KR20020037746A - Friction fit target assembly - Google Patents

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KR20020037746A
KR20020037746A KR1020027000435A KR20027000435A KR20020037746A KR 20020037746 A KR20020037746 A KR 20020037746A KR 1020027000435 A KR1020027000435 A KR 1020027000435A KR 20027000435 A KR20027000435 A KR 20027000435A KR 20020037746 A KR20020037746 A KR 20020037746A
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back support
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sputter target
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이바노브에우젠와이.
코나드해리더블유.
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추후제출
토소우 에스엠디, 인크
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P11/00—Connecting or disconnecting metal parts or objects by metal-working techniques not otherwise provided for 
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract

본 발명은 저온 타겟 및 배면 지지판 접합 프로세스와 그에 의해 제조된 조립체들에 관한 것이다. 상기 조립체의 일 부재(2)에복수개의 수 돌출부들(8)이 형성되고, 나머지 부재(4)에 복수개의 대응 암 리세스들(9)이 형성된다. 상기 조립체는 수 및 암 부분들(8, 9)을 둘러싸는 외주 경계(25) 둘레에서 종래 기술에 의해 접합된다. 그후, 상기 조립체는 저온에서 가압 일체화되며, 그래서, 접합된 영역에 의해 둘러싸여진 돌출부들(8)이 암 리세스들(9)내로 강제로 끼워맞춤된다.The present invention relates to a low temperature target and back support plate bonding process and the assemblies produced thereby. A plurality of protrusions 8 are formed in one member 2 of the assembly, and a plurality of corresponding female recesses 9 are formed in the remaining member 4. The assembly is joined by the prior art around an outer perimeter 25 surrounding the male and female portions 8, 9. The assembly is then press integrated at a low temperature, so that the projections 8 surrounded by the joined area are forcibly fitted into the arm recesses 9.

Description

마찰 끼워맞춤식 타겟 조립체{Friction fit target assembly}Friction fit target assembly

1998년 9월 11일자 미국 임시 특허 출원 60/099,981호 및 1999년 4월 16일자 60/129,559호에는 타겟과, 배면 지지판이 제공되고, 둘 중 보다 강한 재료가 복수의 리지들 또는 그 다른 돌출면 부분들을 갖도록 기계가공 또는 다른 방식으로 성형된다. 이들 리지들 또는 돌출부들은 타겟 또는 배면 지지판의 내면을 따라 성형된다. 그후, 상기 리지 형성면이 타겟/배면 지지판 경계면을 따라 조립체의 나머지 부재의 정합면을 따라 배치되고, 결합이 이루어지게 된다.U.S. Provisional Patent Application Nos. 60 / 099,981 dated September 11, 1998 and 60 / 129,559 dated April 16, 1999 are provided with a target and a back support plate, wherein the stronger material is a plurality of ridges or other protruding surfaces. It is machined or otherwise shaped to have parts. These ridges or protrusions are molded along the inner surface of the target or back support plate. The ridge forming surface is then disposed along the mating surface of the remaining members of the assembly along the target / back support plate interface, and engagement is achieved.

리지들 또는 돌출부들을 둘러싸는 경계면 조립체의 외주부는 전자 빔 용접, TIG 용접, 마찰 용접, 솔더링, 브레이징 등의 종래의 수단에 의해 결합되며, 이는 진공하에서 수행되는 것이 적합하다. 그후, 상기 조립체는 저온, 양호하게는, 상온에서 가압된다.The outer periphery of the interface assembly surrounding the ridges or protrusions is joined by conventional means such as electron beam welding, TIG welding, friction welding, soldering, brazing, etc., which is preferably performed under vacuum. The assembly is then pressurized at low temperature, preferably at room temperature.

타겟 또는 배면 지지판 중 어느 한쪽을 따라 형성된 돌출부들 또는 리지들은 타겟/배면 지지판 경계면을 따른 정합 금속면내로 침투해 들어갈 때 굴곡되며, 대향 배치된 정합면상의 보다 연성인 금속위에 인터로킹 그립(interlocking grip)을형성한다.Protrusions or ridges formed along either of the target or back support plates are curved when penetrating into the mating metal plane along the target / back support plate interface and interlocking grips on the softer metal on the opposing mating surfaces. ).

본 발명은 저온 스퍼터 타겟/배면지지판 결합 기술 및 그에 의해 제조된 조립체들에 관한 것이다.The present invention relates to cold sputter target / back support plate joining techniques and assemblies produced thereby.

도 1은 원통 보어내로의 삽입 대기 상태의 원통형 수 돌출부 형태의 마찰 끼워 맞춤 결합 메카니즘들을 도시하는 타겟 및 배면 지지판 조립체의 개략적인 횡단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a target and back support plate assembly showing friction fit engagement mechanisms in the form of a cylindrical male protrusion in a standby state for insertion into a cylindrical bore;

도 2는 일 부재내에 정사각형 수 돌출부들과 다른 부재내에 형성된 대응 정사각형 리세스들을 가진 결합 부재들의 다른 실시예를 도시하는 개략적인 단면도.2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of coupling members having square male protrusions in one member and corresponding square recesses formed in the other member;

도 3은 정합 또는 결합 위치에서의, 도 1에 도시된 조립체의 개략적인 단면도.3 is a schematic cross-sectional view of the assembly shown in FIG. 1 in a mating or mating position.

도 4는 정합 또는 결합 위치에서의, 도 2에 도시된 조립체의 개략적인 단면도.4 is a schematic cross-sectional view of the assembly shown in FIG. 2 in a mating or mating position.

도 5는 접합 이전의 도 1에 도시된 조립체의 부분 분해 사시도.5 is a partially exploded perspective view of the assembly shown in FIG. 1 prior to bonding;

도 6은 접합 이전의 도 2에 도시된 조립체의 부분 분해 사시도.6 is a partially exploded perspective view of the assembly shown in FIG. 2 prior to bonding;

본 발명에서는, 양자 모두의 재료들이 유사한 기계적 특성들을 가지고, 양자 모두가 복수개의 리지들과 홈들 또는 그 다른 돌출면부들을 갖도록 기계가공 또는 다른 방식으로 성형된, 타겟과 배면 지지판이 제공된다. 이들 리지들 또는 돌출부들은 타겟 또는 배면 지지판의 내면을 따라 형성된다. 그후, 상기 리지 형성면은 결합이 이루어지는 타겟/배면 지지판 경계면을 따라 조립체의 나머지 부재의 정합면(적절히 위치설정된 정합 부재들)을 따라 배치된다.In the present invention, a target and a back support plate are provided, in which both materials have similar mechanical properties, both machined or otherwise shaped such that they have a plurality of ridges and grooves or other protruding surfaces. These ridges or protrusions are formed along the inner surface of the target or back support plate. The ridge forming surface is then disposed along the mating surface (appropriately positioned mating members) of the remaining members of the assembly along the target / back support plate interface at which the engagement takes place.

경계면 조립체의 외주부는 전자 빔, TIG 용접, 마찰 용접, 솔더링, 브레이징 등의 종래의 방법에 의해 결합되며, 이는 진공하에서 이루어지는 것이 적합하다. 그후, 상기 조립체는 저온, 바람직하게는 상온에서 가압된다.The outer periphery of the interface assembly is joined by conventional methods such as electron beam, TIG welding, friction welding, soldering, brazing, etc., which is preferably done under vacuum. The assembly is then pressurized at low temperature, preferably at room temperature.

타겟 또는 배면 지지판 중 어느 한쪽을 따라 형성된 돌출부들 또는 리지들은 타겟/배면 지지판 경계면을 따른 정합 부재들내로 침투해 들어간다. 상기 돌출부들은 대향배치된 정합면상의 홈들내로 침투해 들어간다.Projections or ridges formed along either of the target or back support plates penetrate into mating members along the target / back support plate interface. The protrusions penetrate into grooves on opposingly disposed mating surfaces.

상기 돌출부들 및 홈들은 서로 다른 크기들을 가지고 있으며, 그래서, 침투해 들어간 이후에 강제 또는 마찰 끼워맞춤식 결합부가 형성된다.The protrusions and the grooves have different sizes, so that a forced or friction fit joint is formed after penetration.

본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 첨부된 청구범위와 도면 및 하기의 상세한 설명을 통해 보다 명확히 알 수 있을 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the accompanying claims and drawings and the following detailed description.

먼저, 도 1을 참조하면, 타겟/배면지지판 조립체가 도시되어 있다. 상기 조립체는 종래의 스퍼터링 방법에 따라 이온 충돌을 통해 타겟으로부터 배출되어 소정 기판으로 이동하여 상기 기판을 코팅하게되는 금속 또는 금속 합금을 수반하고 있는 상단측면(23)을 가지는 타겟(2)을 포함한다.First, referring to FIG. 1, a target / back support plate assembly is shown. The assembly comprises a target 2 having a top side 23 carrying a metal or metal alloy which is ejected from the target through ion bombardment and moves to a predetermined substrate to coat the substrate according to a conventional sputtering method. .

배면 지지판(4)은 상기 타겟 아래에 제공되며, 배면 지지판의 상부측면(13)과 정합하도록 적용되는 타겟의 하부측면(11)이 경계면(28)을 형성한다. 일반적으로, 물 등의 열교환 유체가 그 스퍼터링 동작 동안 상기 조립체를 냉각시키도록 배면지지판의 하부측면(21)에 인접하게 순환된다.The back support plate 4 is provided below the target, and the lower side 11 of the target, which is adapted to mate with the upper side 13 of the back support plate, forms the interface 28. Generally, heat exchange fluid, such as water, is circulated adjacent the lower side 21 of the back support plate to cool the assembly during its sputtering operation.

도 1의 실시예에 도시된 바와 같이, 복수개의 원통형 수 돌출부들(8)이 상기표면(11)내에 기계가공 된다. 상기 표면(13)은 수 돌출부(8)의 직경 보다 작은 직경의 원통형 암 보어 부재(9)를 구비한다.As shown in the embodiment of FIG. 1, a plurality of cylindrical male protrusions 8 are machined into the surface 11. The surface 13 has a cylindrical female bore member 9 having a diameter smaller than the diameter of the male protrusion 8.

다수의 경우에, Al4%Si 합금이나 다른 적절한 합금 같은 충전 재료(6)를 링 등의 형태로, 타겟과 배면 지지판 사이에서 상기 조립체의 외주 경계(25)에 인접하게 제공하는 것이 바람직하다. 상기 충전 재료(6)는 후술될 바와 같이 배면 지지판에 대한 타겟의 접합을 강화시킨다.In many cases, it is desirable to provide a filling material 6, such as an Al4% Si alloy or other suitable alloy, in the form of a ring or the like, adjacent the outer perimeter 25 of the assembly between the target and the back support plate. The filling material 6 strengthens the bonding of the target to the back support plate as will be described later.

상기 조립체는 일차적으로 외주 경계(25) 둘레에 접합된다. 상기 조립체의 외주 경계를 따른 이 초기 접합은 진공 상태하의 E-빔 용접, TIG 용접 및 마찰 용접 등의 종래의 수단에 의해 달성될 수 있다. 타겟과 배면 지지판의 외주 경계의 접합은 진공 상태하에서 E-빔 용접에 의해 수행되는 것이 적합하다.The assembly is primarily bonded around the outer perimeter boundary 25. This initial joining along the outer perimeter of the assembly can be accomplished by conventional means such as E-beam welding, TIG welding and friction welding under vacuum. The joining of the outer perimeter boundary of the target and the back support plate is suitably carried out by E-beam welding under vacuum.

외주 접합 이후에, 상기 조립체는 저온 상태하에서, 약 50tons - 5000tons, 바람직하게는 약 1000tons 미만의 압력의 그에 대한 압력 적용을 통해 함께 일체화된다. 수 부재(8)는 대응하는 암 보어들(9)내로 마찰식으로 끼워진다.After circumferential bonding, the assemblies are integrated together through a pressure application thereon under a low temperature condition, of a pressure of about 50 to 5000 tons, preferably less than about 1000 tons. The male member 8 is frictionally fitted into the corresponding female bores 9.

저온 가압 일체화 이후에, 상기 조립체는 대략 실온 내지 400℃의 온도에서 0.5 내지 4 시간의 기간 동안 수행되는 저온 어닐링 단계를 받을 수 있다. 이는 가압 일체화된 표면들의 적절한 접합을 보증하는 것을 돕는다.After cold press integration, the assembly may be subjected to a low temperature annealing step performed for a period of 0.5 to 4 hours at a temperature of approximately room temperature to 400 ° C. This helps to ensure proper bonding of the pressure integrated surfaces.

"저온 가압 일체화"라는 용어는 타겟과 배면 지지판 중 보다 낮은 융점의 부재의 융점의 약 50% 보다 낮은 온도에서 이루어질 수 있는 가압 일체화를 지칭한다. 이 온도는 약 200℃ 미만인 것이 바람직하며, 약 실온으로부터 약 38℃까지인 것이 가장 바람직하다.The term "cold pressure integration" refers to a pressure integration that can be made at a temperature lower than about 50% of the melting point of the lower melting point member of the target and back support plate. This temperature is preferably less than about 200 ° C, most preferably from about room temperature to about 38 ° C.

도 2를 참조하면, 타겟과 배면 지지판이 저온 가압 일체화에 의해 결합될 수 있는 본 발명의 다른 실시예가 도시되어 있다. 여기서, 수 돌출부들(8)은 배면 지지판(4)내에 형성된 정사각형 리세스들(9)내로 강제로 끼워지는 세장형 정사각형 단면 형상이다.Referring to FIG. 2, there is shown another embodiment of the present invention in which the target and the back support plate may be coupled by low temperature pressurization integration. Here, the male protrusions 8 have an elongated square cross-sectional shape which is forcibly fitted into the square recesses 9 formed in the back support plate 4.

도 3 및 도 4는 저온 가압 일체화에 의해서, 돌출 수 부재들이 마찰력을 받지않고 그 정합, 암 리세스들내에 끼워지며, 타겟과 배면 지지판들이 접합에 의해 결합되는, 그 정합된 위치에서 도 1 및 도 2의 조립체들을 각각 도시하고 있다.Figures 3 and 4 show, in its mated position, that by means of cold press integration, the protruding male members are fitted in their mating, female recesses without friction, and the target and the back support plates are joined by bonding; Each of the assemblies of FIG. 2 is shown.

도 5는 도 1의 실시예의 수 및 암 커플링 부재들을 사시도로서 도시하고 있다. 수 부재들(8)은 원통형 보어들(9)과 정합하도록 사용되는 원통형 다월(dowel) 돌출부 형태이다. 상기 보어들(9)은 돌출 수 부재들(8) 보다 작은 내경을 갖는다. 도시된 바와 같이, 수 부재들(8)과 보어들(9)은 동심적으로 배열된 환형 열들의 패턴으로 배열된다.FIG. 5 shows the male and female coupling members of the embodiment of FIG. 1 in a perspective view. The male members 8 are in the form of cylindrical dowel protrusions used to mate with the cylindrical bores 9. The bores 9 have a smaller inner diameter than the protruding male members 8. As shown, the male members 8 and the bores 9 are arranged in a pattern of concentrically arranged annular rows.

도 6은 도 2의 실시예에 도시된 수/암 정합 부재들을 도시하고 있다. 여기서, 수 부재들(8)은 보다 작은 개구들(9)내로 수용되도록 적용되는 세장형 정사각형 단면 스터드의 형태이다.FIG. 6 shows the male / female matching members shown in the embodiment of FIG. 2. Here, the male members 8 are in the form of an elongated square cross-section stud which is adapted to be received into the smaller openings 9.

본 발명에 따른 일 타겟/배면 지지판 조립체 접합에 있어서, 직사각형 단면의 수 돌출부들이 사용되고, 대응 직사각형 암 개구들내로 마찰식으로 끼워진다. 상기 타넷 및 배면 지지판은 양자 모두 구리이며, 암 개구들은 수 부재보다 약 0.010" 작다. 상기 암 및 수 부재들은 각 표면내에 기계가공된다. 상기 타겟/배면지지판 조립체는 암 및 수 커플링 부재들이 마찰 끼움되도록 가압된다. 가압 이후에, 상기 조립체의 외주부는 전자 빔을 통해 용접된다. 용접 단계 이후, 최종 기계가공 작업이 수행되고, 그래서 용접 영역이 제거되지 않게 된다.In one target / back support plate assembly joining according to the invention, male projections of rectangular cross section are used and frictionally fitted into corresponding rectangular female openings. The tarnet and the back support plate are both copper and the female openings are about 0.010 "smaller than the male member. The female and male members are machined within each surface. The target / back support plate assembly has a friction between the female and male coupling members. After pressing, the outer periphery of the assembly is welded through the electron beam After the welding step, the final machining operation is carried out, so that the welding area is not removed.

따라서, 본 발명의 로킹 결합부는 일 부재상에 배치된 돌출 수 부재와, 나머지 부재에 형성된 대응 암 개구 사이에 형성된 마찰 끼움 결합부로서 설명될 수 있다.Thus, the locking engagement portion of the present invention can be described as a friction fitting engagement portion formed between the protruding male member disposed on one member and the corresponding female opening formed in the remaining member.

본 명세서에 설명된 방법 및 상기 방법에 따라 제조된 타겟/배면 지지판 조립체가 특정 형태 및 그 특정 변형예에 관하여 설명되었지만, 첨부된 청구 범위에 정의된 바와 같은 본 발명의 정신과 범주로부터 벗어나지 않고도 광범위한 다른 변형들이 이루어질 수 있다. 또한, 본 명세서에서 금속 또는 금속 성분이라 지칭하는 것은 기술된 금속의 합금 형태들을 포함한다.Although the method described herein and the target / back support plate assembly made in accordance with the method have been described with respect to particular forms and specific variations thereof, there are a wide variety of other aspects without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. Variations can be made. Also referred to herein as a metal or metal component includes alloy forms of the described metal.

비록, 구리 대 구리 접합이 특정하게 언급되었지만, 다른 금속들도 본 발명을 적용할 수 있다. 예로서, Al 타겟 대 Al 배면 지지판이 본 명세서에 설명된 방법을 사용하여 결합될 수 있다. 경도 및 열 팽창 같은 금속들의 기계적 특성들이 유사한 다른 타겟 대 배면 지지판 조합들도 가능하다.Although copper to copper junctions are specifically mentioned, other metals may also apply the present invention. By way of example, an Al target to Al back support plate may be joined using the method described herein. Other target-to-back support plate combinations are possible that have similar mechanical properties of metals such as hardness and thermal expansion.

본 발명은 일체화에 보다 높은 온도를 필요로하는 확산 접합 및 다른 접합 기술들 보다 우월한 장점을 제공한다. 보다 높은 온도 조건들은 때때로 타겟 금속에 비의도적인 입자 성장을 초래한다.The present invention provides advantages over diffusion bonding and other bonding techniques that require higher temperatures for integration. Higher temperature conditions sometimes result in unintentional particle growth on the target metal.

Claims (24)

스퍼터링될 금속 또는 합금으로 구성된 타겟과, 밑에 깔린 금속 배면지지판 부재를 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면 지지판 조립체를 제조하는 방법으로서, 그 정합면들을 따라 타겟과 배면 지지판을 결합시키는 방법에 있어서,A method of manufacturing a bonded sputter target / back support plate assembly comprising a target consisting of a metal or alloy to be sputtered and a metal back support plate member underneath, the method of joining the target and the back support plate along its mating surfaces, the method comprising: (a) 상기 정합면 중 하나 이상에 복수개의 수 돌출부들을 형성하고, 상기 정합면 중 나머지에 복수개의 암 리세스들을 형성하는 단계와,(a) forming a plurality of male protrusions in at least one of the mating surfaces, and forming a plurality of female recesses in the other of the mating surfaces; (b) 상기 정합면들에 의해 형성된 경계면을 가진 조립체를 형성하도록 상기 타겟 및 배면 지지판을 서로 인접하게 위치시키는 단계와,(b) placing the target and back support plate adjacent to each other to form an assembly having an interface defined by the mating surfaces; (c) 상기 수 돌출부들이 상기 암 리세스들내로 마찰식으로 끼워지도록 저온 상태하에서 상기 조립체를 가압 일체화하는 단계를 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.(c) pressurizing the assembly under low temperature to frictionally fit the male protrusions into the female recesses. 제 1 항에 있어서, 상기 조립체의 외주 경계에 근접하게 상기 조립체를 접합시키는 부가적인 (d) 단계를 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.2. The method of claim 1 including the additional step (d) of bonding the assembly close to the outer perimeter of the assembly. 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 (b) 단계 이후, 그리고, 상기 (c) 단계 이전에 수행되는 상기 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein step (d) is performed after step (b) and before step (c). 제 3 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 조립체의 e-빔 용접을 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.4. The method of claim 3, wherein step (d) comprises e-beam welding of the assembly. 제 4 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 외주 경계에 근접하게 상기 타겟과 상기 배면 지지판 사이에 용접 가능한 충전재료를 개재시키는 것을 추가로 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면 지지판 조립체 제조 방법.5. The method of claim 4, wherein step (d) further comprises interposing a weldable filler material between the target and the back support plate proximate the outer perimeter. 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 마찰 용접을 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein step (d) comprises friction welding. 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 TIG 용접을 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein step (d) comprises TIG welding. 제 6 항에 있어서, 상기 타겟은 Cu를 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.7. The method of claim 6, wherein said target comprises Cu. 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 외주 경계에 인접하게 위치된 환형 영역을 따라 상기 타겟을 e-빔 용접하는 것을 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.3. The method of claim 2, wherein step (d) comprises e-beam welding the target along an annular region positioned adjacent the outer perimeter. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 대략 실온에서 상기 조립체를 가압 일체화하는 것을 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.2. The method of claim 1, wherein step (c) comprises pressure-integrating the assembly at approximately room temperature. 제 2 항에 있어서, 상기 가압 일체화된 조립체를 저온 어닐링하는 (e) 단계를 추가로 포함하는 접합된 스퍼터 타겟/배면지지판 조립체 제조 방법.3. The method of claim 2, further comprising the step (e) of low temperature annealing the pressure integrated assembly. 타겟과 배면지지판의 경계면을 정합시킴으로써 형성된 평면을 따라 배면 지지판에 스퍼터 타겟을 접합하는 방법에 있어서,In the method of bonding the sputter target to the back support plate along the plane formed by matching the interface between the target and the back support plate, (a) 상기 경계면들 중 하나에 복수개의 수 돌출부들을 형성하고, 상기 정합면들 중 나머지에 복수개의 암 리세스들을 형성하는 단계와,(a) forming a plurality of male protrusions in one of the boundary surfaces, and forming a plurality of female recesses in the other of the mating surfaces; (b) 서로 인접한 상기 경계면들을 함께 접합할 대기 위치로 상기 타겟과 배면 지지판을 위치시키는 단계와,(b) positioning the target and the back support plate in a standby position to join the boundary surfaces adjacent to each other together; (c) 상기 카겟과 상기 배면 지지판 중 보다 낮은 융점의 부재의 융점의 약 50% 미만의 온도와, 상기 수 돌출부들이 상기 암 리세스들내로 강제 끼움되기에 충분한 압력으로 상기 타겟과 상기 배면 지지판을 일체화하는 단계를 포함하는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.(c) bringing the target and the back support plate to a temperature less than about 50% of the melting point of the lower melting point member of the carget and the back support plate and at a pressure sufficient to force the male protrusions into the female recesses. A method of joining a sputter target to a back support plate member comprising the step of integrating. 제 12 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 200℃ 미만의 온도에서 수행되는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.13. The method of claim 12, wherein step (c) is to join the sputter target to the back support plate member carried out at a temperature of less than 200 ℃. 제 13 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 약 38℃ 미만의 온도에서 수행되는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.14. The method of claim 13, wherein step (c) joins the sputter target to a back support plate member that is performed at a temperature of less than about 38 ° C. 제 14 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 대략 실온에서 수행되는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.15. The method of claim 14, wherein step (c) joins the sputter target to the back support plate member which is performed at approximately room temperature. 제 15 항에 있어서, 상기 타겟은 Cu 또는 Cu 합금인 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.16. The method of claim 15, wherein the target is a Cu or Cu alloy sputter target. 제 15 항에 있어서, 상기 (c) 단계 이전에, 상기 정합 경계면들의 외주 경계부 둘레에서 상기 타겟과 상기 배면 지지판을 접합하는 (d) 단계를 추가로 포함하는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.16. The method of claim 15, further comprising (d) joining the target and the back support plate around the perimeter of the mating boundaries prior to step (c). . 제 17 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 외주 경계부를 따라 상기 타겟과 상기 배면 지지판 사이에 용접가능한 충전 재료를 개재시키는 것을 포함하는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.18. The method of claim 17, wherein step (d) comprises interposing a weldable filler material between the target and the back support plate along the outer perimeter. 제 17 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 e-빔 용접을 포함하는 스퍼터 타겟을 배면 지지판 부재에 접합하는 방법.18. The method of claim 17, wherein step (d) joins the sputter target comprising e-beam welding to a back support plate member. 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 타겟/배면 지지판 조립체.20. A target / back support plate assembly produced by the method of any one of claims 1 to 19. 스퍼터 타겟과 배면 지지판을 포함하는 조합체에 있어서,In a combination comprising a sputter target and a back support plate, 상기 타겟과 배면 지지판은 각 경계면을 정합시킴으로써 형성되고, 상기 경계면들 중 하나에는 복수개의 수 돌출부들이 형성되어 있고, 상기 경계면들 중 나머지에는 복수개의 정합 암 리세스들이 형성되어 있으며, 상기 수 돌출부들이 상기 암 리세스들내로 강제로 끼워맞춤되는 스퍼터 타겟과 배면 지지판을 포함하는 조합체.The target and the back support plate are formed by matching each boundary surface, one of the boundary surfaces is formed with a plurality of male protrusions, the other of the boundary surfaces are formed with a plurality of mating female recesses, the male protrusions A combination comprising a sputter target and a back support plate forcibly fitted into the arm recesses. 제 21 항에 있어서, 상기 수 돌출부들과 상기 암 리세스들을 둘러싸고 상기 정합면들을 따라 형성된 외주 영역을 추가로 포함하고,22. The apparatus of claim 21, further comprising an outer circumferential region formed around the mating surfaces surrounding the male protrusions and the female recesses. 상기 외주 영역에 접합가능한 충전재료가 위치되는 스퍼터 타겟과 배면 지지판을 포함하는 조합체.A combination comprising a sputter target and a back support plate on which the filler material joinable to the outer peripheral region is located. 제 21 항에 있어서, 상기 타겟은 Cu를 포함하는 스퍼터 타겟과 배면 지지판을 포함하는 조합체.22. The combination of claim 21, wherein said target comprises a sputter target comprising Cu and a back support plate. 제 21 항에 있어서, 상기 타겟은 Al을 포함하는 스퍼터 타겟과 배면 지지판을 포함하는 조합체.22. The combination of claim 21, wherein said target comprises a sputter target comprising Al and a back support plate.
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