KR20020013180A - 플라즈마 세정 장치 - Google Patents
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Abstract
여기에 플라즈마 세정 장치가 개시된다. 상기 플라즈마 세정 장치는 용량 결합 플라즈마 방식으로서 플라즈마 챔버내에 사각 통 형태의 평판 전극이 구비된다. 상기 평판 전극은 각 면에 다수개의 홀이 고르게 형성된다. 본 발명의 일 특징에 의하면, 평판 전극의 내부 중심에 바이어스 전극 봉이 구비된다. 플라즈마 챔버의 내벽과 평판 전극에 의해 발생되는 고주파수의 전계에 의해 발생되는 플라즈마는 평판 전극의 다수개의 홀을 통해 평판 전극의 내측으로 유입되고 바이어스 전극 봉에 의해 플라즈마 챔버의 중심부로 이끌린다. 그러므로 플라즈마 챔버 내에서 전체적으로 고른 플라즈마 분포를 얻을 수 있다. 다른 특징에 의하면, 플라즈마 챔버 내에 구비되는 평판 전극을 코일 형태로 구성하여 코일 형태의 펑판 전극에 의해 플라즈마 챔버 내부 중심에 자계가 형성되도록 한다. 플라즈마 챔버의 내벽과 평판 전극에 의해 발생되는 전계와 평판 전극에 의해 발생되는 자계에 의해 플라즈마가 이중으로 발생되므로 플라즈마 챔버 내에 전체적으로 고른 플라즈마 발생 분포를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 세정 장치(cleaning equipment)에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마(plasma)를 이용한 건식 세정 장치(dry cleaning equipment)에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 세정 공정이나 PCB(printed circuit board)의 세정 등에 사용되는 세정 장치는 약용액·유기용매·물 등 세정액을 사용하는 습식 세정 장치와 세정액을 사용하지 않고 표면의 오염을 제거하는 건식 세정 장치가 있다. 플라즈마 세정 장치(plasma cleaning equipment)는 산화성 또는 비산화성 가스에서 발생된 플라즈마를 이용하여 세정하는 건식 세정 장치이다.
플라즈마 세정 장치는 플라즈마를 발생하는 방식에 따라 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma; ICP) 방식과 용량 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma; CCP) 방식으로 구분하고 있다. 유도 결합 플라즈마 방식은 안테나 코일을 사용하여 플라즈마를 발생시키고, 용량 결합 플라즈마 방식은 평판 전극(planer electrode)을 사용하여 플라즈마를 발생시킨다.
플라즈마 세정 장치에서 균일한 플라즈마 발생 분포는 세정 시간이나 세정 정도에 영향을 주는 매우 중요한 부분이다. 그러나 유도 결합 플라즈마 방식의 경우 구조적으로 안테나 코일에 의해 발생되는 자계가 플라즈마 챔버 내부에 균일하게 분포되지 않기 때문에 균일한 플라즈마 발생 분포를 얻기 힘들다. 용량 결합 플라즈마 방식의 경우 평판 전극에 의해 비교적 균일한 전계를 얻을 수 있으나 플라즈마 챔버내 전 영역에 대하여 고르게 플라즈마 발생 분포를 얻도록 평판 전극을 설치하기가 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서 플라즈마 챔버 내에서 고른 플라즈마 분포를 얻을 수 있는 플라즈마 세정 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 세정 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도;
도 2는 본 발명의 플라즈마 세정 장치의 플라즈마 챔버 내부를 보여주는 사시도;
도 3 내지 도 5는 도 2의 평판 전극 내에 다양한 형태의 바이어스 전극 봉이 설치된 예를 보여주는 사시도;
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치의 평판 전극을 보여주는 사시도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 가스 탱크 20: 플라즈마 챔버
30: 임피던스 정합기 40: RF 발진기
50: 진공 펌프 60: 바이어스
상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 플라즈마 세정 장치는: 도어를 구비하고, 가스 탱크로부터 제공되는 가스를 받아들이기 위한 제1 연결관과 진공 펌프로 가스를 배출하기 제2 연결관을 각기 구비하고, 접지와 전기적으로 연결되는 도전성의 내벽을 갖는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 내에 설치되고, 상기 플라즈마 챔버의 내벽을 따라 일정 거리를 갖는 통 형태를 갖고, 다수개의 홀들이 표면에 고르게 형성되며, 인피던스 정합기를 통해 RF 발진기에 전기적으로 접속되는 평판 전극; 상기 평판 전극의 내측 중심부에 위치하는 바이어스 전극 봉 및; 상기 바이어스 전극 봉으로 바이어스 전원을 제공하기 위한 바이어스 전원부를 포함하여, 상기 RF 발진기로부터 발생된 고주파수 신호가 상기 임피던스 정합기를 통해 상기 평판 전극으로 제공되면, 상기 평판 전극과 상기 플라즈마 챔버의 내벽 사이에 고주파수의 전계가 인가되고 상기 전계에 의해 발생되는 플라즈마가 상기 다수개의 홀들을 통해 유입됨과 함께 상기 바이어스 전극 봉에 의해 상기 평판 전극의 내측 중심부로 이끌린다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 플라즈마 세정 장치는: 도어를 구비하고, 가스 탱크로부터 제공되는 가스를 받아들이기 위한 제1 연결관과 진공 펌프로 가스를 배출하기 제2 연결관을 각기 구비하고, 접지와 전기적으로 연결되는 도전성의 내벽을 갖는 플라즈마 챔버 및; 상기 플라즈마 챔버 내에 설치되고, 상기 플라즈마 챔버의 내벽을 따라 일정 거리를 갖는 나선형 코일 형태를 갖고, 다수개의 홀들이 표면에 고르게 형성되며, 일단이 인피던스 정합기를 통해 RF 발진기에 전기적으로 접속되고 타단이 접지에 전기적으로 접속되는 평판 전극을 포함하여, 상기 RF 발진기로부터 발생된 고주파수 신호가 상기 임피던스 정합기를 통해 상기 평판 전극으로 제공되면, 상기 평판 전극과 상기 플라즈마 챔버의 내벽 사이에 고주파수의 전계가 인가되고 상기 편판 전극에 의해 내측 중심부로 집중되는 고주파수의 자계가 인가되어 상기 전계 및 자계에 의해 이중으로 플라즈마가 발생된다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 플라즈마 세정 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도면을 참조하여, 본 발명의 플라즈마 세정 장치는 유도 결합 플라즈마 방식으로 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버(20), 플라즈마 챔버(20)로 고주파 전원을 인가하는 RF 발진기(40), RF 발진기(40)에서 발생된 고주파 신호를 임피던스 정합(impedance matching)시키기 위한 임피던스 정합기(30), 플라즈마 챔버(20)로 공급할 가스를 저장한 가스 탱크(10) 및, 플라즈마 챔버(20) 내부를 진공 상태로 만들고 유지하기 위한 진공 펌프(50)로 구성된다.
플라즈마 세정 장치를 사용하여 세정 대상을 세정하기 위해서는 먼저, 플라즈마 챔버(20) 내에 세정 대상을 넣고 플라즈마 챔버(20)를 닫는다. 진공 펌프(50)가 동작하여 플라즈마 챔버(20) 내부가 일정치 이하의 진공 상태로 되면서, 가스탱크(10)로부터 반응 가스가 플라즈마 챔버(20)로 유입된다. RF 발진기(40)로부터 발생된 고주파 신호는 임피던스 정합기(30)를 통해서 플라즈마 챔버(20)내의 평판 전극(후술됨)으로 인가된다. 평판 전극으로 공급되는 고주파수 신호에 의해서 고주파수의 전계가 발생되면서 플라즈마 챔버(20)내에 플라즈마가 발생되어 세정 대상에 대한 세정이 이루어진다.
도 2는 본 발명의 플라즈마 세정 장치의 플라즈마 챔버 내부를 보여주는 사시도이다. 도면을 참조하여, 플라즈마 챔버(20)는 도어와 가스 입력/출력을 위한 각각의 연결관이 구비된 사각 통 형태를 갖는다. 플라즈마 챔버(20)의 내부에 각 내벽(21)과 일정 거리를 두고 사각 통 형태의 평판 전극(22)이 구비된다. 평판 전극(22)은 임피던스 정합기(30)에 전기적으로 연결되고, 플라즈마 챔버(20)의 내벽(21)은 도전성을 갖도록 되어 있으며 접지와 전기적으로 연결된다. 평판 전극(22)의 각 면에는 다수개의 홀(hole)이 고르게 형성되어 있고, 세정 대상을 선반에 담아두기 위한 선반걸이(23)가 평판 전극(22)의 내부로 마주보며 다수개가 장착되어 있다. 그리고 후술되겠지만, 평판 전극(22)의 내부 중심에 바이어스 전극 봉(bias electrode bar)(미도시)이 설치된다. 바이어스 전극 봉은 바이어스 전원부(미도시)로부터 바이어스 전원을 제공받는다.
RF 발진기(40)로부터 발생된 고주파 신호가 임피던스 정합기(30)를 통해 평판 전극(22)으로 제공되면, 평판 전극(22)과 내벽(21) 사이에 고주파수의 전계가 인가되어 플라즈마가 발생된다. 발생된 플라즈마는 평판 전극(22)의 다수개의 홀들을 통해 평판 전극(22)의 내부로 유입된다. 이때, 플라즈마는 바이어스 전극 봉에 의해 이끌리어 평판 전극(22)의 내부 중심까지 유입되어 전체적으로 플라즈마 챔버(20) 내에 고르게 분포된다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 평판 전극 내에 다양한 형태의 바이어스 전극 봉이 설치된 예를 보여주는 사시도이다. 바이어스 전극 봉은 다양한 형태로 제작될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 얇은 원통형의 바이어스 전극 봉(24)으로 구성할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 직각 판형의 바이어스 전극 봉(25)으로 구성할 수 있다. 그리고 도 5에 도시된바와 같이, 사각 봉 형태의 바이어스 전극 봉(26)으로 구성할 수 있다. 이러한 다양한 형태로 재작될 수 있는 바이어스 전극 봉(24, 25, 26)은 바이어스 전원부(60)에 전기적으로 연결되어 바이어스 전원(Vbias)을 제공받는다.
이와 같이, 바이어스 전극 봉이 플라즈마 챔버(20)의 평판 전극(22)의 내부 중심에 위치함으로서 플라즈마 챔버(20)의 내벽(21)과 평판 전극(22)간에 발생되는 플라즈마가 평판 전극(22)의 다수개의 홀들을 통해서 유입되어 평판 전극(22)의 내부 중심으로 이끌리게 되어 전체적으로 고른 플라즈마 분포를 얻을 수 있게 된다.
실시예 2
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치의 평판 전극을 보여주는 사시도이다. 도면을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치는 플라즈마 챔버(20) 내에 사각 코일 형태의 평판 전극(80)이 구비된다. 평판 전극(80)의 일단은 임피던스 정합기(70)와 전기적으로 접속되고, 타단은 접지와 전기적으로 접속된다. 평판 전극(80)은 용량 결합 플라즈마 방식을 위한 평판전극으로서의 기능과 함께 유도 결합 플라즈마 방식을 위한 코일로서 기능 한다. 그러므로 이를 위한 임피던스 정합기(70)는 두개의 가변 콘덴서(C1, C2)로 구성할 수 있다.
평판 전극(80)으로 임피던스 정합기(70)를 통해 RF 발진기(40)로부터 발생된 고주파 신호가 제공되면, 플라즈마 챔버(20)의 내벽(21) 간에 고주파수의 전계가 인가되어 플라즈마가 발생되며, 이때 평판 전극(80)의 내부 중심으로 고주파수의 자계가 인가되어 이중으로 플라즈마가 발생된다. 그러므로 전체적으로 플라즈마 챔버(20)의 내부에는 고르게 플라즈마가 분포하게 된다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 세정 장치의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 발명에 의하면, 플라즈마 챔버 내에 구비되는 바이어스 전극 봉에 의해 플라즈마가 중심부로 이끌리어 전체적으로 플라즈마 챔버 내부에 고른 플라즈마 분포를 얻을 수 있다. 또한, 플라즈마 챔버 내에 구비되는 평판 전극을 코일 형태로 구성하는 경우 용량 결합 플라즈마 방식과 더불어 유도 결합 플라즈마 방식에 의해서 플라즈마를 이중으로 발생됨으로 전체적으로 플라즈마 챔버 내부에 고른 플라즈마 분포를 얻을 수 있다.
Claims (2)
- 도어를 구비하고, 가스 탱크로부터 제공되는 가스를 받아들이기 위한 제1 연결관과 진공 펌프로 가스를 배출하기 제2 연결관을 각기 구비하고, 접지와 전기적으로 연결되는 도전성의 내벽을 갖는 플라즈마 챔버;상기 플라즈마 챔버 내에 설치되고, 상기 플라즈마 챔버의 내벽을 따라 일정 거리를 갖는 통 형태를 갖고, 다수개의 홀들이 표면에 고르게 형성되며, 인피던스 정합기를 통해 RF 발진기에 전기적으로 접속되는 평판 전극;상기 평판 전극의 내측 중심부에 위치하는 바이어스 전극 봉 및;상기 바이어스 전극 봉으로 바이어스 전원을 제공하기 위한 바이어스 전원부를 포함하여,상기 RF 발진기로부터 발생된 고주파수 신호가 상기 임피던스 정합기를 통해 상기 평판 전극으로 제공되면, 상기 평판 전극과 상기 플라즈마 챔버의 내벽 사이에 고주파수의 전계가 인가되고 상기 전계에 의해 발생되는 플라즈마가 상기 다수개의 홀들을 통해 유입됨과 함께 상기 바이어스 전극 봉에 의해 상기 평판 전극의 내측 중심부로 이끌리는 플라즈마 세정 장치.
- 도어를 구비하고, 가스 탱크로부터 제공되는 가스를 받아들이기 위한 제1 연결관과 진공 펌프로 가스를 배출하기 제2 연결관을 각기 구비하고, 접지와 전기적으로 연결되는 도전성의 내벽을 갖는 플라즈마 챔버 및;상기 플라즈마 챔버 내에 설치되고, 상기 플라즈마 챔버의 내벽을 따라 일정 거리를 갖는 나선형 코일 형태를 갖고, 다수개의 홀들이 표면에 고르게 형성되며, 일단이 인피던스 정합기를 통해 RF 발진기에 전기적으로 접속되고 타단이 접지에 전기적으로 접속되는 평판 전극을 포함하여,상기 RF 발진기로부터 발생된 고주파수 신호가 상기 임피던스 정합기를 통해 상기 평판 전극으로 제공되면, 상기 평판 전극과 상기 플라즈마 챔버의 내벽 사이에 고주파수의 전계가 인가되고 상기 평판 전극에 의해 내측 중심부로 집중되는 고주파수의 자계가 인가되어 상기 전계 및 자계에 의해 이중으로 플라즈마가 발생되는 플라즈마 세정 장치.
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