KR200194076Y1 - Semiconductor processing tube having manometer - Google Patents
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Abstract
본 고안은 공정튜브내부의 진공 압력 상태를 감지하여 표시해주는 마노미터를 장착한 반도체 공정튜브에 관한 것으로, 특히 밸브를 설치하여 진공상태에서만 압력을 측정하는 마노미터를 장착한 반도체 공정튜브에 관한 것으로, 상기 공정튜브(2)의 후위부에 연결되어 상기 공정튜브의 내부가스를 흡입하는 진공펌프(4); 상기 공정튜브(2)와 상기 진공펌프(4)사이에 설치되어 가스흐름을 조절하는 게이트 밸브(6); 상기 공정튜브(2)의 일부에 연결되어 상기 공정튜브(2)의 내부압력을 감지하는 마노미터(8); 및 상기 공정튜브(2)와 상기 마노미터(8)사이에 설치되어 상기 공정튜브(2)가 진공상태일 때 개방되며, 대기압상태일 때 폐쇄되어 상기 마노미터(8)가 진공상태에만 측정하도록 하는 뉴매틱 밸브(10)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a semiconductor process tube equipped with a manometer for detecting and displaying a vacuum pressure state inside the process tube, and more particularly, to a semiconductor process tube equipped with a manometer for measuring pressure only in a vacuum state by installing a valve. A vacuum pump 4 connected to the rear portion of the process tube 2 to suck internal gas of the process tube; A gate valve 6 installed between the process tube 2 and the vacuum pump 4 to regulate gas flow; A manometer (8) connected to a part of the process tube (2) for detecting an internal pressure of the process tube (2); And a process installed between the process tube 2 and the manometer 8 to open when the process tube 2 is in a vacuum state and to close when the process tube is in atmospheric pressure to measure the manometer 8 only in a vacuum state. It is characterized by including a matic valve (10).
Description
제1도는 종래 기술에 의한 마노미터가 장착된 반도체 공정튜브를 나타내는 구성도.1 is a block diagram showing a semiconductor process tube equipped with a manometer according to the prior art.
제2도는 본 고안에 의한 마노미터가 장착된 반도체 공정튜브를 나타내는 구성도.2 is a block diagram showing a semiconductor process tube equipped with a manometer according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
2 : 공정튜브 4 : 진공펌프2 process tube 4 vacuum pump
6 : 게이트 밸브 8 : 마노미터6: gate valve 8: manometer
10 : 뉴매틱 밸브 12 : 컨트롤러10 pneumatic valve 12 controller
14 : 표시장치 16 : 도어14 display device 16 door
18 : 가열수단18: heating means
본 고안은 공정튜브내부의 진공 압력 상태를 감지하여 표시해주는 마노미터(manometer)를 장착한 반도체 공정튜브에 관한 것으로, 특히 뉴매틱 밸브(pneumatic valve)를 설치하여 진공상태에서만 압력을 측정하는 마노미터를 장착한 반도체 공정튜브에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor process tube equipped with a manometer for detecting and displaying a vacuum pressure state inside the process tube. In particular, a manometer for measuring pressure only in a vacuum state by installing a pneumatic valve is installed. It relates to a semiconductor process tube.
종래에는 반도체 제조공정을 수행하기 위하여 제1도에 도시된 바와 같이, 공정튜브(2)내에 웨이퍼를 넣고 도어(16)를 닫은 다음 게이트 밸브(6)를 개방하여 진공펌프(4)에 의하여 가스를 외부로 강제 유출시켜 공정튜브(2)내를 진공상태로 만든다. 이때 공정튜브(2) 내부의 진공상태의 압력을 측정하기 위하여 마노미터(8)를 설치하여 표시장치(14)에서 확인하게 된다. 반도체 제조공정을 진행하기 위하여 공정튜브(2)내부를 진공상태로 만든 다음 일정한 온도까지 가열수단(18)에 의하여 가열시키고 공정 가스를 유입하여 공정이 완료되면 공정 가스의 유입을 차단하고 질소 가스를 이용하여 대기압상태로 만든다. 마노미터(8)는 공정튜브(2)내의 대기압 상태로부터 공정에 필요한 진공 상태까지 계속해서 노출된다. 이때 마노미터(8)내부에 설치되는 압력감지물질은 박막 구조로 되어 있어 압력에 따른 수축, 팽창 작용에 따라 압력을 감지하여 전압신호로 전환되어 이 진압의 크기를 컨트롤러(controller)(12)에 의하여 표시수단(14)에 표시되도록 한다. 그러나, 마노미터가 대기압에서 진공상태로 또는 진공상태에서 대기압으로 압력차가 큰 환경에서 계속 접하므로 내부의 박막이 쉽게 파손되어 공정진행에 차질을 가져오는 문제점이 있었다.Conventionally, in order to perform a semiconductor manufacturing process, as shown in FIG. 1, the wafer is placed in the process tube 2, the door 16 is closed, and the gate valve 6 is opened to open the gas by the vacuum pump 4. Is forced out to the outside to make the process tube (2) in a vacuum state. At this time, in order to measure the pressure in the vacuum state inside the process tube (2) by installing a manometer (8) is confirmed by the display device (14). In order to proceed with the semiconductor manufacturing process, the inside of the process tube (2) is made into a vacuum state and then heated by a heating means (18) to a constant temperature, and the process gas is introduced. To atmospheric pressure. The manometer 8 is continuously exposed from the atmospheric pressure in the process tube 2 to the vacuum required for the process. At this time, the pressure sensing material installed inside the manometer (8) has a thin film structure and detects the pressure in response to the contraction and expansion action according to the pressure and converts the voltage into a voltage signal, thereby controlling the magnitude of the suppression by the controller (12). Displayed on the display means (14). However, since the manometer is continuously in contact with the environment in which the pressure difference is large from the atmospheric pressure to the vacuum state or from the vacuum state to the atmospheric pressure, there is a problem in that the inner thin film is easily damaged and causes a process progression.
따라서, 본 고안은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마노미터에 뉴매틱 밸브(Pneumatic valve)를 설치하여 진공 상태에서만 노출되어 압력측정을 하게 함으로써, 마노미티의 박막에 급격한 변화를 가하지 않게 하여 반도체 제조공정을 원활히 수행할 수 있는 마노미터가 장착된 반도체 공정튜브를 제공함에 그 목적을 두고 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, by installing a pneumatic valve on the manometer to be exposed only in a vacuum state to measure the pressure, so as not to make a sudden change in the thin film of the manomiti An object of the present invention is to provide a semiconductor process tube equipped with a manometer capable of smoothly performing a semiconductor manufacturing process.
본 고안은 상기 목적을 달성하기 위하여, 상기 공정튜브의 후위부에 연결되어 상기 공정튜브를 내부가스를 흡입하는 진공펌프; 상기 공정튜브와 상기 진공펌프사이에 설치되는 가스흐름을 조절하는 게이트 밸브; 상기 공정튜브의 일부에 연결되어 상기 공정튜브의 내부압력을 감지하는 마노미터; 및 상기 공정튜브와 상기 마노미터 사이에 설치되어 상기 공정튜브가 진공상태일 때 개방되며, 대기압상태일 때 폐쇄되어 상기 마노미터가 진공상태에만 측정하도록 하는 뉴메틱 밸브를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 마노미터가 장착된 반도체 공정튜브를 제공한다.The present invention is a vacuum pump connected to the rear portion of the process tube to suck the internal gas to achieve the above object; A gate valve controlling a gas flow installed between the process tube and the vacuum pump; A manometer connected to a part of the process tube to sense an internal pressure of the process tube; And a pneumatic valve installed between the process tube and the manometer and opened when the process tube is in a vacuum state and closed when the process tube is in atmospheric pressure to measure the manometer in a vacuum state only. It provides a semiconductor process tube equipped with.
이하, 제2도를 참조하여 본 고안의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 제2도는 본 고안에 의한 마노미터가 장착된 반도체 공정튜브를 나타내는 구성도이며, 도면에서 2는 공정튜브, 4는 진공펌프, 6은 게이트 밸브, 8은 마노미터, 10은 뉴매틱 밸브, 12는 컨트롤러, 14는 표시장치, 16은 도어, 18은 가열수단을 각각 나타낸다. 제2도에 도시된 바와 같이, 공정튜브(2) 내부에서 반도체 제조공정을 진행하기 위하여 가열수단(18)에 의하여 소정의 온도까지 올리고 게이트 밸브(6)를 개방하여 대기압 상태에서 진공펌프(4)로 펌핑하고 밸브는 폐쇄된 상태에서 일정시간이 경과하면 뉴매틱 밸브(10)를 개방하여 진공상태를 감지한다. 제조 공정을 완료한 후 진공상태에서 뉴매틱 밸브(10)와 게이트 밸브(6)클 폐쇄하고 질소 가스를 공정 튜브(2)내로 주입시켜 대기압 상태가 되게 하면 모든 공정이 완료된다. 마노미터(8)내부에 설치되는 압력감지물질은 박막 구조로 되어 있어 압력에 따른 수축, 팽창작용에 따라 압력을 감지하여 전압신호로 전환되어 이 전압의 크기를 컨트롤러(12)에 의하여 표시장치(114)에 표시되도록 한다. 반도체 제조공정을 진행할 때마다 상기 과정을 반복하게 되면 마노미터는 항상 일정량의 진공상태에서만 노출되게 되어 마노미터가 파손되는 것을 방지하고 장비가동률을 향상시킬 수 있다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2. 2 is a block diagram showing a semiconductor process tube equipped with a manometer according to the present invention, 2 is a process tube, 4 is a vacuum pump, 6 is a gate valve, 8 is a manometer, 10 is a pneumatic valve, 12 is a controller 14 denotes a display device, 16 a door, and 18 a heating means. As shown in FIG. 2, in order to proceed with the semiconductor manufacturing process in the process tube 2, the heating means 18 is raised to a predetermined temperature, and the gate valve 6 is opened, and the vacuum pump 4 is at atmospheric pressure. When the pump is closed and the valve is in a closed state for a predetermined time, the pneumatic valve 10 is opened to detect a vacuum state. After the manufacturing process is completed, the pneumatic valve 10 and the gate valve 6 are closed in a vacuum state, and nitrogen gas is injected into the process tube 2 to bring it to atmospheric pressure. The pressure sensing material installed inside the manometer (8) has a thin film structure and detects the pressure in response to the contraction and expansion of the pressure and converts the voltage into a voltage signal. ) To be displayed. When the above process is repeated every time the semiconductor manufacturing process is performed, the manometer is always exposed only in a certain amount of vacuum, thereby preventing the manometer from being damaged and improving the equipment operation rate.
이상에서 언급한 바와 같은 본 고안은 마노미터에 밸브를 설치하며 진공 상태에시만 노출되어 압력측정을 하게 함으로써, 마노미터의 박막에 급격한 변화를 가하지 않아 마노미터의 수명을 연장시키고 장비 가동률을 향상시킬 수 있는 우수한 효과를 갖는다.As mentioned above, the present invention installs a valve on the manometer and allows the pressure measurement by exposing only to a vacuum, so that the manometer's thin film is not suddenly changed, thereby extending the life of the manometer and improving the equipment operation rate. Has an excellent effect.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940021010U KR200194076Y1 (en) | 1994-08-20 | 1994-08-20 | Semiconductor processing tube having manometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940021010U KR200194076Y1 (en) | 1994-08-20 | 1994-08-20 | Semiconductor processing tube having manometer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960009267U KR960009267U (en) | 1996-03-16 |
| KR200194076Y1 true KR200194076Y1 (en) | 2000-09-01 |
Family
ID=19391101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019940021010U KR200194076Y1 (en) | 1994-08-20 | 1994-08-20 | Semiconductor processing tube having manometer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200194076Y1 (en) |
-
1994
- 1994-08-20 KR KR2019940021010U patent/KR200194076Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960009267U (en) | 1996-03-16 |
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