KR20020084515A - Sub-wordline driver - Google Patents

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KR20020084515A
KR20020084515A KR1020010023842A KR20010023842A KR20020084515A KR 20020084515 A KR20020084515 A KR 20020084515A KR 1020010023842 A KR1020010023842 A KR 1020010023842A KR 20010023842 A KR20010023842 A KR 20010023842A KR 20020084515 A KR20020084515 A KR 20020084515A
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Abstract

PURPOSE: A sub word line driver is provided, which can fit pitch by reducing a width of a gate by connecting only one sun word line withdrawn from each word line between branch lines of the word line. CONSTITUTION: According to a semiconductor memory device, the first and the second diffusion region(31,32) are arranged in parallel with a sub word line, and an isolation area isolates the above two diffusion regions. The first sub word line active signal line(47) is contacted to the first diffusion region, and is formed on the first diffusion region, and is formed to cross with an arrangement direction of the diffusion regions. The second sub word line active signal line(48) is contacted with a top of the second diffusion region. The first word line is formed on the tops of the first and the second diffusion region at the same time. The first sub word line(39) is contacted with the first diffusion region between the first branch line and the second branch line of the first word line, and is withdrawn out of the first diffusion region. The second sub word line(40) is contacted with the second diffusion region between the first and the second branch line, and is adjacent to the first sub word line.

Description

서브워드라인 드라이버{Sub-wordline driver}Sub-wordline driver

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 셀의 워드라인(Word line)을 구동하기 위해 필요한 서브워드라인 드라이버(Sub-wordline driver)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor memory devices, and more particularly to a sub-wordline driver required for driving a word line of a cell.

반도체 메모리의 집적도가 향상됨에 따라, 디램(DRAM; Dynamic Random Access Memory)과 같은 반도체 장치를 이루는 단위소자의 크기를 줄이고자 하는 노력이 계속되어 왔는 바, 디램에서의 게이트의 길이와 게이트산화막의 두께 및 소자분리영역(Isolation)의 폭을 줄여왔다.As the degree of integration of semiconductor memories has been improved, efforts have been made to reduce the size of unit devices forming semiconductor devices such as DRAM (DRAM). And the width of device isolation regions have been reduced.

그러나, 게이트산화막의 두께가 감소하게 되면, 그 스케일 정도(Scaling factor)에 비례하여 가해지는 전압도 줄어들어야 할 필요가 있다.However, when the thickness of the gate oxide film is reduced, the voltage applied in proportion to the scaling factor needs to be reduced.

그러나, 워드라인 디코더와 같은 반도체 메모리 장치는 가해지는 전압이 상대적으로 크기때문에 충분히 큰 저항전압(Withstand voltage)을 가져야 한다.However, semiconductor memory devices such as word line decoders must have sufficiently large withstand voltages due to the relatively high applied voltage.

상기와 같은 이유로 인하여 게이트 길이와 소자분리영역의 크기를 줄이는 것에는 한계가 발생하게 된다.Due to the above reasons, there is a limit in reducing the gate length and the size of the device isolation region.

한편, 셀의 면적이 점점 작아짐에 따라, 워드라인의 피치(Pitch)를 줄이는 것 또한 필요하게 된다.On the other hand, as the cell area becomes smaller, it is also necessary to reduce the pitch of the word lines.

도 1은 종래기술에 따른 서브워드라인 드라이버의 구조를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a structure of a subword line driver according to the related art.

도 1을 참조하면, 서로 소정 간격을 갖고 일방향으로 확산영역(1, 2)이 배열되어 있고, 확산영역(1, 2) 상부에 확산영역(1, 2)과 교차하는 방향으로 'U'자형 워드라인(3 ∼ 6)이 배열되어 있으며, 워드라인(3 ∼ 6)과 동일한 방향으로 인접하되 워드라인(3 ∼ 6) 사이의 확산영역(1, 2)에 서브워드라인(7 ∼ 14)이 접속되어 있으며, 확산영역(1, 2)과 교차하는 방향으로 확산영역(1, 2) 상부에 형성되되, 확산영역(1, 2)에 콘택된 인출선을 구비하는 서브워드라인 활성신호 라인(15, 16)이 형성되어 있는 바, 서브워드라인 활성신호 라인(15)는 확산영역(1)에서 셀 어레이(도시하지 않음) 방향으로의 출력측에 배열되어 있으며, 서브워드라인 활성신호 라인(16)는 워드라인 디코더(도시하지 않음)에서 확산영역(16)으로의 입력측에 배열되어 있다.Referring to FIG. 1, the diffusion regions 1 and 2 are arranged in one direction at predetermined intervals, and have a 'U' shape in a direction crossing the diffusion regions 1 and 2 on the diffusion regions 1 and 2. The word lines 3 to 6 are arranged, and adjacent to the word lines 3 to 6 in the same direction, but the sub word lines 7 to 14 in the diffusion regions 1 and 2 between the word lines 3 to 6. Is connected and is formed on the diffusion regions 1 and 2 in a direction intersecting with the diffusion regions 1 and 2, and has a subword line active signal line having lead lines contacted to the diffusion regions 1 and 2; (15, 16) are formed, the subword line active signal line 15 is arranged on the output side from the diffusion region 1 toward the cell array (not shown), and the subword line active signal line ( 16 is arranged on the input side to the diffusion region 16 in a word line decoder (not shown).

여기서, 워드라인(3)은 제1 확산영역(1) 내에서 일측에 나란히 인접하여 배열된 인출선(15a)으로부터 프리디코딩된 워드라인 신호를 입력으로 하는 드레인 접합에 콘택(17)을 이루고, 서브워드라인(7)은 워드라인 내의 'U'자형 개구부 내에 형성되되 확산영역(1)과 접속된다(18).Here, the word line 3 forms a contact 17 at a drain junction that receives a pre-decoded word line signal from a lead line 15a arranged adjacent to one side in the first diffusion region 1. The subword line 7 is formed in the 'U'-shaped opening in the word line and is connected to the diffusion region 1 (18).

