서 "반도체 디바이스"라는 용어는 분리된 폴리실리콘 영역들도 포함한다.
반도체 디바이스(IC)가 반도체 기판 상에서 상기 기판에 고정되는 동안 완전히 동일한 방식으로 서로에 대해 위치되어 있기 때문에, 이들 IC는 매우 정밀한 피치로 제공된다. 이것은 픽셀의 매트릭스-형 구성과 같이 일방향으로 일정한 피치일 수 있다. 대안적으로 상기 피치는 변화가능할 수 있다.
또한, 반도체 디바이스(IC)는 통상적으로 0.2 마이크로미터의 두께를 가지는 반도체 층에 구현된다. 그 결과 완성된 디스플레이 디바이스에서 이들 반도체 디바이스는 (1 마이크로미터 미만의) 매우 작은 두께를 가진다. 이것은 액정층의 효과적인 두께에 대해 너무 작기 때문에, 예컨대 STN 효과와 같은 두께-민감성 효과에 기반한 디스플레이 디바이스에 있어서, IC 위치에 스페이서(spacer)가 존재하는 경우에조차, 상기 효과가 발생되지 않는다.
2000년 9월 SID 국제디스플레이회의(SID Int. Display conf.)의 문건 "전부 집적된 전자소자를 구비한 플렉서블 디스플레이"의 제 415 면 내지 제 418 면에, 액체 현탁액으로 특별히 형성된 반도체 디바이스가 기판을 가로질러 통과되며 기판 내에 대응하여 형성된 "개구" 또는 홈(indentation)에 도달하는 프로세스가 개시되어 있다. 반도체 디바이스(일반적으로는 표준적인 기법을 통해 제조된 IC)는 기판 내의 홈을 가로질러 임의로 분포된다. IC가 제공된 후, 픽셀과의 접속이 이루어진다.
그러한 IC의 정확한 위치가 미리 알려져 있지 않기 때문에, 예컨대 그 어드레스 정보가 예컨대 레이저 빔으로 프로그램될 수 있도록 (광센서 및) 프로그램가능한 메모리를 통하여, 버스 구조를 이용하는 경우 특별한 방법으로 고정되어야만 한다.
그럼에도 불구하고, 이런 유형의 디스플레이 디바이스에 있어서 IC 위치의 변동이 고려되어야만 한다는 결점은 남는다. IC가 "홈 안으로 미끄러져 들어갈" 때, 상기 IC가 최종적으로 도착하는 위치는 해당 홈안에 있는 임의의 위치가 될 수 있다. 결과적으로, 상기 홈은 반도체 디바이스(IC)보다 훨씬 큰 공간을 차지하며, 이것은 특히 투명한 디스플레이 디바이스에 있어서 개구를 희생시킨다.
또 다른 문제는 홈의 깊이 변동과 관련된 반도체 디바이스(IC)의 두께가 변동하여, 최종 표면 영역(기판의 공통 표면 영역)에서 국부적인 두께 변동이 발생하게 되는 것이다. 개시된 디바이스 안에서 내장된 반도체 디바이스(IC)들을 가로질러 연장하는 도체 트랙이 파손될 위험이 매우 크다.
본 발명의 이들 양상 및 다른 양상들은 이후에 설명될 실시예들을 참조하여 명확하게 될 것이다.
도면들은 도식적이며 축적에 맞게 도시된 것은 아니다. 대응하는 요소들은 일반적으로 동일한 참조번호로 표시되어 있다.
도 1은 버스 구조를 구비하는 디스플레이 디바이스(30)의 등가회로를 도식적으로 보여준다. IC(반도체 디바이스)(20)는 접속 라인(31, 32){이 예에서 라인(31)이 접지된다}을 통해 전원공급 전압에 연결되고, 한편 라인(33, 34)은 정보 및 예컨대 클록 신호를 (직렬)공급한다. 상기 정보는, 예컨대 처음 비트들이 어드레스 정보를 포함하고 나중 비트들이 화상 콘텐트에 관한 정보를 포함하는 식으로, 구성된다. 비록 두 라인(33, 34)만이 도시되어 있지만, 이들은 또한 예컨대 어드레스 정보 및 화상 정보가 연속적으로 통과되는 8-비트 버스를 형성할 수도 있다. 이러한 경우, 저주파수가 사용될 수 있는데, 이는 에너지 소실을 감소시킨다. 대안적으로, 이 정보는 전원 공급 라인(31, 32) 상에 중첩될 수 있다. 더 설명되는 바와 같이, 임의의 IC의 위치는 미리 알려지거나 알려지지 않거나 하기 때문에, 상기 IC는하나 이상의 데이터 레지스터 및 하나의 어드레스 레지스터에 의한 하나의 고정 어드레스가 제공될 수 있다. 주어진 IC {및 연관된 픽셀(그룹)(35)}에 있어서, 어드레스가 IC에 의해 인식되며 화상 정보가 저장되고, 그후 이것은 또한 라인(33, 34)를 통해 주어지는 명령에 의존하여 픽셀(35)에 인가된다.
