KR20020038638A - Apparatus for sensing fuel level with the compensation for temperature variation - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자식 유량 검출 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유량을 주위 온도 변화에 관계없이 정확하게 감지할 수 있도록 주변 온도 변화에 대한 보상 기능을 갖는 전자식 유량 검출 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic flow rate detection device, and more particularly, to an electronic flow rate detection device having a function of compensating for an ambient temperature change so as to accurately detect a flow rate regardless of an ambient temperature change.
일반적으로 자동차의 연료 탱크, 산업용 저장 탱크 또는 가정용 저장 탱크 등에는 액체가 저장되는데, 외관에 의해 저장된 액체의 유량을 알 수 없는 경우에는 별도의 유량 검출 장치를 사용하여야 한다.In general, liquid is stored in a fuel tank, an industrial storage tank, or a home storage tank of a vehicle. When the flow rate of the stored liquid is unknown by appearance, a separate flow rate detection device should be used.
도 1은 종래의 유량 검출 장치의 일 예를 나타내 보인 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional flow rate detection device.
도 1을 참조하면, 저장 탱크(11)에 저장되어 있는 액체의 액위(12a, 12b 또는 12c)에 따라 상하로 이동 가능한 부구(float)(13a, 13b 또는 13c)와, 부구(13a, 13b 또는 13c)의 이동에 연동해서 회전축을 중심으로 회전 가능한 단자(14)와, 이 단자(14)의 회동에 의해 저항값이 가변하는 가변 저항 코일(15)과, 이 가변 저항 코일(15)의 저항 변화에 따라 전류값을 변화시키는 제1 전류 변환기(16)와, 이 제1 전류 변환기(16)를 통하여 액체의 액위를 표시하는 계기판(17)과, 앵커(anchor) 감지 소자(18)가 내장된 앵커등 캔(19)과, 이 앵커등 캔(19)에 의해 전류값을 변화시키는 제2 전류 변환기(20)와, 그리고 제2 전류 변환기(20)를 통하여 앵코 상태를 알리는 앵커등(21)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a float 13a, 13b or 13c that can move up and down according to the liquid level 12a, 12b or 12c of the liquid stored in the storage tank 11, and the float 13a, 13b or A terminal 14 rotatable about a rotational axis in conjunction with the movement of 13c, a variable resistance coil 15 whose resistance value varies by rotation of the terminal 14, and a resistance of the variable resistance coil 15 The first current transducer 16 which changes the current value in accordance with the change, the instrument panel 17 which displays the liquid level through the first current transducer 16, and the anchor sensing element 18 are incorporated. Anchor lamp can 19, a second current transducer 20 for changing the current value by the anchor lamp can 19, and an anchor lamp 21 for indicating an anchor state through the second current transducer 20. It is configured to include).
이와 같은 종래의 유량 검출 장치는, 저장 탱크(11)에 저장되는 액체의 액위(12a, 12b 또는 12c)가 변화하게 되면, 이에 대응하여 부구(13a, 13b 또는 13c)가 상하로 수직 이동하게 되며, 이와 동시에 부구(13a, 13b 또는 13c)와 회전축을 대칭으로 하여 기계적으로 연결되어서 회전축을 중심으로 수직 이동하는단자(14)는 가변 저항 코일(15)에 마찰 접촉한다. 이때 단자(14)는 가변 저항 코일(15)상을 이동하면서 가변 저항 코일(15)의 저항값을 변동시키며, 이와 같은 가변 저항 코일(15)의 저항값 변동에 의해 제1 전류 변환기(16)의 전류값도 변화하고, 계기판(17)은 전류 변환기(16)의 전류 변환값을 액위로서 표시한다.In such a conventional flow rate detection device, when the liquid level 12a, 12b or 12c of the liquid stored in the storage tank 11 changes, correspondingly, the mouth 13a, 13b or 13c moves vertically up and down correspondingly. At the same time, the terminals 14a, 13b, 13b, or 13c are mechanically connected to each other in a symmetrical manner with the rotation axis, and the terminal 14 vertically moving around the rotation axis is in frictional contact with the variable resistance coil 15. At this time, the terminal 14 changes the resistance value of the variable resistance coil 15 while moving on the variable resistance coil 15, and the first current converter 16 is changed by the resistance value change of the variable resistance coil 15. The current value of also changes, and the instrument panel 17 displays the current conversion value of the current converter 16 as the liquid level.
한편 저장 탱크(11)에 저장된 액체의 액위(12a)가 앵커 감지 소자(18)에 의해 감지되면, 제2 전류 변환기(20)의 전류 변화에 따라 앵커등(21)을 점등시킴으로써 액체의 앵커 여부를 알 수 있도록 한다.On the other hand, if the liquid level 12a of the liquid stored in the storage tank 11 is detected by the anchor sensing element 18, whether the liquid is anchored by turning on the anchor lamp 21 in accordance with the current change of the second current transducer 20. To know.
그런데 이와 같은 유량 검출 장치에 있어서, 부구(13a, 13b 또는 13c)의 상하 이동에 의해 저장 탱크(11)에 저장되어 있는 액체의 액위(12a, 12b 또는 12c)를 검출하므로 부구(13a, 13b 또는 13c)의 상하 이동에 의해 단자(14)와 가변 저항 코일(15) 사이의 접촉에 의한 마찰이 발생되고, 이 마찰 접촉에 의해 접촉 불량이 발생할 수 있으며, 또는 이물질에 의해 액체의 액위(12a, 12b 또는 12c)를 정확히 검출하기가 용이하지 않으며, 또한 오작동이 발생되거나 내구성이 결여된다는 문제점이 있다.However, in such a flow rate detection device, since the liquid level 12a, 12b or 12c of the liquid stored in the storage tank 11 is detected by the vertical movement of the float 13a, 13b or 13c, the float 13a, 13b or Due to the vertical movement of 13c, friction caused by the contact between the terminal 14 and the variable resistance coil 15 may occur, and contact failure may occur due to the frictional contact, or the liquid level 12a, 12b or 12c) is not easy to detect correctly, and there is also a problem in that malfunction or lack of durability occurs.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 저장 탱크에 저장된 액체의 유량을 전자식으로 검출하되, 주변 온도 변화에 대한 보상 기능을 갖도록 하여, 주변 온도의 변화에도 정확한 유량을 검출할 수 있도록 하는 전자식 유량 검출 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to electronically detect the flow rate of the liquid stored in the storage tank, to have a compensation function for the change in the ambient temperature, an electronic flow rate detection device that can detect the correct flow rate even in the change of the ambient temperature To provide.
도 1은 종래의 전자식 유량 검출 장치의 일 예를 나타내 보인 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional electronic flow rate detection device.
도 2는 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치를 나타내 보인 도면이다.2 is a view showing an electronic flow rate detection apparatus according to the present invention.
도 3은 도 2의 전자식 유량 검출 장치의 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩의 단면 구조를 나타내 보인 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure of a dummy chip having a negative temperature coefficient of the electronic flow rate detecting device of FIG. 2.
도 4a는 도 3의 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩의 열 발생 패턴의 형상을 나타내 보인 평면도이다.4A is a plan view illustrating a shape of a heat generating pattern of a dummy chip having a negative temperature coefficient of FIG. 3.
도 4b는 도 3의 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩의 전극 패턴의 형상을 나타내 보인 평면도이다.4B is a plan view illustrating the shape of an electrode pattern of a dummy chip having a negative temperature coefficient of FIG. 3.
도 5a 및 도 5b는 주위 온도에 대한 출력 전압의 변동분을 종래의 경우와 본 발명의 경우에서 비교해보기 위하여 나타내 보인 그래프이다.5A and 5B are graphs shown for comparing the variation of the output voltage with respect to the ambient temperature in the conventional case and the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치의 액체 유량에 대한 출력 전압값을 나타내 보인 그래프이다.Figure 6 is a graph showing the output voltage value for the liquid flow rate of the electronic flow rate detection apparatus according to the present invention.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치는, 저장 탱크 내의 액체의 유량을 검출하기 위한 전자식 유량 검출 장치에 있어서, 상기 저장 탱크 내에서 수직 방향으로 배치된 인쇄 회로 기판; 상기 인쇄 회로 기판에 부착되어 상기 액체의 유량을 감지하되, 주변 온도에 대한 영향을 감소하기 위하여 열 발생 패턴이 부착된 부온도 계수를 갖는 복수개의 더미스터 칩들; 상기 인쇄 회로 기판 및 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩들을 둘러싸면서 일부만을 노출시키는 하우징; 상기 더미스터 칩들로부터의 저항 변화에 대응하여 전류값을 변화시키는 전류 변환부; 및 상기 전류 변환부로부터의 신호에 대응하여 상기 액체의 유량을 디스플레이하는 표시부를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the electronic flow rate detection device according to the present invention, the electronic flow rate detection device for detecting the flow rate of the liquid in the storage tank, a printed circuit board disposed in the vertical direction in the storage tank; A plurality of dummy chips attached to the printed circuit board to sense a flow rate of the liquid, and having a negative temperature coefficient to which a heat generation pattern is attached to reduce an influence on an ambient temperature; A housing exposing only a portion of the housing while surrounding the printed circuit board and the dummy chip having the negative temperature coefficient; A current converter configured to change a current value in response to a change in resistance from the dummy chips; And a display unit which displays the flow rate of the liquid in response to the signal from the current converter.
상기 열 발생 패턴은 저온 소결형 패이스트로 이루어진 것이 바람직하다.The heat generating pattern is preferably made of a low temperature sintered paste.
상기 열 발생 패턴은 최대한의 표면적을 얻기 위하여 구부러진 표면 형상을 갖는 것이 바람직하다.The heat generating pattern preferably has a curved surface shape in order to obtain the maximum surface area.
상기 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩은, 상기 열 발생 패턴 위에 절연성 페이스트, 부온도 계수를 갖는 더미스터 및 전극 패턴이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것이 바람직하다.The dummy chip having the negative temperature coefficient preferably has a structure in which an insulating paste, a dummyster having a negative temperature coefficient, and an electrode pattern are sequentially stacked on the heat generating pattern.
상기 전극 패턴은 실버 페이스트로 이루어진 것이 바람직하다.The electrode pattern is preferably made of silver paste.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below.
도 2는 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치를 나타내 보인 도면이다.2 is a view showing an electronic flow rate detection apparatus according to the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치는, 저장 탱크(101) 내의 액체의 유량(102)을 검출하기 위하여 인쇄 회로 기판(103), 부온도 계수를 갖는 복수개의 더미스터 칩(104)들, 하우징(105), 전류 변환부(106) 및 표시부(107)를 포함하여 구성된다.2, the electronic flow rate detection apparatus according to the present invention includes a printed circuit board 103 and a plurality of dummyster chips having a negative temperature coefficient in order to detect the flow rate 102 of the liquid in the storage tank 101. 104, a housing 105, a current converter 106, and a display unit 107.
상기 인쇄 회로 기판(103)은 저장 탱크(101) 내에서 수직 방향으로 배치되고, 일정 간격으로 형성된 개구부들을 갖는다. 상기 부온도 계수를 갖는 복수개의 더미스터 칩(104)들은 인쇄 회로 기판(103)에 부착되어 액체의 유량을 감지한다. 즉 일정한 전압이 인가됨에 따라 열을 발생시키고, 발생된 열중 주변 매질에 의해 흡수되고 남은 열에 따라 저항값이 결정되는데, 부 온도 계수를 가지므로 남은 열이 클수록 저항값은 상대적으로 낮은 값을 나타내며, 남은 열이 작을수록 저항값은 상대적으로 큰 값을 나타낸다. 부온도 계수를 갖는 복수개의 더미스터 칩(104)들은 병렬로 연결되거나, 직렬로 연결되거나, 또는 병렬/직렬 복합 연결로 배치될 수 있다. 상기 하우징(105)은 인쇄 회로 기판(103) 및 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩(104)들을 둘러싸면서 일부만을 노출시킨다. 상기 전류 변환부(106)는 더미스터 칩(104)들로부터의 저항 변화에 대응하여 전류값을 변화시킨다. 그리고 표시부(107)는 전류 변환부(106)로부터의 신호에 대응하여 상기 액체의 유량을 디스플레이한다.The printed circuit board 103 is disposed in the vertical direction in the storage tank 101 and has openings formed at regular intervals. The plurality of dummy chips 104 having the negative temperature coefficient are attached to the printed circuit board 103 to sense the flow rate of the liquid. That is, heat is generated when a constant voltage is applied, and the resistance value is determined according to the remaining heat absorbed by the surrounding medium among the generated heat. Since the negative temperature coefficient, the resistance value is relatively low as the remaining heat is larger. The smaller the remaining column, the larger the resistance value. The plurality of dummy chips 104 having a negative temperature coefficient may be connected in parallel, connected in series, or arranged in a parallel / serial composite connection. The housing 105 surrounds the printed circuit board 103 and the dummy chip 104 having the negative temperature coefficient to expose only a portion thereof. The current converter 106 changes the current value in response to a change in resistance from the dummy chips 104. The display unit 107 displays the flow rate of the liquid in response to the signal from the current converter 106.
