KR20020038722A - 고체 상태 캐패시터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고체 상태 캐패시터들의 분야에 관한 것이고, 특히 고체 상태 캐패시터들을 제조하는 대량 생산 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 특징에 따라, 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법은: 기판층을 제공하는 단계와; 상기 기판층의 표면 상에 침투성 소결 밸브작용 물질로 이루어진 직립한 다수의 보디를 형성시키는 단계와; 상기 보디 상에 절연층을 형성하고 상기 보디의 구멍을 통하여 확장시키는 단계와; 상기 절연층 상에 도전 캐소드층을 형성하는 단계와; 각 보디의 상측 부분 상에 캐소드 종료 수단을 형성하는 단계와; 다수의 개별 캐패시터를 형성시키기 위해 상기 처리된 기판을 자르는 단계를 포함하고, 상기 기판의 부분 각각은 애노드 단자를 형성하고, 침투성 보디는 그 보디의 상측 부분 상에 제공된 캐소드 종료 수단을 구비한 애노드 단자이고, 상기 직립한 침투성 보디는 밸브작용 물질 분말과 접합제의 혼합물을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 다수의 보디로 상기 혼합물을 배치시키는 단계와, 이때 상기 혼합물은 그린 상태이고, 상기 보디를 소결하는 단계에 의해 형성된다.
Description
고체 상태 탄탈륨 캐패시터에 대한 대량 생산 방법은 미국 특허 명세서 제5,357,399호(발명자 이안 살리스베리)에 개시된다. 이 방법은 고체 탄탈륨의 기판 웨이퍼를 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 소결되고, 높은 침투성 탄탈륨층을 형성하는 단계와, 직립한 침투성 탄탈륨의 직선적인 보디(bodies) 어레이를 생성하기 위해 직교 패턴의 채널들로 침투성 탄탈륨층을 자르는 단계와, 그 위에 유전층을 형성하기 위해 상기 보디를 양극처리하는 단계와, 상기 보디를 망간 니트레이트(nitrate) 용제에 담그고 상기 가해진 용제를 망간 디옥사이드로 변화하도록 가열함으로써 캐소드층을 형성하는 단계와, 각 보디의 상측 단부들 상에 각각 도전 탄소층을 그후에 은을 피복하는 단계와, 상기 은층 상에 고체 금속의 웨이퍼로 이루어진 리드(lid)를 결합하는 단계와; 상기 기판과 리드에 의해 제한된 보디 사이의 채널로 절연 수지 물질을 주입하는 단계와; 상기 웨이퍼면에 수직한 방향으로 각 채널의 중앙선을 따라 상기 조합체를 자르는 단계를 포함하여 다수의 캐패시터를 생산하고, 이때 상기 캐패시터의 애노드 단자는 기판 물질로 이루어지고, 상기 캐소드 단자는 리드 물질로 이루어지고, 상기 캐패시터 보디는 상기 피복된 침투성 탄탈륨 보디로 이루어진다.
본 출원인의 계류중인 출원 PCT/GB99/03566 (UK출원 제9916047.5호에 대응출원)은 상기 살리스베리의 변형을 개시하고, 그 출원에서 상기 리드층은 생략된다. 본 발명에 따라 제조된 캐패시터의 경우, 생산된 각 캐패시터의 용적 효율 (volumetric efficiency)이 극대화된다.
본 발명의 목적은 고체 상태 캐패시터들을 제조하는 향상된 방법을 제공하는 것이고, 특히 더 단순하고 쓰레기 물질을 더 적게 생성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 고체 상태 캐패시터의 분야에 관한 것이고, 특히 고체 상태 캐패시터에 대한 대량 생산 방법에 관한 것이다.
도 1 및 3 내지 5는 본 발명의 일실시예에 따른 처리 동안의 기판의 단면도이다.
도 2는 상기 처리에서의 그린 형성 단계이후의 상기 기판의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 방법에 따라 생산된 캐패시터의 일 면으로부터의 단면도이다.
본 발명의 일 특징에 따라, 다수의 고체 상태 캐패시터들을 제조하는 방법은:
-기판층을 제공하는 단계와;
-상기 기판층의 표면 상에 침투성 소결 밸브작용 물질로 이루어진 직립한 다수의 보디를 형성시키는 단계와;
-상기 보디 상에 절연층을 형성하고 상기 보디의 구멍을 통하여 확장시키는 단계와;
-상기 절연층 상에 도전 캐소드층을 형성하는 단계와;
-각 보디의 상측 부분 상에 캐소드 종료 수단을 형성하는 단계와;
-다수의 개별 캐패시터를 형성시키기 위해 상기 처리된 기판을 자르는 단계를 포함하고, 상기 기판의 부분 각각은 애노드 단자를 형성하고, 침투성 보디는 그 보디의 상측 부분 상에 제공된 캐소드 종료 수단을 구비한 애노드 단자이고, 상기 직립한 침투성 보디는 (i)밸브작용 물질 분말과 접착제의 혼합물을 제공하는 단계와, (ii)상기 기판 상에 다수의 보디로 상기 혼합물을 배치시키는 단계와, 이때 상기 혼합물은 그린(green) 상태이고, (iii)상기 보디를 소결하는 단계에 의해 형성된다.
상기 그린 형성 단계는 예를 들면 다이(die)와 펀치(punch)의 결합 세트의 사용에 의한 압축 프로세스를 포함하고, 상기 다이는 소정의 보디 형태와 분포에 대응하는 다수의 홀들(holes)로 형성되고, 다수의 펀치들은 상기 홀 내에 놓여진 그린 혼합체를 상기 기판으로 압축하는데 사용된다. 상기 다이 압축 프로세스는 각 개별 보디에 그린 물질층들을 형성하기 위해 반복된다.
바람직한 실시예에서, 상기 밸브-작용 물질은 금속, 특히 탄탈륨이다. 그러나 다른 밸브-작용 금속들 및 물질들이 본 발명의 프로세스에 사용될 수 있다. 적절한 물질들의 예들은 니오브, 몰리브덴, 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐, 지르코늄 및 상기 금속들의 합금이며, 또한 밸브 작용 산화물질들이다. 특히 적절한 금속들의 바람직한 예들은 니오브와 탄탈륨이다.
상기 밸브 작용 금속이 탄탈륨일 때, 상기 기판은 바람직하게는 고체 탄탈륨 웨이퍼이고, 그럼으로써 상기 침투성 금속과의 물리적 및 화학적 조화를 확실하게 한다. 일반적으로, 상기 기판은 상기 밸브-작용 물질과 조화를 이룬다. 전형적으로 상기 기판 물질은 고체 밸브 작용 물질로 이루어질 것이다.
거친 결정형 분말의 시딩층(seeding layer)은 더 미세한 결정형 그린 분말/접착물 혼합체가 상기 직립한 보디를 형성하기 위해 상기 기판에 압축되기 전에, 상기 기판에 피복되고 소결되어야 한다. 상기 거친 결정형 분말은 상기 소결된 침투성 보디들과 상기 기판 간의 강한 연결이 생성되는 것을 확실하게 하는 기계적 키잉(keying)을 제공한다. 상기 강한 연결은 상기 제조 프로세스에서의 후속하는 단계 동안 상기 기판으로부터의 상기 침투성 보디의 분리가 야기되지 않도록 하기 위해 요구된다.
바람직하게는, 상기 시드층은 상기 침투성 보디들이 놓여있을 위치들의 상기 기판 상에 놓여진다. 그리고, 본 발명의 다른 특징에 따라, 다수의 고체 상태 캐패시터들을 제조하는 방법은: -기판 층을 제공하는 단계와; 침투성 소결 밸브-작용 물질로 이루어진 다수의 직립한 보디들을 상기 기판층의 표면 상에 형성하는 단계와; -절연층을 형성하고, 상기 보디들의 침투성을 통하여 확장시키는 단계와; -상기 절연층상에 도전 캐소드층을 형성하는 단계와; -각 보디의 상측 부분 상에 캐소드 종료 수단을 형성하는 단계와; -다수의 개별 캐패시터 보디들을 형성하기 위해 상기 처리된 기판을 자르는 단계를 포함하고, 상기 기판 부분의 각각은 애노드 단자를 형성하고, 침투성 보디는 그 위의 상측 부분에 제공된 캐소드 종료 수단을 구비한 애노드 단자이고, 상기 기판 상에 상기 밸브-작용 보디들의 형성이전에 상기 기판 상에 상대적으로 거친 결정형 물질의 시딩층이 제공되고, 상기 시딩층은 상기 기판 상에 형성되는 시딩 탭 어레이로서 제공되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는 상기 탭들은 상기 직립한 보디들과 동일한 밸브-작용 물질로이루어진다. 상기 탭들은 소정의 분포의 탭들을 구비하는 스크린(screen) 인쇄(printing)층의 피복에 의해 형성될 것이다. 또는, 스텐실링(stencilling)이 적절한 패턴의 탭들을 위치시키는 데 사용된다. 상기 방법은 이러한 두 방법에 제한되지 않고, 시딩 물질탭들의 적절한 어레이를 피복하는 다른 방법들을 포함할 것이다. 시딩 탭 어레이를 위치시키는 장점은 균일한 시딩층의 종래 기계조작이 회피되는 점에 있다. 경제적 및 환경적 잇점과 함께, 추가적으로 상기 시딩층 물질의 소비가 감소된다.
바람직한 실시예에서, 상기 탭들이 상대적으로 거친 밸브 작용 물질 분말의 페이스트(paste)를 상기 기판에 요구된 패턴으로 스크린 인쇄함으로써 놓여진다.
상기 놓여진 후, 상기 탭 어레이는 일반적으로 소결되어 시딩 탭들의 패턴을 고정시킨다.
본 발명의 방법에서 탭 어레이를 위치시키는 것이 엄격하게 요구되는 것은 아니며, 다른 실시예에서, 균일한 층이 상기 기판에 피복될 수 있고, 요구된 패턴의 시딩 탭들을 생산하게 위해 소결에 의해 고정되고, 시딩층을 선택적으로 제거하기 위해 조작될 수 있다.
상기 캐소드 종료 수단은 상기 직립한 보디들의 상측 부분에 피복된 하나 또는 그 이상의 도전층들로 이루어진다. 상기 캐소드 종료 수단은 각 직립한 보디에 피복된 금속 플레이트 부분들로 이루어진다.
일 실시예에서, 상기 종료 수단은 상기 리드 및 기판 사이에 직립한 보디들을 끼우기 위한 고체 밸브 작용 금속 리드로 이루어진다. 상기 리드는 바람직하게는 상기 개별 캐패시터 보디들을 형성하기 위해 상기 기판을 따라 잘라지고, 상기 리드 부분은 캐소드 단자이다. 이러한 방법은 미국 특허 제5,357,399호에 기재되어 있기에 하기에서 추가적으로 개시하지 않는다.
다른 실시예에서, 상기 리드는 생략되고 도전 물질 종료층들은 각 캐패시터의 캐소드 단자들을 형성하기 위해 상기 직립한 보디들의 상측 단부 영역에 피복된다.상기 기판 상의 직립한 보디들 사이의 공간은 바람직하게 절연 물질로 채워진다. 일실시예에서, 상기 공간은 에폭시 수지와 같은 절연 플라스틱 수지 물질로 채워진다. 이러한 방법으로 상기 기판이 잘라진때, 각 캐패시터 보디는 상기 침투성 보디 부분들의 주변의 보호 수지 슬리브(sleave)와 함께 남겨진다.