버스 구조는 저항이 감소되도록 (그리고 또 에너지 소실도 감소되도록) 그물 구조(mesh structure){도 1의 점선 라인(31', 32', 33', 34')으로 표시됨}로서 형성될 수 있다.
다른 기능들도 또한 IC 내에 수용될 수 있다. 예컨대, 디스플레이 디바이스의 일부가 IC 내에 내장된 명령 레지스터를 통해 정보를 변화시키기 위해 차단될 수 있고, 또는 디스플레이 디바이스의 일부를 위해 IC 내에, 디스플레이되지 않는 (소위 "비밀모드(private mode)"의), 정보를 저장하는데 사용될 수 있다. 화상 프로세싱(예컨대, 감마 정정) 코딩 또는 구동을 위한 다양한 알고리즘도 또한 IC 내에서 구현될 수 있다. IC는 연대하여 (즉 주변 IC와 함께) 분산형(distributed) 메모리 또는 어드레스 기능부를 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명이 응용가능한 다른 디스플레이 디바이스(30)의 전기적 등가회로도이다. 도 2는 매트릭스 구조로 그룹(35)으로 배열되었거나 또는 배열되지 않는 복수의 픽셀을 보여준다. 디스플레이 디바이스에서, 각 그룹(35)은 위치를 인식하기 위한 수단, 예컨대 명령 레지스터(미도시됨)를 포함한다. 명령 레지스터는 주어진 어드레스로 차례로 프로그램되고, 이 정보가 버스 라인(32){(33)} 상에 존재할 때 도 1을 참조하여 설명된 바와 같은 연관 어드레스 정보를 인식한다. 반도체디바이스는 또한 플립플롭을 포함할 수 있는데, 이 플립플롭의 상태에 의존하여 정보가 다시 디스플레이된다("비밀 모드"). 버스 전극에는 예컨대 구동 회로(40)를 통해 데이터, 명령 등등이 제공된다. 필요한 경우, 이러한 목적을 위해 인입 데이터 신호(42)가 먼저 프로세서(43) 내에서 프로세싱된다. 구동 라인(44)을 통해 상호 동기화가 이루어진다. 데이터, 명령 및 다른 신호들이 이제 분리된 버스 구조를 통해 그룹(35)으로 제공되기 때문에, 이것은 적은 전력을 소모한다(데이터, 명령 등등은 저주파수로 제공된다). 필요한 경우, 이 경우에 그물 구조 또한 다시 사용될 수 있다.
관련 예에서, 픽셀은 액정 디스플레이 디바이스의 일부를 형성하지만, (O)LED 디스플레이 디바이스도 대안적으로 가능하며, 뿐만아니라 다른 효과(마이크로역학적 효과, 스위칭 미러 디바이스)에 기반한 디스플레이 소자들도 마찬가지로 가능하다.
도 3은 (ITO 또는 금속) 전극(5, 6)이 제공된, 예컨대 유리 또는 합성 물질의 두 기판(3, 4) 사이에 제공된 액정 물질(2)을 구비하는 광-변조 셀(1)의 일부분에 대한 도식적인 단면도이다. 중간 전기-광학 층과 함께, 전극 패턴의 부분들은 픽셀들을 형성한다. 필요한 경우, 디스플레이 디바이스는 기판의 내측 벽에 대해 액정 물질을 배향시키는 배향층(미도시됨)을 포함한다. 액정 물질은 예컨대 포지티브 광학적 이방성 및 포지티브 유전적 이방성을 구비하는 (트위스티드) 네마틱 물질일 수 있지만, 또 STN 효과와 같은 쌍안정 효과, 또는 카이랄 네마틱 효과, 또는 PDLC 효과를 이용할 수도 있다. 기판(3, 4)은 통상적으로 스페이서(7)에 의해 간격을 가지고 떨어져 있으며, 한편 셀은 통상적으로 충전 개구가 제공된 밀봉테(8)로 밀봉된다. 액정 물질(2)의 통상적인 층 두께는, 예컨대 5 마이크로미터이다. 전극(5, 5')은 0.2 마이크로미터의 전형적인 두께를 가지며, 한편 반도체 디바이스(IC)(20)의 두께도 이 예에서는 약 0.2 마이크로미터이다. 도 3에서, 스페이서(7)가 전극(5')의 위치겸 IC(20)의 위치인 위치에서 도시된다. 전극과 IC의 총두께는 액정 물질(2)의 층 두께에 비교하면 실질적으로 무시할만하다. 스페이서(7)의 존재는 어떠한 영향도 끼지지 않으며, 특히 약 0.2 마이크로미터의 두께를 가진 탄성적인 엔벨로프(9) 및 딱딱한 중심부(9')를 가진 스페이서가 선택되는 경우, 디스플레이 디바이스의 전자-광학적 성질에 대해 거의 아무런 영향도 끼치는 않는다.
