KR200171668Y1 - Apparatus for ashing of photosensitive film of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치에 관한 것으로, 챔버(Chamber)의 상부(Top)에서 발생되며 챔버 양측에 설치된 자석에 의해 형성되는 강한 자장으로 고밀도화된 오존(O3) 플라즈마(plasma)에 의해 감광막이 제거되도록 하여 제거비(Ashing Rate) 및 균일도(Uniformity)를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치에 관해 기술됩니다.The present invention relates to an apparatus for removing a photosensitive film of a semiconductor wafer, wherein the photosensitive film is formed by a high-density ozone (O3) plasma generated at a top of a chamber and formed by a strong magnetic field formed by magnets provided at both sides of the chamber. A photosensitive film removal device for semiconductor wafers is described which allows the removal of these materials to improve the ashing rate and uniformity.
Description
첨부된 도면은 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치의 구조도.The accompanying drawings are structural diagrams of an apparatus for removing a photoresist of a semiconductor wafer according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 챔버 2 : 가스 주입구1: chamber 2: gas inlet
3 : 가스 배출구 4 : 웨이퍼3: gas outlet 4: wafer
5 : 전원 6 : 플라즈마 상태의 오존5: power supply 6: plasma ozone
7 : 자석 8A : 제 1 전극판7: magnet 8A: first electrode plate
8B : 제 2 전극판 9 : 제어판8B: second electrode plate 9: control panel
10 : 웨이퍼 카세트10: wafer cassette
본 고안은 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치에 관한 것으로, 특히 챔버(Chamber)의 상부(top)에서 발생되며 챔버 상부의 양측에 설치된 자석에 의해 형성되는 강한 자장으로 고밀도화된 오존(O3) 플라즈마(Plasma)에 의해 감광막이 제거되도록 하여 제거비(Ashing Rate) 및 균일도(Uniformity)를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for removing a photoresist of a semiconductor wafer. In particular, a high-density ozone (O 3 ) plasma (Plasma) generated at the top of the chamber and formed by magnets installed on both sides of the chamber is densified. The present invention relates to an apparatus for removing a photosensitive film of a semiconductor wafer, by which the photosensitive film is removed by means of) to improve the ashing rate and uniformity.
종래 반도체 제조공정 중 감광막의 제거는 건식(Dry) 또는 습식(Wet) 제거공정에 의해 이루어지는데 이중 플라즈마를 이용한 건식 제거(Dry strip) 방식으로는 산소(O2) 플라즈마를 주체로 하여 감광막을 제거한다. 이러한 건식 제거방식은 증기압이 낮기 때문에 감광막 중의 금속 산화물이 제거되지 않거나, 플라즈마 현상이 웨이퍼의 표면에서 이루어지기 때문에 플라즈마 중의 하전 입자에 의하여 챠지 업(Charge Up) 현상이 발생되어 게이트 절연 산화막의 내압이 악화될 뿐만 아니라 제거지(Ashing Rate)가 낮게 되는 문제점이 있다.In the conventional semiconductor manufacturing process, the photoresist film is removed by a dry (dry) or wet (wet) removal process. The dry strip method using double plasma removes the photoresist film mainly using oxygen (O 2 ) plasma. do. In the dry removal method, since the metal oxide in the photoresist film is not removed because the vapor pressure is low, or the plasma phenomenon is performed on the surface of the wafer, charge up phenomenon occurs in the plasma, so that the breakdown voltage of the gate insulation oxide film is increased. Not only is it worse, there is a problem that the ashing rate is lowered.
따라서, 본 고안은 챔버(Chamber)의 상부(top)에서 발생되며 챔버 양측에 설치된 자석에 의해 형성되는 강한 자장으로 고밀도화된 오존(O3) 플라즈마(Plasma)에 의해 감광막이 제거되도록 하여 상기한 단점을 해소할 수 있는 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention is generated at the top of the chamber (Chamber) and the photosensitive film is removed by the high-density ozone (O 3 ) plasma (Plasma) generated by a strong magnetic field formed by the magnets on both sides of the chamber described above It is an object of the present invention to provide an apparatus for removing a photosensitive film of a semiconductor wafer capable of eliminating the problem.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치는 플라즈마의 유속을 완화시켜 챔버 내에서 고밀도화된 플라즈마의 정체 시간이 길게 유지되도록 하기 위한 제어판(9)과, 고주파 발진용 전원(5)이 연결되는 제 1 전극판(8A) 및 접지단자에 연결되는 제 2 전극판(8B)을 수용하며, 상부 및 하부에 각각 가스 주입구(2) 및 가스 배출구(3)가 구비된 챔버(1)와, 상기 챔버(1) 상부의 양 외측면에 설치되어, 주입되는 가스를 고밀도 플라즈마 상태로 만들기 위한 자석(7)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The photosensitive film removing apparatus of the semiconductor wafer according to the present invention for achieving the above object is a control panel (9) for relieving the flow rate of the plasma to maintain the dwell time of the densified plasma in the chamber and a power source for high frequency oscillation ( A chamber having a first electrode plate 8A connected to 5) and a second electrode plate 8B connected to a ground terminal, and having a gas inlet 2 and a gas outlet 3 respectively disposed at an upper portion and a lower portion thereof. 1) and magnets 7 which are installed on both outer surfaces of the upper part of the chamber 1 to make the injected gas into a high density plasma state.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
첨부된 도면은 본 고안에 따른 반도체 웨이퍼의 감광막 제거장치의 구조도이다.The accompanying drawings are structural diagrams of an apparatus for removing a photosensitive film of a semiconductor wafer according to the present invention.
챔버(1)의 상부 및 하부에는 가스를 주입 및 배출하기 위한 가스 주입구(2) 및 가스 배출구(3)가 각각 형성되고, 상기 챔버(1) 상부의 양 외측면에는 자석(7)이 설치된다. 또한, 상기 챔버(1) 내에는 플라즈마의 흐름을 제어하기 위한 제어판(9), 고주파 발진용 전원(5)이 연결되는 제 1 전극판(8A) 및 접지단자에 연결되는 제 2 전극판(8B)이 각각 설치되는데, 웨이퍼(40가 적재되는 웨이퍼 카세트(10)는 상기 제 1 전극판(8A)의 상부에 위치되게 된다. 여기에서, 제어판(9)은 원형이며 다수의 홀이 설치되어 있다. 만약, 제어판(9)이 설치되지 않을 경우에는 플라즈마의 유속이 빨라져, 플라즈마가 배기구로 빠르게 배출될 때 웨이퍼의 첨단(Top)과 저부(Bttom)에서 제거비가 달라져 균일성이 달라지게 된다. 이를 개선하기 위해 본원 고안은 제어판(9)을 설치하여 플라즈마의 유속을 완화시키고 챔버 내에서 고밀도화된 플라즈마의 정체시간을 길게 유지시키도록 하는 것이다.Gas inlets 2 and gas outlets 3 for injecting and discharging gas are respectively formed in upper and lower portions of the chamber 1, and magnets 7 are provided on both outer surfaces of the upper chamber 1. . In addition, in the chamber 1, a control panel 9 for controlling the flow of plasma, a first electrode plate 8A to which a high frequency oscillation power supply 5 is connected, and a second electrode plate 8B connected to a ground terminal. Are respectively installed, and the wafer cassette 10 on which the wafer 40 is to be placed is positioned on the upper portion of the first electrode plate 8A. Here, the control panel 9 is circular and has a plurality of holes. If the control panel 9 is not installed, the flow velocity of the plasma is increased, and when the plasma is quickly discharged to the exhaust port, the removal ratio is changed at the top and bottom of the wafer, thereby changing the uniformity. In order to improve, the present invention is to install a control panel (9) to mitigate the flow rate of the plasma and to maintain a long residence time of the densified plasma in the chamber.
이러한 구조의 챔버에 의해 웨이퍼 상에 형성된 감광막(도시안됨)을 제거하는 공정을 설명하면 다음과 같다.The process of removing the photoresist film (not shown) formed on the wafer by the chamber of this structure will be described below.
상기 가스 주입구(2)를 통해 오전(O3)이 유입되면 오존(O3)은 상기 자석(7)에 의한 자장과 상기 고주파 발진용 전원(5)에 의한 고주파에 의해 이온화되어 고밀도의 플라즈마 상태가 된다. 플라즈마 상태의 오존에 의해 웨이퍼(4) 상에 형성된 감광막이 제거되고, 제거된 감광막 물질이 오존과 함께 상기 가스 배출구(3)를 통해 외부로 방출되는데, 상기 제어판(9)은 플라즈마의 유속을 완화시켜 챔버 내에서 플라즈마의 정체 시간이 길게 유지되도록 하는 데에 사용된다.Once through the gas inlet (2) PM (O 3) is introduced ozone (O 3) is a high density plasma condition is ionized by a high frequency caused by the magnet 7, the magnetic field and the power source 5 for the high-frequency oscillation by Becomes The photosensitive film formed on the wafer 4 is removed by ozone in a plasma state, and the removed photoresist material is discharged to the outside through the gas outlet 3 together with ozone, and the control panel 9 relaxes the flow velocity of the plasma. It is used to keep the plasma stagnation time in the chamber long.
상술한 바와 같이 본 고안에 의하면 챔버(Chamber)의 상부(top)에서 발생되며 챔버 상부의 양 외측에 설치된 자석에 의해 형성되는 강한 자장으로 고밀도화된 오존(O3) 플라즈마(Plasma)에 의해 감광막이 제거되도록 하여 하전입자에 의한 게이트(Gate) 절연막의 내압약화가 적고 제거비를 향상시켜 균일도가 증가되며 높은 내부 증기압으로 인하여 중금속이 웨이퍼에 침투되는 것을 억제할 수 있는 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the present invention, a photosensitive film is formed by an ozone (O 3 ) plasma generated at a top of a chamber and densified by a strong magnetic field formed by magnets installed at both outer sides of the chamber. The removal of the gate insulating film by the charged particles is reduced, and the removal ratio is improved, so that the uniformity is increased by the removal ratio, and due to the high internal vapor pressure, there is an excellent effect of suppressing the penetration of heavy metal into the wafer.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940002619U KR200171668Y1 (en) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | Apparatus for ashing of photosensitive film of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR2019940002619U KR200171668Y1 (en) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | Apparatus for ashing of photosensitive film of semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025884U KR950025884U (en) | 1995-09-18 |
| KR200171668Y1 true KR200171668Y1 (en) | 2000-03-02 |
Family
ID=19377178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR2019940002619U KR200171668Y1 (en) | 1994-02-15 | 1994-02-15 | Apparatus for ashing of photosensitive film of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200171668Y1 (en) |
-
1994
- 1994-02-15 KR KR2019940002619U patent/KR200171668Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR950025884U (en) | 1995-09-18 |
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