본 발명의 추가적인 특징에 따라, 상술된 방법에 의해 생산된 캐패시터가 제공된다.
본 발명의 다른 특징에 따라, 상술된 방법에 의해 제조된 캐패시터를 포함하는 전자 또는 전기 디바이스가 제공된다.
상기 유전층은 전기분해 양극처리 프로세스에 의해 형성될 것이고, 상기 프로세스에서 침투성 소결 애노드 보디의 표면 상에 산화막이 조심스럽게 형성된다. 적절한 방법이 종래 기술에 익숙한 사람들에게 알려질 것이다.
상기 캐소드층은 상기 애노드 보디들을 망간 니트레이트(nitrate)와 같은 캐소드층 선구(precursor) 용제에 담금으로써, 또한 망간 디옥사이드의 캐소드층을 생산하기 위해 열을 가함으로써 형성될 것이다. 반복된 담금과 가열 단계는 캐소드층의 요구된 깊이와 집적도를 점진적으로 형성하기 위해 수행된다.
전형적으로, 상기 담금 단계 동안, 상기 캐소드층은 상기 애노드 바디 상에 뿐만 아니라 보디들 사이의 노출된 탄탈륨 기판 표면 상에 형성될 것이다. 각 캐소드 단자가 그 각각의 애노드 단자로부터 절연되도록 하기 위해서, 추가적인 처리 단계가 각 애노드 보디 주변의 상기 기판으로부터 캐소드층( 및 유전층)을 제거하기 위해 수행될 것이다. 상기 단계는 절연 채널이 기판의 표면층을 제거함으로써 각 애노드 사이에 형성되는 추가적인 머시닝(machining) 단계를 포함할 것이다. 예를 들면, 수직 로우(rows)가 직선적 애노드 보디를 형성하도록 처리되는 경우, 절연 채널들은 애노드 보디들 사이의 로우와 컬럼(columns)의 중앙선을 따라 처리된다. 이러한 방법으로, 스텝이 각 캐패시터 애노드 보디의 주변에 형성되고, 상기 스텝은 비-피복 표면을 구비함으로써 상기 캐소드층을 상기 노출된 애노드 단자로부터 절연하게 된다.
상기 캐소드층의 피복으로 인하여, 상기 애노드 보디는 금속 분말과; 금속 산화물의 유전 절연층과; 도핑된 산화물의 도전 캐소드층의 상호연결 매트릭스로 이루어진 애노드 부분을 구비하는 캐패시터 보디가 된다.
상기 캡슐화된 수지는 상기 특정 수지의 안정성과 유동성에 의존하여 단순한 침입에 의해 또는 압력 하에서 피복될 것이다. 일단 상기 수지가 놓여지면, 상기 수지 및 기판은 인접한 캐패시터 보디들을 분리하기 위해 가공되어지거나 절단된다. 상기 캡슐화된 물질은 에폭시와 같은 플라스틱 수지이다.
하기에서 본 발명을 실시하는 일 방법의 도면들을 참조로 한 설명이 개시된다.
도 1은 고체 탄탈륨 웨이퍼(10)의 단면도를 도시한다. 상기 웨이퍼의 상부 표면은 소결된 다수의 시딩 탭(12)을 구비한다. 상기 시딩 탭들은 거친 결정형 캐패시터 그레이드(grade) 탄탈륨 분말(12)의 박층으로 이루어진다. 상기 시딩층은 바람직하게는 직선적 탭들의 직각 패턴(또는 "체크")으로 거친 분말의 그린 페이스트의 스크린 인쇄에 의해 피복된다. 상기 탭들은 소결되어 상기 기판에 고정된다. 미세-결정형 캐패시터 그레이드 탄탈륨 분말의 그린(즉, 비-소결) 혼합체는 상기 기판의 상부 표면으로 압축되어 그린층(13)을 형성한다. 펀치 및 다이 결합 프레스가 상기 유동가능한 그린 혼합체를 형상화하는데 사용되어 도 2에 도시된 직립한 직선적 보디들(16)을 형성한다.