따라서, 확산영역(1) 내의 드레인 콘택(17)과 워드라인(3) 및 서브워드라인(7)은 하나의 드라이버(19)를 형성한다.Accordingly, the drain contact 17 and the word line 3 and the subword line 7 in the diffusion region 1 form one driver 19.

또한, 확산영역(1)과 확산영역(2) 사이에는 소자간 분리를 위한 소자분리영역(20)이 형성되어 있다.In addition, an isolation region 20 is formed between the diffusion region 1 and the diffusion region 2 for separation between elements.

도 2는 상기 도 1의 평면도를 A-A' 방향으로 자른 단면도를 도시한다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1.

상기와 같은 구성을 갖는 종래의 워드라인 드라이버를 도 1 및 도 2를 참조하여 상세하게 설명한다.A conventional word line driver having the above configuration will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

여기서, 도면부호 '21'은 하나의 유닛을 나타낸 것으로, 상기 유닛(21)은 디코딩된 하나의 워드라인(3 ∼ 6)의 입력을 받아서, 두 개의 서브워드라인 활성신호 라인(15, 16)과 조합하여 다시 두 개의 서브워드라인(7, 8)을 만들어 낸다.Here, reference numeral '21' denotes one unit, and the unit 21 receives input of one decoded word lines 3 to 6, so that two subword line active signal lines 15 and 16 are received. And two subword lines 7 and 8 again.

한편, 서브워드라인 활성신호 라인(15)에 의하여 확산영역(1)에 접속된 짝수의 서브워드라인(7,9,11,13)이 디코딩되며, 서브워드라인 활성신호 라인(16)에 의하여 확산영역(2)에 접속된 홀수의 서브워드라인(8, 10, 12, 14)이 디코딩된다.Meanwhile, even-numbered subword lines 7, 9, 11 and 13 connected to the diffusion region 1 are decoded by the subword line active signal line 15, and the subword line active signal line 16 is decoded. The odd subword lines 8, 10, 12, 14 connected to the diffusion region 2 are decoded.

따라서, 확산영역(1)내에 짝수의 서브워드라인(7,9,11,13)을 구동하는 소자들이 존재하게 되고, 확산영역(2) 내에는 홀수의 서브워드라인(8, 10, 12, 14)을 구동하는 소자들이 존재하게 된다.Therefore, elements driving even subword lines 7, 9, 11, and 13 exist in the diffusion region 1, and odd subword lines 8, 10, 12, in the diffusion region 2 exist. There are elements driving 14).

여기서, 하나의 디코더에 의해 사용되어지는 드라이버(17)가 차지하는 폭을 디코더 피치(Decoder pitch)라 한다.Here, the width occupied by the driver 17 used by one decoder is called a decoder pitch.

그러나, 상기와 같이 이루어지는 종래의 서브워드라인 드라이버는 다음과 같은 문제점이 발생하게 된다.However, the conventional subwordline driver as described above has the following problems.

즉, 셀간의 간격이 좁아지는 경우, 확산영역과 서브워드라인 활성신호 라인 및 서브워드라인을 연결하는 콘택의 크기가 줄어들지 않으면, 각 서브워드라인과 셀과의 간격을 맞추기가 어렵게 되며, 특히, 메모리의 용량이 증가할수록 이러한 문제는 더욱 심화된다.That is, when the spacing between cells becomes narrow, it is difficult to match the spacing between each subword line and the cell unless the size of the contact connecting the diffusion region and the subword line active signal line and the subword line is reduced. As the memory capacity increases, this problem gets worse.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 각 확산영역으로 분리하며, 각 워드라인에서 인출되는 서브워드라인을 워드라인의 분지선 사이에서 하나씩만 접속되도록 하여, 게이트의 폭을 줄일 수 있도록 함으로써 피치를 맞출 수 있도록 하는 서브워드라인 드라이버를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, it is divided into each diffusion region, so that only one subword line drawn from each word line is connected between the branch line of the word line, so that the width of the gate can be reduced It is an object of the present invention to provide a subword line driver capable of adjusting the pitch.

도 1은 종래기술에 따른 서브워드라인 드라이버의 레이아웃을 도시한 평면도,1 is a plan view showing a layout of a subword line driver according to the prior art;

도 2는 도 1의 평면도를 A-A' 방향으로 절단한 단면도,FIG. 2 is a cross-sectional view of the plan view of FIG. 1 taken along the line AA ′; FIG.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 서브워드라인 드라이버의 레이아웃을 도시한 평면도,3 is a plan view illustrating a layout of a subwordline driver according to an embodiment of the present invention;

도 4는 도 3의 평면도를 B-B' 방향으로 절단한 단면도,4 is a cross-sectional view taken along the line B-B 'of FIG. 3;

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브워드라인 드라이버의 레이아웃을 도시한 평면도,5 is a plan view illustrating a layout of a subwordline driver according to another exemplary embodiment of the present invention;

