KR20020055164A - Mask structure used for photolithography - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포토리소그래피용 마스크 구조에 관한 것으로, 특히 마스크상에 구현된 설계 레이아웃 패턴 엣지에서의 노광 광원 산란현상에 의한 웨이퍼상의 상(Image) 왜곡을 최소화하기 위한 마스크구조에 관한 것이다.The present invention relates to a mask structure for photolithography, and more particularly, to a mask structure for minimizing image distortion on a wafer due to exposure light source scattering at a design layout pattern edge implemented on a mask.
종래의 기술로 제작된 마스크는 마스크상에 구현된 패턴 엣지에서 발생되는 노광 광원의 산란을 하프톤(Half tone)마스크를 사용하여 그 영향을 최소화하는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 방법은 마스크 제작공정단계의 증가로 인하여 제작기간이 길어지고 불량 발생 확률이 커지는 단점이 있다.The mask manufactured according to the prior art uses a method of minimizing the influence of the scattering of the exposure light source generated at the pattern edge implemented on the mask using a half tone mask. However, this method has a disadvantage in that the manufacturing period becomes longer and the probability of defects is increased due to the increase in the mask manufacturing process step.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 포토리소그래피공정 진행시 마스크상의 패턴 엣지에서 발생된 산란에 의한 노광 광원을 차단함으로써 웨이퍼상에서 보다 정확한 포토레지스트 패턴을 구현할 수 있도록 하는 마스크구조를 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a mask structure for realizing a more accurate photoresist pattern on a wafer by blocking an exposure light source due to scattering generated at a pattern edge on a mask during a photolithography process. There is this.
도1은 본 발명의 일실시예에 의한 마스크의 단면구조도.1 is a cross-sectional structure diagram of a mask according to an embodiment of the present invention.
도2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 마스크의 단면구조도.Figure 2 is a cross-sectional view of the mask according to another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 석영기판 20 : 편광필터층10: quartz substrate 20: polarization filter layer
30 : 패턴30: pattern
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 포토리소그래피용 마스크 구조에 있어서, 마스크기판과; 상기 마스크기판에 부착된 편광필터층; 및 상기 마스크기판상에 형성된 소정 레이아웃에 따른 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, in the mask structure for photolithography, a mask substrate; A polarization filter layer attached to the mask substrate; And a pattern according to a predetermined layout formed on the mask substrate.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.
본 발명은 마스크 제작을 위한 블랭크 마스크(Blank mask) 제작과정에서 먼저 마스크와 90도 각을 이루는 노광 광원외에는 마스크를 통과하지 못하도록 편광필터의 역할을 하는 층을 추가하여 마스크를 제작함으로써 포토리소그래피공정 진행시 마스크상의 패턴 엣지에서 발생된 산란에 의한 노광 광원은 차단되도록 한 것이다.The present invention proceeds the photolithography process by manufacturing a mask by adding a layer that acts as a polarization filter so as not to pass through the mask other than an exposure light source having a 90 degree angle with the mask in the manufacturing process of a blank mask for manufacturing a mask. The exposure light source due to scattering generated at the pattern edge on the mask is blocked.
도1에 본 발명의 일실시예에 의한 마스크 구조를 단면도로 나타내었다.Figure 1 shows a mask structure according to an embodiment of the present invention in a cross-sectional view.
도1에 나타낸 바와 같이 본 발명에 의한 마스크는 석영기판(10)상에 마스크와 90도 방향의 빛만 통과시키는 편광필터층(20)이 형성되고, 이위에 소정의 레이아웃에 따른 패턴(30)이 형성된 구조로 되어 있다.As shown in FIG. 1, in the mask according to the present invention, a polarization filter layer 20 through which only a mask and light in a 90 degree direction passes is formed on a quartz substrate 10, and a pattern 30 according to a predetermined layout is formed thereon. It is structured.
도2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 마스크 구조를 단면도로 나타낸 것으로, 석영기판(10)의 후면에 마스크와 90도 방향의 빛만 통과시키는 편광필터층(20)이 형성되고, 석영기판의 전면에 소정의 레이아웃에 따른 패턴(30)이 형성된 구조로 되어 있다.2 is a cross-sectional view showing a mask structure according to another embodiment of the present invention. A polarization filter layer 20 through which only 90 degrees of light passes through a mask is formed on a rear surface of a quartz substrate 10, and is formed on a front surface of the quartz substrate. It has a structure in which the pattern 30 according to the predetermined layout is formed.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
본 발명은 블랭크 마스크 제작시에 편광필터 역할을 하는 층을 먼저 만들고 그위에 일반적인 마스크 제조공정을 이용하여 마스크를 제작하므로 완성된 설계 데이타를 이용하여 마스크 제작을 할때 실질적인 제작기간을 단축시킬 수 있으며, 마스크 제작비용 또한 낮출 수 있다. 또한, PSM 마스크를 이용할 때보다 웨이퍼상에서 정확한 패턴을 얻을 수 있다. PSM마스크는 위상반전기를 통과한 소량의 빛이 회절에 의해 발생된 빛과 간섭하여 상쇄되는 효과를 얻는 원리이므로 위상반전영역을 통과한 빛의 위상이 회절에 의한 빛에 비해 정확히 180도 위상반전이 되어야 하나, 실제 공정에서 발생된 산란된 빛이 마스크와 90도 각도를 이루고 있지 않으며, 위상반전기를 통과한 빛의 위상 또한 정확히 180도 반전되어 통과하지 못하므로 웨이퍼상의 상에서 왜곡이 발생하고, 일예로 PSM마스크 사용에도 불구하고 사이드로브(Side-lobe)가 발생하기도 한다. 그러나 본 발명에 의한 마스크를 사용할 경우에는 마스크상의 패턴을 통과한 빛이 편광필터 역할을 하는 영역을 지나면서 마스크와 정확히 90도를 이루지 않는 산란된 빛은 통과시키지 않게 되어 웨이퍼상에 보다 정확한 상을 구현할 수 있게 된다.In the present invention, since a mask acting as a polarization filter is first made in the manufacture of a blank mask, and a mask is manufactured using a general mask manufacturing process thereon, a substantial manufacturing time can be shortened when manufacturing a mask using the completed design data. In addition, the mask manufacturing cost can be lowered. In addition, an accurate pattern can be obtained on a wafer than when using a PSM mask. PSM mask is a principle that a small amount of light passing through the phase inverter is canceled by interference with the light generated by the diffraction, so that the phase of the light passing through the phase inversion region is exactly 180 degrees compared to the light by the diffraction. However, the scattered light generated in the actual process is not at an angle of 90 degrees with the mask, and the phase of the light passing through the phase inverter is also not exactly inverted by 180 degrees, causing distortion on the wafer. Side-lobe may occur despite the use of PSM masks. However, in the case of using the mask according to the present invention, the light passing through the pattern on the mask passes through the region acting as a polarization filter, so that scattered light that does not form exactly 90 degrees with the mask does not pass, thereby providing a more accurate image on the wafer. It can be implemented.
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Priority Applications (1)
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| KR1020000084527A KR20020055164A (en) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Mask structure used for photolithography |
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| KR1020000084527A KR20020055164A (en) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | Mask structure used for photolithography |
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| KR (1) | KR20020055164A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100871788B1 (en) * | 2002-10-18 | 2008-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | apparatus and method of photo-lithography |
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2000
- 2000-12-28 KR KR1020000084527A patent/KR20020055164A/en not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR100871788B1 (en) * | 2002-10-18 | 2008-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | apparatus and method of photo-lithography |
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