KR20020088141A - Method for measuring tilt difference of platen in ion implant system and apparatus for the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼가 놓여지는 플레튼의 양단간의 틸트 편차를 측정하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation facility, and more particularly, to a method for measuring tilt deviation between both ends of a platen on which a wafer is placed, and an apparatus for performing the same. .
일반적으로 반도체 장치는 실리콘으로 형성되는 반도체 기판 상에 리소그래피, 노광, 이온주입, 화학 기계적 연마(chemical and mechanical polishing), 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 단위 공정들을 수행하여 제조된다. 그런데, 최근의 반도체 장치는 고집적화되면서 동시에 고속 동작을 요구하기 때문에 상기 각각의 단위 공정 기술들은 이에 부응하여 발전되고 있다.In general, a semiconductor device is manufactured by performing a series of unit processes such as lithography, exposure, ion implantation, chemical and mechanical polishing, chemical or physical vapor deposition, and plasma etching on a semiconductor substrate formed of silicon. However, in recent years, since the semiconductor devices are highly integrated and require high-speed operation, the respective unit process technologies have been developed in response to them.
상기 단위 공정 기술 중에서 이온 주입 공정은 반도체 기판의 소정 부위에 불순물 이온을 주입하여 트랜지스터의 소오스(source), 드레인(drain)을 형성하는 공정이다. 상기 이온 주입 공정에서의 주요한 기술은 상기 불순물 이온을 균일한 깊이로 주입하여, 상기 소오스 및 드레인을 형성시키는 것이다. 상기 불순물 이온은 반도체 기판을 이루는 실리콘의 결정 구조에 따른 채널링 효과(channeling effect)에 의해 불균일한 깊이로 주입되기 때문에, 이를 방지하기 위해 상기 반도체 기판을 소정 각도로 틸트(tilt)시킨 상태에서 상기 불순물 이온을 주입한다.In the unit process technology, the ion implantation process is a process of forming a source and a drain of a transistor by implanting impurity ions into a predetermined portion of a semiconductor substrate. The main technique in the ion implantation process is to implant the impurity ions to a uniform depth to form the source and drain. Since the impurity ions are implanted at a non-uniform depth by a channeling effect according to the crystal structure of silicon constituting the semiconductor substrate, the impurities in the state in which the semiconductor substrate is tilted at a predetermined angle to prevent this. Implant ions.
즉, 상기 불순물 이온이 균일한 깊이로 주입되기 위해서는 상기 웨이퍼를 설정되어 있는 정확한 각도(예컨대 7°)로 틸트시킨 후 공정을 수행하여야만 한다.이를 위하여 상기 이온 주입을 수행하기 위한 설비를 주기적으로 점검하여, 상기 장치에서 웨이퍼를 정확히 틸트시키는 지를 확인하여야만 한다.In other words, in order for the impurity ions to be implanted at a uniform depth, the wafer must be tilted at a predetermined angle (for example, 7 °) and then the process must be performed. It should be ensured that the device tilts the wafer correctly.
상기 이온 주입 설비는 표면이 절연체로 형성되는 플레튼에 웨이퍼가 잡혀있고(clamping), 상기 플레튼을 구동하여 웨이퍼를 틸트한 후에 공정을 수행한다.The ion implantation facility is a wafer clamped to a platen whose surface is formed of an insulator, and the process is performed after the platen is driven to tilt the wafer.
상기 플레튼을 포함하는 장치의 일 예가 라슨(Larsen)에게 허여된 미 합중국 특허 제 5,969,934호에 개시되어 있다.An example of a device comprising the platen is disclosed in US Pat. No. 5,969,934 to Larsen.
도 1은 종래에 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional apparatus for measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation apparatus.