* 도면의 주요 부분에 대한 설명* Description of the main parts of the drawing

31, 32 : 확산영역31, 32: diffusion region

37, 38 : 워드라인37, 38: wordline

39, 40 : 서브워드라인39, 40: subword line

47, 48 : 서브워드라인 활성신호 라인47, 48: subword line active signal line

49, 49', 49a, 49a' : 드레인 접합49, 49 ', 49a, 49a': drain junction

50a, 50b : 소오스 접합50a, 50b: source junction

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 서브워드라인 드라이버에 있어서, 소정 간격을 갖고 서브워드라인 방향으로 나란히 배열된 제1, 2 확산영역; 상기 두 확산영역을 격리시키는 소자분리영역; 상기 제1 확산영역에 콘택되며, 상기 제 1 확산영역 상부에 형성되되, 상기 제1,2 확산영역의 배열방향과 교차하도록 형성된 제1 서브워드라인 활성신호 라인; 상기 제1 서브워드라인 활성신호 라인과 동일한 형태로 상기 제2 확산영역 상부과 콘택된 제2 서브워드라인 활성신호 라인; 셀어레이 방향으로 확장된 일단과, 상기 일단으로부터 분지되되 동일방향으로 2단 절곡된 제1 및 제2 분지선인 타단이 상기 제1, 2 확산영역 상부에 동시에 중첩되도록 형성된 제1 워드라인; 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제1 확산영역과 콘택된 일단으로부터 상기 셀어레이 방향인 상기 제1 확산영역 바깥영역 상의 일측으로 인출된 타단을 구비한 제1 서브워드라인; 및 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제2 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 제1 서브워드라인과 동일하게 인출되어 상기 제1 서브워드라인과 인접한 타단을 구비한 제2 서브워드라인을 포함한다.To achieve the above object, the present invention provides a subword line driver, comprising: first and second diffusion regions arranged side by side in a sub word line direction at predetermined intervals; An isolation region separating the two diffusion regions; A first subword line active signal line in contact with the first diffusion region and formed on the first diffusion region and intersecting with the arrangement direction of the first and second diffusion regions; A second subword line active signal line in contact with an upper portion of the second diffusion region in the same form as the first subword line active signal line; A first word line formed such that one end extended in the cell array direction and the other end branched from the one end and bent in the second direction in the same direction are overlapped on the first and second diffusion regions at the same time; A second end having the other end drawn out from the one contacted with the first diffusion region between the first branch line and the second branch line of the first word line to one side on the outer region of the first diffusion region in the cell array direction; 1 subword line; And another end adjacent to the first subword line, the same as the first subword line, from the one end contacting the second diffusion region between the first branch line and the second branch line of the first word line. And a second subword line.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 서브워드라인 드라이버에 있어서, 서로 소정 간격을 갖고 서브워드라인 방향으로 나란히 배열된 제1 내지 제4 확산영역; 상기 제1 내지 제4 확산영역을 격리시키는 소자분리영역; 상기 제1, 3 확산영역에 각각 콘택되되, 평면 형상이 'ㄷ'자 형태로 상기 제1, 3 확산영역 상부에 형성된 제1 서브워드라인 활성신호 라인; 상기 제2, 4 확산영역에 각각 콘택되며, 상기 제2, 4 확산영역 상부에 형성되되, 평면 형상이 역 'ㄷ'자 형태로 상기 제1 서브워드라인 활성신호 라인과 수직방향으로 가로변이 교차중첩되는 제2 서브워드라인 활성신호 라인; 셀어레이 방향으로 확장된 일단과, 상기 일단으로부터 분지되되 동방향으로 2단 절곡된 제1 및 제2 분지선인 타단이 상기 제1 확산영역과 상기 제2 확산영역 상부에 동시에 중첩되는 제1 워드라인; 상기 제1 워드라인과 인접하여 상기 제1 워드라인과 동일한 형태로 형성된 제2 워드라인; 워드라인 디코더 방향으로 확장된 일단과, 상기 일단으로부터 분지되되 동방향으로 2단 절곡된 제1 및 제2 분지선인 타단이 상기 제3 확산영역과 상기 제4 확산영역 상부에 동시에 중첩되는 제3 워드라인; 상기 제3 워드라인과 인접하여 상기 제3 워드라인과 동일한 형태로 형성된 제4 워드라인; 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제1 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 셀어레이 방향인 상기 제1 확산영역 바깥영역 상의 일측으로 인출된 타단을 구비한 제1 서브워드라인; 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제2 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 제1 서브워드라인과 동일하게 인출되어 상기 제1 서브워드라인과 인접한 타단을 구비한 제2 서브워드라인; 상기 제3 워드라인의 상기 두 분지선 사이에 있는 상기 제3, 4 확산영역의 콘택으로 부터 상기 제1, 2 서브워드라인과 동일한 방향으로 인접하도록 각각 인출된 제3, 4 서브워드라인; 상기 제2 워드라인의 제1 분지선과 제2 분지선 사이의 상기 제1 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 셀어레이 방향인 상기 제1 확산영역 바깥영역 상의 타측으로 인출된 타단을 구비한 제5 서브워드라인; 상기 제2 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제2 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 제5 서브워드라인과 동일하게 인출되어 상기 제5 서브워드라인과 인접한 타단을 구비한 제6 서브워드라인; 및 상기 제4 워드라인의 두 분지선 사이에 있는 상기 제3, 4 확산영역과의 콘택으로 부터 상기 제5, 6 서브워드라인과 동일한 방향으로 인접하도록 형성된 제7, 8 서브워드라인을 포함하여 이루어진다.In addition, the present invention, in order to achieve the above object, the subword line driver, the first to fourth diffusion region arranged side by side in the sub word line direction with a predetermined distance from each other; An isolation region separating the first to fourth diffusion regions; A first subword line active signal line in contact with the first and third diffusion regions, respectively, the planar shape having a 'c' shape and formed on the first and third diffusion regions; Contact with the second and fourth diffusion regions, respectively, and are formed on the second and fourth diffusion regions, and have a planar shape in an inverse 'C' shape to cross a horizontal side in a vertical direction with the first subword line active signal line. An overlapping second subword line active signal line; A first word line having one end extended in the cell array direction and the other end branched from the one end and bent in the second direction in the same direction and overlapping the first diffusion region and the second diffusion region at the same time ; A second word line adjacent to the first word line and formed in the same shape as the first word line; A third word having one end extended in the direction of the word line decoder and the other end branched from the one end and being bent in two steps in the same direction and overlapping the third diffusion region and the fourth diffusion region at the same time line; A fourth word line adjacent to the third word line and formed in the same shape as the third word line; A second end having the other end drawn out from one end of the first diffusion line between the first branch line and the second branch line of the first word line to one side on the outside of the first diffusion region in the cell array direction; 1 subword line; A second end that is drawn in the same manner as the first subword line from one end of the second diffusion region contacted between the first branch line and the second branch line of the first word line and is adjacent to the first subword line One second subwordline; Third and fourth subword lines respectively drawn from the contacts of the third and fourth diffusion regions between the two branch lines of the third word line to be adjacent to the first and second subword lines in the same direction; A fifth sub having the other end drawn out from one end of the first diffusion line between the first branch line and the second branch line of the second word line to the other side on the outside of the first diffusion region in the cell array direction; Wordline; A second end drawn in the same manner as the fifth subword line from one end contacting the second diffusion region between the first branch line and the second branch line of the second word line and adjacent to the fifth subword line; One sixth subword line; And seventh and eighth subword lines formed to be adjacent to the fifth and sixth subword lines in the same direction from the contacts with the third and fourth diffusion regions between the two branch lines of the fourth word line. Is done.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. .

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 서브워드라인 드라이버의 레이아웃을 도시한 평면도이며, 도 4는 상기 도 3을 B-B' 방향으로 절단한 단면도이다.3 is a plan view illustrating a layout of a subword line driver according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 3.

도 3을 참조하면, 본 발명의 워드라인 드라이버는, 확산영역(31, 32)이 소정 간격을 갖고 서브워드라인 방향으로 나란히 배열되어 있고, 두 확산영역(31, 32)은 소자분리영역에 의해 격리되어 있다. 확산영역(31) 내에 프리디코딩된 신호를 입력하여 워드라인을 활성화시키기 위한 워드라인 활성화 신호를 제공하는 제1 서브워드라인 활성신호 라인(47)이 형성되어 있는 바, 서브워드라인 활성신호 라인(47)은 확산영역(31)과 다수의 콘택(49. 49')을 갖으며, 확산영역(31) 상부에 형성되되, 확산영역(31, 32)의 배열방향과 교차하도록 형성되어 있으며, 서브워드라인 활성신호 라인(48)은 서브워드라인 활성신호 라인(47)과 동일한 형태로 확산영역(32) 상부에 다수의 콘택(49a, 49a')을 이루도록 형성되어 있으며, 워드라인 디코더(도시하지 않음)로 부터의 신호를 입력으로 하는 워드라인(37)이 형성되어 있는 바, 셀어레이(도시하지 않음) 방향으로 확장된 일단(37c)과, 일단(37c)으로부터 분지되되 동일방향으로 2단 절곡된 분지선(37a, 37b)인 타단이 확산영역(31, 32) 상부에 동시에 중첩되도록 형성되어 있으며, 워드라인(37)의 분지선(37a)과 분지선(37b) 사이의 확산영역(31)에 콘택된 일단(50a)으로부터 상기 셀어레이(도시하지 않음) 방향인 확산영역(31) 바깥 상의 일측(X)으로 인출된 타단을 구비한 서브워드라인(39)과, 워드라인(37)의 분지선(37a)과 분지선(37b) 사이의 확산영역(32)과 콘택을 이루는 일단(50b)으로부터 서브워드라인(39)과 동일하게 인출되어 서브워드라인(39)과 인접한 타단을 구비한 서브워드라인(40)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 3, in the word line driver of the present invention, the diffusion regions 31 and 32 are arranged side by side in the subword line direction at predetermined intervals, and the two diffusion regions 31 and 32 are separated by an element isolation region. It is isolated. A first subword line activation signal line 47 is formed to input a pre-decoded signal in the diffusion region 31 to provide a word line activation signal for activating a word line. 47 has a diffusion region 31 and a plurality of contacts 49.49 ', and is formed on the diffusion region 31 and intersects with the arrangement direction of the diffusion regions 31 and 32. The word line active signal line 48 is formed to form a plurality of contacts 49a and 49a 'over the diffusion region 32 in the same form as the subword line active signal line 47. The word line decoder (not shown) And a word line 37 for inputting a signal from the first line 37c, which is branched from the one end 37c extending in the cell array (not shown) direction and the second end in the same direction. The other ends of the bent branch lines 37a and 37b are upper portions of the diffusion regions 31 and 32. Are formed so as to overlap at the same time, the cell array (not shown) is oriented from one end 50a of the diffusion region 31 between the branch line 37a and the branch line 37b of the word line 37. Sub word line 39 having the other end drawn out to one side X on the outside of diffusion area 31 and diffusion area 32 between branch line 37a and branch line 37b of word line 37. A subword line 40 is formed from the one end 50b making contact with the subword line 39 and has the other end adjacent to the subword line 39.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브워드라인 드라이버의 레이아웃을 도시한 평면도이다.5 is a plan view illustrating a layout of a subwordline driver according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 서브워드라인 드라이버는, 확산영역(31 ∼ 34)이 서로 소정 간격을 갖고 서브워드라인 방향으로 나란히 배열되어 있으며 각 확산영역(31 ∼ 34)은 소자분리영역에 의해 각각 격리되어 있다. 확산영역(31, 33) 내에 프리디코딩된 신호를 입력하여 워드라인을 활성화시키기 위한 워드라인 활성화 신호를 제공하는 서브워드라인 활성신호 라인(47)이 형성되어 있는 바, 확산영역(31, 33)에 각각 콘택(49, 49', 49", 49b, 49b' 49b")되되, 평면 형상이 'ㄷ'자 형태로 확산영역(31, 33) 상부에 형성되어 있으며, 서브워드라인 활성신호 라인(48)이 확산영역(32, 34)에 각각 콘택(49a, 49a', 49a", 49c, 49c' 49c")되며, 확산영역(32, 34) 상부에 형성되어 있는 바, 평면 형상이 역 'ㄷ'자 형태로 서브워드라인 활성신호 라인(47)와 수직방향으로 가로변이 교차중첩되어 있다.Referring to FIG. 5, in the subword line driver of the present invention, the diffusion regions 31 to 34 are arranged side by side in the subword line direction with a predetermined distance from each other, and each diffusion region 31 to 34 is disposed in the device isolation region. It is isolated by each. A subword line activation signal line 47 is formed to input a predecoded signal in the diffusion regions 31 and 33 to provide a word line activation signal for activating the word line. Contacts 49, 49 ', 49 ", 49b, 49b' and 49b", respectively, and have a planar shape formed on the diffusion regions 31 and 33 in the shape of 'c', and the subword line active signal line ( 48 are contacted to the diffusion regions 32 and 34, respectively, 49a, 49a ', 49a ", 49c and 49c' 49c", and are formed on the diffusion regions 32 and 34, so that the planar shape is inverse ' The horizontal sides cross each other in a vertical direction with the subword line active signal line 47 in the form of a letter c '.

워드라인 디코더(도시하지 않음)로 부터의 신호를 입력으로 하는 워드라인(37)이 형성되어 있는 바, 셀어레이(도시하지 않음) 방향으로 확장된 일단(37c)과, 일단(37c)으로부터 분지되되 동방향으로 2단 절곡된 분지선(37a, 37b)인 타단이 확산영역(31)과 확산영역(32) 상부에 동시에 중첩되어 있으며, 워드라인(38)이 워드라인(37)과 인접하되 동일한 형태로 형성되어 있으며,A word line 37 for inputting a signal from a word line decoder (not shown) is formed, which is branched from one end 37c extending in the cell array (not shown) direction and one end 37c. The other ends of the branch lines 37a and 37b, which are bent in two steps in the same direction, overlap the diffusion region 31 and the diffusion region 32 at the same time, and the word line 38 is adjacent to the word line 37. Is formed in the same shape,

워드라인 디코더(도시하지 않음) 방향으로 확장된 일단(35c)과, 일단(35c)으로부터 분지되되 동방향으로 2단 절곡된 분지선(35a, 35b)인 타단이 확산영역(33)과 확산영역(34) 상부에 동시에 중첩되도록 워드라인(35)이 형성되어 있으며, 워드라인(36)이 워드라인(35)과 인접하되 워드라인(35)과 동일한 형태로 형성되어 있다.One end 35c extended in the direction of the word line decoder (not shown) and the other end of the branch lines 35a and 35b branched from one end 35c but bent in two steps in the same direction are the diffusion region 33 and the diffusion region. (34) A word line 35 is formed so as to overlap at the same time, and the word line 36 is adjacent to the word line 35 but is formed in the same shape as the word line 35.

또한, 워드라인(37)의 분지선(37a)과 분지선(37b) 사이의 확산영역(31)과 콘택된 일단(50a)으로부터 셀어레이(도시하지 않음) 방향인 확산영역(31) 바깥영역 상의 일측(X)으로 인출된 타단을 구비한 서브워드라인(39)과, 워드라인(37)의 분지선(37a)과 분지선(37b) 사이의 확산영역(32)에 콘택된 일단(50b)으로부터 서브워드라인(39)과 동일하게 인출되어 서브워드라인(39)과 인접한 타단을 구비한 서브워드라인(40)이 형성되어 있으며, 워드라인(35)의 두 분기점(35a, 35b)사이에 있는 확산영역(33, 34)과의 콘택(51a, 51b)으로부터 서브워드라인(39, 40)과 동일한 방향으로 인접하도록 서브워드라인(41, 42)이 각각 인출되어 있으며, 워드라인(38)의 분지선(38a)과 분지선(38b) 사이의 확산영역(31)과 콘택을 이루는 일단(52a)으로부터 셀어레이(도시하니 않음) 방향인 확산영역(31) 바깥영역 상의 타측(X')으로 인출된 타단을 구비한 서브워드라인(43)과, 워드라인(38)의 분지선(38a)과 분지선(38b) 사이의 확산영역(32)과 콘택을 이루는 일단으로부터 서브워드라인(43)과 동일하게 인출되어 상기 서브워드라인(43)과 인접한 타단을 구비한 서브워드라인(44)과, 워드라인의 두 분기점(36a, 36b) 사이에 있는 확산영역(33, 34)의 콘택(53a, 53b)으로 부터 서브워드라인(43, 44)과 동일한 방향으로 인접하도록 서브워드라인(45, 46)이 형성되어 있다.Further, an area outside the diffusion area 31 in the direction of a cell array (not shown) from the one end 50a contacted with the diffusion area 31 between the branch line 37a and the branch line 37b of the word line 37. A sub word line 39 having the other end drawn out on one side X of the image, and one end 50b contacted to the diffusion region 32 between the branch line 37a and the branch line 37b of the word line 37. A subword line 40 is drawn from the same as the subword line 39 and has the other end adjacent to the subword line 39, and is formed between two branch points 35a and 35b of the word line 35. The subword lines 41 and 42 are drawn out from the contacts 51a and 51b with the diffusion regions 33 and 34 in the same direction as the subword lines 39 and 40, respectively. Region outside the diffusion region 31 in the direction of a cell array (not shown) from one end 52a making contact with the diffusion region 31 between the branch line 38a and the branch line 38b of One end making contact with the diffusion region 32 between the branch line 38a and the branch line 38b of the sub word line 43 having the other end drawn out to the other side X 'on the top of the word line 38. A subword line 44 which is drawn in the same manner as the subword line 43 and has the other end adjacent to the subword line 43, and the diffusion region 33 between the two branch points 36a and 36b of the word line. The subword lines 45 and 46 are formed to be adjacent to the subword lines 43 and 44 from the contacts 53a and 53b of FIG.

상기한 구성을 갖는 본 발명의 서브워드라인 드라이버를 도 3 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명한다.The subwordline driver of the present invention having the above configuration will be described in detail with reference to Figs.

도 5에 도시된 바와 같이, 모두 네 개의 확산영역(31 ∼ 34)이 있으며, 그 속에 예컨대, 각각 홀수와 짝수를 구동하는 단위소자들이 구성된다.As shown in FIG. 5, there are four diffusion regions 31 to 34 in total, and for example, unit devices for driving odd and even numbers are formed therein.

서브워드라인 활성신호 라인(47)은 확산영역(31)과 확산영역(33)으로 지나가며 짝수 서브워드라인(39, 41, 43, 45)을 활성화시키며, 확산영역(32)과 확산영역(34)으로 지나가며 홀수 서브워드라인(40, 42, 44, 46)을 활성화시킨다.The subword line active signal line 47 passes through the diffusion region 31 and the diffusion region 33 to activate the even subword lines 39, 41, 43, and 45, and the diffusion region 32 and the diffusion region ( 34, activates odd subword lines 40, 42, 44, 46.

즉, 확산영역(31)에서 짝수 서브워드라인(39, 43)이 출력되고, 확산영역(32)에서 홀수 서브워드라인(40, 44)이 출력된다.That is, the even subword lines 39 and 43 are output in the diffusion region 31, and the odd subword lines 40 and 44 are output in the diffusion region 32.

마찬가지로, 확산영역(33)에서 짝수 서브워드라인(41,45)이 출력되고, 확산영역(34)에서 홀수 서브워드라인(42,46)이 출력된다.Similarly, even subword lines 41 and 45 are output in the diffusion region 33 and odd subword lines 42 and 46 are output in the diffusion region 34.

이때, 워드라인(35, 36)은 확산영역(33, 34) 내에 포함된 단위소자의 게이트 입력이 되고, 워드라인(37, 38)은 도 4의 '37a' 및 '37b'와 같이 확산영역(31, 32) 내에 포함된 단위소자의 게이트 입력이 되며, 서브워드라인 활성신호 라인(47)는 도 4에 도시된 바와 같이 단위소자의 드레인 접합과 콘택(49, 49')을 이룬다.In this case, the word lines 35 and 36 are gate inputs of the unit elements included in the diffusion regions 33 and 34, and the word lines 37 and 38 are diffusion regions as shown in FIGS. 4A and 37B of FIG. 4. As the gate input of the unit devices included in (31, 32), the subword line active signal line 47 forms contacts with the drain junctions of the unit devices (49, 49 ') as shown in FIG.

또한, 서브워드라인(39 ∼ 46) 중 서브워드라인(39 ∼ 42)은, 해당 워드라인(35, 37)의 분지선(35a, 37a)과 분지선(35b, 37b) 사이의 확산영역(31 ∼ 34)에 콘택된 일단(50a, 50b, 51a, 51b)으로부터 셀어레이(도시하지 않음) 방향인 확산영역(31 ∼ 34) 바깥영역 상의 일측(X)으로 인출된 타단을 구비하고 있으며, 서브워드라인(43 ∼ 46)은, 해당 워드라인(36, 38)의 분지선(36a, 38a)과 분지선(36b, 38b) 사이의 확산영역(31 ∼ 34)에 콘택된 일단(52a, 52b, 53a, 53b)으로부터 셀어레이(도시하지 않음) 방향인 확산영역(31 ∼ 34) 바깥영역 상의 타측(X')으로 인출된 타단을 구비한다.Further, of the subword lines 39 to 46, the subword lines 39 to 42 have a diffusion region between the branch lines 35a and 37a of the word lines 35 and 37 and the branch lines 35b and 37b. And the other end drawn out from one end (50a, 50b, 51a, 51b) contacted at 31 to 34 to one side (X) on the diffusion region 31 to 34 in the cell array (not shown) direction. The sub word lines 43 to 46 have one end 52a contacted to the diffusion regions 31 to 34 between the branch lines 36a and 38a of the word lines 36 and 38 and the branch lines 36b and 38b. 52b, 53a, 53b, and the other end drawn out to the other side X 'on the diffusion region 31-34 outer region which is a cell array (not shown) direction.

여기서, 확산영역(31 ∼ 34)과 서브워드라인 활성신호 라인(47, 48)의 콘택(49 ∼ 49c")은 드레인 접합에서 콘택된 것이며, 서브워드라인(39 ∼ 46)과 확산영역(31 ∼ 34)의 콘택(50a ∼ 53b)은 소오스 접합에서 콘택된 것이다.Here, the contacts 49 to 49c ″ of the diffusion regions 31 to 34 and the subword line active signal lines 47 and 48 are contacted at the drain junctions, and the subword lines 39 to 46 and the diffusion region 31 are connected. The contacts 50a to 53b of the contact 34 to 34 are contacted at the source junction.

또한, 워드라인(37, 38)은 한 쌍을 이루며, 확산영역(32)과 확산영역(33) 사이의 소자분리영역에 의해 워드라인(35, 36) 한 쌍과 평면 상 마주보고 있는 구조를 이룬다. 그러나, 각 워드라인(35 ∼ 38)의 라우팅을 위해 평면에 수직인 방향으로 소정의 간격을 통해 엇갈려 있는 구조를 취한다.In addition, the word lines 37 and 38 form a pair and have a structure in which the pair of word lines 35 and 36 face each other in plan view by the device isolation region between the diffusion region 32 and the diffusion region 33. Achieve. However, for the routing of each word line 35 to 38, the structure is staggered through a predetermined interval in the direction perpendicular to the plane.

서브워드라인(39, 40, 41, 42)은 확산영역(31 ∼ 34) 바깥영역의 일측(X) 상으로 지나가고, 서브워드라인(43, 44, 45, 46)은 확산영역(31 ∼ 34) 바깥영역의 타측(X') 상으로 지나가므로, 확산영역(31 ∼ 34) 바깥영역 예컨대, 소자분리영역(X, X')의 아이솔레이션(Isolation)으로 인한 공간은 충분히 활용되어 진다.The subword lines 39, 40, 41, and 42 pass on one side X of the region outside the diffusion regions 31 to 34, and the subword lines 43, 44, 45 and 46 pass through the diffusion regions 31 to 34. Since it passes over the other side X 'of the outer region, the space due to the isolation of the diffusion regions 31 to 34, for example, the isolation regions X and X', is sufficiently utilized.

따라서, 네 개의 분리된 확산영역(31 ∼ 34) 내에 홀,짝의 서브워드라인 드라이버를 순차로 분산 배치함으로써, 셀과의 피치를 간단히 맞출 수 있게 된다.Accordingly, by sequentially distributing the odd-word subword line drivers in the four separate diffusion regions 31 to 34, the pitch with the cells can be easily matched.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상기와 같이 이루어지는 본 발명은 네 개의 분리된 확산영역 내에 홀,짝의 서브워드라인 드라이버를 순서로 분산 배치함으로써, 셀과의 피치를 간단히 맞출 수 있어 칩의 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, by distributing holes and pairs of subword line drivers in four separate diffusion regions in order, the pitch of the cells can be easily matched, thereby improving chip integration.

Claims (9)

반도체 메모리 장치에 있어서,In a semiconductor memory device, 소정 간격을 갖고 서브워드라인 방향으로 나란히 배열된 제1, 2 확산영역;First and second diffusion regions having a predetermined interval and arranged side by side in the subword line direction; 상기 두 확산영역을 격리시키는 소자분리영역;An isolation region separating the two diffusion regions; 상기 제1 확산영역에 콘택되며, 상기 제 1 확산영역 상부에 형성되되, 상기 제1,2 확산영역의 배열방향과 교차하도록 형성된 제1 서브워드라인 활성신호 라인;A first subword line active signal line in contact with the first diffusion region and formed on the first diffusion region and intersecting with the arrangement direction of the first and second diffusion regions; 상기 제1 서브워드라인 활성신호 라인과 동일한 형태로 상기 제2 확산영역 상부과 콘택된 제2 서브워드라인 활성신호 라인;A second subword line active signal line in contact with an upper portion of the second diffusion region in the same form as the first subword line active signal line; 셀어레이 방향으로 확장된 일단과, 상기 일단으로부터 분지되되 동일방향으로 2단 절곡된 제1 및 제2 분지선인 타단이 상기 제1, 2 확산영역 상부에 동시에 중첩되도록 형성된 제1 워드라인;A first word line formed such that one end extended in the cell array direction and the other end branched from the one end and bent in the second direction in the same direction are overlapped on the first and second diffusion regions at the same time; 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제1 확산영역과 콘택된 일단으로부터 상기 셀어레이 방향인 상기 제1 확산영역 바깥영역 상의 일측으로 인출된 타단을 구비한 제1 서브워드라인; 및A second end having the other end drawn out from the one contacted with the first diffusion region between the first branch line and the second branch line of the first word line to one side on the outer region of the first diffusion region in the cell array direction; 1 subword line; And 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제2 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 제1 서브워드라인과 동일하게 인출되어 상기 제1 서브워드라인과 인접한 타단을 구비한 제2 서브워드라인A second end that is drawn in the same manner as the first subword line from one end of the second diffusion region contacted between the first branch line and the second branch line of the first word line and is adjacent to the first subword line One second subwordline 을 포함하여 이루어지는 서브워드라인 드라이버.Subword line driver comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1, 2 확산영역은, 각각 짝수 또는 홀수 어드레스의 서브워드라인을 구동하기 위한 단위소자를 구비하되, 상기 제1 확산영역이 짝수일 경우 상기 제2 확산영역은 홀수이며, 상기 제1 확산영역이 홀수일 경우 상기 제2 확산영역은 짝수인 것을 특징으로 하는 서브워드라인 드라이버.Each of the first and second diffusion regions includes unit devices for driving subword lines of even or odd addresses, and when the first diffusion region is an even number, the second diffusion region is an odd number and the first diffusion region. And if the region is odd, the second diffusion region is even. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 확산영역과 상기 서브워드라인 활성신호 라인은 드레인 접합에서 콘택된 것을 특징으로 하는 서브워드라인 드라이버.And the diffusion region and the subword line active signal line are contacted at a drain junction. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브워드라인과 상기 확산영역은 소오스 접합에서 콘택된 것을 특징으로 하는 서브워드라인 드라이버.And the subword line and the diffusion region are contacted at a source junction. 반도체 메모리 장치에 있어서,In a semiconductor memory device, 서로 소정 간격을 갖고 서브워드라인 방향으로 나란히 배열된 제1 내지 제4확산영역;First to fourth diffusion regions having a predetermined spacing therebetween and arranged side by side in the subword line direction; 상기 제1 내지 제4 확산영역을 격리시키는 소자분리영역;An isolation region separating the first to fourth diffusion regions; 상기 제1, 3 확산영역에 각각 콘택되되, 평면 형상이 'ㄷ'자 형태로 상기 제1, 3 확산영역 상부에 형성된 제1 서브워드라인 활성신호 라인;A first subword line active signal line in contact with the first and third diffusion regions, respectively, the planar shape having a 'c' shape and formed on the first and third diffusion regions; 상기 제2, 4 확산영역에 각각 콘택되며, 상기 제2, 4 확산영역 상부에 형성되되, 평면 형상이 역 'ㄷ'자 형태로 상기 제1 서브워드라인 활성신호 라인과 수직방향으로 가로변이 교차중첩되는 제2 서브워드라인 활성신호 라인;Contact with the second and fourth diffusion regions, respectively, and are formed on the second and fourth diffusion regions, and have a planar shape in an inverse 'C' shape to cross a horizontal side in a vertical direction with the first subword line active signal line. An overlapping second subword line active signal line; 셀어레이 방향으로 확장된 일단과, 상기 일단으로부터 분지되되 동방향으로 2단 절곡된 제1 및 제2 분지선인 타단이 상기 제1 확산영역과 상기 제2 확산영역 상부에 동시에 중첩되는 제1 워드라인;A first word line having one end extended in the cell array direction and the other end branched from the one end and bent in the second direction in the same direction and overlapping the first diffusion region and the second diffusion region at the same time ; 상기 제1 워드라인과 인접하여 상기 제1 워드라인과 동일한 형태로 형성된 제2 워드라인;A second word line adjacent to the first word line and formed in the same shape as the first word line; 워드라인 디코더 방향으로 확장된 일단과, 상기 일단으로부터 분지되되 동방향으로 2단 절곡된 제1 및 제2 분지선인 타단이 상기 제3 확산영역과 상기 제4 확산영역 상부에 동시에 중첩되는 제3 워드라인;A third word having one end extended in the direction of the word line decoder and the other end branched from the one end and being bent in two steps in the same direction and overlapping the third diffusion region and the fourth diffusion region at the same time line; 상기 제3 워드라인과 인접하여 상기 제3 워드라인과 동일한 형태로 형성된 제4 워드라인;A fourth word line adjacent to the third word line and formed in the same shape as the third word line; 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제1 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 셀어레이 방향인 상기 제1 확산영역 바깥영역 상의 일측으로 인출된 타단을 구비한 제1 서브워드라인;A second end having the other end drawn out from one end of the first diffusion line between the first branch line and the second branch line of the first word line to one side on the outside of the first diffusion region in the cell array direction; 1 subword line; 상기 제1 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제2 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 제1 서브워드라인과 동일하게 인출되어 상기 제1 서브워드라인과 인접한 타단을 구비한 제2 서브워드라인;A second end that is drawn in the same manner as the first subword line from one end of the second diffusion region contacted between the first branch line and the second branch line of the first word line and is adjacent to the first subword line One second subwordline; 상기 제3 워드라인의 상기 두 분지선 사이에 있는 상기 제3, 4 확산영역의 콘택으로 부터 상기 제1, 2 서브워드라인과 동일한 방향으로 인접하도록 각각 인출된 제3, 4 서브워드라인;Third and fourth subword lines respectively drawn from the contacts of the third and fourth diffusion regions between the two branch lines of the third word line to be adjacent to the first and second subword lines in the same direction; 상기 제2 워드라인의 제1 분지선과 제2 분지선 사이의 상기 제1 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 셀어레이 방향인 상기 제1 확산영역 바깥영역 상의 타측으로 인출된 타단을 구비한 제5 서브워드라인;A fifth sub having the other end drawn out from one end of the first diffusion line between the first branch line and the second branch line of the second word line to the other side on the outside of the first diffusion region in the cell array direction; Wordline; 상기 제2 워드라인의 상기 제1 분지선과 상기 제2 분지선 사이의 상기 제2 확산영역에 콘택된 일단으로부터 상기 제5 서브워드라인과 동일하게 인출되어 상기 제5 서브워드라인과 인접한 타단을 구비한 제6 서브워드라인; 및A second end drawn in the same manner as the fifth subword line from one end contacting the second diffusion region between the first branch line and the second branch line of the second word line and adjacent to the fifth subword line; One sixth subword line; And 상기 제4 워드라인의 두 분지선 사이에 있는 상기 제3, 4 확산영역과의 콘택으로 부터 상기 제5, 6 서브워드라인과 동일한 방향으로 인접하도록 형성된 제7, 8 서브워드라인A seventh and eighth subword line formed to be adjacent to the fifth and sixth subword lines in the same direction from a contact with the third and fourth diffusion regions between two branch lines of the fourth word line; 을 포함하여 이루어지는 서브워드라인 드라이버.Subword line driver comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1 내지 제4 확산영역은, 각각 짝수 또는 홀수 어드레스의 서브워드라인을 구동하기 위한 단위소자를 구비하되, 상기 제1, 3 확산영역이 짝수일 경우 상기 제2, 4 확산영역은 홀수이며, 상기 제1, 3 확산영역이 홀수일 경우 상기 제2, 4 확산영역은 짝수인 것을 특징으로 하는 서브워드라인 드라이버.Each of the first to fourth diffusion regions includes unit devices for driving subword lines of even or odd addresses, and the second and fourth diffusion regions are odd when the first and third diffusion regions are even. And the second and fourth diffusion regions are even when the first and third diffusion regions are odd. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 각 서브워드라인과 상기 각 확산영역은 소오스 접합에서 콘택된 것을 특징으로 하는 서브워드라인 드라이버.And each of the subword lines and each of the diffusion regions is contacted at a source junction. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 각 서브워드라인 활성신호 라인과 상기 각 확산영역은 소오스 접합에서 콘택된 것을 특징으로 하는 서브워드라인 드라이버.And each of the subword line active signal lines and each of the diffusion regions is contacted at a source junction. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1, 2 워드라인은 한 쌍을 이루며, 상기 제2 확산영역과 상기 제3 확산영역 사이의 소자분리영역에 의해 상기 제3, 4 워드라인 한 쌍과 평면 상 마주보고 있는 구조를 이루되, 상기 각 워드라인의 라우팅을 위해 상기 평면에 수직인 방향으로 소정의 간격을 통해 엇갈려 있는 구조인 것을 특징으로 하는 서브워드라인드라이버.The first and second word lines form a pair, and have a structure in which the first and second word lines face each other in plan view by the device isolation region between the second diffusion region and the third diffusion region. And a structure intersected through a predetermined interval in a direction perpendicular to the plane for routing the respective word lines.
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