반도체 디바이스(트랜지스터 또는 IC)(20)의 제조에 있어서는 종래 기법이 사용된다. 시작 물질은 바람직하게는 실리콘인, 반도체 웨이퍼(10)(도 4의 Ia단계, 도 5a 참조)인데, p-형 기판(11) 위에 약한 도핑(1014원자/cm3)을 가지는 n-형 에피텍셜층(15)이 성장된다. 이 단계에 앞서, 더 강하게 도핑된 n-형 층(13)(약 1017원자/cm3도핑)이 에피텍셜 성장 또는 확산을 통해 제공된다. 추가 프로세스 단계(주입, 확산 등)에 의해 에피텍셜층(15) 안에 트랜지스터, 전자회로 또는 다른 기능적 유닛이 구현된다. 완성된 후, 도 5a의 예에서 그 표면은 산화실리콘(silicon oxide)와 같은 절연층으로 코팅된다. 반도체 기술에서 통상적인 기법을 통해 절연층내 접점 개구를 통해 금속화 접점(17)이 제공된다. {절연층(16)을 제공한 후 또는 전} 마스크드 도핑에 의한 것과 유사하게, 트랜지스터나 전자회로(IC) 또는 다른 기능적 유닛 사이에 n-형 영역(14)(약 1017원자/cm3도핑)이 제공된다.
도 5b는 도 5a의 변형예를 보여주는데, 여기서 트랜지스터나 전자회로 또는 다른 기능적 유닛은, 얇은 표면 영역(15)이 절연층(19) 안에 묻히는 SOI 기법을 통해 구현된다. 도 5b의 예에서, 금속화 접점(17)은 반도체 디바이스의 트랜지스터 접점 영역 상에 직접 제공된다.
후속적으로, (전기장의 영향아래) n-형 영역(14)은 마스크를 통해 HF로 에칭처리를 받는다. 이 처리에서, 아래의 n-형 에피택셜층(13) 뿐만아니라, 강하게 도핑된 n-형 영역(14)도 등방적으로 에칭된다. 그러나, 약하게 도핑된 n-형 에피택셜층(15)은 이방적으로 에칭됨으로써, 주어진 기간 후, 작은 영역(25)만이 이 층 안에 남는다(도 5a, 도 4의 Ib단계 참조)
그런데, 트랜지스터나 전자회로(IC) 또는 다른 기능적 유닛은 그들의 본래 형성 위치에 여전히 있다. 이러한 유닛의 규칙적인 패턴은 일반적으로 고정된 피치로 제조될 것이다.
이 처리에 앞서, 동시에 또는 이후에, 디스플레이 디바이스의 기판(3)에는 하나 이상의 전극(5')(도 4의 단계 IIa, IIb)을 (또한 형성 위치에서) 포함하게 될 금속화 패턴이 제공된다. 이 예에서, 기판(3) 상의 금속화 패턴의 부분(5')은 반도체 웨이퍼(10) 안의 전자회로(IC)(20)와 (서로 다른 방향에서 동일한 피치로) 유사하게 정렬된다.
후속 단계에서, 반도체 웨이퍼(10)는 뒤집어지는데, 여기서 기판(3) 위의 금속화 패턴(5')은 반도체 웨이퍼(10)(도 6) 안의 전자회로(IC)(20)에 대하여 정확하게 정렬되고, 그후 금속화 패턴(5') 및 금속화 접점(17) 사이에 전기 접점이 구현된다. 이를 위하여, 전극(5') 상에 예컨대 전도성 글루(glue)(21) 또는 이방적인 전도성 접점을 사용한다. 전자회로(IC)(20)는 진동을 통해 또는 다른 방법으로 반도체 웨이퍼(10)로부터 분리된다. 그런후 화상 전극(5) 및 IC(20)이 제공된 기판(3)이 얻어지는데, 이 IC(20)는 화상 전극(5)에 대하여 그리고 서로에 대하여 매우 정확하게 정렬되어 있다(도 4의 III 단계). 또한 개구의 축소는 오로지 IC (또는 트랜지스터)의 크기에 의해서만 결정된다.
이 단계에서, 기판(10) 상의 모든 IC (트랜지스터)가 기판으로부터 분리되는 것은 아닌데, 왜냐하면 금속화 패턴(5')의 피치 p0가 통상적으로 IC(20)의 피치 p1및 피치 p2보다 훨씬 크기 때문이다. 이것은 도 7을 참조하여 더 설명될 것이다. 만약 기판(3)이 분리가능한 IC들의 블록(22)에 의해 표시된 영역과 같은 정도의 (또는 더 작은) 크기를 가진다면, IC(23)(도 7의 검은색 IC)만이 분리되어 기판 상으로 제공된다.
만약 기판(3)이 도식적으로 도시된 분리가능한 IC의 블록(22)보다 더 크다면, IC(23)(도 7의 검은색 IC)가 먼저 분리되어 기판(10)(도 8 참조)의 부분(26) 상에 제공된다. 후속적으로 인접 IC(24)(도 7 참조)가 분리되어 기판(10)의 부분(27) 상에 제공된다. 유사하게, IC(20)가 부분(28, 29) 상에 제공된다. 반도체기판 상에서 이들의 위치가 알려져 있기 때문에, IC(20)는 IC 프로세싱을 통해 고정 어드레스{예컨대, IC(23)에 대해 어드레스 0001, IC(24)에 대해 어드레스 0002, 등}가 제공될 수 있다. 이것은 또한 예컨대 e-PROM 기법을 통해 나중 스테이지에서 행해질 수도 있다.
디스플레이 디바이스(1)는 후속적으로 통상적인 방식으로, 필요한 경우 기판의 내측 벽에 액정 물질을 배향시키는 배향층을 제공함으로써, 완성된다. 통상적으로 충전 개구가 제공된 밀봉테(8)뿐만 아니라, 스페이서(7)도 기판(3, 4) 사이에 통상적으로 제공되며, 그후 디바이스는 이 예에서는 액정 물질로 채워진다(도 4의 IV단계).
반도체 디바이스(IC)(20)가 미리 만들어지기 때문에, 종래의 폴리실리콘 기술에서보다 더 광범위한 전자적 기능이 구현될 수 있다. 특히 단결정 실리콘을 사용하는 경우, 종래의 매트릭스 구조로 가능한 것과는 다른 유형의 아키텍처를 가지는 디스플레이 디바이스가 제작될 수 있도록 하는 기능을 구현하는 것이 가능하다.
개시단락에서 언급한 바와 같이, 상기한 문건 "전부 집적된 전자소자를 구비한 플렉서블 디스플레이"에는 액체 현탁액으로 특별히 형성된 반도체 디바이스가 기판을 가로질러 통과되고 기판 내에 대응하여 형성되어 있는 "개구" 또는 홈에 도달하는 프로세스가 기술되어 있다. 그후 반도체 디바이스 (통상적으로 표준 기법을 통해 제작된 IC)는 기판 안의 홈 상에서 임의로 분포된다. 나중 스테이지에서 IC에 어드레스를 할당함으로써, 이 방법을 통해 유사한 (버스) 구조가 만들어질 수 있다.
예컨대, 어드레스 정보는 (광) 센서 및 프로그램가능한 메모리를 통해 고정됨으로써 이 어드레스 정보가 예컨대 기판 내의 홈을 형성한 후의 레이저 빔으로 프로그램될 수 있게 한다. 이들 IC에 정적 메모리(SRAM)를 제공하고, 디바이스가 스위칭 온될 때마다 디스플레이 디바이스 내의 IC의 위치가 카운팅 메커니즘을 통해 (버스 구조를 따라) 고정되어 어드레스가 제공되는 방식으로 디스플레이 디바이스의 구동을 구현하는 것도 또한 가능하다.
본 발명의 보호 범위는 기술된 실시예로 제한되지 않는다. 개시 단락에서 언급된 바와 같이, 픽셀은 또한 분리해서 또는 하나의 조립체로서 제공될 수 있는 (폴리머) LED에 의해 형성될 수 있으며, 한편 본 발명은 또한 다른 디스플레이 디바이스, 예컨대 플라스마 디스플레이, 포일(foil) 디스플레이 및 전계 방출, 전자-광학 또는 전기역학적 효과(스위칭가능한 미러)에 기반한 디스플레이 디바이스에도 응용가능하다. 상기 예에서 피치가 직각 좌표계로 표현되었지만, 또한 그 위치는 방사(radial) 좌표계 또는 트리구조(프랙탈구조)로 표현될 수도 있다. 이미 언급된 것과 같이, 상기 피치는 변화가능할 수도 있다. 이것은 예컨대 원형의 또는 타원형의 디스플레이 디바이스의 제조 가능성을 제공한다.
상기 예에서는 이미 존재하고 있는 금속화 패턴(5') 에 대한 IC의 직접적인 전기 접점에 대하여 진술하고 있다. 분리된 IC가 작은 두께를 가지기 때문에, 이들은 또한 기판(3) 상에 직접 제공될 수 있으며, 이 방법에 있어서 금속화된 개구는 에칭방법을 통해 층(15)을 통하여 에칭된다. 그후 금속화 접점은 IC들을 가로질러 연장되고 금속화 접점(17)으로의 관통-금속화 연결부(through-metallizedconnections)와 (예컨대, 절연층 내의 개구들을 경유하여) 접촉한다.
상기 접점은 전기 전도성 접점일 필요는 없다. 주어진 응용예에 있어서, 예컨대 금속화 접점(17) 또는 금속화 패턴(5') 중 어느 하나, 또는 이들 둘 모두에게 얇은 절연층을 제공함으로써 금속화 접점(17) 및 금속화 패턴(5') 사이에 캐패시터성 커플링을 제공하는 것이 유용할 수 있다.
또한 개시 단락에서 언급된 바와 같이, 본 방법은 디스플레이 디바이스에 제한되지 않는다. 본 발명은 특히, 기판에 기능적 그룹들이 제공되는 전자 디바이스(센서)에 응용가능하다.
대안적으로, 언급된 바와 같이, 유연성(flexible) 기판(합성 물질)이 사용될 수 있다{착용가능한(wearable) 디스플레이, 착용가능한 전자회로}.
본 발명은 각각 및 모든 새로운 특징적인 면과 특징적인 면 각각 및 모든 조합을 포함한다. 청구범위에 있는 참조번호는 보호 범위를 제한하는 것이 아니다. "포함한다" 및 그 활용형은 그 청구항에 언급된 요소 아닌 다른 요소의 존재를 배제하는 것은 아니다. 단수형으로 사용된 요소라고 하더라도 그 요소가 복수개 존재하는 것을 배제하는 것은 아니다.
상술한 바와 같이 본 발명은 픽셀 그룹들이 제공되는 기판과 적어도 각각의 픽셀 그룹들과 연관되는 하나의 반도체 디바이스를 포함하는 디스플레이 디바이스에 이용할 수 있다. 이러한 액티브 매트릭스 디스플레이 디바이스로서, LCD, (폴리머) LED 디스플레이 디바이스 등에 이용될 수 있다. 더 일반적으로, 본 발명은 스위칭 소자 그룹들이 제공된 적어도 하나의 기판과 각각의 스위칭 소자 그룹에 연관된 적어도 하나의 반도체 디바이스를 포함하는 전자 디바이스 등에 이용될 수 있다.

Claims (12)

  1. 적어도 하나의 픽셀의 그룹들 및 각각의 픽셀 그룹과 연관된 적어도 하나의 반도체 디바이스가 제공된 기판을 포함하는 디스플레이 디바이스로서, 상기 반도체 디바이스를 구동하기 위한 구동 수단 및 위치를 인식하기 위한 수단이 제공되는, 디스플레이 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 위치를 인식하기 위한 수단은 읽기-전용 구조를 가지는, 디스플레이 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 위치를 인식하기 위한 수단은 프로그램가능한 메모리를 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 수단은 버스 구조를 가지는, 디스플레이 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 수단은 분리된 버스 구조를 가지는, 디스플레이 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스에는 상기 픽셀에 구동 전압을 공급하기 위한 구동 전자회로가 제공되는, 디스플레이 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 두께는 1 마이크로미터보다 더 크지 않은, 디스플레이 디바이스.
  8. 스위칭 요소의 그룹들이 제공된 적어도 하나의 기판 및 각각의 스위칭 요소 그룹과 연관된 적어도 하나의 반도체 디바이스를 포함하는 전자 디바이스로서, 상기 반도체 디바이스를 구동하기 위한 구동 수단 및 위치를 인식하기 위한 수단이 제공되는, 전자 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 위치를 인식하기 위한 수단은 읽기-전용 구조를 가지는, 전자 디바이스.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 위치를 인식하기 위한 수단은 프로그램가능한 메모리를 포함하는, 전자 디바이스.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 구동 수단은 버스 구조를 가지는, 전자 디바이스.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스의 두께는 1 마이크로미터보다 더 크지 않은, 전자 디바이스.
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