KR20020057276A - 씨모스 이미지센서 제조 방법 - Google Patents
씨모스 이미지센서 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020057276A KR20020057276A KR1020000087579A KR20000087579A KR20020057276A KR 20020057276 A KR20020057276 A KR 20020057276A KR 1020000087579 A KR1020000087579 A KR 1020000087579A KR 20000087579 A KR20000087579 A KR 20000087579A KR 20020057276 A KR20020057276 A KR 20020057276A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image sensor
- sog
- film
- product die
- cmos image
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 프로덕트다이와 스크라이브라인 경계 영역을 식각할 때, SOG막이 드러나므로 인해 발생되는 소자 신뢰성 저하를 방지하는 CMOS 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 프로덕트다이와 스크라이브라인 경계에 금속배선을 추가 패턴하여 이 지역을 하이 타포로지가 되도록 하여, SOG막이 드러나지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 CMOS 이미지센서 제조방법에 관한 것으로, 특히 프로덕트 다이(product die) 주변(peripheral) 영역의 절연막(산화막) 적층 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이 CMOS 이미지센서는 픽셀 어레이 영역과 논리회로 영역인 주변영역으로 구분된다.
도1은 CMOS I이미지센서의 픽셀 어레이 영역 아닌 주변영역과 스크라이브라인을 나타낸 것이다. 따라서 픽셀 영역의 포토다이오드와 CFA(color Filter Array)와 마이크로렌즈는 도식되지 않고 적층 산화막 위주로 도시되어 있다.
도1을 참조하면, 기판(101)상에 소자분리막(102)과 트랜지스터의 게이트들이 형성되고 그 위로 금속배선전절연막(PMD), 제1금속배선(103), 산화막(104)/SOG막(105)/산화막(106)이 적층되어 제1 금속배선간절연막(IMO 1)이 형성된다. 이어 그 상부로 제2금속배선(107)이 형성되고 역시 산화막(108)/SOG막(109)/산화막(110)이 적층되어 제2 금속배선간절연막(IMO2)이 형성된다. 그 상부로 LTO산화막(111)이 형성된다.
이어서, 도면에 도시되지 않았지만 제2 금속층인 광차단층이 형성되고, 그 상부에 소자보호막이 형성된 다음, 칼라필터어레이, 평탄화층, 마이크로렌즈 등이 차례로 적층되게 된다. 즉, CMOS 이미지센서 공정은 종래 로직 공정인 DLM(double level metal) 구조와 비교할 때 종래의 DLM 위에 CFA 및 마이크로렌즈 공정이 추가되는 복잡한 공정 방법이다.
한편, 이러한 종래의 이미지센서 제조 공정은 패드 식각후 스크라이브영역의 산화막 및 SOG막이 제거되면서 프로덕트 다이 식각 후 벽면에는 SOG가 드러나게되어 패드식각 후 순수에서의 세정 또는 어셈블리시의 순수와의 접촉에 의해 SOG가 특성이 변하하여 프로덕트 다이 영역을 변형시켜 소자 신뢰성을 떨어뜨린다.
본 발명은 프로덕트다이와 스크라이브라인 경계 영역을 식각할 때, SOG막이 드러나므로 인해 발생되는 소자 신뢰성 저하를 방지하는 CMOS 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도1은 종래기술에 따른 이미지센서 구조를 보여주는 단면도.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이미지센서 구조를 보여주는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
201 : 기판
202 : 소자분리막
203 : 제1금속배선
204, 206, 208, 209, 210 : 산화막
205 : SOG막
207 : 제2금속배선
211 : LTO산화막
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 프로덕트다이와 스크라이브라인 경계에 금속배선을 추가 패턴하여 이 지역을 하이 타포로지가 되도록 하여, SOG막이 드러나지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도2를 참조하면, 기판(201)상에 소자분리막(202)과 트랜지스터의 게이트들이 형성되고 그 위로 금속배선전절연막(PMD), 제1금속배선(203), 산화막(204)/SOG막(205)/산화막(206)이 적층되어 제1 금속배선간절연막(IMO 1)이형성된다.
이어 그 상부로 제2금속배선(207)이 형성되고 역시 산화막(208)/SOG막(209)/산화막(210)이 적층되어 제2 금속배선간절연막(IMO2)이 형성된다. 그 상부로 LTO산화막(211)이 형성된다.
이어서, 도면에 도시되지 않았지만 제2 금속층인 광차단층이 형성되고, 그 상부에 소자보호막이 형성된 다음, 칼라필터어레이, 평탄화층, 마이크로렌즈 등이 차례로 적층되게 된다.
이와 같이 그 구조는 종래와 동일하다. 단지 제1금속배선 패턴과 제2금속배선 패턴을 프로덕트다이 에지에 추가 패턴을 적층시켜 상대적으로 하이 타포로지 지역을 형성한다.
산화막 및 SOG적층시 금속배선 사이의 로우(low) 타포로지 영역에만 잔존시키도록 한 후, 패드 마스크 및 식각시 스크라이브 라인의 잔류 산화막 및 SOG가 동시에 식각되도록 한다.
친수성인 SOG가 추후 CFA, 마이크로렌즈, 어셈블리 공정의 순수와 접촉을 차단하는 방법으로 SOG 결함을 감소시킨다.
이에 의해 수율향상과 신뢰성 향상을 가져다 준다.
Claims (1)
- 프로덕트다이와 스크라이브라인 경계에 금속배선을 추가 패턴하여 이 지역을 하이 타포로지가 되도록 하여, SOG막이 드러나지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000087579A KR20020057276A (ko) | 2000-12-30 | 2000-12-30 | 씨모스 이미지센서 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000087579A KR20020057276A (ko) | 2000-12-30 | 2000-12-30 | 씨모스 이미지센서 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020057276A true KR20020057276A (ko) | 2002-07-11 |
Family
ID=27690414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000087579A KR20020057276A (ko) | 2000-12-30 | 2000-12-30 | 씨모스 이미지센서 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20020057276A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030039677A (ko) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서의 제조 방법 |
-
2000
- 2000-12-30 KR KR1020000087579A patent/KR20020057276A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030039677A (ko) * | 2001-11-14 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7345330B2 (en) | Local interconnect structure and method for a CMOS image sensor | |
| KR100504563B1 (ko) | 이미지 센서 제조 방법 | |
| JP4486043B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 | |
| US20090090944A1 (en) | Image Sensor and Method of Fabricating the Same | |
| KR100538069B1 (ko) | 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법 | |
| KR100672671B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20020057276A (ko) | 씨모스 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100790288B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR101038807B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100733706B1 (ko) | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100305402B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR20010109166A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100741920B1 (ko) | 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR20070023418A (ko) | 집광 효율을 증가시킨 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100671699B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20050059738A (ko) | 씨모스 이미지 센서 제조방법 | |
| KR20030039713A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100461974B1 (ko) | 시모스 이미지센서의 선택적 실리사이드 형성방법 | |
| KR20040006748A (ko) | 이미지센서 제조방법 | |
| CN105448943A (zh) | 一种背照式传感器及其制作工艺 | |
| KR100720491B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR20040060554A (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100720463B1 (ko) | 시모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR20030057646A (ko) | 시모스 이미지센서의 마이크로렌즈 제조방법 | |
| US20080044942A1 (en) | Method of fabricating cmos image sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |