KR20020073818A - 빔 감지기를 포함한 이온주입장치 및 그에 의한 도즈량측정방법 - Google Patents

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Abstract

빔 감지기를 포함한 이온주입장치 및 그에 의한 도즈(dose)량 측정방법에 대해 개시되어있다. 그 장치, 기체나 고체상태의 원료를 이온화하여 생성된 이온 빔을 웨이퍼에 주사하는 빔 스캐너와, 빔 스캐너에 의해 주사되는 빔의 양을 자속의 변화에 의해 감지하는 빔 감지기 및 빔 감지기에 의해 감지된 빔의 양을 전기적인 방법으로 표시하는 전류계를 구비한다. 도즈량 측정방법은, 웨이퍼를 스캔하면서 상기 빔 감지기에 의해 도출되는 전류에 의해 웨이퍼에 이온주입되는 도즈(dose)량을 측정하는 단계를 포함한다. 이온 빔의 양을 자속의 변화에 의해 감지하는 빔 감지기를 이온주입공정이 수행되는 챔버 외부에 설치하고 또한 이온 빔에 직접 접촉하지 않게 함으로써, 이온 빔의 측정시 이물질에 의해 영향을 받지 않고 웨이퍼의 도즈량을 실시간에 측정할 수 있다.

Description

빔 감지기를 포함한 이온주입장치 및 그에 의한 도즈량 측정방법{Apparatus of ion implantation containing beam sensing system and method of measuring the quantity of dose thereof}
본 발명의 반도체 소자의 제조장치 및 그에 의한 제조방법에 관한 것으로서, 특히 빔감지기를 포함하는 이온주입장치 및 그에 의한 도즈(dose)량 측정방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 고집적화, 고밀도화에 대응하여 보다 정밀한 불순물 제어가 요구되며, 더욱이 양산 기술면에서는 재현성의 향상 및 처리능력의 향상이 요구되고 있다. 이에 따라 이온주입 기술에 대한 활용이 커지고 있다.
이온주입 기술이란 불순물을 이온 상태로 만든 후, 이를 가속하여 반도체 기판상의 특정부위에 주사함으로써 원하는 영역에 적정량의 불순물을 이온 주입시키는 반도체 기술이다. 이온주입 기술은 선택적 불순물 주입 및 순도 높은 불순물 주입이 가능하며, 정밀한 불순물 제어가 가능하여 재현성 및 균일성이 우수하다.
이온주입에서 주입되는 불순물의 양인 도즈량을 제어하는 것이 필수적이다. 여기서, 도즈량은 이온 빔의 양을 감지하여 확인할 수 있다. 이하 첨부된 도면을 참조하여 도즈량을 측정하는 빔 감지기를 살펴보기로 한다.
도1은 일반적인 패러데이(Faraday) 시스템을 이용한 빔 감지기를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도1을 참조하면, 양이온화된 이온 빔(10)이 패러데이 컵(12)에 닿으면, 접지된 전원에서 전류가 공급된다. 이 전류는 전자에 의해 양이온화된 이온 빔(10)을 중성원자로 변환시킨다. 이때, 중성원자로 변환시키는 데 필요한 전자의 양은 전류계(14)에 표시된 전류의 값과 동일하다. 만일 이온 빔(10)의 양이 많으면 소요되는 전자의 수도 많아질 것이며, 이에 따라 전류계(12)에 표시되는 전류의 값도 커진다. 이러한 빔 감지 시스템(system)을 패러데이 시스템이라고 한다. 패러데이 시스템은 이온주입공정이 수행되는 챔버 내에서 웨이퍼의 주변에 설치된다. 또한 측정은 이온주입 전이나 이온주입 중에 이루어진다.
그런데, 패러데이 시스템은 다음과 같은 문제점이 있다. 첫째, 시스템이 이온주입공정이 진행되는 챔버 내에 있으므로 이물질이 패러데이 컵(12)에 흡착되어 측정오차를 야기할 수 있다. 둘째, 주사되는 이온빔에 의해 웨이퍼 상의 포토레지스트가 에싱(ashing)되어 포토레지스트를 구성하는 탄소 및 수소가 이온화함으로써 이온 빔(10)의 이온화 가수에 영향을 줄 수 있다. 이온화 가수의 변화(예컨대, 1가의 양이온이 2가의 양이온으로 변화)가 일어나면, 이를 중성화시키는 전류의 양도 달라지므로 이것은 측정오차가 된다. 셋째, 패러데이 시스템은 웨이퍼에 직접 주사되는 이온 빔을 실시간에 측정하는 방법이 아니므로 웨이퍼의 각 부위에 조사되는 도즈량을 구할 수는 없다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 이물질에 의해 영향을 받지 않고 이온 빔의 양을 측정하며, 웨이퍼의 각 부위에 이온주입되는 도즈량을 실시간에 측정할 수 있는 빔 감지기를 포함한 이온주입장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 웨이퍼의 각 부위에 이온주입되는 도즈량을 실시간에 측정할 수 있는 빔 감지기를 이용한 도즈량 측정방법을 제공하는 데 있다.
도1은 일반적인 패러데이(Faraday) 시스템을 이용한 빔 감지기를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도2는 본 발명에 의한 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도3은 본 발명에 의한 빔 감지기를 설명하기 위해 도시한 정면도이다.
도4는 본 발명에 의해 이온주입된 도즈량을 측정하는 방법을 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도5는 본 발명에 의해 이온주입된 도즈량을 측정한 결과를 설명하기 위한 도표이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 ; 챔버 102 ; 이온빔
104 ; 제1 빔통로 106 ; 빔스캐너
108 ; 제1 보정자석 110 ; 제2 빔통로
112 ; 빔 감지기 114 ; 제2 보정자석
116 ; 웨이퍼 118 ; 전류계
202 ; 스캔영역 X ; 측정기준점
SU; 스캔업공정 SD; 스캔다운공정
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 이온주입장치는, 기체나 고체상태의 원료를 이온화하여 생성된 이온 빔을 웨이퍼에 주사하는 빔 스캐너와, 상기 빔 스캐너에 의해 주사되는 빔의 양을 자속의 변화에 의해 감지하는 빔 감지기 및 상기 빔 감지기에 의해 감지된 상기 빔의 양을 전기적인 방법으로 표시하는 전류계를 구비한다.
여기서, 상기 빔 스캐너에서 주사되는 빔이 상기 빔 감지기의 내부로 집속되도록 보정하는 제1 보정자석을 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 빔 감지기에서 감지되는 빔의 양에 미치는 상기 제1 보정자석에 의한 자장의 왜곡을 상쇄하기 위해 상기 빔 감지기과 상기 웨이퍼 사이에 제2 보정자석을 더 구비하는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 빔 스캐너, 상기 빔 감지기와 상기 전류계를 포함하는 시스템이 상기 이온주입공정을 수행하는 챔버의 외부에 설치되는 것이 적절하며, 상기 빔 감지기는 상기 제1 보정자석에 의해 형성된 빔이 통과하는 통로의 외부에 장착되는것이 바람직하다.
더 나아가, 상기 전류계는 상기 빔의 양이 커지면 표시되는 전류가 증가되는 것을 나타낼 수 있다.
또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 빔 감지기를 이용한 도즈량 측정방법은, 기체나 고체상태의 원료에서 생성된 이온 빔을 감지하는 빔 감지기를 이용하여, 웨이퍼를 스캔하면서 상기 빔 감지기에 의해 도출되는 전류에 의해 상기 웨이퍼에 이온주입되는 도즈(dose)량을 측정하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 도즈량은 상기 웨이퍼의 일방으로 스캔하는 스캔업공정과 반대방향으로 스캔하는 스캔다운공정을 반복하는 것에 의해 측정할 수 있으며. 상기 스캔업공정과 스캔다운공정에 의해 도출된 도즈량에 의해 최적의 도즈량을 얻기 위한 이온빔의 양을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정하는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도2는 본 발명의 실시예에 의한 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도2를 참조하면, 기체나 고체상태의 원료을 이온화하여 생성된 이온 빔(102)이 제1 빔통로(104)를 거쳐 빔 스캐너(106)에 다다르면, 이온 빔(102)은 빔스캐너(106)에 의하여 확장된다. 이때 빔 스캐너(106)는 기계식을 사용할 수 있고 전기식과 기계식을 혼합하여 사용할 수 있다. 예컨대, 전기식 빔 스캐너(106)는 부채모양으로 펼쳐진 전극에 양(+)의 바이어스를 인가하면 양이온인 이온 빔(102)은 양(+)의 바이어스에 의해 척력이 작용하여 전극에서 밀려난다. 이어서, 전극에 음(-)의 바이어스를 인가하면 인력이 작용하여 양이온인 이온 빔(102)을 전극으로 끌어당긴다. 이러한 과정을 매우 빠르게, 예컨대 약 1K ㎐(헤르쯔) 정도로 반복시키면 제1 빔통로(104)를 거친 이온 빔(102)은 빔 스캐너(106)에 의해 부채모양으로넓게 확장된다.
빔 스캐너(106)에 의해 확장된 이온 빔(102)은 웨이퍼(116)에 대해 직진성이 없으므로 제1 보정자석(108)에 의해 직진성이 부여된다. 상기 직진화된 이온 빔(102)은 빔 감지기(112)를 통과한다. 빔 감지기(112)는 자석이 링(ring)모양을 한 것으로 이온 빔(102)은 링의 내부로 통과된다. 이때, 통과된 이온 빔(102)의 양은, 이온 빔(102)에 의해 빔 감지기(112)에 형성되는 자속의 변화를 이용하여 측정한다. 여기서, 빔 감지기(112)의 자장(磁場)에 제1 보정자석(108)에서 형성된 자장이 영향을 미치지 않아야 한다. 빔 감지기(112)는 제1 보정자석(108)에 의해 형성된 빔이 통과하는 제1 빔통로(104)의 외부에 장착된다. 제1 보정자석(108)에 의한 자장의 왜곡을 방지하기 위하여 이를 상쇄할 수 있는 제2 보정자석(114)을 빔 감지기(112)에 부착한다.
빔 감지기(112)와 제2 보정자석(114)을 거친 이온 빔(102)은 챔버(100) 내에 로딩(loading)된 웨이퍼(106)에 주입된다.
도3은 본 발명에 의한 빔 감지기를 설명하기 위해 도시한 정면도이다.
도3을 참조하면, 이온 빔(102)이 빔 감지기(112)에 다다르면, 이온 빔(102)에 의해 빔 감지기(112)에 자속의 변화가 일어난다. 이를 로렌쯔(Lorenz) 변화라고 하며, 상기 자속의 변화는 이온 빔(102)에 의해 형성된 자속의 변화를 억제하는 방향으로 나타난다. 상기 자속의 변화를 전류의 변화를 야기한다. 이때, 상기 전류의 변화를 전류계(118)에 표시하여 빔 감지기(112)의 의해 감지된 이온 빔(102)의 양를 나타낸다.
이어서, 이온주입 도즈량은 실시간에 측정하여 기록하는 방법을 살펴보기로 한다.
도4는 본 발명의 실시예에 의해 이온주입된 도즈량을 측정하는 방법을 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도4를 참조하면, 기체나 고체상태의 원료에서 생성된 이온 빔(102)을 감지하는 빔 감지기(112)를 이용하여, 웨이퍼(116)를 스캔(scan)하면서 빔 감지기(112)에 의해 도출되는 전류에 의해 웨이퍼(116)에 이온주입되는 도즈량으로 환산하여 측정한다. 즉, 이온 빔(102)의 양이 많아지면 빔 감지기(112)에 감지되는 전류량도 커지고 이에 따라 상기 전류량에 의해 환산되는 도즈량도 크다.
측정방법을 살펴보면, 이온주입기는 고정되어 있고 웨이퍼(116)를 이동하면 스캔한다. 이때, 웨이퍼(116)가 한쪽 방향에서 다른 쪽 방향으로 이동하면서 스캔하는 것을 스캔업공정(SU)이라고 하며, 반대방향으로 이동하면서 스캔하는 것을 스캔다운공정(SD)이라고 정의한다. 웨이퍼(116)의 스캔은, 스캔업공정(SU)과 스캔다운공정(SD)을 반복하여 실시함으로써 수행한다. 이렇게 하여 얻어진 도즈량은 적절한 장치에 의해 기록된다. 결과적으로, 웨이퍼(116)를 스캔하면서 도즈량을 측정함으로써 웨이퍼(116)의 각 부위에서의 도즈량의 분포를 정확하게 파악할 수 있다.
도5는 본 발명의 실시예에 의해 이온주입된 도즈량을 측정한 결과를 설명하기 위한 도표이다.
도5를 참조하면, 도즈량은 스캔업공정(SU)과 스캔다운공정(SD)을 반복 실시하여 각 공정별로 얻어진 이온 빔(102)의 양을 전류값으로 표시된다. 이때, 웨이퍼(116)의 임의의 지점에 기준점을 설정하여 최적의 도즈량 및 이온주입공정의 안정성을 파악할 수 있다. 상기 기준점을 측정기준점(X)이라고 한다. 각 공정에서의 측정기준점(X)에 표시된 전류값을 비교하면, 최적의 도즈량을 구할 수 있으며 이온주입공정의 안정성을 확인할 수 있다. 만일, 원하는 도즈량이 아닌 경우에는 적절한 조치를 취할 수 있다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고 당업자에 의해 많은 변형 및 개량이 가능하다.
상술한 본 발명에 의한 이온주입장치 및 도즈량 측정방법은, 이온 빔의 양을 자속의 변화에 의해 감지하는 빔 감지기를 이온주입공정이 수행되는 챔버 외부에 설치하고 이온 빔에 직접 접촉하지 않게 함으로써, 이물질에 의해 영향을 받지 않고 이온 빔의 양을 측정하며, 웨이퍼의 각 부위에 이온주입되는 도즈량을 실시간에 측정할 수 있다.

Claims (9)

  1. 기체나 고체상태의 원료를 이온화하여 생성된 이온 빔을 웨이퍼에 주사하는 빔 스캐너;
    상기 빔 스캐너에 의해 주사되는 빔의 양을 자속의 변화에 의해 감지하는 빔 감지기; 및
    상기 빔 감지기에 의해 감지된 상기 빔의 양을 전기적인 방법으로 표시하는 전류계를 구비하는 것을 특징으로 하는 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 빔 스캐너에서 주사되는 빔이 상기 빔 감지기의 내부로 집속되도록 보정하는 제1 보정자석을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 빔 감지기에서 감지되는 빔의 양에 미치는 상기 제1 보정자석에 의한 자장의 왜곡을 상쇄하기 위해 상기 빔 감지기와 상기 웨이퍼 사이에 제2 보정자석을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 빔 스캐너, 상기 빔 감지기와 상기 전류계를 포함하는 시스템은 상기 이온주입공정을 수행하는 챔버의 외부에 설치되는 것을 특징으로 하는 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 빔 감지기는 상기 제1 보정자석에 의해 형성된 빔이 통과하는 통로의 외부에 장착되는 것을 특징으로 하는 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전류계는 상기 빔의 양이 커지면 표시되는 전류가 증가되는 것을 나타내는 것을 특징으로 하는 빔 감지기를 포함하는 이온주입장치.
  7. 기체나 고체상태의 원료에서 생성된 이온 빔을 감지하는 빔 감지기를 이용하여,
    웨이퍼를 스캔하면서 상기 빔 감지기에 의해 도출되는 전류에 의해 상기 웨이퍼에 이온주입되는 도즈(dose)량을 측정하는 단계;
    를 포함하는 빔 감지기에 의한 이온주입 도즈량 측정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 도즈량은 상기 웨이퍼의 일방으로 스캔하는 스캔업공정과 반대방향으로 스캔하는 스캔다운공정을 반복하는 것에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 빔 감지기에 의한 이온주입 도즈량 측정방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 스캔업공정과 스캔다운공정에 의해 도출된 도즈량에 의해 최적의 도즈량을 얻기 위한 이온빔의 양을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 감지기에 의한 이온주입 도즈량 측정방법.
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KR960009020B1 (en) * 1993-06-17 1996-07-10 Lg Electronics Inc Refrigerator
KR970052183A (ko) * 1995-12-30 1997-07-29 김주용 이온 빔 각도 조정이 가능한 이온 주입기
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