KR20020041449A - 예비 처리된 가스 분배판 - Google Patents
예비 처리된 가스 분배판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020041449A KR20020041449A KR1020027004175A KR20027004175A KR20020041449A KR 20020041449 A KR20020041449 A KR 20020041449A KR 1020027004175 A KR1020027004175 A KR 1020027004175A KR 20027004175 A KR20027004175 A KR 20027004175A KR 20020041449 A KR20020041449 A KR 20020041449A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- distribution plate
- gas distribution
- gdp
- processing
- plasma
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
Abstract
Description
Claims (37)
- 반도체 처리 챔버를 포함하는 반도체 제조 장치 내에서 사용되는 가스 분배판에 있어서,처리 가스를 반도체 처리 챔버로 통과시키는 복수의 구멍과,가스 분배판의 전체 작동 수명에 걸쳐서 반도체 제조 장치 내에서 사용되는 처리 화학제에 대해 실질적으로 비반응성인 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 가스 분배판의 상기 부분은 반도체 제조 장치 내에 설치되기 전에 상기 부분 상의 표면 결함을 감소시킴으로써 실질적으로 비반응성이 되는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 가스 분배판의 상기 부분은, 이 부분의 가열에 의해서 실질적으로 비반응성이 되는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 상기 부분은 반도체 처리 챔버의 내부 영역에 노출되는 분배판의 적어도 하나의 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 가스 분배판은 작동 중에 항상 가스 분배판의 전체 작동 수명에 걸쳐서 반도체 제조 장치 내에서 처리되는 웨이퍼에 대하여 평방 센티미터당 0.1보다 낮은 결합 입자를 발생시키는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 가스 분배판의 상기 부분은 상기 반도체 처리 챔버 내에 위치된 웨이퍼의 오염으로 이어질 수 있는 미세 결함을 실질적으로 갖지 않는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제6항에 있어서, 가스 분배판의 상기 부분은 상기 반도체 처리 챔버 내에 위치된 웨이퍼의 오염으로 이어질 수 있는 약 50 마이크로미터의 미세 결함을 실질적으로 갖지 않는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 가스 분배판은 플라즈마 처리 챔버 내에서 사용되는 처리 화학제와의 반응으로부터의 생성물이 기체인 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는가스 분배판.
- 제1항에 있어서, 가스 분배판은 세라믹 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제9항에 있어서, 판은 Si3N4, Al2O3, AlN 및 SiC 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 제9항에 있어서, 세라믹 재료는 반도체 처리 챔버와 대면하는 가스 분배판의 부분 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 가스 분배판.
- 플라즈마 기반 제조 장치에 있어서,처리 가스를 수용하여 그로부터 플라즈마를 형성하는 플라즈마 챔버와,처리 가스를 상기 플라즈마 챔버 내로 공급하는 복수의 구멍을 구비하는 가스 분배판을 포함하고,상기 가스 분배판의 일부분은 상기 가스 분배판의 전체 작동 수명에 걸쳐서상기 플라즈마 챔버 내에서 사용되는 처리 화학제와 실질적으로 비반응성인 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 기반 제조 장치는 반도체 장치를 제조하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 기반 제조 장치는 반도체 에칭 기계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 가스 분배판은 상기 가스 분배판의 전제 작동 수명에 걸쳐서 처리 화학제와 실질적으로 비반응성이도록 가열에 의하여 예비 처리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 가열은 장시간 동안 제어된 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 제16항에 있어서, 제어된 온도는 약 1500℃와 1600℃ 사이인 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 제15항에 있어서, 장시간은 약 5 내지 10 시간인 것을 특징으로 하는 플라즈마 기반 제조 장치.