도 1를 참조하면, 상기 틸트 편차를 측정하는 장치는 평평한 표면을 갖는 접촉부(10)와, 상기 평평한 일면으로부터 수직으로 세워지는 기둥형상의 본체부(12)와, 상기 본체부(12)의 단부로부터 돌출되어 있고, 눈금이 형성되어 있는 측정부(14)로 구성된다.Referring to FIG. 1, the apparatus for measuring tilt deviation includes a contact portion 10 having a flat surface, a columnar body portion 12 erected vertically from the flat one surface, and an end portion of the body portion 12. It consists of the measuring part 14 which protrudes from and forms the scale.
상기 플레튼의 틸트 편차는 상기 플레튼을 0°로 틸트시키고 난 후에, 이온 주입부가 장착되는 쪽의 챔버 측벽으로부터 상기 플레튼의 상부면까지의 이격거리를 측정하여 수행한다.The tilt deviation of the platen is performed by tilting the platen to 0 ° and then measuring the separation distance from the side wall of the chamber on the side where the ion implantation is mounted to the upper surface of the platen.
즉, 상기 플레튼을 0°로 틸트시키고 난 후에, 상기 접촉부(10)의 평평한 면을 상기 챔버 측벽에 밀착시킨다. 그리고, 상기 플레튼의 측면으로 상기 본체부(12)를 이동시켜 상기 플레튼까지 이르는 거리에 해당하는 눈금을 작업자가 읽는다.That is, after tilting the platen to 0 °, the flat surface of the contact portion 10 is brought into close contact with the chamber side wall. Then, the operator reads the scale corresponding to the distance to the platen by moving the main body 12 to the side of the platen.
이러한 방법으로, 상기 플레튼에서 서로 대향하는 각 지점들로부터 상기 챔버의 측벽까지의 거리를 각각 측정한다. 그리고, 상기 거리의 차이가 설정된 범위를 벗어나는가를 확인하여 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정한다.In this way, the distances from each of the opposing points on the platen to the side wall of the chamber are respectively measured. The tilt deviation of the platen is measured by checking whether the distance difference is out of a set range.
그러나 상기 장치를 사용하여 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정하면, 작업자에 따라 다른 값으로 눈금을 읽을 수 있어서 측정 오차가 발생할 수 있다. 상기 측정 오차가 발생하면, 상기 플레튼의 위치가 정상적인 위치에 있지 않게 되어 상기 플레튼을 정확한 각도로 틸트시키지 못한다. 따라서 상기 이온 주입 시에 공정 불량이 유발되어 반도체 장치의 신뢰성에 치명적인 영향을 준다.However, if the tilt deviation of the platen is measured using the device, a measurement error may occur because the scale may be read at different values depending on the operator. If the measurement error occurs, the position of the platen is not in the normal position and the platen cannot be tilted at the correct angle. Therefore, a process defect is caused during the ion implantation, which has a fatal effect on the reliability of the semiconductor device.
따라서, 본 발명의 제1 목적은, 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide an apparatus for measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation facility.
본 발명의 제2 목적은, 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 제공하는 데 있다.A second object of the present invention is to provide a method for measuring the tilt deviation of the platen in an ion implantation facility.
도 1은 종래에 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional apparatus for measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation apparatus.
도 2a 내지 도 2b 및 3a 내지 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도 및 평면도들이다.2A to 2B and 3A to 3B are cross-sectional views and plan views illustrating an apparatus for measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.4 is a flowchart illustrating a method of measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation facility according to an embodiment of the present invention.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 나타내는 도면들이다.5A to 5D are diagrams illustrating a method of measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation facility according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
20 : 접촉부 22 : 본체20: contact portion 22: main body
24 : 접촉팁 26 : 지지대24: contact tip 26: support
28 : 거리 표시부 30 : 가이드 판28: distance display section 30: guide plate
32 : 고정용 핀 34 : 라인32: fixing pin 34: line
상기한 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 설비에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치는, 상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 장착되는 가이드 판과, 상기 가이드 판의 상부면의 소정 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 이격 거리를 측정하는 측정 부재를 포함한다.An apparatus for checking the tilt deviation of the platen in an ion implantation facility provided with an ion implantation unit and a platen in the chamber of the present invention for achieving the first object described above, while covering the entire upper surface of the platen, A guide plate mounted to contact the platen, and a measuring member for measuring the separation distance between the predetermined point of the upper surface of the guide plate and the inner wall of the chamber on which the ion implantation unit is mounted.
상기 측정 부재는, 평평한 상부면 및 하부면을 갖는 접촉부와, 상기 제1 접촉부의 일면으로부터 수직하게 세워지는 본체와, 상기 본체의 길이 방향으로 연장되도록 수평하게 이동하고, 상기 이동에 의해 상기 본체의 단부로부터 돌출되는 접촉 팁과, 상기 본체의 일면에 설치되고, 상기 접촉 팁과 결착되어 상기 접촉 팁이 본체를 따라 좌우로 이동하는 경로가 되는 지지대와, 상기 접촉부에서 상기 이동된 접촉 팁의 단부까지의 이격 거리를 수치로 표시하는 거리 표시부를 구비한다.The measuring member includes a contact portion having a flat upper surface and a lower surface, a main body standing vertically from one surface of the first contact portion, and horizontally moving to extend in the longitudinal direction of the main body, and by the movement of the main body. A contact tip protruding from an end, a support installed on one surface of the main body, the support tip being connected to the contact tip and moving along the main body from side to side, and from the contact portion to the end of the moved contact tip; It is provided with a distance display unit for displaying the separation distance of the numerical value.
상기한 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 방법은, 상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 가이드 판을 장착하는 단계와, 상기 가이드 판이 장착되어 있는 플레튼을 0°로 틸트시키는 단계와, 상기 가이드 판의 상부면의 제1 지점을 지정하고, 상기 제1 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정하는 단계와, 상기 제1 지점에서 상기 가이드 판의 중심에 대해 대향하는 가이드 판의 상부면에 제2 지점을 지정하고, 상기 제2 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제2 이격 거리를 측정하는 단계와, 상기 제1 이격 거리 및 제2 이격 거리의 차이가 설정된 범위를 벗어나는지를 판단하는 단계를 수행한다.In order to achieve the second object, in the ion implantation apparatus provided with an ion implantation unit and a platen in the chamber of the present invention, the method for checking the tilt deviation of the platen covers the entire upper surface of the platen, Mounting a guide plate in contact with the platen, tilting the platen on which the guide plate is mounted at 0 °, designating a first point on an upper surface of the guide plate, Measuring a first separation distance between inner walls of the chamber on which the ion implantation unit is mounted, and designating a second point on the upper surface of the guide plate opposite to the center of the guide plate at the first point; Measuring a second separation distance between a second point and an inner wall of the chamber on which the ion implantation unit is mounted, and a difference between the first separation distance and the second separation distance is outside a set range; Perform the step of determining whether or not.
따라서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치를 사용하면, 상기 플레튼에 장착되는 상기 가이드 판에 직접 접촉 팁을 접촉시켜 거리를 측정하고, 또한 측정된 거리가 상기 표시부에 정확하게 표시된다. 따라서 상기 플레튼에 장착되는 가이드 판과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 이격 거리가 정확하게 측정할 수 있고, 이에 따라 상기 플레튼의 틸트 편차를 정확하게 확인할 수 있다.Therefore, when a device for checking the tilt deviation of the platen is used, the contact tip is directly contacted with the guide plate mounted on the platen to measure the distance, and the measured distance is accurately displayed on the display unit. Therefore, the separation distance between the guide plate mounted on the platen and the inner wall of the chamber on which the ion implantation unit is mounted can be accurately measured, and thus the tilt deviation of the platen can be accurately confirmed.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2b 및 3a 내지 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도 및 평면도들이다.2A to 2B and 3A to 3B are cross-sectional views and plan views illustrating an apparatus for measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2b는 각 지점 간의 이격 거리를 측정하기 위한 측정 부재를 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2B are cross-sectional views illustrating a measuring member for measuring a separation distance between points.