그런데, 통상적으로 저장 탱크(101) 전체 온도는 외부 환경에 따라 크게 변화할 수도 있다. 따라서 외부 환경 요소에 의해 저장 탱크(101) 내의 온도가 크게변화하는 경우 정밀한 액체 유량 검출이 용이하지 않게 된다. 이와 같은 부정확한 유량 검출을 방지하기 위하여, 상기 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩(104)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 열 발생 패턴(301) 위에 절연성 페이스트(302), 부온도 계수를 갖는 더미스터(303) 및 전극 패턴(304)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 열 발생 패턴(301)은 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩(104)의 온도를 일정하게 유지하기 위한 것이다. 즉 열 발생 패턴(301)에 일정 전원을 인가함으로써 열 발생 패턴(301)으로부터 발생되는 발열량을 조절할 수 있다. 예컨대 주위 온도의 급격한 변동이 생길 경우 열 발생 패턴(301)에 일정 크기의 전원을 인가하여 일정 크기의 열을 발생시킴으로써 주위 온도 변화를 보상할 수 있으며, 이에 따라 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩(104)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 상기 절연성 페이스트(302)는 비도전성으로 열 발생 패턴(301)과 부온도 계수를 갖는 더미스터(303) 사이의 절연을 위한 것이며, 그리고 전극 패턴(304)은 부온도 계수를 갖는 더미스터(303)에게 일정 전압을 인가해주기 위한 것으로서, 실버(silver) 페이스트를 사용할 수 있다.By the way, the overall temperature of the storage tank 101 may vary greatly depending on the external environment. Therefore, when the temperature in the storage tank 101 is greatly changed by an external environmental element, accurate liquid flow rate detection is not easy. In order to prevent such inaccurate flow rate detection, the dummy chip 104 having the negative temperature coefficient may have the insulating paste 302 and the negative temperature coefficient on the heat generating pattern 301 as shown in FIG. 3. The dummyster 303 and the electrode pattern 304 having the stacked structure are sequentially stacked. The heat generation pattern 301 is for maintaining a constant temperature of the dummy chip 104 having a negative temperature coefficient. That is, the amount of heat generated from the heat generating pattern 301 may be adjusted by applying a predetermined power to the heat generating pattern 301. For example, when a sudden change in ambient temperature occurs, a change in ambient temperature may be compensated by applying a predetermined amount of power to the heat generating pattern 301 to generate a predetermined amount of heat, and thus, a dummyster chip having a negative temperature coefficient ( The temperature of 104 can be kept constant. The insulating paste 302 is non-conductive and is for insulation between the heat generating pattern 301 and the dummyster 303 having a negative temperature coefficient, and the electrode pattern 304 is a dummyster 303 having a negative temperature coefficient. In order to apply a constant voltage to a), a silver paste may be used.
도 4a는 도 3의 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩의 열 발생 패턴의 형상을 나타내 보인 평면도이고, 도 4b는 도 3의 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩의 전극 패턴의 형상을 나타내 보인 평면도이다.4A is a plan view illustrating the shape of a heat generating pattern of the dummy chip having the negative temperature coefficient of FIG. 3, and FIG. 4B is a plan view illustrating the shape of an electrode pattern of the dummy chip having the negative temperature coefficient of FIG. 3. .
도 4a에 도시된 바와 같이, 열 발생 패턴(301)으로부터의 열량을 최대로 발생시키기 위해서는, 최대 표면적으로 갖도록 열 발생 패턴(301)을 배치하여야 한다. 본 실시예에서는, 열 발생 패턴(301)을 구부러진 형상을 갖도록 하여 한정 공간에서 최대한의 표면적으로 갖도록 한다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 전극 패턴(304)은 상호 이격된 두 개의 패턴으로 이루어진다.As shown in FIG. 4A, in order to generate the maximum amount of heat from the heat generating pattern 301, the heat generating pattern 301 must be disposed to have the maximum surface area. In the present embodiment, the heat generating pattern 301 has a curved shape so as to have the maximum surface area in the limited space. As shown in FIG. 4B, the electrode pattern 304 is formed of two patterns spaced apart from each other.
도 5a 및 도 5b는 주위 온도에 대한 출력 전압의 변동분을 종래의 경우와 본 발명의 경우에서 비교해보기 위하여 나타내 보인 그래프이다.5A and 5B are graphs shown for comparing the variation of the output voltage with respect to the ambient temperature in the conventional case and the present invention.
도 5a에 도시된 바와 같이, 열 발생 패턴(도 3의 301)을 형성하지 않은 경우에는, 온도 변화에 따라, 즉 -30℃에서부터 80℃까지 온도가 변화함에 따라 출력 전압값도 또한 큰 폭으로 변화한다. 그러나 도 5b에 도시된 바와 같이, 열 발생 패컨(도 3의 301)을 형성한 경우, 온도 변화에 따라, 즉 -30℃에서부터 80℃까지 온도가 변화함에 따라 출력 전압값도 또한 상대적으로 작은 폭으로 변화한다. 따라서 주위 온도가 -30℃에서부터 80℃까지 큰 폭으로 변화하는 경우, 열 발생 패턴(301)이 존재하는 경우, 이 열 발생 패턴(301)에 의해 온도 변화분이 보상되므로 상대적으로 적은 영향을 받는다는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 5A, when the heat generating pattern (301 of FIG. 3) is not formed, the output voltage value is also greatly varied as the temperature changes, that is, as the temperature changes from -30 ° C to 80 ° C. Change. However, as shown in FIG. 5B, when the heat generating pattern (301 in FIG. 3) is formed, the output voltage value is also relatively small as the temperature changes, that is, as the temperature changes from -30 ° C to 80 ° C. To change. Therefore, when the ambient temperature varies greatly from -30 ° C to 80 ° C, when the heat generating pattern 301 is present, the change in temperature is compensated by the heat generating pattern 301 so that it is relatively less affected. Able to know.
도 6은 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치의 액체 유량에 대한 출력 전압값을 나타내 보인 그래프이다.Figure 6 is a graph showing the output voltage value for the liquid flow rate of the electronic flow rate detection apparatus according to the present invention.
도 6에 도시된 바와 같이, 액체의 유량(도 2의 102)이 없는 경우(B)에는 가장 작은 값의 출력 전압(601)이 나타나며, 액체의 유량(102)이 증가할수록 출력 전압 또한 증가하여 액체의 유량(102)이 가장 큰 값을 나타내는 경우, 즉 저장 탱크가 완전히 채워져 있는 경우(A)에는 가장 큰 값의 출력 전압(602)이 나타남을 알 수 있다. 이 경우 열 발생 패턴(도 3의 301)에 의한 주변 온도 보상 작용에 의해, 출력 전압의 변화가 거의 선형적(linear)으로 변화함으로 알 수 있다.As shown in FIG. 6, when the flow rate of the liquid (102 in FIG. 2) is absent (B), the output voltage 601 of the smallest value appears, and as the flow rate 102 of the liquid increases, the output voltage also increases. It can be seen that the output voltage 602 of the largest value appears when the flow rate 102 of the liquid exhibits the largest value, that is, when the storage tank is fully filled (A). In this case, it can be seen that the change in the output voltage is almost linear due to the ambient temperature compensation action by the heat generation pattern (301 in FIG. 3).
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. Do.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 전자식 유량 검출 장치에 의하면, 부온도 계수를 갖는 더미스터 칩에 열 발생 패턴을 형성하고, 주위 온도 변화에 따른 온도 변화분을 열 발생 패턴으로부터 발생되는 열에 의해 보상함으로서 항상 일정한 온도하에서 액체의 유량을 정밀하게 검출할 수 있다는 효과를 제공한다. 또한 기존 제품에 비하여 설치에 필요한 공간이 적게 필요하므로, 보다 다양한 제품에 적용할 수 있으며, 검출 가능한 깊이 또한 더 깊은 효과도 제공한다.As described above, according to the electronic flow rate detection device according to the present invention, a heat generation pattern is formed on a dummy chip having a negative temperature coefficient, and the temperature change caused by the change of ambient temperature is generated by heat generated from the heat generation pattern. Compensation provides the effect of accurately detecting the flow rate of the liquid at a constant temperature at all times. In addition, it requires less space for installation than existing products, so it can be applied to a wider range of products and provides a detectable depth and a deeper effect.
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Family Applications Before (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020010019415A KR20010074226A (en) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | -Method of temperature compensation for automatic fuel level sensor of mobile using a thick film NTC thermistor- |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR20010074226A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60146821U (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-30 | 株式会社フジクラ | Thermocouple water level gauge |
| JPS6321825U (en) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 | ||
| JPH01209322A (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fuel liquid level detecting device |
| JPH04208817A (en) * | 1990-12-05 | 1992-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Residual fuel amount detector for vehicle |
-
2001
- 2001-04-11 KR KR1020010019415A patent/KR20010074226A/en active Search and Examination
-
2002
- 2002-04-11 KR KR1020020019714A patent/KR20020038638A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60146821U (en) * | 1984-03-12 | 1985-09-30 | 株式会社フジクラ | Thermocouple water level gauge |
| JPS6321825U (en) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 | ||
| JPH01209322A (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Fuel liquid level detecting device |
| JPH04208817A (en) * | 1990-12-05 | 1992-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Residual fuel amount detector for vehicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010074226A (en) | 2001-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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