- 플라즈마 처리 장치 내에서 사용되는 가스 분배판을 만드는 방법에 있어서,가스 분배판을 형성하기 위하여 재료를 가공하는 단계와,그 후에 가스 분배판의 적어도 일부분을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 재료는 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 재료는 Si3N4를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 가열 단계는 장시간 동안 제어된 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제22항에 있어서, 제어된 온도는 약 1500℃ 내지 1600℃ 사이인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제22항에 있어서, 장시간은 약 5 내지 10 시간인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제24항에 있어서, 제어된 온도는 약 1500℃와 1600℃ 사이인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 가공 단계는 재료를 연삭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 가공 단계는 재료 내에 구멍을 천공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 상기 방법은 상기 가열 단계 후에 가스 분배판의 적어도 일부분을 재마무리 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 플라즈마 처리 장치 내에서 사용되는 가스 분배판을 만드는 방법에 있어서,가스 분배판을 성형하기 위하여 재료 제거의 제1 수준에서 재료를 연삭하는 단계와,사용 중에 가스 분배를 용이하게 하기 위하여 가스 분배판 내에 구멍을 천공하는 단계와,재료 제거의 제2 수준에서 가스 분배판의 하나 이상의 표면을 연삭하는 단계와,가스 분배판의 적어도 일부분을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제29항에 있어서, 재료는 복합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제29항에 있어서, 가스 분배판을 가열 후에 하나 이상의 공차를 맞추도록 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제29항에 있어서, 가스 분배판의 일부분은 반도체 제조 장치 내에 설치되기 전에 상기 일부분을 매끄럽게 함으로써 실질적으로 비반응성이 되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제29항에 있어서, 제1 수준에서의 연삭은 거친 연삭이고, 제2 수준에서의 연삭은 미세한 연삭인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제29항에 있어서, 제1 수준에서의 연삭 단계는 외형을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 제조 장치 내에서 사용되는 가스 분배판의 성능을 개선하는 방법에 있어서,반도체 제조 장치 내에서 가스 분배판을 사용하기 전에 가스 분배판의 적어도 일부분을 예비 처리하는 단계를 포함하고,예비 처리는 가스 분배판의 반도체 제조 장치 내에서 사용되는 처리 화학제와의 반응성을 감소시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제35항에 있어서, 예비 처리는 가스 분배판의 적어도 일부분을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제35항에 있어서, 예비 처리는 반도체 제조 장치 내에 포함된 플라즈마 처리 챔버에 노출되는 가스 분배판의 적어도 하나의 표면을 매끄럽게 하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40892199A | 1999-09-30 | 1999-09-30 | |
US09/408,921 | 1999-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020041449A true KR20020041449A (ko) | 2002-06-01 |
KR100806097B1 KR100806097B1 (ko) | 2008-02-21 |
Family
ID=23618329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020027004175A KR100806097B1 (ko) | 1999-09-30 | 2000-09-27 | 예비 처리된 가스 분배판 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040244685A1 (ko) |
JP (1) | JP2003533010A (ko) |
KR (1) | KR100806097B1 (ko) |
TW (1) | TWI240321B (ko) |
WO (1) | WO2001024216A2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100540992B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2006-01-11 | 코리아세미텍 주식회사 | 웨이퍼 에칭용 전극제조방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI327761B (en) * | 2005-10-07 | 2010-07-21 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making semiconductor wafer and wafer holding article |
US20100071210A1 (en) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Applied Materials, Inc. | Methods for fabricating faceplate of semiconductor apparatus |
JP2013062358A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Panasonic Corp | ドライエッチング装置 |
US8883029B2 (en) * | 2013-02-13 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Method of making a gas distribution member for a plasma processing chamber |
KR102240911B1 (ko) | 2020-01-29 | 2021-04-15 | 주식회사 투윈테크 | 반도체 또는 디스플레이 제조에 적용되는 가스 분배 플레이트의 정렬을 위한 위치 측정용 테스트 유닛 및 상기 위치 측정용 테스트 유닛을 이용한 중심 정렬 방법 |
JP2023524516A (ja) * | 2020-04-29 | 2023-06-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理システムにおけるシャワーヘッドのグルーピングフィーチャ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6081076A (ja) | 1983-10-07 | 1985-05-09 | 株式会社日立製作所 | セラミツクスの機械的強度向上法 |
JPS6278178A (ja) | 1985-09-30 | 1987-04-10 | イビデン株式会社 | 炭化珪素焼結体加工品の強度回復方法 |
US5180467A (en) * | 1990-08-08 | 1993-01-19 | Vlsi Technology, Inc. | Etching system having simplified diffuser element removal |
FR2674447B1 (fr) * | 1991-03-27 | 1993-06-18 | Comurhex | Procede de traitement de gaz a base de fluor electrolytique et pouvant contenir des composes uraniferes. |
US5273588A (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-28 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing CVD reactor apparatus comprising contoured electrode gas directing means |
US5417803A (en) * | 1993-09-29 | 1995-05-23 | Intel Corporation | Method for making Si/SiC composite material |
US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
US5643394A (en) | 1994-09-16 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
US5827472A (en) * | 1994-10-19 | 1998-10-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for the production of silicon nitride sintered body |
US6083451A (en) * | 1995-04-18 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Method of producing a polycrystalline alumina ceramic which is resistant to a fluorine-comprising plasma |
US5824605A (en) * | 1995-07-31 | 1998-10-20 | Lam Research Corporation | Gas dispersion window for plasma apparatus and method of use thereof |
US6159297A (en) * | 1996-04-25 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber and processing method |
US5819434A (en) * | 1996-04-25 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Etch enhancement using an improved gas distribution plate |
US5863376A (en) * | 1996-06-05 | 1999-01-26 | Lam Research Corporation | Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
JPH1059773A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-03-03 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
US5993594A (en) * | 1996-09-30 | 1999-11-30 | Lam Research Corporation | Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
JPH10134997A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-22 | Samsung Electron Co Ltd | 2次電位による放電を除去したプラズマ処理装置 |
JPH10167859A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-23 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス部品およびその製造方法 |
US5994678A (en) * | 1997-02-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for ceramic pedestal and metal shaft assembly |
JPH1154488A (ja) | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電極板 |
US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
US6182603B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber |
US6263829B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
-
2000
- 2000-09-27 JP JP2001527310A patent/JP2003533010A/ja active Pending
- 2000-09-27 WO PCT/US2000/026637 patent/WO2001024216A2/en active Application Filing
- 2000-09-27 KR KR1020027004175A patent/KR100806097B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-09-28 TW TW089120122A patent/TWI240321B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-06-30 US US10/882,484 patent/US20040244685A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100540992B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2006-01-11 | 코리아세미텍 주식회사 | 웨이퍼 에칭용 전극제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100806097B1 (ko) | 2008-02-21 |
WO2001024216A2 (en) | 2001-04-05 |
TWI240321B (en) | 2005-09-21 |
JP2003533010A (ja) | 2003-11-05 |
US20040244685A1 (en) | 2004-12-09 |
WO2001024216A3 (en) | 2002-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2237314C2 (ru) | Камера плазменной обработки и способ обработки полупроводниковой подложки в такой камере | |
US7552521B2 (en) | Method and apparatus for improved baffle plate | |
US8118936B2 (en) | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system | |
US6837966B2 (en) | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system | |
US7566368B2 (en) | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system | |
US7811428B2 (en) | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system | |
US6549393B2 (en) | Semiconductor wafer processing apparatus and method | |
JP2012134535A (ja) | 遊離炭素の除去方法 | |
KR20050113671A (ko) | 처리부재 상에 인접한 코팅을 결합시키는 방법 | |
KR100806097B1 (ko) | 예비 처리된 가스 분배판 | |
KR20110005661A (ko) | 표면 처리 방법 | |
US7189653B2 (en) | Etching method and etching apparatus | |
JPS63227021A (ja) | ドライエツチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130128 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140128 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150128 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160126 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170203 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180131 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |