KR20020032088A - 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents
고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020032088A KR20020032088A KR1020000062978A KR20000062978A KR20020032088A KR 20020032088 A KR20020032088 A KR 20020032088A KR 1020000062978 A KR1020000062978 A KR 1020000062978A KR 20000062978 A KR20000062978 A KR 20000062978A KR 20020032088 A KR20020032088 A KR 20020032088A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- liquid crystal
- forming
- display panel
- gate
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 206010000117 Abnormal behaviour Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로서, 상기 액정 디스플레이 패널은 서로 교차하여 각각 다수 개로 형성된 데이터 배선 및 게이트 배선을 갖는 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 액정이 주입된 액정 디스플레이 패널에 있어서, 상기 제 1 기판 상에 데이터 및 게이트 배선의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터와 연결되어 형성된 화소전극; 상기 화소전극의 상부에 형성된 칼라필터층; 상기 데이터 배선 및 제 2 기판과 맞닿도록 상기 데이터 배선과 제 2 기판 사이에 형성된 스페이서를 포함하여 구성되며, 상기와 같이 형성된 스페이서로 인해 이상 액정층의 형성을 방지하고 화소간의 광을 완벽히 차단하여 좌우 시야각 방향으로 빛이 새는 것을 방지하고 패널 투과율(개구율)을 향상시킨다.
Description
본 발명은 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
TFT LCD 패널은 액정의 복굴절성을 이용하여 백라이트의 입사광을 제어하고, 입사광의 진행방향은 액정 분자의 장축방향으로 회전하는 성질을 이용하여 입사광을 제어하여 디스플레이하는 소자이므로, 액정은 입사광의 입사방향에 따라 굴절율이 달라져 화면이 어둡거나 반전되어 보이므로 CDT와 대비하여 시야각이 좁다.
도 1a 는 일반적인 액정 디스플레이 패널의 평면도로 상부 글레스에 칼라필터층을 배치한 구조이고, 도 1b 는 도 1a 의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 단면도이다.
도 1b 에 도시한 바와 같이, 일반 구조에서는 상부 글레스(1)에 칼라필터층(3) 및 데이터 배선(8) 상부에 형성된 액정의 이상 동작층을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(2)를 배치한다.
칼라필터층(3)과 ITO 화소전극(5) 사이에 형성된 액정층은 하부 글레스(9)의 일측에 형성된 편광판으로부터 입사된 빛을 투과하여 화소전극(5) 및 공통전극(4)에 인가된 전압에 따라 배향막의 배향 방향에 따라 정렬된 방향이 변화되고, 상기 액정층의 정렬 상태에 따라 상기 투과된 빛이 편광판을 통해 선택적으로 통과된다.
이 때 상기 블랙 매트릭스(2)를 이용하여 이상 액정층에 의해 하부글레스(9)를 투과한 빛을 차단하여 화소끼리의 간섭을 제거한다.
그러나, 상하판(10, 11)이 미스-얼라인(mis-align)될 경우, 이상 액정층의 배열 상태에 따라 빛이 블랙 매트릭스(2)에 의해 차단되지 않고 인접 화소에 영향을 미친다.
도 1c 는 일반적인 액정 디스플레이 패널의 평면도로, 하부 글레스에 칼라필터층을 배치한 구조이다.
도 1c 에 도시된 바와 같이 도 1a 및 도 1b 의 일반적 구조에서의 상하판(10, 11) 미스-얼라인 문제를 근본적으로 없애기 위해 칼라필터층(3)을 하판(11)에 배치(color filter on transistor)시킨다.
이때 블랙 매트릭스는 하판(11)의 배선전극(8)이 대신하거나, 배선 전극(8) 위에 별도의 블랙 매트릭스층(통상 수지 블랙 매트릭스)을 두기도 하며 또한 배선 전극(8)을 안료 위에 배치시키기도 한다.
종래 기술에 따른 TFT 어레이와 칼라필터층이 각각 다른 기판에 형성된 액정 디스플레이 패널은 LCD 패널의 상하판의 미스-얼라인(mis-align) 발생시 이상 액정층의 비정상 동작에 따라 빛이 새는 문제가 발생하고, 이의 방지를 위해 블랙 매트릭스를 크게 형성할 때 패널 전체 개구율을 떨어지는 문제점이 발생한다.
또한 칼라필터층을 TFT 어레이가 형성된 기판에 배치시킨 TFT LCD 패널의 경우, 화소부 전압에 의한 액정 구동시 이상 액정층의 이상 행동에 따른 빛이 새는 문제를 정면에서는 보호할 수 있지만 좌우 시야각으로 비스듬히 볼 때의 빛이 새는문제점이 있다.
상기 문제점은 상판에 블랙 매트릭스를 설치하여 보완할 수 있으나 역시 상하판의 미스-얼라인 문제로 인해 빛이 새는 문제점을 막기 위해 블랙 매트릭스를 크게 형성할 때 패널 전체 개구율 향상을 위한 마진이 줄어든다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 좌우 시야각에서의 빛이 새는 문제를 개선하고 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 칼라 액정 디스플레이 패널의 개구율을 향상시키기 위해 칼라필터층을 하판 TFT 어레이 위에 적층하는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 액정 디스플레이 패널을 설계함에 있어서, 수지를 이용한 칼럼 스페이서를 도입하여 좌우 시야각에서의 빛샘 문제를 개선하고 고 개구율의 설계 마진을 갖는데 있다.
도 1a 는 일반적인 액정 디스플레이 패널의 평면도
도 1b 는 상기 도 1a 의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 단면도
도 1c 는 일반적인 액정 디스플레이 패널의 평면도
도 2a 는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널의 평면도
도 2b 는 상기 도 2a 의 Ⅱ-Ⅱ' 방향의 단면도
도 2c 는 상기 도 2a 의 Ⅲ-Ⅲ' 방향의 단면도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 상부 글레스 2 : 블랙 매트릭스
3 : 칼라필터층 4 : 공통전극
5 : 화소전극 6 : 보호막
7 : 절연막 8: 데이터 배선
9 : 하부 글레스 10 : 상판
11 : 하판 12 : 게이트 배선
13 : 스페이서 14 : 게이트 전극
15 : 반도체층 16 : 오우믹접촉층
17 : 소오스 전극 18 : 드레인 전극
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널의 특징은 서로 교차하여 각각 다수 개로 형성된 데이터 배선 및 게이트 배선을 갖는 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 액정이 주입된 액정 디스플레이 패널에 있어서, 상기 제 1 기판 상에 데이터 및 게이트 배선의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터와 연결되어 형성된 화소전극; 상기 화소전극의 상부에 형성된 칼라필터층; 상기 데이터 배선 및 제 2 기판과 맞닿도록 상기 데이터 배선과 제 2기판 사이에 형성된 스페이서를 포함하여 구성되는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 제조 방법의 특징은 다수 개의 단위 화소로 구성된 액티브 영역을 갖는 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 액정이 주입된 액정 디스플레이 패널 제조에 있어서, 상기 제 1 기판 상에 다수 개의 게이트 배선을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역의 각 단위 화소 당 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 다수 개의 게이트 배선과 교차하는 방향으로 다수 개의 데이터 배선을 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터와 연결되도록 화소전극을 형성하는 단계; 상기 데이터 배선 및 제 2 기판과 맞닿도록 상기 데이터 배선과 제 2 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 화소전극 상부에 칼라필터층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2a 는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널의 평면도이고, 도 2b 는 도 2a 의 Ⅱ-Ⅱ' 방향의 단면도이다.
그리고 도 2c 는 도 2a 의 Ⅲ-Ⅲ' 방향의 단면도이다.
도 2b 및 도 2c 에 도시된 바와 같이 게이트 배선 및 데이터 배선(8)의 상부에 상판(10)까지 다다를 수 있는 스페이서(13)를 구성한다.
그리고 도 2b 에 도시된 바와 같이 상판(10) 및 하판(11) 사이에 형성된 액정층, 하부 글레스(9) 위에 각각의 화소를 ON/OFF시켜 화소를 구동하기 위한 박막트랜지스터, 상기 박막트랜지스터를 ON/OFF시키는 스위칭 신호를 인가하기 위한 게이트 배선(12) 및 데이터 신호를 인가하기 위한 데이터 배선(13), 상부 글레스(1) 및 하부 글레스(9)의 화소 영역에 형성되고 각각 전압을 인가하여 상기 액정층의 배열 상태를 조절하는 공통전극(4) 및 화소전극(5), R, G, B 칼라필터층(3), 데이터 배선(8)의 상부에 상판(10)까지 맞닿도록 형성되어 상판(10)과 하판(11) 사이에 일정한 공간이 형성되도록 유지시켜주고 광을 차단하는 역할을 하는 스페이서(13)를 포함하여 구성된다. 또한 상기 스페이서(13)는 데이터 배선(8)과 마주보는 상판(10)에 상기 상판(10)과 맞닿도록 형성되기도 하고 게이트 배선(12) 위에 형성되기도 한다.
또한 도시되진 않았지만 상기 하판(11)의 일측에 형성된 LCD 백라이트, 상기 상판(10) 및 하판(11)의 일측에 형성되어 상기 액정층을 고정된 방향으로 정렬하는 배향막, 상기 상판(10) 및 하판(11)의 일측에 형성되고 상기 백라이트에 의해 조사되어 상기 액정층을 투과한 빛을 조절하는 편광필터를 더 포함하여 구성된다.
상기 스페이서(13)는 최근 액정 스페이서 대용으로 개발 적용 중에 있는 칼럼 스페이서를 적용하거나, 또는 수지 블랙 매트릭스로 높은 층으로 적층하여 구성한다.
상기 스페이서(13)를 상판(10)과 맞닿도록 형성함으로써 ITO 화소전극(5)이 없는 부분의 이상 액정층이 형성되지 않게 하여 물론 정면 뿐 아니라 비스듬한 각도에서의 빛이 새지 않게 한다.
상기와 같은 액정 디스플레이 패널 형성 공정 중 하판(11)의 공정은 다음과 같다. 그리고 데이터 배선(8)의 상부에 스페이서(13)가 형성되는 공정만을 설명하면 다음과 같다.
게이트 전극(14)을 형성함과 동시에 게이트 배선(12)을 형성한다.
이어 게이트 전극(14)을 덮도록 절연막(6)을 형성하고, 반도체층(15)을 형성한다.
이어, 반도체층(15)의 오우믹 접촉(ohmic contact)을 위하여 오우믹접촉층(16)을 형성한 후 소오스 전극(17)과 드레인 전극(18)을 형성한다.
그리고, 오우믹접촉층(16) 위에 형성된 소오스 전극(17) 및 드레인 전극(18)과 함께 상기 절연막(6) 상에 데이터 배선(8)이 형성된다.
이어 상기 소스/드레인 전극(17, 18)을 포함한 전면에 보호막(7)을 형성하고 패터닝하여 상기 드레인 전극(18)의 소정 영역을 노출시키고, 상기 노출된 드레인 전극(18)과 연결되도록 화소전극(5)을 형성한다. 이때 화소전극(5)이 보호막(7)보다 먼저 형성되기도 한다.
이어, 도면에 도시되진 않았지만 배향막을 형성하고, 상기 데이터 배선(8)의 상부에 스페이서(13)를 형성하고, 상기 화소전극(5) 상부에 칼라필터층(3)을 형성한다.
스페이서(13)를 상판(10)까지 확장하여 형성하고 칼라필터층(3)을 박막트랜지스터가 형성된 하판(11)에 형성함으로써 상판(10) 및 하판(11)의 미스-얼라인으로 인한 좌우 시야각에서 빛이 새는 문제점이 없다.
그리고 칼라필터층(3)과 ITO 화소전극(5) 사이에 형성된 액정층은 하부 글레스(9)의 일측에 형성된 편광판으로부터 입사된 빛을 투과하여 화소전극(5) 및 공통전극(4)에 인가된 전압에 따라 배향막의 배향 방향에 따라 정렬된 방향이 변화되고, 상기 액정층의 정렬 상태에 따라 상기 투과된 빛이 편광판을 통해 선택적으로 통과된다.
이 때 상기 스페이서(13)를 이용하여 이상 액정층의 형성을 방지하여 이상 액정층에 의해 하부 글레스(9)를 투과한 빛이 없으므로 화소끼리의 간섭이 제거된다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
박막트랜지스터 어레이가 형성된 액정 디스플레이 패널의 하판에 칼라필터층을 적층하는 구조에서, 데이터 배선의 상부 또는 데이터 배선과 마주보는 상판에 상하판 사이의 공간만큼 스페이서를 형성함으로써 이상 액정층의 형성을 방지한다.
따라서 이상 액정층으로의 빛의 투과로 인해 좌우 시야각 방향으로 빛이 새는 것을 방지할 수 있다.
또한 상기 스페이서가 빛을 차광하는 역할도 하기 때문에 별도의 블랙 매트릭스의 형성하지 않아도 되고, 이는 패널 투과율(개구율)을 향상시키는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
Claims (15)
- 서로 교차하여 각각 다수 개로 형성된 데이터 배선 및 게이트 배선을 갖는 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 액정이 주입된 액정 디스플레이 패널에 있어서,상기 제 1 기판 상에 데이터 및 게이트 배선의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터;상기 박막트랜지스터와 연결되어 형성된 화소전극;상기 화소전극의 상부에 형성된 칼라필터층;상기 데이터 배선 및 제 2 기판과 맞닿도록 상기 데이터 배선과 제 2 기판 사이에 형성된 스페이서를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서, 박막트랜지스터는상기 제 1 기판 상에 게이트 배선과 함께 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 소정 영역에 차례로 형성된 반도체층, 소스/드레인 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서는 데이터 배선의 상부, 데이터 배선과 마주보는 상기 제 2 기판 중 어느 하나에 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는액정 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서는 게이트 배선과 상기 제 2 기판 사이에 더 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서는 제 1 및 제 2 기판 사이에 일정한 공간이 형성되도록 유지시키는 것을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서는 칼럼 스페이서, 블랙 매트릭스 중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널.
- 제 6 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 및 칼럼 스페이서는 수지로 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널.
- 다수 개의 단위 화소로 구성된 액티브 영역을 갖는 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 액정이 주입된 액정 디스플레이 패널 제조에 있어서,상기 제 1 기판 상에 다수 개의 게이트 배선을 형성하는 단계;상기 액티브 영역의 각 단위 화소 당 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 다수 개의 게이트 배선과 교차하는 방향으로 다수 개의 데이터 배선을 형성하는 단계;상기 박막트랜지스터와 연결되도록 화소전극을 형성하는 단계;상기 데이터 배선 및 제 2 기판과 맞닿도록 상기 데이터 배선과 제 2 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계;상기 화소전극 상부에 칼라필터층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는상기 제 1 기판 상에 상기 게이트 배선 형성 시에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 절연 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 상기 데이터 배선을 형성 시에 상기 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 스페이서는데이터 배선의 상부, 데이터 배선과 마주보는 상기 제 2 기판 중 어느 하나에 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 스페이서는 게이트 배선과 상기 제 2 기판 사이에 더 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 스페이서는 제 1 및 제 2 기판 사이에 일정한 공간이 형성되도록 유지시키는 것을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 스페이서는 칼럼 스페이서, 블랙 매트릭스 중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 및 칼럼 스페이서는 수지로 형성됨을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
- 제 1 기판과, 제 2 기판 사이에 액정이 주입된 액정 디스플레이 패널 제조에 있어서,상기 제 1 기판 상에 게이트 배선, 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 제 1 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 데이터 배선을 형성하고, 상기 반도체층 상에 소스/드레인 전극을 형성하여 박막트랜지스터를 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극을 포함한 전면에 보호막을 형성하고 패터닝하여 상기 드레인 전극의 소정 영역을 노출시키는 단계;상기 노출된 드레인 전극과 연결되도록 화소전극을 형성하는 단계;상기 데이터 배선 및 제 2 기판과 맞닿도록 상기 데이터 배선과 제 2 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계;상기 화소전극 상부에 칼라필터층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고 개구율을 갖는 액정 디스플레이 패널 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000062978A KR100731025B1 (ko) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000062978A KR100731025B1 (ko) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020032088A true KR20020032088A (ko) | 2002-05-03 |
| KR100731025B1 KR100731025B1 (ko) | 2007-06-22 |
Family
ID=19695412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000062978A KR100731025B1 (ko) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100731025B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077275B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate and a method of manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4011645B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2007-11-21 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2907137B2 (ja) * | 1996-08-05 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3949759B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2007-07-25 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | カラーフィルタ基板および液晶表示素子 |
| JP2000171808A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
-
2000
- 2000-10-25 KR KR1020000062978A patent/KR100731025B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8077275B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display substrate and a method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100731025B1 (ko) | 2007-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8102489B2 (en) | Liquid crystal display device having black matrix in region outside of pixel region and method for fabricating the same | |
| KR101222955B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| US5852485A (en) | Liquid crystal display device and method for producing the same | |
| US8228473B2 (en) | Substrate for liquid crystal display, liquid crystal display having the same and method of manufacturing the same | |
| KR101427708B1 (ko) | 액정 표시 패널 | |
| US8614779B2 (en) | Lateral electric field type active-matrix addressing liquid crystal display device | |
| JP3842604B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN101685232B (zh) | 阵列基底及其制造方法、采用该阵列基底的液晶显示装置 | |
| KR20010017102A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100760940B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR100562451B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| JP2002323704A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20080020309A (ko) | 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
| KR100731025B1 (ko) | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
| KR100949495B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20110083412A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| KR100411974B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JP4121357B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20050001951A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR20010081251A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 | |
| KR100793577B1 (ko) | 반투과형 액정 표시 장치 | |
| KR20090128909A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20080001931A (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2002082354A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20030055930A (ko) | 액정표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Publication of correction | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150528 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160530 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180515 Year of fee payment: 12 |