KR20020031219A - The grounding structure for susceptor in a wafer processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 가공장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서셉터 지지암의 결합만으로 서셉터의 접지가 벨로우즈를 통하여 이루어질 수 있도록 한 웨이퍼 가공장치의 서셉터 접지구조에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly, to a susceptor grounding structure of a wafer processing apparatus in which the grounding of the susceptor can be made through the bellows only by coupling the susceptor support arms.
일반적으로 웨이퍼 가공장치는 열처리장치, 불순물 도입장치, 박막형성장치 등이 있다. 이 웨이퍼 가공장치는 대부분이 챔버 내부에 웨이퍼가 안착되는 서셉터를 구비하고 있으며, 웨이퍼 가공은 챔버 내부로 고주파 전원이 인가되어 플라즈마에 의한 식각이나 증착, 또는 화학기상 증착공정이 수행됨으로써 이루어진다.Generally, wafer processing apparatuses include a heat treatment apparatus, an impurity introduction apparatus, and a thin film forming apparatus. Most of these wafer processing apparatuses have susceptors on which wafers are seated in the chamber, and wafer processing is performed by applying high frequency power to the chamber to perform etching, deposition, or chemical vapor deposition by plasma.
그리고 이와 같은 웨이퍼 가공장치의 챔버 내부에는 반응시 서셉터에 전자가 집진되는 것을 방지하기 위하여 서셉터를 접지하는 접지구조가 구현되어 있다.In addition, a grounding structure for grounding the susceptor is implemented in the chamber of the wafer processing apparatus in order to prevent electrons from being collected in the susceptor during the reaction.
도 1은 종래의 웨이퍼 가공장치 중에서 하나의 일례로 화학기상 증착장치를 도시하고 있는데. 이에 도시된 바와 같이 종래의 화학기상 증착장치는 챔버(10)와 챔버(10) 상측으로 반응가스가 공급되는 가스공급관(11)이 챔버(10)를 관통하여 설치되고, 가스공급관(11)의 하측으로 반응가스를 분배하는 분배판(12)이 설치된다. 그리고 분배판(12)의 하부에는 웨이퍼(13)가 안착되는 서셉터(14)가 설치된다.1 illustrates a chemical vapor deposition apparatus as one example of a conventional wafer processing apparatus. As shown in the drawing, the conventional chemical vapor deposition apparatus includes a chamber 10 and a gas supply pipe 11 through which the reaction gas is supplied above the chamber 10. The distribution plate 12 which distributes reaction gas to the lower side is provided. The susceptor 14 on which the wafer 13 is seated is installed at the lower portion of the distribution plate 12.
이 서셉터(14)는 서셉터(14)를 지지하는 지지암(15)에 의하여 지지되고, 지지암(15)의 외측단부에는 벨로우즈(16)가 설치되어 서셉터(14)의 상하 승강이 이루어지도록 되어 있다.The susceptor 14 is supported by a support arm 15 supporting the susceptor 14, and a bellows 16 is installed at an outer end of the support arm 15 to raise and lower the susceptor 14. It is meant to be built.
한편, 이 서셉터(14)는 벨로우즈(16)에 접지선(17)을 통하여 접지되어 있는데. 이를 위한 접지선(17)은 일단이 서셉터(14)의 하면에 접하고, 타단이 지지암(15)을 통하여 벨로우즈(16)를 감싸면서 연장되어 있다.On the other hand, the susceptor 14 is grounded to the bellows 16 via a ground wire 17. One end of the ground wire 17 is in contact with the bottom surface of the susceptor 14, and the other end thereof extends while surrounding the bellows 16 through the support arm 15.
그런데 종래의 이 접지구조는 접지선(17)이 벨로우즈(16)를 감싸면서 연장되어 있기 때문에 접지선(17)이 웨이퍼 가공장치의 조립과 분해 작업에 지장을 주게 되고, 벨로우즈(16)의 상하 유동으로 접지선(17)의 권취부분이 벨로우즈의 함께 계속적으로 신축하여 접지선(17)의 노화를 촉진시킨다.However, in the conventional grounding structure, since the ground wire 17 extends while surrounding the bellows 16, the ground wire 17 interferes with the assembly and disassembly of the wafer processing apparatus, and the vertical flow of the bellows 16 causes The winding of the ground wire 17 continues to expand and contract with the bellows to promote aging of the ground wire 17.
그리고 접지선(17)의 권취부분이 신축함에 따라 접지선(17)으로부터 소량의 미세입자가 발생하게 되고, 이 미세입자는 웨이퍼(13) 가공시 웨이퍼(13)의 가공 불량률을 높일 뿐만 아니라 벨로우즈(16)의 유동에 방해를 주어 벨로우즈(16)의 복원동작 에러 발생의 한 원인이 되기도 하는 문제점이 있다.As the winding portion of the ground wire 17 is stretched, a small amount of fine particles are generated from the ground wire 17, which not only increases the defect rate of the wafer 13 when the wafer 13 is processed, but also the bellows 16. This impedes the flow of c) and may cause a restoration error error of the bellows 16.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 서셉터의 접지가 서셉터를 지지하는 지지암과 벨로우즈의 결합으로 이루어질 수 있도록 서셉터의 접지구조를 개선하여 접지선의 설치가 고정된 상태로 유지될 수 있도록 한 서셉터 접지구조를 가진 웨이퍼 가공장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to improve the grounding structure of the susceptor so that the grounding of the susceptor can be made by the combination of the support arm and the bellows for supporting the susceptor, the installation of the ground wire is fixed It is to provide a wafer processing apparatus having a susceptor grounding structure that can be maintained in a closed state.
도 1은 종래의 화학기상 증착장치를 도시한 측면 구성도이다.1 is a side configuration diagram showing a conventional chemical vapor deposition apparatus.
도 2는 본 발명에 다른 화학기상 증착장치를 도시한 측면 구성도이다.Figure 2 is a side view showing a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 화학기상 증착장치에 설치된 서셉터 접지구조를 확대 도시한 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of a susceptor grounding structure installed in a chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
100...챔버100 ... chamber
120...분배판120 ... distribution board
140...서셉터140.Susceptor
150...지지암150 ... supporting arm
160...벨로우즈160 Bellows
170...접지선170 ... ground line
180...접지판180 ... ground plate
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 가공장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되되 상측에 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 상기 서셉터를 지지하는 지지암, 상기 지지암의 일측에 결합되어 상기 지지암을 승강시킴으로써 상기 서셉터가 승강하도록 하는 벨로우즈, 일측이 상기 지지암과 상기 벨로우즈 사이에 설치되어 상기 벨로우즈와 접하도록 마련되고 타측이 상기 서셉터에 접속된 접지수단을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치. 상기 접지수단은 상기 지지암과 상기벨로우즈 사이에 설치되되 상기 벨로우즈와 밀착하도록 된 접지판을 포함한다. 또한, 상기 접지수단은 상기 접지판에 일단이 결합되고 타단이 상기 지지암을 거쳐 상기 서셉터에 접속된 접지선을 포함하는 것을 특징으로 한다.Wafer processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a chamber, a susceptor is installed in the chamber, the wafer is seated on the upper side, a support arm for supporting the susceptor, coupled to one side of the support arm Bellows for raising the susceptor by lifting the support arm, one side is provided between the support arm and the bellows is provided in contact with the bellows, the other side is provided with a grounding means connected to the susceptor Wafer processing equipment. The grounding means includes a ground plate installed between the support arm and the bellows to be in close contact with the bellows. In addition, the grounding means is characterized in that it comprises a ground wire is connected to the susceptor, one end is coupled to the ground plate and the other end via the support arm.
이하에서는 본 발명에 따른 하나의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, one preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공장치는 도1과 도 2에서 화학기상 증착장치를 실시예로 하고 있다. 이 제시된 실시예의 화학기상 증착장치는 통상적으로 진공펌핑장치, 전원공급장치, 반응가스 믹싱장치 그리고 냉각장치들이 포함되어 있는데, 이러한 장치들은 공지된 것이기 때문에 제시된 도면에서는 생략되어 있고, 본 발명의 기술적 요지인 서셉터 접지구조에 대해서만 보다 구체적으로 설명하고 있다.A wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention uses a chemical vapor deposition apparatus in FIGS. 1 and 2. The chemical vapor deposition apparatus of this presented embodiment typically includes a vacuum pumping apparatus, a power supply apparatus, a reaction gas mixing apparatus, and a cooling apparatus, and these apparatuses are well known and thus are omitted from the presented drawings, and the technical gist of the present invention. Only the inceptor grounding structure is described in more detail.
본 발명에 따른 서셉터 접지구조를 가진 화학기상 증착장치는 도 2에 도시된 바와 같이 사각의 통체로 된 챔버(100)를 구비하고, 챔버(100)의 상측으로 반응가스가 공급되는 가스공급관(110)이 챔버(100)를 관통하여 설치된다.Chemical vapor deposition apparatus having a susceptor ground structure according to the present invention has a rectangular cylinder 100 as shown in Figure 2, the gas supply pipe for supplying the reaction gas to the upper side of the chamber ( 110 is installed through the chamber 100.
그리고 가스공급관(110)의 하측으로 반응가스를 분배하도록 다수의 분배홀(121)이 형성된 분배판(120)이 설치되고, 분배판(120)의 하부에는 웨이퍼(130)가 안착되는 서셉터(140)가 설치된다.In addition, a distribution plate 120 having a plurality of distribution holes 121 is installed to distribute the reaction gas to the lower side of the gas supply pipe 110, and a susceptor having the wafer 130 seated on the lower portion of the distribution plate 120. 140 is installed.
이 서셉터(140)의 하부에는 일단이 서셉터(140)의 중심부분에 결합되고, 타단이 외측방으로 연장된 서셉터 지지암(150)이 장착되며, 서셉터 지지암(150)의 하측으로는 서셉터 지지암(150)을 승강시켜 서셉터(140)가 승강되도록 하는벨로우즈(160)가 설치된다.One end of the susceptor 140 is coupled to a central portion of the susceptor 140, and the other end of the susceptor 140 is mounted with a susceptor support arm 150 extending outward. The bellows 160 is installed to lift the susceptor support arm 150 to lift the susceptor 140.
여기서 지지암(150)은 서셉터(140)로부터 결합되어 연장된 로드부(151)와 로드부(151)의 외측단에 로드부(151)와 일체로 된 결합부(152)로 구성되고, 이 결합부(152)가 벨로우즈(160)와 밀착되어 있다. 그리고 서셉터(140)는 벨로우즈(160)를 통하여 접지되어 있다.Here, the support arm 150 is composed of a rod portion 151 coupled to and extended from the susceptor 140 and a coupling portion 152 integrally formed with the rod portion 151 at the outer end of the rod portion 151. This engaging portion 152 is in close contact with the bellows 160. The susceptor 140 is grounded through the bellows 160.
이 서셉터(140)의 접지를 위한 접지수단은 일단이 지지암(150)의 로드부(151)에 내삽되어 서셉터(140)의 하면으로까지 연장된 후 서셉터(140)의 하면과 접속되고, 타단이 로드부(151)의 외측단부를 통하여 지지암(150)의 결합부(151)까지 연장되어 있는 접속선(170)을 구비한다.The grounding means for grounding the susceptor 140 is connected to the lower surface of the susceptor 140 after one end is inserted into the rod portion 151 of the support arm 150 and extends to the lower surface of the susceptor 140. The other end is provided with a connection line 170 extending to the engaging portion 151 of the support arm 150 through the outer end of the rod portion 151.
또한, 접지수단은 도 3에 도시된 바와 같이 결합부(151)의 하측으로 삽입 설치되되 하부로 벨로우즈(160)가 접하여 지지암(150)의 결합부(151)와 함께 벨로우즈(160)에 결합되도록 된 접지판(180)을 포함하고 있으며, 이 접지선(170)의 외측단은 접지판(180)에 일체로 접속되거나 결합되어 있다.In addition, the grounding means is inserted into the lower side of the coupling portion 151, as shown in Figure 3, the bellows 160 is in contact with the lower coupled to the bellows 160 together with the coupling portion 151 of the support arm 150 The ground plate 180 is included, and an outer end of the ground wire 170 is integrally connected to or coupled to the ground plate 180.
이 접지판(180)은 원판형상, 또는 사각의 판체, 또는 봉 형상으로 구현가능하며, 그 설치상태가 벨로우즈(160)의 상단에 밀착되어야 한다.The ground plate 180 may be implemented in a disk shape, a square plate body, or a rod shape, and the installation state of the ground plate 180 should be in close contact with the upper end of the bellows 160.
이하에서는 전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 가공장치의 접지구조에 대한 작용상태에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an operation state of the ground structure of the wafer processing apparatus according to the present invention configured as described above will be described.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 가공장치는 챔버(100) 내부에서 공정이 수행됨에 따라 챔버(100) 내부로 인가된 고주파 전원으로 반응가스가 믹싱된 후 화학반응을 하여 화학기상 증착이 이루어진다.In the wafer processing apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention, as the process is performed in the chamber 100, chemical vapor deposition is performed by chemical reaction after mixing the reaction gas with a high frequency power applied to the chamber 100.
이때 챔버(100) 내부로는 상당양의 전자가 발생하게 되고, 이때 생성된 전자는 화학기상 증착이 이루어짐으로써 서셉터(140)로 집진된다. 서셉터(140)에 집진된 전자는 서셉터(140)를 따라 서셉터(140)의 하면에 접속된 접지선(170)으로 인가된다.At this time, a considerable amount of electrons are generated in the chamber 100, and the generated electrons are collected by the susceptor 140 by chemical vapor deposition. Electrons collected in the susceptor 140 are applied to the ground line 170 connected to the lower surface of the susceptor 140 along the susceptor 140.
그리고 접지선(170)으로 인가된 전자는 지지암(150)의 로드부(151)에 내설된 접지선(170)을 따라 진행한 후 지지암(150)의 결합부(152)에 설치된 접지판(180)으로 인가된다. 그리고 접지판(180)으로 진행한 전자는 벨로우즈(160)를 통하여 통전 됨으로써 서셉터(140)에 대한 접지가 수행되게 된다.The electrons applied to the ground wire 170 proceed along the ground wire 170 in the rod part 151 of the support arm 150, and then the ground plate 180 installed at the coupling part 152 of the support arm 150. Is applied. The electrons traveling to the ground plate 180 are energized through the bellows 160 so that grounding to the susceptor 140 is performed.
한편, 벨로우즈(160)는 서셉터(140)를 승하강시키기 위하여 작동하게 되는데. 이 벨로우즈(160)의 승하강구동으로 지지암(150)의 결합부(152)와 로드부(151)가 승하강하게 되고, 지지암(150)의 로드부(151) 단부에 결합된 서셉터(140)가 승하강 하게 된다.On the other hand, the bellows 160 is to operate to raise and lower the susceptor 140. As the bellows 160 moves up and down, the coupling part 152 and the rod part 151 of the support arm 150 move up and down, and a susceptor coupled to an end of the rod part 151 of the support arm 150 is formed. 140) goes up and down.
그러나 이러한 서셉터(140)의 승하강시 본 발명의 접지구조는 종래와 달리 벨로우즈(160)에 권취되어 있는 구조가 아니기 때문에 접지선(170)의 설치부분이 신축하지는 않게 된다. 즉 본 발명의 접지구조에는 벨로우즈(160)가 구동하더라도 별다른 외력이 작용하지 않게 된다는 것이다.However, when the susceptor 140 is raised and lowered, since the grounding structure of the present invention is not a structure wound around the bellows 160, the installation portion of the grounding wire 170 is not stretched. That is, even if the bellows 160 is driven in the grounding structure of the present invention, no external force is applied.
따라서 접지선(170)과 접지판(180)은 안정된 설치상태가 유지됨과 동시에 서셉터(140)에 대한 접지기능을 효율적으로 수행하게 된다.Therefore, the ground wire 170 and the ground plate 180 maintain a stable installation state and at the same time efficiently perform the grounding function for the susceptor 140.
이상과 같은 본 발명에 따른 웨이퍼 가공장치의 접지구조는 서셉터(140)를 지지하는 지지암(150)에 접지선(170)을 내설하고, 벨로우즈(160)의 결합부분에 벨로우즈(160)와 접하도록 한 접지판(180) 구조를 제공하고 있는데. 이와 달리 접지선(170)을 지지암(150)의 로드부(151)에 내설하지 않고, 그 외측에 다른 구성으로 설치할 수 있다.Grounding structure of the wafer processing apparatus according to the present invention as described above, the grounding wire 170 is installed on the support arm 150 supporting the susceptor 140, and the bellows 160 is in contact with the coupling portion of the bellows 160. It provides a ground plate 180 structure to make. Unlike this, the ground wire 170 may be installed on the outside of the support arm 150 in a different configuration.
그리고 그 외 접지판(180)의 설치위치와 구성을 일부 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 그러나 이러한 변형된 실시예들이 기본적으로 벨로우즈(160)와 접한 지지암(150)의 일측으로부터 접지구조가 실현된 것이라면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.In addition, the installation position and configuration of the ground plate 180 may be partially modified. However, all of these modified embodiments should be regarded as being included in the technical scope of the present invention if the grounding structure is realized from one side of the support arm 150 in contact with the bellows 160.
이상과 같은 본 발명에 따른 웨이퍼 가공장치의 접지구조는 서셉터 지지암의 조립만으로 접지가 이루어지지 때문에 벨로우즈 유동으로 인한 접지선의 노화를 방지할 수 있으며, 접지선의 신축으로 미세 입자가 발생하여 웨이퍼의 가공효율을 떨어뜨리는 것을 방지할 수 있다. 그리고 접지선이 벨로우즈의 유동을 방해하지 않기 때문에 벨로우즈 복원 에러발생을 방지할 수 있는 효과도 있다.Since the grounding structure of the wafer processing apparatus according to the present invention as described above is grounded only by assembling the susceptor support arm, it is possible to prevent the aging of the ground wire due to the flow of the bellows. The processing efficiency can be prevented from dropping. And since the ground wire does not interfere with the flow of the bellows, there is an effect that can prevent the bellows recovery error.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2009099660A2 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009099660A2 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
| WO2009099660A3 (en) * | 2008-02-08 | 2009-10-01 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
| US8552334B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-10-08 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled RF plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
| US8735765B2 (en) | 2008-02-08 | 2014-05-27 | Lam Research Corporation | Adjustable gap capacitively coupled RF plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |