KR20020061256A - Load lock chamber for a semiconductor device fabrication equipment - Google Patents

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KR20020061256A
KR20020061256A KR1020010002214A KR20010002214A KR20020061256A KR 20020061256 A KR20020061256 A KR 20020061256A KR 1020010002214 A KR1020010002214 A KR 1020010002214A KR 20010002214 A KR20010002214 A KR 20010002214A KR 20020061256 A KR20020061256 A KR 20020061256A
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load lock
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gas
purge
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KR1020010002214A
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원종식
이종만
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삼성전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A load lock chamber of a semiconductor manufacturing equipment is provided to reduce the particles occurring in a semiconductor manufacturing process due to the swirl by minimizing the swirl generated by the purge gas when a load lock chamber changes from the vacuum state to the atmosphere state. CONSTITUTION: A wafer is carried into a load lock chamber(120) or carried out of the load lock chamber in the atmospheric pressure. The loading/unloading of the wafer from the load lock chamber to a process chamber(110) is performed in the vacuum state. The pressure of the load lock chamber is controlled by a purge/vent unit(130) and a vacuum unit. The purge/vent unit includes a nozzle(132) through which a purge/vent gas flows, a supply line(134) for supplying the purge gas to the nozzle, and a ceramic filter(136) installed between the nozzle and the supply line. The ceramic filter is for injecting the gas supplied to the load lock chamber in 360 angular degrees. Preferably, the purge gas is the nitrogen gas.

Description

반도체 제조 장치의 로드 락 챔버{LOAD LOCK CHAMBER FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION EQUIPMENT}LOAD LOCK CHAMBER FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION EQUIPMENT}

본 발명은 반도체소자의 제조공정에 사용되는 제조 장치에 관한 것으로 특히 웨이퍼를 공정 챔버로 로딩 및 언로딩 시키기 위한 로드 락 챔버를 갖는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber for loading and unloading a wafer into a process chamber.

반도체 제조 장치, 특히 건식 식각 설비(10)의 공정 챔버(12)는 진공을 유지하는 상태에서 반도체 웨이퍼를 식각하는 공정을 진행한다. 반도체 웨이퍼를 이 공정 챔버(12)로 반입하는 과정과 공정이 끝난 후 공정 챔버(12) 외부(로드락 챔저)로 배출하는 과정에서 공정 챔버 내부의 진공 상태는 계속 유지되어야 한다. 이를 위하여 공정 챔버(12)는 그 입구에 반도체 웨이퍼를 예비 장착할 수 있는 로드 락 챔버(14)를 구비한다.The process chamber 12 of the semiconductor manufacturing apparatus, especially the dry etching installation 10, performs a process of etching the semiconductor wafer while maintaining the vacuum. During the process of bringing the semiconductor wafer into the process chamber 12 and discharging the semiconductor wafer to the outside of the process chamber 12 (load lock chamber) after the process is finished, the vacuum inside the process chamber must be maintained. The process chamber 12 has a load lock chamber 14 for preliminarily mounting a semiconductor wafer at its inlet.

이러한 로드 락 챔버(14)에는 로드 락 챔버(14)에서 대기중인 웨이퍼 및 웨이퍼 카세트(18)가 파티클과 같은 불순물에 오염되는 것을 방지하도록 질소 가스(퍼지가스/벤트가스)를 공급 및 배출하기 위한 공급 라인(20)과 노즐(22)로 구성되어 있다.The load lock chamber 14 is configured to supply and discharge nitrogen gas (purge gas / vent gas) to prevent the wafers and wafer cassettes 18 waiting in the load lock chamber 14 from being contaminated with impurities such as particles. It consists of the supply line 20 and the nozzle 22.

이처럼, 기존의 로드 락 챔버(14)의 퍼지/벤트 구조는 한쪽 방향으로만 질소 가스를 플로우 시켜주도록 되어 있기 때문에, 로드 락 챔버(14) 내부에 와류가 발생하였고, 이러한 와류 발생은 P.M 주기를 단축시키고 설비 백업이 늦어지며, 정비 타임이 길어지는 등의 소스로 작용하는 문제가 있다.As described above, since the purge / vent structure of the conventional load lock chamber 14 flows nitrogen gas only in one direction, vortices are generated in the load lock chamber 14, and this vortex generation causes a PM cycle. There are problems such as shortening, delay in backing up equipment, and long maintenance time.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 로드 락 챔버에서 벤트/퍼지 가스가 플로우될 때 와류 발생을 최소화할 수 있도록 한 새로운 형태의 반도체 제조 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a new type of semiconductor manufacturing apparatus capable of minimizing vortex generation when a vent / purge gas is flowed in a load lock chamber.

도 1은 종래 건식 식각 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional dry etching apparatus.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치의 블록도이다.2 is a block diagram of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

110 : 공정 챔버120 : 로드 락 챔버110: process chamber 120: load lock chamber

122 : 웨이퍼 카세트124 : 이송로봇122: wafer cassette 124: transfer robot

130 : 퍼지/벤트 수단132 : 노즐130: purge / vent means 132: nozzle

134 : 공급 라인136 : 세라믹 필터134: supply line 136: ceramic filter

140 : 게이트 밸브140: gate valve

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 장치는 반도체 제조를 위한 공정을 행하는 공정 챔버와; 상기 공정 챔버에서 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위하여 상기 공정 챔버에 게이트 밸브를 통하여 연결된 로드 락 챔버를 포함하되; 상기 로드 락 챔버는 일측에 가스를 분사하는 분사 노즐과; 상기 분사 노즐에 가스를 공급하는 공급 라인과; 상기 분사 노즐과 공급 라인 사이에 설치되어 상기 분사 노즐로 분사되는 가스를 360도 방식으로 분사시킬 수 있는 부재를 구비한 퍼지/벤트 수단을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, a semiconductor manufacturing apparatus includes a process chamber for performing a process for manufacturing a semiconductor; A load lock chamber coupled via a gate valve to the process chamber for loading / unloading wafers in the process chamber; The load lock chamber includes a spray nozzle for injecting gas to one side; A supply line for supplying gas to the injection nozzle; And a purge / vent means provided between the injection nozzle and the supply line and having a member capable of injecting the gas injected into the injection nozzle in a 360 degree manner.

이와 같은 본 발명에서 상기 부재는 세라믹 필터일 수 있다.In the present invention as described above, the member may be a ceramic filter.

이와 같은 본 발명에서 상기 가스는 질소 가스일 수 있다.In the present invention as described above, the gas may be nitrogen gas.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 첨부된 도 2를 참조하면서 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 건식 식각 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.2 is a view schematically showing a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 건식 식각 장치(100)는 공정 챔버(110), 로드 락(load lock) 챔버(120), 그리고 퍼지/벤트(purge/vent) 수단(130)을 갖는다. 상기 로드 락 챔버(120)와 상기 공정 챔버(110)는 게이트 밸브(140)를 통해 연결된다. 미설명부호 122는 웨이퍼 카세트이고 124는 이송 로봇이다.As shown in FIG. 2, the dry etching apparatus 100 has a process chamber 110, a load lock chamber 120, and purge / vent means 130. The load lock chamber 120 and the process chamber 110 are connected through a gate valve 140. Reference numeral 122 is a wafer cassette and 124 is a transfer robot.

상기 건식 식각 장치(100)는 외부로부터 상기 로드 락 챔버(120)로의 웨이퍼 반입 및 로드 락 챔버(120)에서 외부로의 웨이퍼 반출은 대기압 상태에서 이루어진다. 그리고 로드 락 챔버(120)에서 공정 챔버(110)로의 웨이퍼 로딩/언로딩은 진공 상태에서 이루어진다.In the dry etching apparatus 100, the wafer is loaded into the load lock chamber 120 from the outside and the wafer is removed from the load lock chamber 120 at an atmospheric pressure. The wafer loading / unloading from the load lock chamber 120 to the process chamber 110 is performed in a vacuum state.

이러한, 로드 락 챔버(120)의 압력 조절은 상기 퍼지/벤트 수단(130) 및 베큐(vacuum) 수단(미도시됨)에 의해 이루어진다.This pressure adjustment of the load lock chamber 120 is made by the purge / vent means 130 and the vacuum means (not shown).

상기 퍼지/벤트 수단(130)은 퍼지 가스(또는 벤트 가스)가 플로우되는 노즐(132)과, 상기 노즐(132)에 퍼지 가스를 공급하는 공급 라인(134) 및 상기 노즐(132)과 공급 라인(134) 사이에 설치되어 상기 노즐(132)을 통해 로드 락 챔버(120)로 공급되는 가스를 360도 방식으로 분사시킬 수 있는 세라믹 필터(136)를 갖는다. 그리고, 여기서, 상기 퍼지 가스는 질소 가스인 것이 바람직하다.The purge / vent means 130 includes a nozzle 132 through which purge gas (or vent gas) flows, a supply line 134 for supplying purge gas to the nozzle 132, and a supply line with the nozzle 132. It is provided between the 134 and the ceramic filter 136 that can inject the gas supplied to the load lock chamber 120 through the nozzle 132 in a 360 degree manner. Here, the purge gas is preferably nitrogen gas.

본 발명에 따른 건식 식각 장치는 로드 락 챔버에서 대기가 형성될 때 웨이퍼에 파티클이 전혀 묻지 않고 안정된 벤트 시스템을 구축할 수 있는 것이다.The dry etching apparatus according to the present invention is capable of constructing a stable vent system without any particles on the wafer when the atmosphere is formed in the load lock chamber.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.For example, embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.

이상에서, 본 발명에 따른 건식 식각 장치에서의 로드 락 챔버의 퍼지/벤트 시스템의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the purge / vent system of the load lock chamber in the dry etching apparatus according to the present invention has been shown according to the above description and drawings, but this is only an example and does not depart from the spirit of the present invention. Various changes and modifications are possible within the scope.

이와 같은 본 발명을 적용하면 로드 락 챔버가 진공에서 대기압으로 바뀔 때 퍼지 가스의 와류를 최소화함으로써, 와류 발생으로 인한 반도체 제조 공정에 제공되는 파티클(particle)을 감소시킬 수 있다. 따라서, 반도체 제조 공정의 공정 효율이 개선되며, 반도체 장치의 신뢰성이 향상된다.By applying the present invention, by minimizing the vortex of the purge gas when the load lock chamber is changed from vacuum to atmospheric pressure, it is possible to reduce the particles provided to the semiconductor manufacturing process due to the vortex generation. Therefore, the process efficiency of the semiconductor manufacturing process is improved, and the reliability of the semiconductor device is improved.

Claims (3)

반도체 제조 장치에 있어서:In a semiconductor manufacturing apparatus: 반도체 제조를 위한 공정을 행하는 공정 챔버와;A process chamber performing a process for semiconductor manufacturing; 상기 공정 챔버에서 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위하여 상기 공정 챔버에 게이트 밸브를 통하여 연결된 로드 락 챔버를 포함하되;A load lock chamber coupled via a gate valve to the process chamber for loading / unloading wafers in the process chamber; 상기 로드 락 챔버는The load lock chamber 가스를 로드락 챔버로 플로우하기 위한 노즐과;A nozzle for flowing gas into the load lock chamber; 상기 노즐에 가스를 공급하는 공급 라인과;A supply line for supplying gas to the nozzle; 상기 노즐과 공급 라인 사이에 설치되어 상기 노즐로 분사되는 가스를 360도 방식으로 플로우시킬 수 있는 부재를 구비한 퍼지/벤트 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a purge / vent means provided between the nozzle and the supply line and having a member capable of flowing the gas injected into the nozzle in a 360 degree manner. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 부재는 세라믹 필터인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And the member is a ceramic filter. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The gas is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the nitrogen gas.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100648261B1 (en) * 2004-08-16 2006-11-23 삼성전자주식회사 Load lock module for eliminating wafer fume efficiently

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