KR20020009270A - 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20020009270A
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Abstract

본 발명은 낮은 구동전압에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 기판과, 상기 기판상에 형성된 복수개의 광흡수층들과, 상기 광흡수층들을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 광투과성 전도층과, 상기 광투과성 전도층의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극들과, 상기 기판의 배면에 형성된 백라이트를 포함하여 구성되고, 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법은 기판상에 복수개의 광흡수층들을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층을 형성하는 공정과, 상기 광투과성 전도층상에 희생층을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들 사이에 상응하는 상기 희생층상에 복수개의 가동 전극들을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Display device using micro light modulator and method for fabricating the same}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 광 빔을 변조하여 화상을 디스플레이하기 위한 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
차세대 디스플레이 장치로서 각종 평판 디스플레이 장치(FPD:Flat Panel Display)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며 그 중 일반화된 디스플레이 장치에는 액정의 전기광학적 특성을 이용하는 액정 디스플레이 장치(LCD:Liquid Crystal Display)와, 가스 방전을 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP:Plasma Display Panel) 등이 있다.
그 중 액정 디스플레이 장치(이하, "LCD"라 약칭함)는 시야각이 좁고 응답속도가 느릴 뿐 아니라 반도체 제조공정을 이용한 박막 트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor) 및 전극 등을 형성하여야 하므로 공정이 복잡하다는 난점이 있고, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 제조 공정이 단순하여 대면적화에 유리하다는 장점은 있으나, 전력 소비가 클 뿐 아니라, 방전 및 발광 효율이 낮고 고가라는 난점이 있다.
이러한 평판 디스플레이 장치의 문제들을 해결할 수 있는 새로운 디스플레이 장치의 개발이 진행되고 있으며, 최근에는 극초미세 가공기술인 마이크로 일렉트로메카니컬 시스템(Micro Electromechanical System : 이하, "MEMS"라 약칭함)을 이용하여 픽셀(Pixel)마다 미세한 광 변조기를 형성하는 것에 의해 화상을 디스플레이 할 수 있는 디스플레이 장치가 제안된 바 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치를 설명하기로 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(11)상에 일정 간격을 두고 나란하게 형성된 복수개의 고정 전극(13)들과, 상기 고정 전극(13)과 고정 전극(13)의 사이에 상응하는 부위에서 상기 고정 전극(13)의 방향과 동일 방향으로 형성된 복수개의 가동 전극(15)들로 구성되며, 상기 가동 전극(15)의 장방향에 따른 양쪽 끝단은 고정 전극(13)의 장방향에 따른 양쪽 끝단보다 연장된 구조를 갖는다. 또한, 가동 전극(15)의 단방향에 따른 양쪽 끝단은 고정 전극(13)의 단방향에 따른 양쪽 끝단과 오버랩되는 구조를 갖는다.
이에, 고정 전극(13)과 가동 전극(15)간에 전압이 인가되지 않은 상태에서는 상기 가동 전극(15)이 부상되어 기판(11)의 하부의 백라이트에서 투사된 빛이 표시면으로 투과되고, 전압이 인가된 상태에서는 상기 가동 전극(15)이 고정 전극(13)과 접촉되어 백라이트의 빛이 표시면쪽으로 투과되지 못한다.
이를 도 2a 및 2b에 도시된 단면도를 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2a 및 2b는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도로서, 기판(11)상에 소정 간격을 두고 나란하게 형성되는 고정 전극(13)들과, 전압 신호에 응답하여 각각의 고정 전극(13)들의 양변에 중첩되는 가동 전극(15)들로 구성된다. 여기서, 고정 전극(13)들은 기판(11)상에 스트라이프(Stripe) 형태로 형성되며, 가동 전극(15)들은 그 장방향에 따른 양쪽 끝단이 기판(11)에 고정되며 그 중앙 부분은 기판(11)으로부터 소정 간격 부상되어 전기적 신호에 의해 상, 하로 움직이게 된다.
도 2a는 비표시 상태에서의 전극의 배치를 보여주는 단면으로서, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들에는 소정 레벨의 전압이 인가된다. 이에, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들간에는 정전기력에 의한 인력이 작용하게 되어 가동 전극(15)들이 인접한 고정 전극(13)에 접촉하게 된다. 이때, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들은 기판(11)의 배면에 설치된 백라이트(Back light)(19)로부터 입사되는 광을 차단하게 되어 표시면은 블랙(Black)으로 표시된다.
이와 반대로, 표시 상태에서는 즉, 도 2b에서와 같이, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들에는 전압이 인가되지 않는다. 따라서 가동 전극(15)들은 자신의 탄성 복원력에 의해 원래의 상태로 복구하게 되므로 기판(11)과 고정 전극(13)으로부터 부상된다. 이때, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들 사이에는 광 경로가 형성되며 이 광 경로를 통해 백라이트(19)로부터 입사된 광이 표시면으로 투과되어 화이트(White)로 표시된다. 참고로, 도 2a 내지 2b의 미설명 부호 "17"은 탄성물질층을 지시한다.
한편, 도 2c는 도 1의 B-B'선에 따른 단면도로서, 기판(11)상에서 가동 전극(15)이 일정 간격을 갖고 형성됨을 볼 수 있다.
그러나 상기와 같은 종래 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 전압이 인가되는 고정 전극과 가동 전극간의 오버랩되는 면적이 작기 때문에 전압을 인가함에 따라 가동 전극이 이동할 수 있도록 충분한 인력을 주기 위해서는 매우 큰 구동 전압이 필요하다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 낮은 구동전압에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도
도 2a 및 2b는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도로서 비표시상태에서의 전극의 배치를 보여주는 단면
도 2b는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도로서, 표시 상태에서의 전극의 배치를 보여주는 단면도
도 2c는 도 1의 B-B'선에 따른 단면도
도 3은 본 발명 제 1 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도
도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도
도 5a 내지 5e는 본 발명 제 1 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 제조공정 단면도
도 6은 본 발명 제 2 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도
도 7은 도 6의 A-A'선에 따른 단면도
도 8은 본 발명 제 3 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도
도 9는 도 8의 A-A'선에 따른 단면도
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 백라이트 21 : 기판
23a : 광흡수층 25 : 광투과성 전도층
27 : 희생층 29 : 탄성물질층
31 : 가동 전극
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 기판과, 상기 기판상에 형성된 복수개의 광흡수층들과, 상기 광흡수층들을 포함한 상기 기판 상에 형성된 광투과성 전도층과, 상기 광투과성 전도층의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극들과, 상기 기판의 배면에 형성된 백라이트를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 광투과성 전도층은 기판의 전면에 형성하지 않고 스트라이프 타입(Stripe type)이나 섬(island) 모양으로 형성할 수도 있다.
그리고 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법은 기판상에 복수개의 광흡수층들을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층을 형성하는 공정과, 상기 광투과성 전도층상에 희생층을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들 사이에 상응하는 상기 희생층상에 복수개의 가동 전극들을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 구동 전압을 감소시키기 위해 하부 기판의 전 영역 또는 특정 영역에 빛을 투과할 수 있으면서 도전성을 갖는 물질, 예컨대 광투과성 전도층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
즉, 백라이트에서 입사된 빛을 투과할 수 있으며 도전성을 갖는 물질을 광흡수층의 상측에 형성함으로써, 상기 물질과 가동 전극간에 전압을 인가하였을 때, 전압이 인가되어지는 면적이 커지도록 하여 낮은 구동전압하에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있도록 하였다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.
제 1 실시예
도 3은 본 발명 제 1 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(21)과, 상기 기판(21)상에 소정 간격을 두고 일방향으로 형성되는 복수개의 광흡수층(23a)들과, 상기 광흡수층(23a)들을 포함한 기판(21) 전면에 형성된 광투과성 전도층(25)과, 인접하는 광흡수층 사이에 상응하는 상기 광투과성 전도층(25)의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극(31)들을 포함하여 구성된다.
여기서, 각각의 가동 전극(31)은 그와 인접하는 광흡수층(23a)과 소정 부분 오버랩되며, 상기 가동 전극(31)은 기판을 기준으로 해서 상기 광흡수층(23a) 보다 상측에 위치하며, 그 양측 끝단은 마이크로브릿지(Microbridge)를 구성한다.
상기 가동 전극(31)의 하부에는 탄성물질층(29)이 더 구비되며, 상기 광흡수층(23a)은 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하고, 탄성물질층(29)은 탄성 특성이 좋은 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광흡수층(23a)은 도전성 물질이거나 비도전성 물질이어도 무관하다.
이와 같은 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 광흡수층(23a)을 포함한 기판(21) 전면에 광투과성 전도층(25)이 형성되어 있으므로 가동 전극(31)을 구동하기 위한 구동 전압을 낮게 하여도 충분한 인력이 공급되기 때문에 구동 전압을 감소시킬 수 있다.
한편, 도 4의 미설명 부호 "20"는 백라이트(Blacklight)를 지시한다.
이와 같은 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 비표시 상태일 경우,광투과성 전도층(25)과 가동 전극(31)간에 소정의 전압이 인가되므로 광투과성 전도층(25)과 가동 전극(31)간에는 정전기력에 의한 인력이 작용하여 가동 전극(31)이 광투과성 전도층(25)에 접촉된다. 따라서, 기판의 배면에 형성된 백라이트로부터 입사된 빛이 투과되지 못하고 차단되기 때문에 표시면은 블랙(Black)으로 표시된다. 반면에 표시 상태에서는 상기 광투과성 전도층(25)과 가동 전극(31)간에 전압이 인가되지 않으므로 가동 전극(31)의 탄성에 의해 원래의 상태로 복귀하게 되어 가동 전극(31)은 광투과성 전도층(25)으로부터 부상하여 소정의 간격을 유지하게 된다. 따라서, 백라이트로부터 입사된 빛이 상기 간격을 통해 표시면으로 투과되어 화면에는 화상이 디스플레이 된다.