도 7에 프레스가 도시된다. 상기 프레스는 하부 다이(40)와 일련의 펀치들(41)로 이루어진다. 상기 다이는 직각형 단면 홀(42) 어레이로 형성되고, 상기 기판 상의 의도된 분포의 애노드 보디들에 대응하는 로우와 컬럼으로 배치된다. 상기 다이 홀들은 그린 탄탈륨 혼합체(44)로 채워진다. 상기 기판(10)은 상기 홀들과 함께 정렬된 시딩 탭들(도시되지 않음)을 구비하여, 상기 다이의 상부 상에 위치된다. 상부 패턴(43)은 도 7B에 도시된 바와 같이, 상기 기판으로 쌓인다. 상기 클램프된(clamped) 조합체는 상기 펀치들 상으로 압축된다. 상기 펀치들은 각 홀 내의 그린 혼합체의 입자를 압축하여 각 입자를 상기 기판에 부착시킨다. 기계적 멈춤턱(stop)(도시되지 않음)이 다이의 움직임을 제한하고, 상기 그린 입자들의 과-압축을 방지하기 위해 사용된다. 상기 패턴은 상기 다이로부터 해제되어 분리된다. 상기 다이의 무게를 지지하는 일련의 라이트(light) 스프링들(45)은 상기 패턴의 해제시에 상기 펀치들로부터 기판을 상기 다이와 기판을 밀어내고, 도 2에 도시된 바와 같이, 그린 직각형 섹션 보디들을 상기 기판에 부착되어 있도록 한다. 상기 압축 프로세스는 그린 물질층들을 형성함으로써 요구되는 높이의 그린 보디를 생성하기 위해 반복될 것이다.
상기 그린 보디들은 상기 미세 결정 분말이 각 보디 내의 집적 침투 네트워크로 융해되도록 소결된다. 상기 소결 단계는 약 1600℃에서 수행된다(최적 온도는 결정 크기와 소결 단계의 지속 시간에 의존할 것이다). 상기 소결 단계는 상기 침투성 보디들을 상기 거친 시딩층(12)으로 융해시킨다.
상기 형성된 보디들은 도 2에 도시된 바와 같이, 직각 좌표의 가로채널(14)과 세로채널(15)을 결정한다.
상기 침투성 보디들은 상기 캐패시터들의 애노드 부분들을 형성한다. 절연 유전층(도시되지 않음)은 D.C. 전력 공급원의 양극 단자를 상기 기판에 연결하는 동안 (예를들면 0.1%의 인함유 산성 용제의) 전기분해 배스(bath)에서 양극처리됨으로써 상기 애노드 보디들에 피복된다. 그럼으로써 상기 보디들과 노출된 기판의 금속 침투성 표면 상에 얇은 탄탈륨 펜트옥사이드(pentoxide)층의 형성을 야기한다.
캐소드층(도시되지 않음)은 종래에 알려진 망간화 프로세스에 의해 상기 애노드 보디들 상에 형성된다. 이 프로세스에서, 상기 양극처리된 애노드 보디들(16)은 망간 니트레이트 용제에 담겨져서 각 보디 상의 습한(wet) 용제의 피복을 남기고 내부 침투성을 덮는다. 상기 기판은 습한 공기중에서 가열되어 니트레이트 피복을 디옥사이드로 변환시킨다. 상기 담금과 가열 사이클은 20회 정도 또는 그 이상 반복되어 요구되는 응집성 캐소드층을 형성한다.
각 애노드 보디의 기판 표면 주위 상에 형성된 유전 또는 캐소드층이 절연되도록, 추가적인 처리 단계가 수행되고, 상기 단계에서 채널(32)의 직각 패턴이 각 애노드 보디를 분리하는 중앙선들을 따라 상기 기판 표면으로 절단된다.
일단 망간화가 완성되면, 상기 망간화된 보디들은 액체 탄소 페이스트의 배스에 담금으로써 도전 탄소의 중간매개층(27)으로 피복된다. 상기 탄소층이 설정된 후, 은의 추가적인 중간매개층(21)이 상기 탄소-피복 보디들을 액체 은 페이스트에 담금으로써 상기 탄소층에 피복된다. 상기 은층은 은이 상기 양립될 수 없는 산화물층에 직접적으로 접촉하지 않도록 하기 위해 상기 탄소층(27)을 넘어 지나지 않도록 된다. 상기 은층(21)은 고체로 설정될 수 있다.
탄탈륨의 고체 쉬트(sheet)(9)는 해제 에이전트(release agent)와 같이 PTFE층(5)과 함께 일 표면 상에 피복된다. 은 페이스트(22)의 균일층은 상기 PTFE의 노출된 표면에 피복된다. 상기 쉬트는 상기 보디들(16)의 상측 단부들 상으로 도 4에 도시된 리드(9)로부터 은-측면에 놓여진다.
하향 압력이 상기 고정된 페이스트(22)가 상기 중간매개 은층(21)과의 긴밀한 점착성 접촉부로 흐르도록 하기 위해 상기 쉬트의 상측면에 가해진다. 추가적으로 상기 접촉부는 각 캐패시터의 측벽들 아래로 조금 확장하고 상기 탄소층을 넘지 않게 흐르는 상기 페이스트에 의해 향상된다.
상기 리드가 위치되고, 상기 캐패시터 보디들 사이의 채널들(14), (15)은 도 4에 도시된 바와 같이, 액체 에폭시 수지(20)로 채워진다. 상기 수지는 상기 리드 페이스트(22)의 레벨만큼 각 캐패시터 보디의 측면들을 둘러싼다. 상기 채널들은 상기 수지는 압력 하의 주입에 의해 채워지고, 그럼으로써 상기 채널에 의해 한정된 공간이 완전하게 채워지도록 한다. 상기 탄탈륨 리드(9)에 의해 제공된 구조 한계는 상기 캡슐화 단계동안 상기 중간매개층들(27), (21)의 집적성을 유지한다. 상기 수지가 설정된 때, 상기 리드 쉬트가 제거된다. 상기 PTFE층(5)은 상기 설정된 은층(22)으로부터 분리되고, 고체 은층 내에 피복된 각 보디의 상측 단부 영역을 남긴다. 상기 리드(9)의 현존은 평탄한 상측 표면층(22)이 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 리드의 제거후에 형성되도록 한다.
상기 웨이퍼는 각 캐패시터 보디가 그 이웃한 캐패시터들로부터 분리되도록 하기 위해 각 채널(14), (15)의 중앙선(도 5에서 점선으로 도시됨)을 따라 절단된다. 그 결과인 개별 캐패시터 구조가 도 6에 도시된다. 각 캐패시터는 상기 기판 물질로 이루어진 애노드 단자 부분(23)으로 이루어진다. 에폭시 수지 측벽들(24),(25)으로 덮힌 캐패시터 보디(16)가 상기 기판으로부터 직립한다. 상기 기판 내의 상기 스텝(30), (31)은 본래 기판 웨이퍼 내에 형성된 머신 절연 채널(32)에 대응한다. 상기 스텝은 망간화 피복 및 다른 오염물질이 없으며, 따라서 상기 노출된 애노드 단자는 상기 캐소드 단자로부터 절연되도록 된다. 각 캐패시터의 상측 단부 영역은 탄소 페이스트층(27)과, 은 페이스트층(21) 및 상기 구성소자의 캐소드 단자 부분을 형성하는 은 페이스트층(22)으로 피복된다.
최종 처리 단계는 5-측면(sided) 종료 프로세스이다. 이것은 상기 캐패시터의 외부 단자들을 형성하는 단부 캡들(end caps)(28),(29)의 형성 단계를 포함하는 전지 산업분야에서의 잘 알려진 기술이다. 상기 종료층 금속은 은과, 니켈과 주석의 개별 층들로 (바람직하게는 상기 순서로) 이루어진다. 이러한 것들은 상기 캐패시터 단자들의 접촉부로의 또는 전기 또는 전자 회로의 다른 구성소자들로의 납땜에 의해 전기적 연결들을 형성하기 위한 적절한 금속들이다.
본 발명은 처리의 경제적 효율성면에서의 현저한 향상을 제공하는 이전의 알려진 프로세스를 채택한다. 종래 프로세스들의 연마 단계들과, 그로 인한 쓰레기 탄탈륨 분말의 피할 수 없는 생산이 회피된다. 본 발명은 고가의 연마 장치에 대한 요구를 제거함으로써 생산 장치를 단순화시킨다. 상기 보디들을 형성하기 위해 소결된 침투성층을 연마하는 단계 대신에, 상기 분말/접착제 혼합체가 그린 상태로 형성된다. 이 경우 과도한 그린 혼합체의 재-사용 또는 재활용이 용이하다.
Claims (8)
- 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은:기판층을 제공하는 단계와;상기 기판층의 표면 상에 침투성 소결 밸브작용 물질로 이루어진 직립한 다수의 보디를 형성시키는 단계와;상기 보디 상에 절연층을 형성하고 상기 보디의 구멍을 통하여 확장시키는 단계와;상기 절연층 상에 도전 캐소드층을 형성하는 단계와;각 보디의 상측 부분 상에 캐소드 종료 수단을 형성하는 단계와;다수의 개별 캐패시터를 형성시키기 위해 상기 처리된 기판을 자르는 단계를 포함하고, 상기 기판의 부분 각각은 애노드 단자를 형성하고, 침투성 보디는 그 보디의 상측 부분 상에 제공된 캐소드 종료 수단을 구비한 애노드 단자이고, 상기 직립한 침투성 보디는 (i)밸브작용 물질 분말과 접착제의 혼합물을 제공하는 단계와, (ii)상기 기판 상에 다수의 보디로 상기 혼합물을 배치시키는 단계와, 이때 상기 혼합물은 그린 상태이고, (iii)상기 보디를 소결하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 침투성 보디는 상기 기판 상으로 상기 그린 혼합물을 압축함으로써 구성되는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 압축 형성은 상기 기판 상에 그린 보디 어레이를 형성하기 위해 멀티-다이와 펀치 혼합의 사용을 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 다이는 요청된 보디 섹션들과 분포에 대응하는 홀 어레이로 형성되고, 상기 홀들로 진입하는 다수의 펀치들은 각 홀 내의 그린 혼합 충전물을 상기 기판으로 압축하는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 전항들 중의 어느 한 항에 있어서, 상대적으로 거친 결정형 소결 밸브작용 물질 분말층으로 탭이 이루어진 시딩 탭 어레이가 상기 그린 보디의 의도된 위치에 대응하는 패턴으로 상기 기판 상에 형성되고, 상기 그린 보디들이 상기 시딩 탭들 상에 형성되고, 그럼으로써 각 보디와 기판 사이의 결합을 향상시키는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 시딩 탭들은 상기 어레이에 대응하는 패턴으로 상대적으로 거친 분말 페이스트의 스크린 인쇄에 의해 피복되고, 상기 페이스트는 상기 기판 상의 위치에 상기 결정들을 고정시키도록 소결되는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 시딩 탭들은 상기 어레이에 대응하는 스텐슬 상에 상대적으로 거친 분말의 페이스트층을 피복함으로써 피복되는 것을 특징으로 하는 다수의 고체 상태 캐패시터를 제조하는 방법.
- 도면을 참조하여 기술된 실질적인 방법.
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