KR20020013159A - 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20020013159A
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Abstract

본 발명은 공정을 간소화하고 화질을 개선시킬 수 있는 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 멀티 도메인 액정표시소자는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 2 기판 상에 형성된 칼라 필터층과, 상기 칼라 필터층상에 형성된 공통 전극과, 이웃하는 칼라 필터층 사이에 상응하는 상기 공통 전극 상에 형성된 차광층과, 상기 차광층 일 측의 상기 공통 전극 상에 형성된 유전체 구조물과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정 층을 포함하여 구성되고, 본 발명에 따른 멀티 도메인 액정표시소자 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 멀티 도메인 액정표시소자의 제조에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 칼라 필터층을 형성하는 공정과, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 공통 전극을 형성하는 공정과, 이웃하는 칼라 필터층 사이의 상기 공통 전극 상에 차광층을 형성함과 동시에 상기 차광층 일측의 상기 공통 전극 상에 유전체 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법{Multi domain liquid crystal display and method for fabricating the same}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 멀티 도메인(Multi Domain) 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 액정을 배향하지 않고 화소 전극과 전기적으로 연결된 보조 전극에 의해 액정을 구동하는 액정표시소자가 제안된 바 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 단면도로서, 제 1 기판 및 제 2 기판, 제 1 기판 위에 종횡으로 형성되어 제 1 기판을 복수의 화소 영역으로 나누는 복수의 데이터 배선 및 게이트 배선, 제 1 기판 위의 화소 영역에 각각 형성되고 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 및 소스/드레인 전극으로 구성된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT), 상기 제 1 기판 위에 형성된 보호막(13), 보호막(13) 위에서 드레인 전극과 연결되도록 형성된 화소 전극(14), 게이트 절연막 위로 화소 전극(14)의 일부와 겹치도록 형성된 보조 전극(12)으로 구성된다.
제 2 기판 위에는 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터에서 누설되는 빛을 차단하는 차광층(16), 차광층(16) 위에 형성된 칼라 필터층(17), 칼라 필터층(17) 위에 형성된 공통 전극(18)이 구성된다. 그리고 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층이 형성된다.
화소 전극(14)의 주변을 따라 형성된 보조 전극(12)과, 공통 전극(18)의 오픈 영역(19)은 상기한 액정층에 인가되는 전기장을 왜곡시켜 단위 화소 내에서 액정 분자들을 다양하게 구동시킨다. 이것은 액정표시소자에 전압을 인가할 때, 왜곡된 전기장에 의한 유전 에너지가 액정 방향자를 원하는 방향으로 위치시킴을 의미한다.
그러나 상기와 같은 종래 멀티 도메인 액정표시소자는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 액정층에 인가되는 전기장을 왜곡시키기 위해 공통 전극에 오픈 영역을 형성할 경우, 공통 전극을 패터닝하기 위한 공정이 추가되어 공정이 더욱 복잡해진다.
둘째, 오픈 영역이 없거나 그 폭이 작으면, 도메인 분할에 필요한 전기장의 왜곡 정도가 약하므로 액정의 방향자(director)가 안정한 상태에 이르는 시간이 상대적으로 길어지며, 오픈 영역에 의한 도메인 분할에 따라 도메인마다 텍스쳐(texture)가 불안정해지며, 이는 화질을 저하시키는 요인으로 작용한다.
셋째, 화소 전극과 보조 전극간의 전계가 강하게 걸림으로써 휘도가 증가하고 응답속도가 증가하게 된다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 공정을 간소화하고 화질을 개선시킬 수 있는 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 단면도
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 평면도
도 3은 도 2의 A-A'선에 따른 단면도
도 4a 내지 4c는 본 발명 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 제조공정 단면도
도 5는 본 발명 제 2 실시예에 따른 단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31,51 : 제 1 기판 41,61 : 제 2 기판
33,53 : 게이트 절연막 35,55 : 데이터 배선
37,57 : 보호막 39,59 : 화소 전극
43,63: 칼라 필터층 45,65 : 공통 전극
49 : 유전체 구조물 60,67a : 제 1, 제 2 유전체 구조물
47,67 : 차광층
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 멀티 도메인 액정표시소자는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 2 기판상에 형성된 칼라 필터층과, 상기 칼라 필터층상에 형성된 공통 전극과, 이웃하는 칼라 필터층 사이에 상응하는 상기 공통 전극 상에 형성된 차광층과, 상기 차광층 일 측의 상기 공통 전극 상에 형성된 유전체 구조물과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되고, 본 발명에 따른 멀티 도메인 액정표시소자 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 멀티 도메인 액정표시소자의 제조에 있어서, 상기 제 2 기판 상에 칼라 필터층을 형성하는 공정과, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 공통 전극을 형성하는 공정과, 이웃하는 칼라 필터층 사이의 상기 공통 전극 상에 차광층을 형성함과 동시에 상기 차광층 일 측의 상기 공통 전극상에 유전체 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
먼저, 본 발명의 멀티 도메인 액정표시소자는 공정을 간소화하기 위해 차광층과 유전체 구조물의 물질을 동일 물질로 사용하여 차광층 및 유전체 구조물을 동일 공정에서 형성하는데 특징이 있다.
또한, 불순물 축적에 기인한 잔상에 의해 화질이 저하되는 것을 방지하기 위해 상판과 하판이 동일한 유전율을 갖도록 한다. 이를 위해 유전체 구조물을 상판과 하판에 모두 형성하는데 특징이 있다. 이때, 하판에 형성되는 유전체 구조물은 데이터 배선의 상부에 위치하도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
- 제 1 실시예 -
도 2는 본 발명 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 평면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제 1 기판상에는 종횡으로 게이트 배선(30)과 데이터 배선(35)이 형성되고, 게이트 배선(30)과 데이터 배선(35)에 의해 화소 영역이 형성되며, 상기 화소 영역에는 화소 전극(39)이 형성된다. 게이트 배선(30)과 데이터 배선(35)이 교차하는 부위의 상기 게이트 배선(30) 상부에는 고 개구율을 만족시키기 위해 L자 형상의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판상에는 칼라 필터층(미도시)이 형성되고, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 공통전극(미도시)이 형성된다. 그리고, 공통전극 상부에는 상기 화소 전극(39) 이외의 영역으로 빛이 투과되는 것을 방지하기 위한 차광층(47)과, 상기 제 1 기판상에 형성된 화소 전극(39)을 대각으로 가로지르는 방향으로 유전체 구조물(49)이 형성된다.
여기서, 상기 차광층(47)과 유전체 구조물(49)의 물질은 동일한 유전율을 갖는 동일물질로 형성하며, 미설명 부호 "32"는 보조 전극을 지시한다. 상기 보조 전극(32)과 화소 전극(39)은 도면에서와 같이, 서로 오버랩(Overlap)되게 형성하거나 또는 오버랩되지 않도록 할 수 있다.
한편, 도 3은 도 2의 A-A'선에 따른 단면도로서, 제 1 기판(31) 상에 형성된 게이트 전극(미도시) 및 보조 전극(32)과, 상기 게이트 전극 및 보조 전극(32)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(33)과, 상기 게이트 절연막(33)상에 형성된 데이터 배선(35)과, 상기 데이터 배선(35)을 포함한 전면에 형성된 보호막(37)과, 박막 트랜지스터(미도시)의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극(39)을포함하여 구성된다.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층 및 소스/드레인 전극으로 구성되며, 고 개구율 박막 트랜지스터(L-line Thin Film Transistor) 구조로서, 게이트 배선의 상부에서 L자 형상으로 형성된다.
상기 고 개구율 박막 트랜지스터는 박막 트랜지스터가 게이트 배선 상부에 형성되므로 개구율이 향상되는 효과가 있으며, 게이트 배선과 드레인 전극 사이에서 발생하는 기생 용량(Parasitic capacitance)을 줄일 수 있는 효과가 있다.
제 2 기판(41) 상에는 일정 간격을 갖는 칼라 필터층(43)과, 상기 칼라 필터층(43) 및 제 2 기판(41) 상에 형성된 공통 전극(45)과, 상기 이웃하는 칼라 필터층(43)과의 사이에 상응하는 상기 공통 전극(45)상에 형성된 차광층(47)과, 상기 차광층(47)과 동일 평면상에 형성된 유전체 구조물(49)을 포함하여 구성된다.
상기 차광층(47)과 유전체 구조물(49)은 동일 물질이며, 액정층의 유전율과 동일하거나 그 보다 작은 유전율을 갖는 물질이 좋으며, 바람직하게는 유전율이 3 이하인 물질을 사용한다.
또한, 아크릴(Photoacrylate)계 또는 BCB(BenzoCycloButene)와 같은 물질을 사용하거나 블랙 레진(Black Resin)을 사용할 수도 있다.
상기 유전체 구조물(49)은 도면에 도시된 형태에 한정하지 않고, 화소영역 내에서 상,하로 분할하여 2도메인, 3도메인, 4도메인으로 분할 할 수 있고, 또는 지그재그(Zig-zag)형태로 형성하는 것이 가능하다.
추가하여, 제 1 기판(31) 또는 제 2 기판(41) 중 적어도 한 기판 상에 고분자를 연신하여 위상차 필름(도시하지 않음)을 형성할 수 있다.
상기 위상차 필름은 음성일축성 필름(negative uniaxial film)으로서 광축이 하나인 일축성 물질로 형성하며, 기판에 수직한 방향과 시야각 변화에 따른 방향에서 사용자가 느끼는 시야각을 보상해준다. 따라서, 계조반전(Gray inversion)이 없는 영역을 넓히고, 경사방향에서 콘트라스트비(Contrast ratio)를 높이며, 하나의 화소를 멀티 도메인으로 형성하는 것에 의해 더욱 효과적으로 좌우 방향의 시야각을 보상할 수 있다.
본 발명의 멀티도메인 액정표시소자에 있어서, 상기한 음성일축성 필름 이외에, 위상차 필름으로서 음성이축성 필름(negative biaxial film)을 형성하여도 되며, 광축이 두 개인 이축성 물질로 구성되는 음성이축성 필름은 상기한 일축성 필름에 비해 넓은 시야각 특성을 얻을 수 있다.
그리고 상기 위상차 필름을 부착한 후, 양 기판에는 편광자(도시하지 않음)을 부착하며, 이때, 상기 편광자는 상기한 위상차 필름과 일체로 형성하여 부착할 수 있다.
한편, 제 1 기판(31)과 제 2 기판(41)의 사이에 형성되는 액정으로서는 유전율 이방성을 가진 액정을 사용하며, 카이랄 도펀트를 포함하는 것도 가능하다.
이하에서 상기와 같이 구성된 본 발명 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 4a 내지 4c는 본 발명 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도로서, 제 2 기판(칼라 필터 기판)만을 도시하였다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(41) 상에 통상의 칼라 필터 형성 방법을 이용하여 일정 간격을 갖는 칼라 필터층(43)을 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 칼라 필터층(43)을 포함한 제 2 기판(41) 상에 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극으로 이루어진 공통 전극(45)을 형성한다.
이후, 도 4c에 도시한 바와 같이, 전면에 유전층을 형성한 후, 선택적으로 제거하여 이웃하는 칼라 필터층(43)의 사이에 상응하는 공통 전극(45)의 상부에 차광층(47)을 형성함과 동시에 상기 차광층(47) 일 측의 공통 전극(45) 상부에 유전체 구조물(통상, "Rib" 이라 함)(49)을 형성한다.
여기서, 상기 유전층의 물질은 액정층의 유전율과 동일하거나 작은 유전율을 갖는 물질이 좋으며, 바람직하게는 유전율이 3 이하인 물질을 사용한다. 또한, 아크릴(Photoacrylate)계 또는 BCB(BenzoCycloButene)와 같은 물질을 사용하거나 블랙 레진(Black Resin)을 사용할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명 제 1 실시예에서는 차광층(47)과 유전체 구조물(49)을 동일 물질로 사용하기 때문에 이들을 별도의 공정에서 형성하지 않고 동일 공정에서 형성할 수 있어 그만큼 공정 수를 간소화할 수 있다.
참고로, 제 1 기판(31)에는 게이트 전극 및 보조 전극(32)을 형성한 후, 게이트 전극 및 보조 전극(32)을 포함한 전면에 SiNX또는 SiOX를 PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)법으로 적층하여 게이트 절연막(33)을 형성한다. 이후, 반도체층을 형성하고, Al, Mo, Cr, Ta 또는 Al합금, 또는 이들의 이중층으로 이루어진 금속을 스퍼터링법으로 적층한 후 패터닝하여 데이터 배선(35) 및 소스/드레인 전극을 형성한다. 그리고 기판 전면에 걸쳐 보호막(37)을 형성하는데, 상기 보호막(37)으로서는 BCB(BenzoCycloButene), 아크릴 수지(Acrylic resin), 폴리이미드(Polyimide) 화합물, SiNX, SiOX등을 사용한다. 이후, 드레인 전극이 소정부분 노출되도록 보호막(37)을 제거하여 콘택홀을 형성한 후, 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극(39)을 형성한다.
그리고 상기한 게이트 절연막(33)은 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴수지, 폴리미이드 등으로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 공정을 완료한 후, 제 1 기판(31)과 제 2 기판(41) 사이에 액정을 봉입하면 본 발명 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 제조 공정이 완료된다.
추가로, 본 발명 제 1 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자는 상기 제 1 기판 및/또는 제 2 기판 전체에 걸쳐 배향막(도시하지 않음)을 형성하는 것이 가능하다.
배향막은 광반응성이 있는 물질 즉, PVCN(Polyvinylcinnamate), PSCN(Polysiloxanecinnamate), CelCN(Cellulosecinnamate)계 화합물 등의 물질로 형성할 수 있으며, 그 밖에 광 배향처리에 적합한 물질이라면 어떤 것이라도 적용가능하다.
상기 광 배향막은 광을 적어도 1회 조사하여 액정 분자의 방향자가 이루는 프리틸트각(Pretilt angle) 및 배향 방향(alignment direction) 또는 프리틸트방향(pretilt direction)을 동시에 결정하고, 그로 인한 액정의 배향 안정성을 확보한다.
이와 같은 광 배향에 사용되는 광은 자외선 영역의 광이 적합하며, 비편광, 선편광 및 부분편광된 광(光) 중에서 어떤 광을 사용하여도 무방하다.
상기 광 배향법은 제 1 기판과 제 2 기판 중 어느 한 기판에만 적용하거나 두 기판 모두 적용하여도 되며, 양 기판에 서로 다른 배향 처리를 하거나, 배향막만 형성하고 배향 처리를 하지 않는 것도 가능하다.
이와 같이, 배향 처리를 함으로써 적어도 두 영역으로 분할된 멀티 도메인 액정표시소자를 형성하여, 액정층의 액정 분자가 각 영역 상에서 서로 상이하게 배향되도록 할 수 있다.
- 제 2 실시예 -
도 5는 본 발명 제 2 실시예에 따른 멀티 도메인 액정표시소자의 단면도로서, 도 2의 A-A'선에 따른 단면이다.
본 발명 제 2 실시예는 제 2 기판뿐만 아니라 제 1 기판에도 유전체 구조물을 형성하였다.
즉, 유전체 구조물이 제 2 기판에만 형성될 경우 두 기판간에 유전율이 서로 달라 불순물 이온이 축적되어 잔류 DC를 형성하게 된다. 이러한 잔류 DC는 플리커등을 초래하여 결국 화질을 저하시키는 요인으로 작용하기 때문에 본 발명 제 2 실시예에서는 상기 두 기판간의 유전율을 동일하게 제어하여 불순물 이온이 축적되지 않도록 하였다.
이를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(51) 상에 형성된 게이트 전극(미도시) 및 보조 전극(52)과, 상기 게이트 전극 및 보조 전극(52)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(53)과, 상기 게이트 절연막(53)상에 형성된 데이터 배선(55)과, 상기 데이터 배선(55)을 포함한 전면에 형성된 보호막(57)과, 박막 트랜지스터(미도시)의 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극(59)과, 상기 데이터 배선(55) 상부의 보호막(57)상에 형성된 제 1 유전체 구조물(60)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1 유전체 구조물(60)은 데이터 배선의 상측부에 형성하는 것에 한정하지 않는다. 예를들어, 상기 칼라 필터층과 칼라 필터층의 사이에 상응하는 제 1 기판의 상측에 형성될 수 있으며, 화소 전극(59)을 제외한 제 1 기판(51)의 어느 부분에 형성하여도 무방하다.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층 및 소스/드레인 전극으로 구성되며, 고 개구율 박막 트랜지스터(L-line Thin Film Transistor) 구조로서, 게이트 배선의 상부에서 L자 형상으로 형성된다.
상기 고 개구율 박막 트랜지스터는 박막 트랜지스터가 게이트 배선 상부에 형성되므로 개구율이 향상되는 효과가 있으며, 게이트 배선과 드레인 전극 사이에서 발생하는 기생 용량(Parasitic capacitance)을 줄일 수 있는 효과가 있다.
제 2 기판(61) 상에는 일정 간격을 갖는 칼라 필터층(63)과, 상기 칼라 필터층(63) 및 제 2 기판(61) 상에 형성된 공통 전극(65)과, 상기 이웃하는 칼라 필터층(63)과의 사이에 상응하는 상기 공통 전극(65)상에 형성된 차광층(67)과, 상기 차광층(67)과 동일 평면상에 형성된 제 2 유전체 구조물(67a)을 포함하여 구성된다.
상기 차광층(67)과 제 2 유전체 구조물(67a)은 동일 물질이며, 액정층의 유전율과 동일하거나 그 보다 작은 유전율을 갖는 물질이 좋으며, 바람직하게는 유전율이 3 이하인 물질을 사용한다.
또한, 아크릴(Photoacrylate)계 또는 BCB(BenzoCycloButene)와 같은 물질을 사용하거나 블랙 레진(Black Resin)을 사용할 수도 있다.
상기 차광층(67), 제 1 유전체 구조물(60) 및 제 2 유전체 구조물(67a)은 유전율이 동일한 물질이며, 액정층의 유전율과 동일하거나 그 보다 작은 유전율을 갖는 물질이 좋다. 가장 바람직하게는 유전율이 3 이하인 물질을 사용한다.
또한, 아크릴(Photoacrylate)계 또는 BCB(BenzoCycloButene)와 같은 물질을 사용하거나 블랙 레진(Black Resin)을 사용할 수도 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 화소영역 내부에 유전체 구조물을 형성하여 전계 왜곡을 유도하므로서, 도메인 내에서 액정의 배향방향의 조절이 용이하고, 화상 표시 중 텍스쳐의 안정화를 도모하며, 광시야각 및 멀티 도메인 효과를 극대화할 수 있다.
둘째, 차광층과 유전체 구조물을 별도의 공정에서 형성하지 않고 동일 공정에서 형성하므로 공정 수를 간소화할 수 있어, TAT(Turn Around Time) 단축 및 수율을 향상시킬 수 있다.
셋째, 제 1 기판과 제 2 기판간에 유전율의 차이가 발생하지 않으므로 불순물 이온이 흡착되는 현상을 없앨 수 있어 플리커 등에 의해 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (13)

  1. 제 1 기판 및 제 2 기판;
    상기 제 2 기판상에 형성된 칼라 필터층;
    상기 칼라 필터층상에 형성된 공통 전극;
    이웃하는 칼라 필터층 사이에 상응하는 상기 공통 전극상에 형성된 차광층;
    상기 차광층 일측의 상기 공통 전극 상에 형성된 유전체 구조물;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기판상에는 종횡으로 배치된 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 상부에 L자 형상으로 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 화소 전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 차광층과 상기 유전체 구조물은 동일 평면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 차광층과 상기 유전체 구조물은 동일한 유전율을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 구조물은 아크릴(Photoacrylate)계, BCB(BenzoCycloButene), 블랙 레진(Black Resin) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 차광층과 상기 유전체 구조물의 유전율은 3 이하인 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  7. 게이트 배선 및 데이터 배선이 형성된 제 1 기판;
    칼라 필터층 및 공통 전극이 형성된 제 2 기판;
    상기 데이터 배선의 상부에 보호막을 개재하여 형성된 제 1 유전체 구조물;
    상기 공통 전극상에 형성된 차광층 및 제 2 유전체 구조물;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 유전체 구조물과 상기 제 2 유전체 구조물은 동일한 유전율을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 차광층과 상기 제 2 유전체 구조물은 동일한 유전율을 갖는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  10. 제 1 기판 및 제 2 기판;
    상기 제 1 기판상에 종횡으로 배치된 게이트 배선 및 데이터 배선;
    상기 데이터 배선을 포함한 전면에 형성된 보호막;
    상기 보호막상에 형성된 화소 전극 및 제 1 유전체 구조물;
    상기 제 2 기판상에 형성된 칼라 필터층;
    상기 칼라 필터층상에 형성된 공통 전극;
    이웃하는 칼라 필터층 사이에 상응하는 상기 공통 전극상에 형성된 차광층;
    상기 차광층 일측의 상기 공통 전극 상에 형성된 제 2 유전체 구조물;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자.
  11. 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 멀티 도메인 액정표시소자의 제조에 있어서,
    상기 제 2 기판상에 칼라 필터층을 형성하는 공정과;
    상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 공통 전극을 형성하는 공정과;
    이웃하는 칼라 필터층 사이의 상기 공통 전극상에 차광층을 형성함과 동시에 상기 차광층 일측의 상기 공통 전극상에 유전체 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 기판상에 종횡으로 배치되는 게이트 배선과 데이터 배선을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 배선 상부에 게이트, 소스 및 드레인 전극으로 구성되는 L자형의 박막 트랜지스터를 형성하는 공정과,
    상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 차광층 및 유전체 구조물을 형성하는 공정은,
    상기 공통 전극상에 유전층을 형성하는 공정과,
    포토 공정을 통해 상기 유전층을 선택적으로 제거하여 차광층과 유전체 구조물을 패터닝하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티 도메인 액정표시소자 제조방법.
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