이에, 본 발명에 제 1 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 도 5a 내지 5e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(21)상에 광흡수층으로 사용될 물질층(23)을 형성하고, 상기 물질층(23)상에 포토레지스트(도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 패터닝한다. 이후, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 물질층(23)을 선택적으로 제거하여 도 5b에 도시한 바와 같이, 서로 일정 간격을 갖고 일 방향으로 복수개의 광흡수층(23a)들을 형성한다.
여기서, 상기 광흡수층으로 사용될 물질층(23)은 전도성의 물질이나 비전도성의 물질 중 어느 것을 사용하여도 무방하며 불투명 물질이면 된다.
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 광흡수층(23a)을 포함한 기판(21) 전면에광투과성 전도층(25)을 형성한 후, 상기 광투과성 전도층(25)상에 희생층(27)을 형성하는데, 상기 희생층(27)은 이후 공정에서 가동 전극을 형성한 후에 제거되는 물질로서, 통상은, 실리콘산화막(SiO2), 포토레지스트(Photoresist), SOG(Spin On Glass), 폴리이미드(Polyimide), PSG(Phosphorus Silicate Glass), BPSG(Boro Phosphorus Silicate Glass)등을 이용한다. 여기서, 상기 광투과성 전도층(25)의 물질로서는 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함한다.
이어서, 마이크로브릿지가 형성될 부위의 희생층(27)을 제거한 후, 도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 희생층(27)의 상부에 탄성물질층(29)을 형성한다. 이때, 도면은 도 4의 A-A'선에 따른 단면이므로 희생층(27)이 제거된 부분은 나타나지 않는다. 이어서, 전면에 전도성 물질층을 형성하고, 그 위에 포토레지스트(도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상 공정으로 패터닝하고, 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 전도성 물질층 및 탄성물질층(29)을 선택적으로 제거하여 도 5e에 도시한 바와 같이, 그 하부에 탄성물질층(29)이 형성된 복수개의 가동 전극(31)들을 형성한다. 마지막으로 상기 희생층(28)만을 선택적으로 제거하면, 본 발명 제 1 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조공정이 완료된다.
상기 희생층(27)은 습식 식각으로 제거되며, 통상은 불산(HF)용액으로 제거하거나, 상기 불산 용액 이외에 BHF(Buffered Dydrofluoric Acid), Dilute HF을 사용할 수 있다. 또한, 상기 희생층이 포토레지스트일 경우에는 포토레지스트용 스트리퍼(stripper)을 사용할 수 있다.
제 2 실시예
전술한 본 발명 제 1 실시예는 구동 전압을 감소시키기 위해 광투과성 전도층을 고정 전극을 포함한 기판의 전면에 형성하였으나, 본 발명 제 2 실시예에서는 광투과성 전도층을 부분적으로 형성하였다.
광투과성 전도층을 부분적으로 형성함에 따라 구동 전압은 본 발명 제 1 실시예에 비해 약간 증가하는 경향이 있으나, 투과 효율은 오히려 증가하게 된다.
도 6은 본 발명 제 2 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 평면도이고, 도 7은 도 6의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명 제 2 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치는 기판(21)과, 상기 기판(21)상에서 일정 간격을 갖고 일방향으로 형성된 복수개의 광흡수층(23a)들과, 상기 광흡수층(23a)들을 가로지르는 방향으로 형성되며 서로 일정 간격을 갖는 복수개의 광투과성 전도층(25)들과, 인접하는 광흡수층(23a) 사이에 상응하는 부위에 형성되며 인접한 광흡수층(23a)과는 소정 부분 오버랩되는 복수개의 가동 전극(31)들을 포함하여 구성된다.
여기서, 각각의 가동 전극(31)은 그와 인접하는 광흡수층(23a)과 소정 부분 오버랩되며, 상기 가동 전극(31)은 기판을 기준으로 해서 상기 광투과성 전도층(25)보다 상측에 위치하며, 그 양측 끝단은 상기 기판(21)과 연결되어 마이크로브릿지(Microbridge)를 구성한다.
상기 가동 전극(31a)의 하부에는 탄성물질층(29)이 더 구비되며, 상기 광흡수층(23a)은 전도성 또는 비전도성의 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하고, 탄성물질층(29)은 탄성 특성이 좋은 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 광투과성 전도층(25)을 기판 전면에 형성하지 않고 부분적으로 형성하여 투과 효율을 증가시키는 것이 가능하다.
한편, 도 7의 미설명 부호 "20"는 백라이트(Blacklight)를 지시한다.
여기서, 도 6에 도시된 광투과성 전도층(25)은 광흡수층(23a)을 가로지르는 스트라이프(Stripe) 타입으로 형성되었으나, 상기 스트라이프 타입에 한정하지 않고, 부분적으로 경사를 갖는 형태로 형성하거나, 섬 모양으로 형성하는 것이 가능하다.
이와 같이 구성된 본 발명 제 2 실시예에 따른 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법은 제 1 실시예의 제조방법과 거의 유사하며, 단지, 광흡수층(23a)을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층(25)을 형성한 후 부분적으로 제거하는 공정만이 더 추가되는 바, 이하에서 생략하기로 한다.
한편, 상기 광투과성 전도층(25)의 폭은 반드시 일정하지 않아도 되며, 본 발명 제 3 실시예에 따른 도면인 도 8에 도시한 바와 같이, 인접한 광투과성 전도층(25)간의 간격 또한 일정하지 않아도 된다. 참고로, 도 9는 도 8의 A-A'선에 따른 단면도로서, A-A'선은 광흡수층(23a)과 가동 전극(31)이 오버랩되는 부분을 중심으로 절단한 것이다.
따라서, 도 9에 도시한 바와 같이, 광흡수층(23a)의 상부에 부분적으로 그리고 서로 간격이 일정하지 않는 광투과성 전도층(25)이 형성되어 있고, 상기 광투과성 전도층(25)의 상측에 가동 전극(31)이 상기 광흡수층(23a)과 동일방향으로 형성되는 것을 볼 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 광흡수층을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층이 형성되어 있으므로 가동 전극간의 전압 인가 면적을 극대화할 수 있어 낮은 구동전압에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있다.
둘째, 광투과성 전도층을 부분적으로 형성하여 구동 전압을 감소시킴과 동시에 투과 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판상에 형성된 복수개의 광흡수층들;
    상기 광흡수층들을 포함한 상기 기판 상에 형성된 광투과성 전도층;
    상기 광투과성 전도층의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극들;
    상기 기판의 배면에 형성된 백라이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 광흡수층의 물질은 불투명의 전도성 또는 비전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층은 상기 기판 전면에 형성되거나 또는 부분적으로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층은 상기 광흡수층을 가로지르는 스트라이프(Stripe) 타입으로 형성하거나 또는 섬모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 복수개의 광투과성 전도층은 각각의 폭이 반드시 일정하지 않아도 되는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 복수개의 광투과성 전도층은 각각의 간격이 반드시 일정하지 않아도 되는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 가동 전극의 양쪽 끝단은 상기 광투과성 전도층에 연결되는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치.
  9. 기판상에 복수개의 광흡수층들을 형성하는 공정;
    상기 광흡수층들을 포함한 기판 상에 광투과성 전도층을 형성하는 공정;
    상기 광투과성 전도층상에 희생층을 형성하는 공정;
    상기 광흡수층 사이에 상응하는 상기 희생층상에 복수개의 가동 전극들을 형성하는 공정;
    상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 가동 전극들의 하부에 탄성물질층을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 희생층을 형성한 후, 마이크로브릿지가 형성될 부위의 희생층을 선택적으로 제거하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 가동 전극을 형성하는 공정은,
    상기 희생층을 제거함으로서 노출된 광투과성 전도층을 포함한 전면에 탄성물질층과 광흡수층용 물질층을 차례로 형성하는 공정과,
    상기 광흡수층용 물질층 및 탄성물질층을 선택적으로 제거하여 그 양쪽 끝단이 상기 광투과성 전도층과 연결되어 마이크로브릿지를 형성하는 복수개의 가동 전극들을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층을 형성하는 공정은,
    상기 광흡수층들을 포함한 전면에 광투과성의 전도성 물질을 형성하는 공정과,
    마스크를 이용한 식각 공정으로 상기 광투과성의 전도성 물질을 선택적으로 제거하여 상기 광흡수층들을 가로지르는 방향으로 복수개의 광투과성 전도층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층을 형성하는 공정은,
    상기 광흡수층들을 포함한 전면에 광투과성의 전도성 물질을 형성하는 공정과,
    마스크를 이용한 식각 공정으로 상기 광투과성의 전도성 물질을 선택적으로 제거하여 상기 광흡수층들의 상측에 섬 모양을 갖는 복수개의 광투과성 전도층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층은 상기 광흡수층을 포함한 상기 기판 전면에 형성하는 것을 포함함을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스프렐이 장치 제조방법.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 광투과성 전도층의 물질은 ITO(Indium Tin Oxide),ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 광 변조기를 이용한 디스플레이 장치 제조방법.
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