도 2a 내지 도 2b를 참조하면, 측정 부재는 상부면 및 하부면이 평평하게 형성되는 접촉부(20)가 구비된다. 상기 접촉부(20)에서 상기 하부면은 이격 거리를 측정하여야 하는 하나의 지점과 접촉하는데, 구체적으로는 이온 주입 장치에서 이온 주입부가 구비되어 있는 쪽의 챔버의 내측벽에 접촉된다.2A to 2B, the measuring member is provided with a contact portion 20 having a flat upper surface and a lower surface. The lower surface of the contact portion 20 is in contact with a point to measure the separation distance, specifically, in the ion implantation device in contact with the inner wall of the chamber on which the ion implantation is provided.
상기 접촉부(20)에서 상기 상부면으로부터 수직한 형태로 부착되는 본체(22)가 구비된다. 상기 본체(22)는 상기 접촉부(20)에서 상기 챔버의 내측벽에 접촉되는 면과 대향하는 면에 부착된다.The main body 22 is attached to the contact portion 20 in a form perpendicular to the upper surface. The main body 22 is attached to a surface of the contact portion 20 that faces the surface of the chamber that contacts the inner wall.
상기 본체(22)로부터 길이 방향으로 연장되도록 수평하게 이동하고, 상기 이동에 의해 상기 본체(22)의 단부로부터 돌출되는 접촉 팁(24)이 구비된다.A contact tip 24 moves horizontally to extend in the longitudinal direction from the main body 22 and protrudes from an end of the main body 22 by the movement.
도 2a는 상기 돌출 팁이 돌출되지 않았을 때를 도시하였고, 도 2b는 상기 돌출팁이 돌출되었을 때를 도시하였다.FIG. 2A illustrates when the protruding tip does not protrude, and FIG. 2B illustrates when the protruding tip protrudes.
상기 본체(22)의 일면에 설치되고, 상기 접촉 팁(24)이 상기 본체(22)를 따라 수평하게 이동할 수 있는 경로가 되는 지지대(26)가 구비된다. 상기 지지대(26)는 상기 접촉 팁(24)과 결착되어 있어서, 작업자에 의해 상기 접촉 팁(24)에 힘을가하면 상기 지지대(26)를 따라 상기 접촉 팁(24)이 상기 본체(22)의 단부로부터 돌출된다.A support 26 is provided on one surface of the main body 22 and serves as a path through which the contact tip 24 can move horizontally along the main body 22. The support 26 is engaged with the contact tip 24 such that when a force is applied to the contact tip 24 by the operator, the contact tip 24 along the support 26 causes the contact tip 24 of the main body 22 to be attached to the support tip 24. It protrudes from the end.
상기 접촉 팁(24)에서 본체(22)의 단부로부터 돌출되는 부분과 대향하는 타단부와 연결되고, 상기 접촉부(20)의 하부면으로부터 상기 이동된 접촉 팁(24)의 단부까지의 이격 거리를 수치로 표시하는 거리 표시부(28)가 구비된다. 상기 거리 표시부(28)는 상기 접촉 팁(24)이 이동한 거리를 판단하여 상기 이격 거리를 표시해준다.Connected to the other end of the contact tip 24, which faces the protruding portion from the end of the body 22, and the separation distance from the bottom surface of the contact portion 20 to the end of the moved contact tip 24. The distance display part 28 which displays a numerical value is provided. The distance display unit 28 determines the distance traveled by the contact tip 24 and displays the separation distance.
도 3a 내지 3b는 플레튼에 장착되는 가이드 판을 설명하기 위한 평면도들이다.3A to 3B are plan views illustrating the guide plate mounted on the platen.
도 3a를 참조하면, 가이드 판(30)은 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서 상기 플레튼과 접촉되어 장착된다. 상기 가이드 판(30)은 상부면과 하부면이 평평한 판 형태로 구비되고, 상기 플레튼의 상부면을 보호하는 역할을 한다.Referring to FIG. 3A, the guide plate 30 is mounted in contact with the platen while covering the entire upper surface of the platen. The guide plate 30 is provided in the form of a flat plate on the upper and lower surfaces, and serves to protect the upper surface of the platen.
상기 가이드 판(30)이 상기 플레튼에 장착되기 위해, 상기 가이드 판(30)의 이면에는 상기 플레튼에 구비되는 홈에 끼워지는 고정용 핀(32)이 구비된다.In order for the guide plate 30 to be mounted on the platen, the back surface of the guide plate 30 is provided with a fixing pin 32 fitted into a groove provided in the platen.
도 3b는 상기 고정용 핀의 형상을 나타내는 평면도이다.It is a top view which shows the shape of the said fixing pin.
상기 고정용 핀(32)이 끼워 넣어지는 상기 홈은 상기 웨이퍼를 상기 플레튼과 접촉 또는 탈착시키기 위한 스파이더(spider)를 상기 플레튼에 장착시키기 위한 홈이다. 따라서 상기 플레튼에 상기 가이드 판(30)을 장착할 때는 상기 스파이더를 제거하여야 한다.The groove into which the fixing pin 32 is fitted is a groove for mounting a spider on the platen for contacting or detaching the wafer from the platen. Therefore, the spider must be removed when the guide plate 30 is mounted on the platen.
상기 가이드 판(30)의 이면으로부터 돌출되는 상기 핀(32a)들은 각각 상기플레튼의 홈 내로 삽입된다. 따라서 상기 가이드 판(30)은 상기 플레튼에 고정된다.The pins 32a protruding from the back surface of the guide plate 30 are respectively inserted into the grooves of the platen. Thus, the guide plate 30 is fixed to the platen.
그리고, 상기 가이드 판(30)의 상부면에는 상기 가이드 판(30)의 중심을 지나도록 직선으로 연장되는 라인(34)이 표시된다. 상기 라인(34)은 상기 가이드 판의 중심에서 방사형으로 다수개를 표시할 수 있다. 각각의 라인(34)상에는 상기 이온 주입부쪽의 챔버 내벽에 이르는 거리를 측정하는 부위가 되는 한 쌍의 측정 지점(34a)이 표시되어 있다. 상기 각각의 라인(34)상에 표시되는 한 쌍의 측정 지점(34a)에서 상기 가이드 판(30)과 상기 챔버의 내벽간의 거리를 측정하면, 항상 동일 지점에서 측정할 수 있으므로 더욱 정확히 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다.In addition, a line 34 extending in a straight line to pass through the center of the guide plate 30 is displayed on the upper surface of the guide plate 30. The line 34 may display a plurality of radially at the center of the guide plate. On each line 34, a pair of measurement points 34a serving as a site for measuring the distance to the chamber inner wall on the side of the ion implantation portion are indicated. If the distance between the guide plate 30 and the inner wall of the chamber is measured at the pair of measuring points 34a displayed on the respective lines 34, the platen can be measured at the same point at all times. The tilt deviation of can be measured.
상기 가이드 판(30)의 소정 부위에는 상부면과 하부면을 관통하는 홀(36)이 형성된다. 상기 홀(36)은 작업자가 상기 가이드 판(30)을 장착할 때, 하부의 플레튼의 위치를 확인하기 위해 구비된다. 따라서 상기 가이드 판(30)을 장착할 때 상기 홀(36)을 통해 하부의 플레튼을 작업자의 육안으로 확인하면서 상기 가이드 판(30)을 장착할 수 있다.A predetermined portion of the guide plate 30 is formed with a hole 36 penetrating the upper surface and the lower surface. The hole 36 is provided to confirm the position of the lower platen when the operator mounts the guide plate 30. Therefore, when the guide plate 30 is mounted, the guide plate 30 may be mounted while visually checking the lower platen through the hole 36.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 5a내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 보여주는 도면들이다.4 is a flowchart illustrating a method of measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation facility according to an embodiment of the present invention. 5A to 5D are diagrams illustrating a method of measuring tilt deviation of a platen in an ion implantation facility according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 가이드 판(30)을 장착한다.(S10)Referring to FIG. 4, the guide plate 30 is mounted to contact the platen while covering the entire upper surface of the platen.
상기 가이드 판(30)은 상부면과 하부면이 평평하게 형성되고, 상기 플레튼의 상부면에 장착하여 상기 플레튼을 보호한다.The guide plate 30 has an upper surface and a lower surface formed flat, and is mounted on the upper surface of the platen to protect the platen.
상기 가이드 판(30)의 장착은 상기 플레튼에 장착되어 있는 스파이더를 제거하고, 상기 스파이더가 장착된 부위에 형성되어 있는 홈으로 상기 가이드 판(30)의 이면으로부터 돌출되어 있는 핀(32a)들을 삽입하여 수행한다.The mounting of the guide plate 30 removes the spider mounted on the platen and removes the pins 32a protruding from the rear surface of the guide plate 30 into the grooves formed at the site where the spider is mounted. Insert and perform
도 5a는 스파이더가 제거된 플레튼을 나타내는 도면이며, 도 5b는 상기 플레튼에 가이드 판이 장착한 형태를 나타내는 도면이다.FIG. 5A is a view showing a platen from which a spider is removed, and FIG. 5B is a view showing a guide plate mounted on the platen.
이어서, 상기 가이드 판(30)이 장착되어 있는 플레튼(40)을 0°로 틸트시킨다.(S12)Next, the platen 40 on which the guide plate 30 is mounted is tilted at 0 °. (S12)
상기 가이드 판(30)이 장착되어 있는 플레튼(40)을 0°로 틸트시키면, 상기 플레튼(40)은 수직으로 세워지는 형태가 되고, 상기 챔버 내의 이온 주입부와 상기 플레튼(40)의 상부면이 서로 대향하게 된다.When the platen 40 on which the guide plate 30 is mounted is tilted at 0 °, the platen 40 is vertically erected, and the ion implantation portion and the platen 40 in the chamber are vertically placed. The upper surfaces of the face to face each other.
상기 가이드 판(30)의 상부면에서 제1 지점을 지정하고, 상기 제1 지점과 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정한다.(S14) 상기 가이드 판(30)의 제1 지점은 상기 가이드 판에 표시되어 있는 다수개의 측정 지점(34a)에서 하나를 선택할 수 있다.A first point is designated on the upper surface of the guide plate 30, and a first separation distance between the first point and the inner wall of the chamber on which the ion implantation unit is mounted is measured. (S14) The guide plate 30 The first point of may be selected from a plurality of measuring points 34a marked on the guide plate.
도 5c는 가이드 판의 상부면의 제1 지점과 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정하는 동작을 나타낸다.5C shows an operation of measuring a first separation distance between the first point of the upper surface of the guide plate and the inner wall of the chamber on which the ion implantation part is mounted.
도 5c를 참조하여 구체적으로 설명하면, 상기 측정부재의 접촉부(20)를 상기이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽(44)에 밀착시킨다. 그리고, 상기 측정부재에 구비되어 있는 상기 접촉 팁(24)을 이동하여 상기 가이드 판(30)의 상부면의 제1 지점과 접촉시킨다. 그러면, 상기 측정 부재의 거리 표시부(28)에는 상기 챔버의 내벽(44)과 상기 가이드 판(30)과의 제1 이격 거리(l1)가 수치로 표시된다.Specifically, referring to FIG. 5C, the contact part 20 of the measuring member is brought into close contact with the inner wall 44 of the chamber on which the ion implantation part is mounted. Then, the contact tip 24 provided in the measuring member is moved to contact the first point of the upper surface of the guide plate 30. Then, on the distance display unit 28 of the measuring member, the first separation distance l 1 between the inner wall 44 of the chamber and the guide plate 30 is displayed numerically.
상기 제1 이격 거리(l1)는 상기 접촉 팁(24)을 상기 가이드 판(30)에 직접 접촉시켜 측정하고, 또한 상기 표시부에서 수치로 표시되기 때문에 항상 정확한 데이터를 수득할 수 있다.The first separation distance l 1 is measured by directly contacting the contact tip 24 with the guide plate 30, and is also displayed numerically on the display section so that accurate data can always be obtained.
상기 제1 지점에서 상기 가이드 판(30)의 중심에 대해 대향하는 가이드 판(30)의 상부면에 제2 지점을 지정하고, 상기 제2 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽(44)간의 제2 이격 거리를 측정한다.(S16)A second point is designated on the upper surface of the guide plate 30 facing the center of the guide plate 30 at the first point, and the inner wall of the chamber on which the second point and the ion implantation part are mounted ( The second separation distance of 44 is measured.
도 5d는 가이드 판(30)의 상부면의 제2 지점과 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제2 이격 거리(l2)를 측정하는 동작을 나타낸다.FIG. 5D shows the operation of measuring the second separation distance l 2 between the second point of the upper surface of the guide plate 30 and the inner wall of the chamber on which the ion implantation unit is mounted.
이 때, 상기 제2 이격 거리(l2)를 측정하는 방법은 상기 설명한 방법과 동일하다. 상기 측정 지점이 표시되어 있으므로 상기 가이드 판(30)의 중심에 대해 정확히 대향하는 지점에서 측정할 수 있다.At this time, the method of measuring the second separation distance l 2 is the same as the method described above. Since the measuring point is displayed, it can be measured at the point exactly opposite to the center of the guide plate 30.
이어서 상기 제1 이격 거리(l1) 및 제2 이격 거리(l2)의 차이가 설정된 범위를 벗어나는지를 판단하여 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정한다.(S18)Subsequently, it is determined whether the difference between the first separation distance l 1 and the second separation distance l 2 is out of a set range and the tilt deviation of the platen is measured.
상기 플레튼은 0°로 틸트되어 있기 때문에 이상적으로는 상기 제1 이격 거리(l1)와 제2 이격 거리(l2)가 동일하여야 한다. 만일 상기 제1 이격 거리(l1)와 제2 이격 거리(l2)의 차이가 설정된 범위를 벗어난다면, 상기 플레튼이 0°로 정확히 틸트되어 있지 않다는 것을 나타내는 것이고, 또한 다른 각도로 틸트시키더라도 정확하게 틸트되지 못한다. 따라서 상기 제1 이격 거리(l1)와 제2 이격 거리(l2)를 비교함으로서 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다.Since the platen is tilted at 0 °, the first separation distance l 1 and the second separation distance l 2 should ideally be the same. If the difference between the first separation distance l 1 and the second separation distance l 2 is outside the set range, it indicates that the platen is not tilted exactly at 0 ° and is also tilted at another angle. Even if it is not tilted correctly. Therefore, the tilt deviation of the platen may be measured by comparing the first separation distance l 1 and the second separation distance l 2 .
상술한 바와 같이 상기 장치 및 방법을 통해 상기 이온 주입 장치에서 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다. 따라서 상기 이온 주입 공정을 수행할 때 상기 틸트 편차에 의해 발생되는 불량을 감소시킬 수 있다.As described above, the tilt deviation of the platen can be measured in the ion implantation apparatus through the apparatus and method. Therefore, when the ion implantation process is performed, defects caused by the tilt deviation may be reduced.
본 발명에 의하면, 상기 플레튼에 장착되는 가이드 판과, 소정 지점 간의 이격거리를 측정하고 수치로 표시하는 측정 부재를 포함하는 장치를 사용하여 플레튼의 틸트 편차를 정확히 측정할 수 있다. 따라서 상기 상기 이온 주입 공정을 수행할 때 상기 틸트 편차에 의해 발생되는 불량을 감소시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to accurately measure the tilt deviation of the platen by using a device including a guide plate mounted on the platen and a measuring member for measuring and displaying a numerical distance between the predetermined points. Therefore, when the ion implantation process is performed, defects caused by the tilt deviation may be reduced.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.
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